「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing a silicon carbide film by epitaxially growing silicon carbide on the surface of a single crystal substrate while succeeding the crystal orientation of the substrate, the whole or a part of the substrate surface is provided with a plurality of projections and recesses running parallel to one another in one direction, and silicon carbide is grown on the substrate surface.例文帳に追加

単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法において、 前記基板表面の全部又は一部に１方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process of preparing an underlayer structure having a silicon carbide layer covering copper wiring, and a process of growing silicon oxycarbide through vapor phase growth by using tetramethylcyclotetrasiloxane, carbon dioxide, and oxygen at a flow rate of 3% or less to the flow rate of the carbon dioxide as source gases.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造上に、ソースガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン、炭酸ガス、炭酸ガスの流量に対して３％以下の流量の酸素を用い、気相成長でシリコンオキシカーバイドを成長する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a repair part of excellent strength and environment resistance by efficiently and surely uniforming a crystal growing direction of a building-up part, appropriately penetrating in and preventing recrystallization due to crack and residual stress on welding, when conducting building-up repair of the gas turbine high temperature part by a half overlap method.例文帳に追加

ガスタービン高温部材のハーフオーバラップ法による肉盛補修に際し、効率よく肉盛部の結晶成長方向を一方向に確実に揃え、良好に溶け込ませ、割れの発生や溶接時の残留応力による再結晶の生成を防止し、高強度かつ耐環境性に優れた補修部位を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing an RE-Ba-Cu-O-based oxide superconductor is characterized by using, as starting materials, an RE-Ba-O-based compound (wherein, RE is one or more kinds of rare earth elements) and a Ba-Cu-O-based liquid-phase raw material, then melting the liquid-phase component, and growing a crystal.例文帳に追加

ＲＥ−Ｂａ−Ｏ系化合物（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上）とＢａ−Ｃｕ−Ｏ系液相原料を出発原料とし、液相成分を溶融した後、結晶成長させることを特徴とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法である。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing biogas and clean water, in each of which biogas is produced from a floating waterweed as a biomass resource without discharging digestive juices produced simultaneously and clean water is produced at a step of growing the floating waterweed and each of which can contribute to the environmental protection and is excellent in cost effectiveness.例文帳に追加

バイオマス資源としての浮き草からバイオガスを製造する際に生じる消化液を排出することなく、さらにこの浮き草を栽培する過程で浄水を製造し、環境保護に貢献することのできる経済性に優れたバイオガス及び浄水の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing silicon carbide single crystal, the supply of a raw material gas is once stopped on the way of the growth of a silicon carbide single crystal 22, and the growing surface temperature of the silicon carbide single crystal 22 is measured with a pyrometer 30 through a pipe 10 for supplying the raw material gas to a silicon carbide single crystal substrate 8, while making argon gas flow there.例文帳に追加

炭化珪素単結晶２２の成長途中に原料ガスの供給を一旦停止するとともにアルゴンガスを流しながら、炭化珪素単結晶２２の成長表面温度を原料ガスの炭化珪素単結晶基板８への供給用の管１０を通してパイロメータ３０で測定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which will not have bending caused by thermal stress during cooling and crack generated thereby, after growing a group III nitride compound semiconductor such as AL_xGa_yIn_1-x-yN (wherein 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤x+y≤1) on a substrate such as sapphire.例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）等のIII族窒化物系化合物半導体をサファイア等の基板上に成長させた後、冷却時の熱応力に起因するたわみや、これによって生じる亀裂のない半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

In the compound semiconductor wafer for MOVPE in which an epitaxial layer, such as AlGaAs or InGaAs is grown by the MOVPE method, the epitaxial growth takes place by means of a wafer which is low at the center, when a surface for growing the epitaxial layer faces upward and whose periphery is warped high and concentrically.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法によりＡｌＧａＡｓやＩｎＧａＡｓ等のエピタキシャル層を成長させるＭＯＶＰＥ用化合物半導体ウェハにおいて、エピタキシャル層を成長させる表面を上側に向けた時に中央部が低く、かつ周辺部が高く同心円状に反っているウェハを用いてエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

This method for producing the sugar, having a crystallization process for growing sucrose crystals from the supersaturated solution of the sucrose, is characterized in that the sucrose crystals comprise three or more crystal forms having different melting points and that the crystal forms and the melting points of the sugar are controlled by adjusting the crystallization conditions of the crystallization process.例文帳に追加

