「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the fluoride crystal has a pretreatment process step of melting a fluoride raw material mixed with a scavenger under evacuation, then cooling the raw material to solidify the fluoride raw material and a crystal growth process step of growing the fluoride raw material to the fluoride crystal after the pretreatment process step described above.例文帳に追加

本発明のフッ化物結晶の製造方法は、排気しながらスカベンジャーが混合されたフッ化物原料を融解した後、冷却して該フッ化物原料を固体化する前処理工程と、該前処理工程の後、該前処理工程を終えたフッ化物原料をフッ化物結晶に成長させる結晶成長工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a single crystal growing vessel which can be used for a method for producing a compound single crystal, capable of specifying the surface direction of the crystal at a cross section of the compound single crystal, and capable of dividing a cross section into a plurality of wafer units by cleavage of a single crystal even when cutting out a plurality of wafers from a cross section.例文帳に追加

化合物単結晶の断面における結晶の面方位を特定することができ、かつ１つの断面から複数個のウェハを切り出す場合でも単結晶のへき開により１つの断面を複数個のウェハ単位に分割することが可能な化合物単結晶の製造方法に用いられる単結晶成長用容器を提供する。 - 特許庁

The material consists of a LuVO_4 light-emitting material mixed with an activator and is produced by forming portions without the activator mixed and spots of oxide powders of the Dy and Eu activating elements dissolved in a solvent, on a substrate rod of LuVO_4 obtained by sintering, melting the sintered material in a solidification furnace and growing crystals by the floating method.例文帳に追加

化学式LuVO_4に付活剤を添加したLuVO_4系発光材料で、焼成して得られたLuVO_4原料棒に付活剤をつけない部分、溶剤に溶いた付活剤元素であるＤｙ及びＥｕの酸化物粉末をスポット状に付着させた原料焼成体を結晶炉において溶融させ、さらにフローティング法により結晶育成を行うことにより製造される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a 2-17 Sm-Co type rare earth permanent magnet having a high density structure with fine crystal particle sizes, which is optimal for powder metallurgy, by preventing the particles from growing coarse and by aggregating densely, in a sintering step of the manufacturing process for a sintered compact of the 2-17 Sm-Co type rare earth permanent magnet.例文帳に追加

２−１７系Ｓｍ−Ｃｏ型希土類永久磁石焼結体の製造工程の中の焼結工程において、結晶粒成長の粗大化を防ぎ、且つ高密度化を図り、より粉末冶金的に最適な高密度微細結晶粒径組織を備えた２−１７系Ｓｍ−Ｃｏ型希土類永久磁石の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In manufacturing the focus ring used for the plasma device, this focus ring is manufactured by growing the single crystalline silicon, where the concentration of oxygen between lattices is 5×1017 atom/cm3 and not more than 1.5×1018 atoms/cm3, by Czochralski method, and processes that single crystalline silicon into annular form.例文帳に追加

および、プラズマ装置に用いられるシリコンフォーカスリングの製造方法において、チョクラルスキー法により格子間酸素濃度が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である単結晶シリコンを成長させ、該単結晶シリコンを円環状に加工し、シリコンフォーカスリングを製造するシリコンフォーカスリングの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for positive microbial breakdown of roots of grasses and woody plants growing thickly in rooftop vegetation facilities, slope vegetation facilities, planters, pots, flower beds, and the like, prepared for appreciation or cultivation by extracting a specific bacterium from the group of aerobic bacteria, facultative anaerobic bacterium and strictly anaerobic bacteria.例文帳に追加

好気性菌、通性嫌気性菌、絶対嫌気性菌群から特異的な菌を抽出し、屋上緑化施設や法面緑化施設、及び観賞用または栽培用に用意されたプランター、鉢、花壇等の土壌内に密生した草類や木本類の根を積極的に微生物分解すること、及び微生物を含んだ分解液を提供する。 - 特許庁

The method for producing a nitride semiconductor comprises a step for preparing a silicon substrate 1 containing a group III element in the vicinity of the surface 1f, and a step for growing a first clad layer 2 as an oxide semiconductor containing gallium on the surface 1f of the silicon substrate 1 by supplying gallium and nitride to the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体の製造方法は、表面１ｆ近傍に周期律表第ＩＩＩＢ族元素を含むシリコン基板１を準備する工程と、シリコン基板１の表面にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する酸化物半導体としての第１のクラッド層２をシリコン基板１の表面１ｆ上に成長させる工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device having a silicon carbide (SiC) film includes: a step of growing the silicon carbide film on a substrate; and a step of forming a groove on the silicon carbide film around a region where crystal defects are congregated so as to prevent spread of the crystal defects formed on the silicon carbide film.例文帳に追加

