「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon single crystal is grown by a Czochralski method using an apparatus for growing the silicon single crystal, which comprises a chamber, a crucible provided in the chamber to receive a silicon molten liquid, a heater being provided beside the crucible for heating the silicon molten liquid and having a maximum exothermic section existing at a specified position in the crucible and a pulling mechanism to pull the growing silicon single crystal from the silicon molten liquid.例文帳に追加

チャンバーと，前記チャンバーの内部に設けられ，シリコン融液を受容する坩堝と，前記坩堝の側方に設けられ，前記シリコン融液を加熱し，前記坩堝内の特定位置で発熱量が最大である最大発熱部位が形成されたヒータと，前記シリコン融液から成長されるシリコン単結晶を引上げる引上機構と，を含むチョクラルスキ法によるシリコン単結晶成長装置を使用し、シリコン単結晶を成長させる。 - 特許庁

The method for forming an SiC single crystal includes forming an epitaxial film 6 of the SiC single crystal by epitaxially growing the SiC single crystal on an SiC substrate 1 having an inclination angle of 0.01-8° with respect to the SiC(0001) plane by metastable solvent epitaxy method and then forming an SiC single crystal 2 on the epitaxial film 6 of the SiC single crystal by a sublimation method.例文帳に追加

ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a GaN compound semiconductor crystal for preventing the occurrence of abnormal growth and discolouration in a direction other than a C-axis direction in a growth crystal, in a method for growing the GaN compound semiconductor crystal on a compound semiconductor substrate, and to provide the GaN compound semiconductor crystal of good quality which is obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

化合物半導体基板上にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、成長結晶中にＣ軸方向以外の異常成長や変色が発生するのを防止できるＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法および該製造方法によって得られる良質のＧａＮ系化合物半導体結晶を提供する。 - 特許庁

A method for producing a p-SiC semiconductor single crystal by a solution method which is a method for growing the p-SiC semiconductor single crystal on an SiC single crystal substrate from a solution formed by dissolving C in an Si melt, wherein a solution prepared further adding to the above solution Al and N in amounts satisfying the relationship: the amount of Al added>the amount of N added is used.例文帳に追加

Ｓｉ融液にＣを溶解させた溶液からＳｉＣ単結晶基板上にｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にＡｌおよびＮを、Ａｌ添加量＞Ｎ添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a novel method for producing a diamond single crystal which is a method for growing a diamond single crystal by a vapor-phase synthesis process and by which a very-low-impurity-content high-quality diamond single crystal having a regular growth face can be produced relatively simply and which is effectively used as a synthesis method for a large-size diamond single crystal.例文帳に追加

気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the method includes previously growing ground cover plants 50 on an upper surface of the soil 40, carrying the product into a greening construction work place such as a parking area construction site in a prescribed period, and laying the product on the upper surface to complete a greening construction covered with the ground cover plants 50 in a short time.例文帳に追加

あらかじめ土４０の上面に地被植物５０を生育させておき、所定時期に駐車場建設現場など緑化工事場所に運び込んでその上面に敷設し、地被植物５０に覆われた緑化工事を短時間に完成する。 - 特許庁

To provide a method and device for growing crystals by which the yield can be improved and cost can be reduced significantly, at cutting of a substrate into chips, a cubic III nitride crystal, and a semiconductor device.例文帳に追加

基板をチップ状に切り出す際の歩留りを向上させ、基板をチップ状に切り出す際のコストを著しく低減させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To obtain a crystal of nitride of group III having a practical side for manufacturing a device such as a high-performance light emitting diode, LD, etc., and provide both a method and an apparatus for crystal growth, capable of growing the crystal of nitride of group III.例文帳に追加

高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

This method for producing β1,3-N-acetygalactosamine transferase keeping the enzyme activities, comprises at least a step for transducing a specific DNA into a cell, a step for growing the resultant cell to express the β1,3-N- acetygalactosamine transferase, and a step for collecting the transferase.例文帳に追加