スクロース体の過飽和溶液からスクロース結晶を成長させる結晶化工程を有する砂糖の製造方法であって、スクロース結晶は、融点の異なる３種以上の結晶形からなり、結晶化工程の結晶化条件を調整することにより、結晶形を制御し、得られる砂糖の融点を制御する。 - 特許庁

In the method for pulling a silicon single crystal, in order to control the V/G value with high accuracy, the distance Δt between the melt surface 13a of the silicon melt 13 and the heat shielding member 17 that is disposed so as to oppose to and to partially cover this melt surface 13a is continuously measured while pulling (growing) the silicon single crystal 15.例文帳に追加

本発明のシリコン単結晶引上方法では、Ｖ／Ｇを高精度に制御するために、シリコン単結晶１５の引上（育成）中に継続してシリコン融液１３の融液面１３ａと、この融液面１３ａに対面してその一部を覆うように配された遮熱部材１７との間隔Δｔの測定を行う。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling apparatus growing a silicon single crystal having desired resistivity to which a sublimable dopant is reliably added at high concentration without depending on a time period until a first half of a cylindrical portion of the silicon single crystal is formed, and to provide a method for producing a silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the image sensor comprises a step for forming the first conductive semiconductor substrate, a step for forming the trench, a step for growing the second conductive type first epitaxial layer in the trench to be embedded, and a step for forming the second epitaxial layer on the first epitaxial layer.例文帳に追加

また、第１導電型の半導体基板を形成するステップと、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第２導電型の第１のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、前記第１のエピタキシャル層上に第２のエピタキシャル層を形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法が提供される。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises the steps of forming an oxide film 14 having a trench forming pattern on the surface of an n-type silicon semiconductor substrate 11, forming a trench 16 for a super junction on the semiconductor substrate 11 with a mask of the oxide film 14, and conducting an epitaxial growing to bury the trench 16 with a p-type semiconductor 17.例文帳に追加

ｎ型シリコン半導体基板１１の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜１４を形成し、この酸化膜１４をマスクとして半導体基板１１に超接合用トレンチ１６を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ１６をｐ型半導体１７で埋める。 - 特許庁

The method of manufacturing the catalyst layer for the fuel cell comprises a process of growing a carbonaceous porous material as a carrier of a catalyst layer having a nano-sized structure like carbon nano-wall (CNW), by vapor deposition; and a process of making the catalytic component and/or the electrolyte component to be carried/dispersed on the carrier of the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層用担体としてカーボンナノウォール（ＣＮＷ）等のナノサイズ構造を有する炭素系多孔性材料を気相成長させる工程と、触媒成分及び／又は電解質成分を該触媒層用担体上に担持・分散させる工程とを含む燃料電池用触媒層の製造方法。 - 特許庁

To provide a formula feed for growing a calf of nursing stage, effective for increasing the feed intake of calf of about 7 days to about 3 months old to prevent the growth insufficiency and developmental arrest of calf and reduce the loss in stock raising industry, and to provide a method for improving the growth of calf by supplying the feed.例文帳に追加

生後７日目頃から概ね３月までの子牛を対象としてその飼料摂取量を増大させ、発育不良や発育停滞の子牛をなくし、もって畜産業のロスを軽減できるほ乳期子牛育成用配合飼料とその飼料を給与して子牛の発育を改善する方法を提供する。 - 特許庁

When the single crystal 4 is pulled from a silicon melt 3 by using the regenerated quartz crucible 1a subjected to the regeneration treatment after being used for growing a silicon single crystal by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible in an amount of 1-70 ppm by mass based on the silicon raw material.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成に使用した後、再生処理を施した再生石英ルツボ１ａを用い、シリコン溶融液３から単結晶４を引き上げるに際し、石英ルツボ内のシリコン原料に、ＢａＣＯ_3粉末を、シリコン原料に対する質量比で、１〜７０ｐｐｍ添加する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a linear structure consisting of a carbon element in high density by using catalytic metal fine particles while restraining the agglomeration of the catalytic metal fine particles.例文帳に追加

触媒金属微粒子を用いて炭素元素からなる線状構造体を成長する線状構造体の成長方法及び成長装置に関し、触媒金属微粒子の凝集を抑制して高密度で線状構造体を成長しうる線状構造体の成長方法及び成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of highly efficiently manufacturing a nitride semiconductor device provided with an n-type contact layer doped with a donor by preventing the occurrence of abnormal growth in growing a nitride semiconductor layer heavily doped with the donor on a nitride semiconductor layer having donor concentration lower than that of the heavily-doped semiconductor layer.例文帳に追加