本発明は、炭化珪素(ＳｉＣ)膜を有する半導体装置の製造方法において、基板上に炭化珪素膜を成長させる工程と；前記炭化珪素膜に形成された結晶欠陥が広がらないように、結晶欠陥が集約された領域の周囲の前記炭化珪素膜上に溝を形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer.例文帳に追加

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

The method of growing a crystal of the nitride semiconductor on the crystalline nitride semiconductor substrate comprises supply of gaseous raw materials onto the substrate while keeping the temperature of the substrate within the temperature range of 400 to 600°C so as to form a low temperature buffer layer composed of the nitride semiconductor material on the surface of the substrate.例文帳に追加

結晶性の窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体を結晶成長させる方法であって、前記基板に対して原料ガスを供給すると共に当該基板を４００℃〜６００℃の範囲に保持することで、当該基板表面に窒化物半導体材料で構成された低温バッファー層を形成する。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method and the tool to be provided, specified plants to which the herbicide is desired to be applied, are selected from among grown plants in the plant growing area, and the liquid herbicide is applied with a writing brush pen part 30 of a writing brush pen-like tool 29 to herbicide application parts 26, 27 or 28, just like writing letters with a writing brush pen.例文帳に追加

植物群域における生育植物のうち、除草剤を塗布したい特定植物を選んで、筆状刷毛具２９の筆部３０によって、液状除草剤を毛筆文字を書く如く、除草剤塗布部２６、２７、あるいは２８に描く如く、前記特定植物に液状除草剤を部分的に塗布する方法と器具を提供した。 - 特許庁

This method for growing the plant by using the ozone gas comprises arranging an ozone gas generator (10) in a closed space (6), measuring temperature and humidity of environmental air in the closed space at a prescribed time interval, generating the ozone gas in a low concentration from the environmental air based on the measured value for a prescribed time, and diffusing the generated ozone gas in the closed space.例文帳に追加

オゾンガスを用いた植物の育成方法は、閉鎖空間（６）内にオゾンガス発生機（１０）を配置すること、所定の時間周期で閉鎖空間内の環境空気の温度および湿度を測定すること、測定値にもとづいて環境空気から低濃度のオゾンガスを一定時間発生させること、閉鎖空間内にオゾンガスを拡散させることからなる。 - 特許庁

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.例文帳に追加

窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁

A silicon single crystal is manufactured by a CZ method under the conditions that the rotation speed of the crucible is controlled to ≤4 min^-1 and that the single crystal is pulled while an inert gas introduced into a growing apparatus to pass over the silicon melt surface is blown to the melt surface to produce a rotating flow along the surface of the single crystal.例文帳に追加

（１）ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造において、るつぼの回転速度を４ｍｉｎ^-1以下とし、かつ育成装置内に導入しシリコン融液表面を通過する不活性ガスが単結晶の表面に沿った旋回流となるよう融液表面に吹きつけつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 - 特許庁

The method for blooming the nursery stock raised from seed includes sowing Prunus persica seeds subjected to germination promoting treatment, growing a seedling raised from seed until the seedling raised from seed reaches a transient phase or a reproductive phase without allowing natural dormancy, and performing adhesion treatment of a uniconazole solution or pouring or adhesion treatment of a paclobutrazol solution before a floral differentiation period after reaching the transient phase or the reproductive phase.例文帳に追加

発芽促進処理されたハナモモの種子を播き、実生苗を自然休眠させることなく当該実生苗が移行相又は生殖相に達するまで生育させ、前記移行相又は生殖相に至った後で花芽分化期前にウニコナゾール液の付着処理又はパクロブトラゾール液の潅注若しくは付着処理を行う。 - 特許庁

The method for constructing a planting garden comprises: forming cultivation bed units 1 using cotton 2 made of biodegradable plastic so as to pave a flat surface with many of the units; appropriately growing plants whose seeds are sowed on many of the cultivation bed units; and thereafter paving the flat surface while selecting the cultivation bed units to construct a desired garden.例文帳に追加