特定のＤＮＡを細胞に導入し、次いで該細胞を生育させてβ１,３−Ｎ−アセチルガラクトサミン転移酵素を発現させ、これを採取する工程を少なくとも含む、酵素活性を維持しているβ１,３−Ｎ−アセチルガラクトサミン転移酵素の製造方法。 - 特許庁

To obtain small virus capable of growing and lysing algae by specifically infecting red tide plankton, provide a method for controlling the red tide using the virus, obtain an agent for controlling a red tide, provide methods for isolating, extracting, successively subculturing, freeze-preserving and concentrating the virus.例文帳に追加

赤潮プランクトンに特異的に感染して増殖・溶藻しうる小型ウイルス、該ウイルスを利用する赤潮防除方法および赤潮防除剤、並びに該ウイルスの単離方法、抽出方法、継代培養方法、凍結保存方法、および濃縮方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for growing a sapphire crystal, by which the time for crystal growth can be saved, the cost can be reduced, the mass or size of a crystal is not limited, and qualities can satisfy the requirements of high functions for optics or semiconductor and communication elements.例文帳に追加

結晶成長時間を節約でき、コストが低下でき、結晶の質量とサイズが制限されることが無く、品質が光学や半導体及び通信等の素子に対する高機能要求を満足できるサファイア結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a group III nitride film includes a process of growing a nonpolar group III nitride film on a growth surface of the substrate, wherein the growth surface of the substrate is not nonpolar and a flat mirror surface is formed on an upper surface of the nonpolar group III nitride film.例文帳に追加

III 族窒化膜を製造する方法であって、基板の成長面上に無極性III 族窒化膜を成長させる工程を含み、前記基板の前記成長面は無極性ではなく、前記無極性III 族窒化膜の上面には平坦な鏡面を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing ammonium sulfate crystals by which ammonium sulfate crystals of a large particle size are stably manufactured especially even under a crystallization condition where the liquid retention time is short by efficiently reducing excess fine crystals existing in a crystallizer and quickly growing crystals.例文帳に追加

晶析缶内に存在する余剰の微結晶を効率良く低減するとともに、迅速に結晶成長を行い、特に液滞留時間が短い晶析条件下においても安定的な粒度の粗大な硫安結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tool for preventing feeding damage on marine algae capable of constructing seaweed beds in an early period by defending the growing points of the marine algae from the feeding by vegetable eating fish by an economical method in a good efficiency, and concrete blocks with a feeding-preventing function on the sea algae.例文帳に追加

植食性魚類の補食から海藻の生長点を効率よく、かつ、経済的な方法で防御することにより、早期に藻場を造成することができる海藻の食害防止具、及び、海藻の食害防止機能付きコンクリートブロックを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which when the same kind of a semiconductor material as that of a semiconductor layer is used as a substrate for growing the semiconductor layer making up a semiconductor element structure, allow a recognizable alignment mark to be formed at the time of a light exposure process following the growth of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体素子構造を構成する半導体層の成長用基板として、該半導体層と同種の半導体材料を用いる場合に、半導体層を成長した後の露光時に認識可能なアライメントマークを形成できるようにする。 - 特許庁

To reduce the manufacturing period for a device and to improve its productivity by increasing the lateral growth rate of GaN by doping with indium (In) during laterally growing GaN by an LEO (lateral epitaxial overgrowth) method.例文帳に追加

本発明はＬＥＯ法を利用してＧａＮを側面成長させる際インジウム（Ｉｎ）ドーピングを通してＧａＮの側面成長速度を増加させ、より短時間内にＧａＮ層を形成するＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法に関するものである。 - 特許庁

The method for efficiently and economically purifying the contaminated soil comprises sampling a part of soil in the contaminated soil area, practicing the advance evaluation test to evaluate the applicability of the bioremediation to the sampled soil and purifying the sampled soil by growing microorganisms having the degradability of the contaminant in the sampled soil.例文帳に追加

汚染土壌領域の土壌の一部を採取し、該採取土壌に対してバイオレメディエーションの適用性を評価する事前評価試験を実施して、該採取土壌中に汚染物質の分解能を有する微生物を生育して該採取土壌を浄化する。 - 特許庁