ドナーを高濃度にドープした窒化物半導体層を、それよりも低いドナー濃度を有する窒化物半導体層の上に成長する際の、異常成長の発生を防止し、それによって、ドナーをドープしたｎ型コンタクト層を備えた窒化物半導体素子を効率よく製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁

This single crystal pulling-up method is characterized in that the time required for passing the temperature region of 1,150-1,050°C is regulated to more than 50 min and/or that of 1,050-950°C is regulated to less than 40 min in a process for pulling up the single crystal while growing from a nitrogen- doped silicon raw material melted liquid.例文帳に追加

(1) 窒素がドープされたシリコン原料融液から単結晶を成長させながら引上げる方法であって、前記単結晶の引上げ過程で1150〜1050℃の温度領域の通過時間を50分以上、または／および1050〜 950℃の温度領域の通過時間を40分以下とすることを特徴とする単結晶の引上げ方法である。 - 特許庁

(3) The method of producing the low concentration nitrate nitrogen Italian ryegrass obtaining a plant including low concentration of nitrate nitrogen by measuring the concentration of the nitrate nitrogen in the plant after growing the Italian ryegrass in a condition supplying sufficient nitrates, selecting plants including relatively low concentration of the nitrate nitrogen and then hybridizing.例文帳に追加

．硝酸塩を十分に与えてイタリアンライグラス植物を生育させた後、その植物体中の硝酸態窒素濃度を測定し、硝酸態窒素濃度が相対的に低い植物体を選抜し、交配させることにより、硝酸態窒素濃度の低い植物を得る低硝酸態窒素濃度のイタリアンライグラスの作出方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride crystal of the group III element includes a process for growing the crystal by reacting the group III element, nitrogen and a dopant in a melt containing an alkali metal in an atmosphere of a gas containing the nitrogen-containing gas and the dopant.例文帳に追加

III族元素窒化物結晶の製造方法であって、窒素含有ガスおよびドーパントを含むガスの雰囲気中で、アルカリ金属を含む融液中において、III族元素と前記窒素と前記ドーパントとを反応させることにより結晶成長させる工程を含むIII族元素窒化物結晶の製造方法である。 - 特許庁

The method comprises steps of: forming a crystal raw material mass by supplying crystal powder 6 containing an alkali metal fluoride or alkali earth metal fluoride; melting the crystal raw material mass in a crystal growing unit; and solidifying the molten crystal raw material mass by cooling.例文帳に追加

アルカリ金属フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物を含有する結晶粉末６を供給して結晶原料塊を形成するステップと、結晶原料塊を結晶成長ユニット内で溶融するステップと、溶融した結晶原料塊を冷却により凝固させるステップと、を含む方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a electrode material for lithium secondary battery having a uniform and stable quality obtained in a short time by drying and calcining a mixture of a transition metal compound fed into a rotary cylindrical body and a lithium compound, while preventing the mixture from depositing and growing on inner surface of the rotary cylindrical body.例文帳に追加

回転円筒体に装入された遷移金属化合物とリチウム化合物との混合物を円筒体内面への混合物の付着成長を抑制しながら乾燥、焼成を行い、短時間で均一かつ安定した品質のリチウム二次電池電極材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for detecting the purification ability of the plants for chlorinated organic compounds is characterized in that the plants which are not subjected to genetic manipulation for purifying the chlorinated organic compounds, and especially, which are polygonaceous or gramineous wild plants, are brought to grow in a growing environment where remazol brilliant blue R, bromophenol blue or guaiacol exists therein.例文帳に追加

有機塩素化合物を浄化する遺伝子操作を受けていない植物、特に野生のタデ科およびイネ科植物をレマゾールブリリアントブルーＲ、ブロモフェノールブルーまたはグアヤコールが存在する生育環境で生育させることを特徴とする植物の有機塩素化合物の浄化能を検知する方法。 - 特許庁

This method for producing the carbon nanotube comprises forming a thin film of a catalyst metal on the substrate, carrying out a pretreatment of heating the thin film at 600-1,000°C under a reduced pressure of ≤1×10^-4 Torr, and growing the carbon nanotube vertically oriented on the substrate by a plasma CVD process.例文帳に追加

本発明は、基板上に触媒金属の薄膜を形成し、これを１×１０^−４トール以下の減圧下で、６００〜１０００℃に加熱する前処理を行ったのち、プラズマＣＶＤ法により、基板上にカーボンナノチューブを垂直配向させて成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法である。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride single crystal 3 at the inside of a crystal growth vessel 11, a porous body formed from a metal carbide and having a porosity of 0.1-70% is used in at least a part of the crystal growth vessel 11.例文帳に追加

