「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing the graphite particles includes an activation treatment process for producing activated carbon by subjecting a raw material carbon composition containing easily graphitizable carbon to an activation treatment and a heat treatment process for growing graphite crystals by heat treating the activated carbon at a temperature of 2,000-3,000°C in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

本発明の黒鉛粒子の製造方法は、易黒鉛化性炭素を含有する原料炭素組成物を賦活処理して活性炭を製造する賦活処理工程と、この活性炭を不活性ガス雰囲気下、２０００〜３０００℃の温度で熱処理して黒鉛の結晶を成長させる熱処理工程と、を備える。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of growing a high-quality and high-performance oxide single crystal with extremely little oxygen depletion in case that a material with a high melting point is used, its manufacturing method, and a high-quality oxide single crystal manufactured thereby.例文帳に追加

本発明は、高融点材料であっても酸素欠損が極めて少なく、高品質、高性能な酸化物単結晶を育成することのできる高品質酸化物単結晶の製造装置および製造方法ならびにこの製造方法により作製される高品質酸化物単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10.例文帳に追加

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The method for producing the nitride single crystal comprises forming a substance transport medium layer 12 containing a compound of a rare earth element on the surface of a nitride crystal 11 and growing the nitride single crystal 14 on a seed crystal 13 by bringing the seed crystal 13 into contact with the substance transport medium layer 12.例文帳に追加

窒化物結晶１１の表面に希土類元素の化合物を含有する物質輸送媒体層１２を形成し、種結晶１３を物質輸送触体層１２に接触させることにより、種結晶１３に窒化物単結晶１４を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of high-strength coke comprises dry-distilling a blended coal, where blending conditions of the blended coal are decided based on the pore-growing parameter R, which is a ratio of the pressure ΔP to the viscosity η of a softening and melting layer of coal in the heating process, represented by formula (2): R=ΔP/η (2).例文帳に追加

配合炭を乾留してコークスを製造する方法において、前記配合炭の配合条件を、加熱過程における石炭軟化溶融層の圧力ΔＰと粘度ηとの比で示される下記式（２）の気孔成長パラメータＲに基いて決定することを特徴とする高強度コークスの製造方法。 - 特許庁

This method for treating the superovulation in the pig repeating the estrous period is characterized by administering a hormonal agent having corpus luteum regressing actions in the pig repeating the estrous period, regressing the corpus luteum and then growing follicles in the pig and further a hormonal agent for inducing the superovulation and inducing the superovulation.例文帳に追加

発情周期を繰り返している豚に黄体退行作用を持つホルモン剤を投与して黄体を退行させ、次いで該豚に卵胞を発育させるホルモン剤および排卵を誘発するホルモン剤を投与して過排卵を誘発することを特徴とする、発情周期を繰り返している豚における過排卵処理法。 - 特許庁

The method for producing a Group III nitride-based compound semiconductor by the flux process includes: preparing a melt by melting at least a Group III element by use of a flux; supplying a nitrogen-containing gas to the melt; and growing a semiconductor crystal consisting of a Group III nitride-based compound semiconductor on a seed crystal from the melt.例文帳に追加

少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。 - 特許庁

In a water purification method, first of all, a water purification promoting material in which sulfur-oxidizing bacteria capable of oxidizing elemental sulfur (elemental sulfur-oxidizing bacteria) and having pH characteristics suitable for growing near neutral pH, and carriers of the elemental sulfur-oxidizing bacteria are mixed is produced (101).例文帳に追加

本発明に係る水質浄化方法においては、まず、中性近傍で増殖に適したｐＨ特性を有し単体硫黄を酸化可能な硫黄酸化細菌（単体硫黄酸化細菌）と該単体硫黄酸化細菌の担体とが混合された本実施形態に係る水質浄化促進材を製造する（１０１）。 - 特許庁

In the method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor substrate, comprising epitaxially growing a nitride-based compound semiconductor layer on a substrate for growth, a rare earth perovskite substrate having a main plane, where the (011) plane is made to incline at an off angle of 0-2°(0° is excepted) in ≈[010] direction, is used as the substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、成長用基板として、（０１１）面を≒［０１０］方向に０〜２°（０°を除く）のオフ角で傾斜させた主面を有する希土類ペロブスカイト基板を用いる。 - 特許庁

The method for growing the fluoride crystal is carried out by using a Bridgman furnace 10 and by housing a crystal raw material 3, in which a fluoride raw material is compounded, in a crucible 2, fusing the material and cooling to solidify the melt, wherein a fluoride having the total mass concentration of iron and zinc of less than 1.5 ppm is compounded as the fluoride raw material.例文帳に追加