本発明では、生分解性プラスチック製の綿２により、多数により平面を敷き詰め可能な栽培床ユニット１を形成し、多数の前記栽培床ユニットに播種した植物を適宜生長させた後、栽培床ユニットを選択しながら平面に敷き詰めて所望の庭園を構成する植栽庭園の構築方法を提案している。 - 特許庁

A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.例文帳に追加

複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer at least includes a step of epitaxially growing a p-type layer by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a substrate of a compound semiconductor, wherein nitrogen gas is passed in an HVPE furnace when the temperature of the substrate is raised before starting the epitaxial growth of the p-type layer.例文帳に追加

少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the silica particulate aggregate dispersion obtained by growing respective silica primary particles constituting silica seed particles by adding at least one kind selected from an aqueous active silicic acid solution and alkoxysilane in the presence of an alkali to a dispersion or suspension containing the silica seed particles subjected to a surface treatment by a hydrophobic silane coupling agent.例文帳に追加

疎水性シランカップリング剤で表面処理されたシリカシード粒子を含む分散液または懸濁液に、アルカリの存在下に活性ケイ酸水溶液及びアルコキシシランから選ばれる少なくとも１種を添加して該シリカシード粒子を構成する各シリカ一次粒子を成長させることにより得られるシリカ微粒子凝集体分散液の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the carbon nanocoils is characterized by heating an inside of a reactor, passing a gaseous hydrocarbon through the inside of the reactor, dispersing the indium-tin-iron catalyst in the gaseous hydrocarbon in particulates and growing the carbon nanocoils on the surfaces of the catalyst particulates while decomposing the hydrocarbon in the vicinity of the catalyst.例文帳に追加

本発明に係るカーボンナノコイルの製造方法は、反応器内部を加熱し、この反応器内部に炭化水素ガスを流通させ、この炭化水素ガスの中にインジウム・スズ・鉄系触媒を粒子状に分散させ、炭化水素を触媒近傍で分解しながら触媒粒子の表面にカーボンナノコイルを成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a thermal interface material includes a first step of growing an array of carbon nanotubes on a substrate, a second step of depositing at least one metal on one surface of the array of carbon nanotubes, and a third step of heating the array of carbon nanotubes and the at least one metal to melt the metal.例文帳に追加

本発明の熱界面材料の製造方法は、基板にカーボンナノチューブアレイを成長させる第一ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの一つの表面に少なくとも一種の金属を堆積させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブアレイ及び前記少なくとも一種の金属を加熱させて、前記金属を溶かす第三ステップと、を含む。 - 特許庁

In the method for producing the fluoride single crystal, comprising growing the fluoride single crystal by cooling a melt, obtained by melting a mixture of a fluoride and a scavenger, the scavenger contains two or more kinds of compounds each having at least one maximum point in a range of ≤1,400°C in a pressure-temperature curve.例文帳に追加

フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において１４００℃以下に１以上の極大点を有する化合物を２種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method for culturing the biological tissue 62 comprises taking cells 61 onto a three-dimensional wire frame 50 in a culture medium and growing the thus taken cells 61 on the three-dimensional wire frame 50 so that the cells 61 are arranged in such an orientation as to correspond to the shape of the three-dimensional wire frame 50.例文帳に追加

本発明においては、３次元ワイヤーフレーム５０に培養媒質内で細胞６１を生着させ、この３次元ワイヤーフレーム５０に生着した細胞６１が３次元ワイヤーフレーム５０の形状に応じた配向で配列するように、生着した細胞６１を３次元ワイヤーフレーム５０上で成長させて生体組織６２を培養する。 - 特許庁

This method for separating and collecting the mold comprises inoculating and culturing mold hyphae separated from a sample in the wells of a micro plate, respectively, and then removing strains growing in an early stage, putting a sterilizer in the wells, continuously performing the operations for at least three days to culture, and then collecting strains grown in other wells after the operations.例文帳に追加

試料から分離した糸状菌菌糸を、マイクロプレートの複数のウェル中の培地に各々１個ずつ接種して培養し、早期に成長する菌株を除去し、そのウェルに殺菌剤を入れる操作を少なくとも３日間行いつつ培養を継続し、他のウェルでその後に成長した菌株を採取することを特徴とする糸状菌の分離採取方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a light emitting semiconductor device containing a group III nitride quantum well layer contains selecting the facet orientation of the quantum well layer, controlling intensity of a piezoelectric field and/or intensity of a naturally generated electric field in the quantum well layer, and growing the quantum well layer having the selected facet orientation.例文帳に追加