To provide a laminating structure of a 3-group nitride semiconductor capable of realizing a flat surface, a controlled film thickness and the reduction of crystal defect by a one time crystal growing process with excellent reproducibility, and provide a manufacturing method thereof and a 3-group nitride semiconductor device.例文帳に追加

一回の結晶成長工程で、表面が平坦で、膜厚が制御され、再現性良く結晶欠陥の低減を実現できる３族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び３族窒化物半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

In a method for manufacturing the LT substrate from an LT crystal, after growing the crystal, an LT crystal in an ingot form is embedded in carbon powder, or is placed in a carbon vessel, and heat treatment is performed at a maintained temperature of 650-1,650°C for at least 4 hours.例文帳に追加

ＬＴ結晶を用いてＬＴ基板を製造する工程において、結晶育成後のインゴット状態のＬＴ結晶をカーボン粉末の中に埋め込んで、あるいはカーボン容器に入れて、６５０〜１６５０℃の保持温度で４時間以上熱処理する。 - 特許庁

The method for the producing the graphite nanofiber comprises forming an Al layer 2 on the surface of a substrate 1, then forming a catalyst layer 3 on the Al layer 2, and vapor-growing the graphite nanofiber 4 on the catalyst layer 3 at a low temperature under below the atmospheric pressure by supplying a mixed gas of a carbon atom-containing gas and hydrogen gas.例文帳に追加

基板１の表面にＡｌ層２を形成し、このＡｌ層上に触媒層３を形成し、この触媒層上に炭素原子含有ガスと水素ガスとの混合ガスを供給して、低温で大気圧以下で気相成長せしめる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a silicon single crystal controlling the surface temperature distribution of a silicon melt when growing the silicon single crystal and thus lessening fluctuation of diameter caused by variation of the temperature of a silicon melt surface.例文帳に追加

シリコン単結晶を育成している際のシリコン融液表面の温度分布を制御することができ、シリコン融液表面の温度に起因する直径の変動を小さくすることができる単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法を実現する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device, a semiconductor device, and a device for growing an insulation film in which nitrogen concentration distribution in the insulation film is controlled arbitrarily without changing over gas being introduced and the reliability of the semiconductor device is enhanced by lowering a trap density.例文帳に追加

半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、絶縁膜成長装置に関し、導入するガスを切り換えることなく絶縁膜中の窒素濃度分布を任意に制御するとともに、トラップ密度を低減して半導体装置の信頼性を向上する。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN compound crystal, where crackings can be prevented from occurring in a GaN compound semiconductor crystal by removing a rare earth 13 (3B) perovskite crystal board by the use of a reduction treatment, before a cooling process is carried out.例文帳に追加

冷却工程の前に希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶基板を還元処理して除去することにより、ＧａＮ系化合物半導体結晶にクラックが発生するのを防止できるＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus for growing the single crystal from a raw material melt by the CZ method is provided with an annular cooling body so as to encircle the single crystal grown from the raw material melt.例文帳に追加

チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を育成する単結晶育成装置において、原料融液から育成される単結晶を包囲するように環状の冷却体を設け、該冷却体を冷却体内部を流通する気体により冷却する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can grow a crystal into a desired length dimension and form a crystalline region having a desired crystal growth direction in a desired region in a single step of growing the crystal, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

結晶を成長させる工程が一度であって、結晶を所望の長さ寸法に成長させ、かつ所望の領域に所望の結晶成長方向を有する結晶領域を形成することができる半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heater, a crystal growing device and a method for producing a compound semiconductor single crystal, by which the production yield and uniformity in a plane of a wafer prepared from an obtained crystal can be improved in the production of a compound semiconductor single crystal such as ZnTe.例文帳に追加

ＺｎＴｅ等の化合物半導体単結晶の製造において、歩留まりの向上及びウェハとしたときの面内均一性の向上を図ることができるヒータ、結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling Digitaria ciliaris, developing in Western turf such as bent grass, before its development to its growing period, which exerts no influence on the Western turf such as bent grass suffering from continuing stress by trimming with a machine or the like and tread pressure.例文帳に追加