ブリッジマン炉１０を用い、フッ化物原料が配合された結晶原料３をルツボ２に収容し、溶融後、融液を冷却固化してフッ化物結晶を育成する方法であって、フッ化物原料として、鉄及び鉛の合計質量濃度が１．５ｐｐｍ未満であるフッ化物を配合する。 - 特許庁

To provide a shield member and an apparatus for growing a single crystal equipped with the member, which can produce a high quality and long-sized single crystal by virtue of prominent effects in uniformizing surface temperatures of the seed crystal and the grown crystal in the radial direction, in the production of a silicon carbide single crystal, etc., by a sublimation recrystallization method.例文帳に追加

昇華再結晶法による炭化珪素単結晶等の製造において、種結晶及び成長結晶の表面温度の径方向の均一化効果が顕著で、高品質でかつ長尺の単結晶の製造を可能とする遮蔽部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing single crystal silicon having a square cross section which has a high growth rate, capable of easily controlling temperature distribution having a square shape without depending only on high-frequency coil, which suppresses the formation of crystal defects, and which uniforms in-plane distribution in resistivity, and to provide a silicon wafer having a square section.例文帳に追加

成長速度が大きく、高周波コイルだけに頼らないで四角形状の温度分布が容易に制御でき、結晶欠陥の形成が抑制され、抵抗率の面内分布が均一化された四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法、及び四角形のシリコンウェ−ハを提供する。 - 特許庁

The method for growing strawberries includes putting culture soil 14 onto a sheet made of a non-biodegradable nonwoven fabric having root permeability and water permeability so as to form a root zone limiting cultivation tank 15, fix-planting by putting the root zone limiting body 4 into which the strawberry seedlings are planted on the culture soil, and watering as well as manuring through a watering tube 16.例文帳に追加

イチゴの栽培方法は、透根性、透水性を有する非生分解性の不織布製のシート上に培土１４を入れて根域制限栽培槽１５を形成し、イチゴ苗が植え込まれた根域制限体４を培土の上に置いて定植し、かん水チューブ１６を介してかん水と同時に施肥する。 - 特許庁

To provide a susceptor for vapor phase growth, which can prevent film thickness distribution of a single crystal thin film to grow from becoming deteriorated by preventing a crack with the reduction of injuries around outer periphery of a semiconductor substrate which is growing in a vapor phase and further by suppressing eccentricity of the semiconductor substrate, and to provide a method for vapor phase growth using the same.例文帳に追加

気相成長中の半導体基板の外周縁のキズを低減することで割れを防止し、さらには、半導体基板の偏心を抑制することで、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止できる気相成長用サセプタ及びそれを用いた気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a product 1 for growing plants comprises putting plant seeds 3 in cotton 2 made of biodegradable plastic, covering the seeds with non-woven cloth 4 made of biodegradable plastic, cutting the thus-obtained material into a desired decorative shape with an ultrasonic cutter as it is, and fusing the cut portions to be bonded.例文帳に追加

そこで本発明では、生分解性プラスチック製の綿２内に植物の種子３を入れ、生分解性プラスチック製の不織布４で覆い、この状態で超音波カッターにより所望の装飾形状に切断すると共に、切断個所を融着して構成する植物育成用物品１の製造方法を提案している。 - 特許庁

The method includes: dissolving a gas in an ultraviolet curable resin composition; subsequently applying the composition on a conductor 3; irradiating ultraviolet light on the composition; and forming bubbles and forming a foam insulation layer 5 by curing the composition while growing bubbles 4 due to a decrease in solubility of the gas during the curing of the resin composition.例文帳に追加

紫外線硬化樹脂組成物中にガスを溶解させた後に、この組成物を導体３上に塗布し、紫外線を照射し、樹脂が硬化する際のガスの溶解度の低下によって気泡４を成長させながら硬化することで気泡を形成し、発泡絶縁層５を形成する方法である。 - 特許庁

The alga and moss controlling agent for lawns includes fumaric acid or a fumarate including, for example, sodium fumarate which is a compound having such high safety as is widely used as a food additive and the method of controlling algae and mosses growing on lawns comprises spraying fumaric acid or a salt thereof onto the lawns.例文帳に追加

食品添加物として広く用いられているほどに安全性の高い化合物であるフマル酸またはフマル酸ナトリウムなどのフマル酸塩を含有する芝生用の藻苔類防除剤、およびフマル酸またはその塩を芝生植生地に散布することを含む、芝生に生える藻苔類の防除方法。 - 特許庁