結晶成長容器１１の内部でＩＩＩ族窒化物単結晶３を成長させる方法であって、結晶成長容器１１の少なくとも一部に、金属炭化物で形成されている気孔率が０．１％以上７０％以下の多孔質体を用いることを特徴とするＩＩＩ族窒化物単結晶の成長方法。 - 特許庁

To obtain a weed-preventing sheet, improved to prevent weeds from growing in a gap between the adjacent sheets, when a number of the sheets are arranged on the ground side by side to cover a wide area, and also to provide a method for efficiently arranging them.例文帳に追加

防草シートの多数を幅方向に並べて広い範囲を覆う作業を行うに際して、隣接する防草シートの間に隙間ができて雑草の生えるようなことがないよう改良された防草シートを得ることゝ、その防草シートの布設作業を効率よく行い得る作業方法を得ることにある。 - 特許庁

This method for differentiating growing and suppressing mechanism of hair comprises differentiating the mechanism by using behavior of mRNA encoding aFGF(acidic fibroblast growth factor) from resting stage of hair cycle to transfer stage as index and using a differentiating agent of hair- related cell comprising labeled RNA and/or labeled RNA fragment having a base sequence of antisense in mRNA encoding aFGF.例文帳に追加

ａＦＧＦ（酸性線維芽細胞増殖因子）をコードしたｍＲＮＡにアンチセンスの塩基配列を有する標識ＲＮＡ及び／又は標識ＲＮＡ断片からなる毛関係細胞の鑑別剤を用いて、毛周期の休止期から移行期へのａＦＧＦをコードしたｍＲＮＡの挙動を指標とし鑑別する。 - 特許庁

This is an MBE-assisted compound semiconductor crystal growing method wherein correlation between the cell temperature and molecular beam rate is determined on the basis of the physical properties of a grown film, the correlation is used for correcting the flux gage measurement, and the corrected measurement is used for setting the cell temperature.例文帳に追加

ＭＢＥ法による化合物半導体の結晶成長において、成長膜の物性定数を元に、セル温度と分子線量の相関を決め、該相関を用いてフラックス測定の補正を行い、該補正を用いてセル温度を設定することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。 - 特許庁

The method generates beneficial effects such as pain-killing, warming cold tissue, growing hair on bald scalps, healing of leg ulcers, mitigating male erectile failure, etc., by delivery of a nitrogen oxide-releasing substance such as L-arginine, or the like, by topical application or oral administration, to tissues of mammals such as humans, etc.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｌ−アルギニンなどの酸化窒素放出物質を、局所適用法又は経口投与法のいずれかによって、ヒト等の哺乳類の組織に送達し、鎮痛、低温組織の加温、頭皮での育毛、下肢潰瘍の治癒、インポテンスの軽減などの有益な効果を生み出すための方法である。 - 特許庁

To provide a subterranean stem protective block for a street tree or the like and its laying method capable of simply and efficiently carrying out work without preventing growing conditions such as sprinkling of water, air ventilation, sunshine or the like to the subterranean stem of a tree such as a street tree or the like planted to a pavement, a square, an approach to a building or the like.例文帳に追加

本発明は街路樹等の地下茎保護ブロック、およびその敷設工法に関し、例えば舗道、広場、建物のアプローチ等に植設する街路樹等の樹木の地下茎に対する潅水、空気の流通、日照等の育成条件を阻害することなく、しかも簡単かつ効率的に施工を行おうとする。 - 特許庁

This method for producing an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one crystal surface, a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of voids on the crystal surface of the substrate, and a third step of growing an epitaxial layer on the crystal surface of the substrate.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises forming a porous layer 2 on the surface of a silicon substrate 1 being a base substrate, then forming a silicon carbide seed crystal 3 on the surface of the porous layer 2 by impressing a voltage to the silicon substrate 1 in a plasma atmosphere of a gas containing carbon, and epitaxially growing a crystal layer of silicon carbide by using the seed crystal 3 as a starting point.例文帳に追加