III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び／又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。 - 特許庁

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.例文帳に追加

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

To obtain a nonmagnetic garnet single crystal having a large lattice constant and excellent crystallinity, transparent in the wavelength region used by an optical communication, and suitable as the substrate for growing a magnetooptic crystal by an LPE method, and further to obtain a magnetic garnet LPE single crystal film by using the nonmagnetic garnet single crystal, capable of enlarging a Faraday rotational capacity by substituting a large amount of Bi.例文帳に追加

格子定数が大きく、結晶性が良好で、光通信で使用される波長域で透明であり、ＬＰＥ法による磁気光学結晶の育成用の基板として好適な非磁性ガーネット単結晶、及びそれを用いて、Ｂｉを多量置換してファラデー回転能を大きくできる磁性ガーネットＬＰＥ単結晶膜を得る。 - 特許庁

A manufacturing method of an AlN crystal 8 comprises: a step for growing the AlN crystal 8 on the surface of an SiC seed crystal substrate 3; and a step for extracting at least a part of the AlN crystal 8b in a range 8a of 2 mm to 60 mm on the AlN crystal 8 side from the surface of the SiC seed crystal substrate 3.例文帳に追加

ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for growing the silicon single crystal by a Czochralski method is provided with a waste gas pipe extension member 34 so as to communicate with the air exit 31 disposed in the lower part of the growth furnace to exhaust the inert gas flowing in the growth furnace and is provided with a protective gas pipe 32 so as to enclose this waste gas pipe extension member.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する製造装置において、育成炉内に流れる不活性ガスを排気する前記育成炉の下方部に設けられた排気口３１に連通するように排ガス管延長部材３４を設けかつ該排ガス管延長部材を囲繞するように保護ガス管３２を設けるようにした。 - 特許庁

In the vapor deposition method of the nitride semiconductor with the nonpolar surface as a main surface onto a substrate for vapor deposition of the nitride semiconductor, the pressure of an atmosphere in the vapor deposition is made to be 1-10kPa and the temperature of the substrate for growing the semiconductor is made to be ≥900°C and <1,100°C.例文帳に追加

無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound single crystal capable of specifying the surface direction of the crystal at a cross section of the compound single crystal, and capable of dividing a cross section into a plurarity of wafer units by creavage of a single crystal even when cutting out a plurarity of wafers from a cross section, and a single crystal growing vessel therefor.例文帳に追加

化合物単結晶の断面における結晶の面方位を特定することができ、かつ１つの断面から複数個のウェハを切り出す場合でも単結晶のへき開により１つの断面を複数個のウェハ単位に分割することが可能な化合物単結晶の製造方法およびそれに用いられる単結晶成長用容器を提供する。 - 特許庁

The method for producing it comprises the steps of forming a silicon source layer having a thickness corresponding to its size so as to form the nanoparticls of a required size, forming the nanoparticles comprising a predetermined metal and silicon, vapor-depositing the nanoprticles on the silicon source layer, and forming the silicide by growing the nanoparticles.例文帳に追加

また、要求される大きさのナノ粒子が形成されるように、その大きさに対応する厚さにシリコンソース層を形成するステップと、所定金属とシリコンからなるナノ粒子を形成するステップと、ナノ粒子をシリコンソース層に蒸着させるステップと、ナノ粒子を成長させてシリサイドを形成するステップと、を含むナノ粒子の製造方法である。 - 特許庁

To obtain a material for controlling soil pests which avoids exerting adverse effect on natural environment and exhibits soil pest controlling effect in an early stage and is capable of maintaining stable soil pest controlling effect over the all growing periods of agricultural products, and also provide a method for controlling soil pests stably and effectively.例文帳に追加

自然環境に悪影響を及ぼすことなく、かつ早期に土壌病虫害防除効果を発現させるとともに、農作物の生育期間の全般にわたって安定的に土壌病虫害防除効果を持続させることのできる土壌病虫害防除用資材および安全で効果的な土壌病虫害の防除法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a single crystal includes steps of: disposing a seed crystal within the crucible 1; disposing a raw material on the seed crystal within the crucible 1; disposing a sealant on the raw material within the crucible 1; and growing the single crystal on the seed crystal by melting the raw material followed by coagulating.例文帳に追加