ベントグラスなどの西洋芝地に発生する、発生前から生育期にかけてのメヒシバを防除し、かつ機械等による刈り込みおよび踏圧によるストレスが与え続けられているベントグラスなどの西洋芝に対して影響のない、メヒシバの防除方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing gallium nitride-based compound semiconductor single crystal capable of preventing the breakdown of an epitaxial layer during cooling operation after growing it and capable of separating it from the substrate with the shape of the epitaxial layer maintained.例文帳に追加

成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

There are provided an insecticidal composition containing 4-oxo-4-[(2-phenylethyl)amino]-butyric acid and fipronil as effective ingredients, and a method for controlling pests which comprises applying the effective amount of 4-oxo-4-[(2-phenylethyl)amino]-butyric acid and fipronil to a plant or the growing site of plant.例文帳に追加

４−オキソ−４−[(２−フェニルエチル)アミノ]−酪酸とフィプロニルとを有効成分として含有する殺虫組成物、４−オキソ−４−[(２−フェニルエチル)アミノ]−酪酸とフィプロニルとの有効量を植物または植物の生育場所に施用する害虫の防除方法。 - 特許庁

The method for producing flavones from buckwheat sprouts comprises irradiating growing buckwheat sprouts with ultraviolet, collecting the leaves of the sprouts, and extracting the leaves with organic solvent followed by treating the thus extracted substance with organic acid to obtain flavones in high yield.例文帳に追加

ソバのスプラウトからフラボン類を生産するに当たり、生育中のソバのスプラウトに紫外線照射を施し、スプラウトの葉を採取して、その葉を有機溶媒で抽出処理した後、得られた抽出物を有機酸で処理して高収率でフラボン類を得る。 - 特許庁

The GaAs single crystal obtained by growing a GaAs seed crystal by a vertical boat method is heat treated at ≥800°C to ≤1130°C for ≥10 min to <1,200 min.例文帳に追加

垂直ボート法によってＧａＡｓ種結晶を結晶成長させることによりＧａＡｓ単結晶を得た後、該ＧａＡｓ単結晶を８００℃以上１１３０℃以下の温度で、１０分以上１２００分未満熱処理を行うことによりＧａＡｓ単結晶を得る。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor layer which can select the plane direction of growth plane facet of a semiconductor layer to be grown on a substrate and can suppress a piezoelectric field of the semiconductor layer or can improve its crystal quality as needed.例文帳に追加

基板上に成長させる半導体層の面方位や成長面ファセットを選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for growing diamond heteroepitaxially growable of single crystal diamond having high crystallinity and inexpensively growable of diamond having a large area, and to provide a method for producing inexpensively single crystal diamond having a large area and high crystallinity.例文帳に追加

結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Four-layer carbon nanotubes with high linearity can be obtained at a high yield by using a catalytic chemical vapor phase growing method by bringing a carbon-containing compound into contact with a metal catalyst having ≤10 nm average diameter under specified conditions of 600 to 1,000°C.例文帳に追加

触媒化学気相成長法を用いて平均直径が１０ｎｍ以下の金属触媒と炭素含有化合物を特定の条件の下で６００〜１０００℃で接触させることにより、直線性の高い４層カーボンナノチューブを高収率で得ることが出来る。 - 特許庁

The method and apparatus for growing a semiconductor crystal include steps of pulling the semiconductor crystal from melt at a predetermined pull speed and modulating the pull speed by combining a periodic pull speed with an average speed.例文帳に追加

半導体結晶を成長するための方法および装置は、所定の引き上げ速度で融液から半導体結晶を引き上げるステップと、周期的な引き上げ速度を平均速度と組み合わせることによって前記引き上げ速度を調整するステップとを具える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metallic nanoparticle by which the granular nano-sized metallic fine particle is efficiently manufactured without growing reduced metal in a dendrite form and increasing the volume of the particle in the mass production of the particle.例文帳に追加