母材基板としてのシリコン基板１の表面に多孔質層２を形成し、炭素を含むガスのプラズマ雰囲気中でシリコン基板１に電圧を印加して多孔質層２の表面にシリコンカーバイドの種結晶３を形成し、その種結晶３を起点にシリコンカーバイドの結晶層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A method of manufacturing substrate structure includes the steps of forming a TiN thin film 12 on a silicon substrate 11, accumulating a Co particulate 13 and Ni particulate 14 both of which are mixed on the TiN thin film 12, and sequentially growing CNT 15 and 16 from the Co particulate 13 and Ni particulate 14 by changing the growth condition.例文帳に追加

シリコン基板１１上にＴｉＮ薄膜１２を形成した後、ＴｉＮ薄膜１２上にＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４を両者が混在化するように堆積し、成長条件を変えてＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４からＣＮＴ１５，１６を順次成長させる。 - 特許庁

The method for producing a nitride crystal includes: bringing a reactive gas which reacts with ammonia to produce a mineralizer into contact with ammonia in a reaction chamber 1 or in a closed circuit connected to the reaction chamber 1 to produce a mineralizer; and in the presence of the ammonia and the mineralizer, growing a nitride crystal from a crystal growth raw material 5 comprising a nitride placed in the reaction chamber 1 by an ammonothermal method.例文帳に追加

反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、反応容器１内にてアンモニアと鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料５から窒化物結晶を成長させる窒化物結晶の製造方法。 - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a good quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growth rate by using a relatively easily available raw material so as to realize mass production, in the manufacturing of the SiC single crystal by a solution growth method, comprising growing the SiC single crystal on a seed crystal substrate from a solution obtained by dissolving SiC into a solvent comprising a molten Si alloy.例文帳に追加

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣ（炭化珪素）が溶解した溶液から種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises: providing a substrate; introducing a (methyl cyclopentadienyl)(1,5-cyclooctadiene) iridium (1) precursor; introducing oxygen as a precursor reaction gas; establishing final pressure in the range of 1 Torr to 50 Torr; and growing the IrOx hollow nanotube from the surface of the substrate with the use of metalorganic chemical vapor deposition method (MOCVD).例文帳に追加

本発明の方法は、基板を提供すること、（メチルシクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）前駆物質を導入すること、前駆物質反応ガスとして酸素を導入すること、１から５０Ｔｏｒｒの範囲内の最終圧力を確立すること、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）処理を使用することにより、基板の表面からＩｒＯｘ中空ナノチューブを成長させることとを包含する。 - 特許庁

This contact plug forming method of the semiconductor element includes a step of growing an SEG contact plug on the semiconductor substrate where various elements for forming the semiconductor element are formed by the SEG method, a stage for thermally doping an impurity while the SEG contact plug is grown, and a step of thermally doping impurity after the SEG contact plug is grown.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグ形成方法は、半導体素子を形成するための各種の要素が形成された半導体基板上にＳＥＧ法でＳＥＧコンタクトプラグを成長させる段階と、ＳＥＧコンタクトプラグを成長させる途中で不純物をサーマルドーピングする段階と、ＳＥＧコンタクトプラグを成長させた後、不純物をサーマルドーピングする段階とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

In the method of growing an oxide thin film according to the principle of the ALD method where an oxide thin film is deposited onto a substrate by an alternating surface reaction of metallic raw material and oxygen raw material, the oxygen raw material to be used is composed of a compound of boron, silicon or metal having at least one organic ligand, and the oxygen is combines with at least one atom of boron, silicon or metal.例文帳に追加

金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるＡＬＤ法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも１つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも１つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものである。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.例文帳に追加

石英るつぼに収容された半導体メルト（ｍｅｌｔ）にシード（ｓｅｅｄ）を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを０.６〜１.５ｒｐｍの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device has a process of forming a trench on a semiconductor substrate, a process of forming a first insulating film on the inner wall of the trench, a process of forming a second insulating film on the bottom surface of the trench by an anisotropic film forming method, and a process of embedding a third insulating film growing faster on the first insulating film than on the second insulating film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板にトレンチを形成する工程と、トレンチの内壁に第１の絶縁膜を形成する工程と、異方性のある成膜方法によりトレンチの底面に第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜上よりも第２の絶縁膜上において成長速度が速い第３の絶縁膜をトレンチ内に埋め込む工程とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon carbide single crystal having high quality at a high growing speed and stably using a raw material that is comparatively easily available for realizing the mass production, in manufacturing of silicon carbide single crystal by a liquid phase growth method in which the SiC single crystal is grown on a seed crystal substrate from a solution that is obtained by dissolving SiC in a solvent of a molten Si alloy.例文帳に追加

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣが溶解した溶液から、種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる液相成長法による炭化珪素単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