The method for forming a crystalline semiconductor film includes steps of: forming a semiconductor film containing hydrogen on a substrate or an insulating film provided on the substrate; performing a plasma process applying surface wave plasma on the semiconductor film containing hydrogen to create crystal nuclei of the semiconductor; and forming a crystalline semiconductor film by growing the crystal nuclei.例文帳に追加

基板上、又は基板上に設けられた絶縁膜上に水素を含む半導体膜を形成し、該水素を含む半導体膜上に表面波プラズマによるプラズマ処理を行って半導体の結晶核を発生させ、該結晶核を成長させることで結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a bryophyte-controlling composition for a lawn, controlling the bryophytes without developing phytotoxicity to a western grass such as bent grass as a means for controlling the bryophytes growing on the lawn, and a method for applying the same to exhibit an effect synergistically.例文帳に追加

芝生に発生する蘚苔類の防除のため手段として、本発明は、ベントグラス等の洋芝類に対して薬害の発生を起こすことなく蘚苔類を防除することができる芝生用蘚苔類防除組成物並びに相乗的に効果を発揮する芝生用蘚苔類防除組成物の使用方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a droplet discharging apparatus capable of preventing a nozzle opening or the like of a droplet discharging head from clogging or the like and suppressing useless consumption of a liquid by controlling accumulation/growing of solid substances in a sealing part for sealing the droplet discharging head, and to provide a method for processing a capping device or the like.例文帳に追加

液滴吐出ヘッドを封止する封止部内における固形物の堆積・成長を制御することで、液滴吐出ヘッドのノズル開口等の目詰まり等を防止し、且つ液体の無駄な消費を抑えることができる液滴吐出装置及びキャッピング装置の処理方法等を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a compound semiconductor single crystal comprises the process of reducing an amount of water in a vessel 5 provided with a crucible 1 for receiving a raw material 4 and the process of growing a compound semiconductor single crystal by the melting of the raw material 4 received in the crucible 1 and by thereafter the solidifying thereof.例文帳に追加

原料４を収容する坩堝１が設置された容器５内の水分量を減少させる工程と、坩堝１に収容された原料４を溶融した後に固化することによって化合物半導体単結晶を成長させる工程とを含む化合物半導体単結晶の製造方法である。 - 特許庁

In the method for preparing a flat platy silver halide photographic emulsion by forming flat platy grained nuclei by the formation of nuclear fine grains and subsequent aging and then growing the flat platy grained nuclei, a globular protein is allowed to exist in the formation of the nuclear fine grains.例文帳に追加

核微粒子形成とそれに引き続く熟成によって平板粒子核を形成し、該平板粒子核を成長させる事により、平板状ハロゲン化銀乳剤を製造する過程において、核微粒子形成時に球状蛋白質を存在させる事を特徴とする平板状ハロゲン化銀写真乳剤の製造方法。 - 特許庁

The film deposition method includes a heating step of heating a substrate at the predetermined temperature of substantially 200°C, and a reaction step of performing the film deposition by exposing the surface of the substrate to the alternate surface reaction of a reactive object such as TMA in vacuum while maintaining the surface of the substrate at the predetermined temperature, and growing a thin film on the substrate.例文帳に追加

成膜方法では、基板を所定の温度である略２００℃に加熱する加熱工程と、基板の表面を当該所定の温度に維持しながら真空中でＴＭＡ等の反応物の交互表面反応に曝して基板上に薄膜を成長させて成膜する反応工程とを行う。 - 特許庁

To provide a method for semiconductor crystal growth and a crystal growing apparatus which can easily grow a non-doped semiconductor crystal layer having a sufficiently low dislocation density and a high resistance on a semiconductor substrate for a base, and also to provide a high-quality and high-performance semiconductor substrate manufactured by using these.例文帳に追加

下地用半導体基板上に、転位密度が十分小さい高抵抗のノンドープ半導体結晶層を容易に結晶成長させることができる半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された高品質、高性能な半導体基板を提供すること。 - 特許庁

This method for growing the nitride semiconductor layer comprises: supplying GaCl of group III raw material continuously or intermittently on a substrate; and also supplying NH_3 of nitrogen raw material and Cp_2Fe of semi-insulating dopant raw material imparting semi-insulating property alternately to grow the semi-insulating nitride semiconductor layer on the substrate.例文帳に追加

窒化物半導体層の成長方法は、基板上にIII族原料ＧａＣｌを連続的又は断続的に供給するとともに、窒素原料ＮＨ_３と半絶縁性を付与する半絶縁性ドーパント原料Ｃｐ_２Ｆｅとを交互に供給して基板上に半絶縁性窒化物半導体層を成長させる。 - 特許庁