還元された金属がデンドライト（樹枝）状に成長することなく、粒子を大量に製造する場合に、粒子が肥大化することがなく、粒状でナノサイズの金属微粒子を効率よく製造することができる金属ナノ粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ZnO-based p-type semiconductor crystal is preferably manufactured by an epitaxial growing method on the surface of a proximity semiconductor crystal layer having the in-plane lattice constant larger than that of the ZnO-based oxide crystal containing no Ag compound.例文帳に追加

ここで、このＺｎＯ系ｐ型半導体結晶は、Ａｇ化合物を含有しないこのＺｎＯ系酸化物結晶よりも大きな面内格子定数を有する直近半導体結晶層の表面において、エピタキシャル成長法により製造されることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing copper nano particles by which granular nano sized metal fine particles are efficiently manufactured without growing a reduced metal like dendrite (tree branch) and without enlarging the particle size in the mass production of the particles.例文帳に追加

還元された金属がデンドライト（樹枝）状に成長することなく、粒子を大量に製造する場合に、粒子が肥大化することがなく、粒状でナノサイズの金属微粒子を効率よく製造することができる銅ナノ粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrical stimulator applying electrical stimulation to a biological cell or a biological tissue in a process for growing the biological cell or biological tissue and to provide a method for promoting or suppressing the growth of the biological cell or biological tissue using the stimulator.例文帳に追加

生体細胞又は生体組織の成長過程において、生体細胞又は生体組織に電気刺激を与えることのできる電気刺激装置、及びその装置を用いた生体細胞又は生体組織の成長促進又は抑制方法の提供。 - 特許庁

Molecular beam epitaxy is used on a substrate as a crystal growth method, Al and N are used as impurities, and optimization is made under the growth conditions, thus forming p- and n-type conductive layers for growing highly-doped Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-y.例文帳に追加

基板上に結晶成長法として分子線エピタキシーを用い、不純物としてＡｌやＮを用い、前記成長条件で最適化を行うことによって、高濃度のＺｎ_1-x Ｍｇ_x Ｓｅ_y Ｔｅ_1-y の成長を行うｐ型、ｎ型伝導性層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for performing the exchange of whole air in the pore gaps of a cotton candy state structural medium used for water culture, and the exchange of the whole culturing solution absorbed and held in the medium in an optional interval for meeting with the growing characteristics of the cultivated plants, etc.例文帳に追加

水耕栽培に用いられている綿菓子状構造培地の気孔空隙内空気全体の入替え及び培地に吸水保水されている栽培溶液全部の入替えを栽培植物等の植性に合った任意の間隔で行う方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a step for selecting the GaN crystal substrate 10 as a substrate and a step for growing at least one layer of a group III nitride crystal layer 20 on the side of the crystal growth plane 10c of the GaN crystal substrate 10.例文帳に追加

また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for activating trees capable of easily and inexpensively recover tree's vigor in a short time and maintaining the growing power for a long time, needless to say for not only old trees and precious trees but for continuous and sound growth of trees.例文帳に追加

樹勢の衰えた古木や銘木に対してはもとより、樹木の継続した健全な育成のために、樹勢を短期間に、容易に、かつ安価に復活させ、その樹勢を長期間に渡って維持させることができる樹木の活性化方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for monitoring the growing state of an aquatic life, capable of measuring a 3-dimensional position of the aquatic life in a good accuracy by obtaining the corresponding 3-dimensional position of the aquatic life such as a fish which moves 3-dimensionally in a vessel, and a device for the same.例文帳に追加

槽内を３次元的に移動する魚類等の水棲生物の３次元位置の対応をとった上で水棲生物の３次元位置を精度良く測定することができる水棲生物の成育状態監視方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

This method for producing the mold-dried fish shavings includes taking in a drying process with a dryer in the production process of dried fish with mold, obtained by inoculating mold Eurotium repens YM-1418 of an accession number NITE P-738, rapidly growing on dried fish, to dried fish after roast drying.例文帳に追加

本発明による魚節の枯れ節の製造方法では、魚節上での成長が早いかびEurotium repens YM-1418寄託番号NITE P-738号を焙乾後の魚節に接種して得られるかび付け魚節の製造工程中に乾燥機による乾燥工程が取り入れられる。 - 特許庁