単結晶の製造方法は、るつぼ１内に種結晶を配置する工程と、るつぼ１内の種結晶上に原料を配置する工程と、るつぼ１内の原料上に封止剤を配置する工程と、原料を溶融させた後、凝固させることにより、種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a fluorite crystal comprises a step for melting calcium fluoride in a crucible and then solidifying the resulting melt, and includes a step for growing the fluorite single crystal from the lower end of the melt in the crucible, and a step for subsequently depositing fluorite polycrystal from the melt.例文帳に追加

本発明の蛍石結晶の製造方法は、ルツボ中でフッ化カルシウムを融解させてから凝固させる蛍石結晶の製造方法において、ルツボ中融液の下端から蛍石単結晶を成長させる工程と、それに引き続いて融液から蛍石多結晶体を析出させる工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal having a desired carrier concentration and fewer impurities without corroding a device for growing a crystal by accelerating a reaction of producing gallium hydride gas to contribute to improving a growth rate of the gallium nitride crystal and doping the gallium nitride crystal with oxygen as a n-dopant.例文帳に追加

水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a cuprous oxide particle comprises pouring a solution containing a cuprous oxide raw material and a dispersant into an agitating apparatus, thereafter pouring a solution containing a compound having reduction actions into the agitating apparatus, and growing the cuprous oxide crystal by agitating and mixing the solution.例文帳に追加

酸化第一銅原料及び分散剤を含有する溶液を撹拌装置中に注入した後、還元作用を有する化合物を含有する溶液を前記撹拌装置中に注入し、撹拌混合させて酸化第一銅結晶を成長させる酸化第一銅粒子の成長工程を含む酸化第一銅粒子の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN single crystal substrate comprises an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 comprising a hexagonal GaN on a GaN single crystal being a seed crystal and a cutting step for cutting the formed ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The equipment for manufacturing polycrystal silicon, wherein reaction chambers 2 for precipitating and growing silicon by a chemical vapor phase precipitation method on a silicon core material 3 standing on an electrode so as to obtain polycrystal silicon rods 3, are arranged in a factory building, is characterized in that a quake-absorbing structure is applied to the polycrystal silicon rods in the reaction chambers 2.例文帳に追加

電極上に立設されたシリコン芯材３に、化学気相析出法によりシリコンを析出・成長させて多結晶シリコンロッド３を得るための反応容器２が工場建屋内に配設された多結晶シリコン製造設備において、反応容器２内の多結晶シリコンロッド３に対して免震構造が施されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an industrially valuable method for producing a metal fluoride single crystal where the crystal in which the falling of transmissivity by laser beam irradiation is suppressed, which has high laser resistance and which has high quality optical properties over the entire region from the upper region to the lower region of a growing crystal body having a large diameter and a long size is produced with high yield and in a large size.例文帳に追加

大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor thin film is provided with a step for forming a single crystal region 2 which becomes a crystalline nucleus by locally melting and solidifying an amorphous silicon thin film 3, and a step for expanding the single crystal region 2 by growing a crystal so as to become reverse directions to each other about the center of the single crystal region 2.例文帳に追加

半導体薄膜を製造する方法は、アモルファスシリコン薄膜３を部分的に溶融固化させることにより、結晶核となる単結晶領域２を形成させるステップと、単結晶領域２を中心に互いに逆方向になるように結晶成長させて単結晶領域２を拡大させるステップと、を備える。 - 特許庁

The method includes: a melting step of heating a source material used for producing an oxide single crystal to obtain a melt 18; an impurity removing step of retaining the melt state to decrease impurities included in the melt; and a single crystal growing step of producing an oxide single crystal 1 from the melt 18 of the source material after the impurity removing step.例文帳に追加

酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method of this organic field-effect transistor includes processes of: growing a plurality of flake-like organic semiconductor single crystals 15a on a base 20; and transferring the plurality of flake-like organic semiconductor single-crystals 15a to a substrate 10 for a device provided with a gate insulation film 12 for a plurality of transistors, and electrodes 11, 13 and 14.例文帳に追加

本実施形態に係る有機電界効果トランジスタは、基台２０上に複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを成長させる工程と、複数のトランジスタ用のゲート絶縁膜１２及び電極１１，１３，１４を備えるデバイス用基板１０に、複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを転写する工程と、を有する。 - 特許庁