In the method for producing a silver halide emulsion, in a process for forming silver halide grains in which at least part of nuclei forming and growing steps is carried out by forming silver halide grains in an external mixer and supplying the silver halide grains, the temperature of the grain formation for supply in the external mixer is ≤10°C.例文帳に追加

外部混合器においてハロゲン化銀粒子を形成し、該ハロゲン化銀粒子を供給することにより、核形成および成長の工程のうち少なくとも一部を行うハロゲン化銀粒子の形成方法であって、該外部混合器での供給用粒子形成温度が１０℃以下であるハロゲン化銀乳剤の製造方法。 - 特許庁

In this coating method, a bubble-free quartz layer having a thickness of 80 μm to 4 mm is formed on an inner surface of a quartz crucible for growing a silicon crystal, then the surface of the bubble-free quartz layer is covered with an alkaline earth hydroxide, and thereafter, heating is performed to at least a temperature at which the devitrification occurs in the surface.例文帳に追加

本発明に係るコーティング方法では、シリコン結晶成長用石英坩堝の内面に厚さ８０μｍ以上４ｍｍ以下の無気泡石英層を形成し、前記無気泡石英層の表面をアルカリ土類水酸化物で被覆した後、前記表面に失透が発生する温度以上に加熱する。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device has a process of heating the metal film to the stress yield point of the metal ±50°C (B) and holding it at the temperature for a certain time and a process of growing crystal particle size of the metal film by heating the metal film up to a temperature (C) where the crystal particle size is grown above the keeping temperature.例文帳に追加

金属膜をその金属の応力降伏点±５０℃（Ｂ）まで加熱してこの温度に所定時間保持する工程と、金属膜を保持温度以上の結晶粒径が成長する温度（Ｃ）に加熱することで金属膜の結晶粒径を成長させる工程とを備えている半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The production method of a substrate for electric optical devices includes an amorphous layer formation process of forming an amorphous layer 9a on the base material 101, a crystalline nucleus production process of producing a crystalline nucleus in an amorphous layer 9a by heating treatment and a crystalline growth process of obtaining an electric conductive layer 9 by growing the produced crystalline nucleus by heating treatment.例文帳に追加

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、非晶質層９ａ中に加熱処理によって結晶核を生成させる結晶核生成工程と、生成した結晶核を加熱処理によって成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

This method for producing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane employs an LPE(liquid phase epitaxy) process, characterized in that a non-magnetic garnet single crystal substrate having a half-value width of the rocking curve in lattice(8 8 8) plane of the substrate of ≤140 seconds is used for growing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane by the LPE process.例文帳に追加

ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得る方法であり、ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成するに際して用いる非磁性ガーネット単結晶基板を、該基板（８ ８ ８）面のロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものを用いることを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for growing plants in sandy ground includes: placing a columnar sand bag charged with at least sand in its cylindrical inner part formed with cylindrical knit fabric, on a sand surface, so as to form the curing part having a width of ≤30 cm; and seeding or transplanting the seeds or the seedlings of a plant desired to be grown on the curing part.例文帳に追加

砂面上に筒状編地で形成される筒状内部に少なくとも砂が充填された柱状砂嚢を載置して、幅３０ｃｍ以下の養生部を形成し、育成を所望する植物の種もしくは苗を該養生部に播種もしくは移植する、砂地における植物の育成方法。 - 特許庁

The method allows for the production of the LPS which can be used to produce a 3-O-deacylated monophosphoryl lipid A (3D-MLA) having at least about 20 mol% of the hexaacyl congener group, and comprises: growing a culture of deep rough mutant bacterial strain in a medium; harvesting cells from the culture; and extracting LPS from the cells.例文帳に追加

ディープラフ型突然変異細菌株の培養、培養物から細胞を収集、細胞からLPSを抽出する工程を含む方法であり、ヘキサアシル同族体グループを少なくとも約20モル％有する、3-O-脱アシル化されたモノホスホリルリピドA(3D-MLA)の生成に使用することができるLPSの生成が可能である。 - 特許庁

To provide a high-quality GaN semiconductor light-emitting element which can be improved in electrical characteristics and optical characteristics by reducing defects such as Ga voids or the like by doping Al when growing GaN and reducing defects by lattice mismatch such as dislocation or the like, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

The cultivation method comprises using a truck 3 having a duct 4 attached with a nozzle 5, giving dwarf action by stress through spraying air from the nozzle 5 and water from another nozzle in parallel to garden products, hardening stems and leaves (thickening and strengthening roots and trunks), growing a root system to obtain strong garden products and giving the products resisting power to damage by harmful insects.例文帳に追加

ノズル５を取付けたダクト４を備える台車３を用い、ノズル５よりエアを、並列する別のノズルより水を園芸作物に吹付けてストレスによる矮化作用を与え、茎葉を硬化（根や幹を太くかつ強く）し，根系を発達させて丈夫な園芸作物を得、病虫害に対する抵抗力を与える。 - 特許庁

This method comprises: an impurity fixation process for fixing an impurity 24a on the surface of a ground layer 10 exposed at least on the bottom of the concavity part 22; a VLS growth process for VLS-growing the conductive material using the ground layer 10 with the impurity 24a fixed and for implanting the conductive material in the whole concavity part.例文帳に追加

この方法は、凹部２２の少なくとも底面に露出する下地層１０の表面に不純物２４ａを定着させる不純物定着工程と、不純物２４ａが定着した下地層１０を利用して導電材をＶＬＳ成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むＶＬＳ成長工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a capacitor composed of a positive and negative polarizable electrodes for growing an electric double layer, separators for electrically insulating the polarizable electrodes and metal collecting electrodes 2 for drawing charges out of the polarizable electrodes, comprises ultrasonically bonding a bundle of leads 4 of the collecting electrodes 2 to an electrode terminal 40.例文帳に追加

電気二重層を生じる正負の分極性電極と、分極性電極間を電気的に絶縁するセパレータと、分極性電極から電荷を引き出す金属からなる集電極２とからなり、集電極２のリード部４の束を電極端子４０に超音波溶接で接続するキャパシタの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing sufficiently a monocrystal GaN substrate which is a growing substrate capable of obtaining a semiconductor layer of a good surface morphology or a monocrystal GaN substrate which can be suitably used as a semiconductor substrate, by reducing a defect in a polishing process and shortening a polishing time.例文帳に追加

研磨工程における不良を低減し、研磨時間を短縮して、表面モフォロジーが良好な半導体層が得られる成長用基板である単結晶ＧａＮ基板又は半導体基板として好適に用いることができる単結晶ＧａＮ基板を効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

To provide a method of laser beam machining of a workpiece in a short time and with a high resolution, by generating ablation plasma on the surface of the workpiece, producing a stress deformation region inside the workpiece, and thereby growing a crack in that region using a shock wave from the plasma.例文帳に追加

加工対象物の表面にアブレーション・プラズマを、加工対象物内部に応力ひずみ領域を発生させ、プラズマから発生する衝撃波を利用して、応力ひずみ領域内にクラックを成長させることで、短時間かつ高い分解能で加工対象物をレーザ加工する方法を提供すること。 - 特許庁

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method.例文帳に追加

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。 - 特許庁

To provide an electrothermal nanowire that is manufactured by growing a single-crystal electrothermal nanowire from an electrothermal material using a compressive stress caused by a difference in a thermal expansion coefficient after laminating an oxide layer and an electrothermal material having different thermal expansion coefficients from each other on a substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板の上に熱膨張係数が互いに異なる酸化物層と熱電物質を積層した後熱膨張係数の差による圧縮応力を利用して熱電物質から単結晶の熱電のナノワイヤを成長させて製造される熱電のナノワイヤ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen.例文帳に追加

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The method comprises epitaxially growing the cubic silicon carbide crystal film on the surface of the silicon substrate by decomposing monomethylsilane in the vicinity of the surface of the silicon substrate, heated to a temperature of not lower than 700°C and lower than 900°C, by using hydrogen radical formed by bringing hydrogen gas into contact with a metal catalyst heated to 1,400-1,800°C.例文帳に追加

１４００〜１８００℃に加熱した金属触媒体に水素ガスを接触させて生成した水素ラジカルにより、７００℃以上９００℃未満に加熱したケイ素基板の表面近傍でモノメチルシランを分解してケイ素基板表面に立方晶炭化ケイ素結晶膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁

To provide earth-friendly culture soil capable of forming strong root balls, smoothly planting without causing collapse of root bills when seedlings are planted into fields, etc., every root balls by a transplanter and healthily growing seedlings without inhibiting growth and a method for solidifying the above culture soil for raising seedlings.例文帳に追加

地球に優しく強力の高い根鉢を形成し、移植機で苗を根鉢ごと田畑などに植付ける際に根鉢の崩壊が生じず円滑に植付けることができ、しかも苗を育成阻害を招くことなく健全に育てることの出来る育苗用培土の提供、および該育苗用培土の固化方法の提供する。 - 特許庁