「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method comprising arranging a raw material polycrystal 2 in a growth chamber 1 and growing the group II-VI compound semiconductor crystal on a seed crystal 4 by a sublimation method or a halogen chemical transport method, the temperature at the seed crystal 4 side is kept at a higher temperature than that at the grown crystal 3 side in a cooling process after growth of the crystal.例文帳に追加

成長室１中に原料多結晶２を配置し、昇華法またはハロゲン化学輸送法で種結晶４上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を成長させる方法において、結晶成長後の冷却過程において、種結晶４側の温度を、成長結晶３側の温度より高温に保持する。 - 特許庁

A method of fabricating an epitaxial compound semiconductor III-V wafer suitable for the subsequent fabrication of at least two different types of integrated active devices (such as an HBT and an FET) on such wafer is provided by providing a substrate; growing a first epitaxial structure on the substrate; and growing a second epitaxial structure on the first epitaxial structure.例文帳に追加

ウエハ上に（ＨＢＴ及びＦＥＴのような）少なくとも２つの異なるタイプの集積活性デバイスをその後に作製するのに適したエピタキシャル第３〜５族化合物半導体ウエハを作製する方法を、基板を提供するステップ；基板上に第１のエピタキシャル構造体を成長させるステップ；及び第１のエピタキシャル構造体上に第２のエピタキシャル構造体を成長させるステップによって構成した。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a providing step of providing a reaction liquid by adding a mixed solution of an alkoxy silane having a non-hydrolysable group and an alcohol to an aqueous solvent, a depositing-growing step of depositing and growing polyorganosiloxane particles by adding ammonia water to the reaction liquid, an aging step of aging polyorganosiloxane particles by adding ammonia water to the reaction liquid, and a firing step of firing the polyorganosiloxane particles.例文帳に追加

水系溶媒に、非加水分解基を有するアルコキシシランとアルコールの混合溶液を添加して反応液を用意する準備工程と、反応液にアンモニア水を添加してポリオルガノシロキサン粒子を析出、成長させる析出・成長工程と、反応液にアンモニア水を添加してポリオルガノシロキサン粒子を熟成させる熟成工程と、ポリオルガノシロキサン粒子を焼成する焼成工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method for producing the member for the apparatus for growing the single crystal, a part or the whole of an original material formed of the carbon material is dipped into a silicon melt, to thereby cover the part or the whole of the surface of the original material with the Si-impregnated layer.例文帳に追加

本発明に係る単結晶成長装置用部材の製造方法では、炭素材で形成された原形材の一部又は全部をシリコン融液に浸漬させ、前記原形材の表面の一部又は全部をＳｉ含浸層で覆う。 - 特許庁

When the third harmonic wave is generated by a YVO4 (wavelength =1,064 nm) laser using this crystal, the degree of the occurrence of the optical damages is reduced and a stable output can be obtained for a long period of time in comparison with the case using a crystal grown by a conventional growing method.例文帳に追加

この結晶を用いてＹＶＯ４レーザー（波長1064nm）による第３高調波を発生させると、従来の育成法で育成した結晶を用いた場合と比べ、光損傷が低減されて長時間安定した出力を得ることができる。 - 特許庁

The method of producing the single crystal silicon comprises controlling growing conditions, such as, growth velocity v, an instantaneous axial temperature gradient G_0, and a cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects.例文帳に追加

本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度ｖ、瞬時軸温度勾配Ｇ_０、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。 - 特許庁

The electric motor 2 set with a stretch cord 7 having a swivel hook is placed on a round-shaped hat-like case 1 and the magnetic rollers 3 set on the inner side of the case are rotated to massage the scalp, by which the hair growing by a simple use method is promoted.例文帳に追加

吊り金具付き伸縮コード７をセットした電動モータ２を丸型帽子状ケース１に載せ、ケース内側にセットした磁気ローラー３を回転し頭皮をマッサージすることにより、簡便な使用方法で育毛が促進されるようにした。 - 特許庁

The film with metal foil to be easily peeled from a film is produced by forming a release layer on the film to serve as a base material, depositing metal on the release layer by vapor-deposition or the like, and growing the vapor-deposition metal into a metal film by the electrolytic plating method.例文帳に追加

基材となるフィルムの上に離型層を形成し、該離型層の上に蒸着等で金属を載せ、蒸着金属を電解メッキ法で金属膜を成長させることで、フィルムから容易に剥離できる金属箔つきフィルムとする。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal, capable of effectively using a raw material with which a crucible is loaded, as a supply source of a sublimation gas while appropriately maintaining the temperature of the silicon carbide raw material and the surface of the growing silicon carbide single crystal.例文帳に追加

炭化珪素原料と成長している炭化珪素単結晶表面の温度を適切に保ちつつ、装填した原料を昇華ガスの供給源として有効に利用することのできる、炭化珪素単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

The seed crystal whose surface is covered with a depositing substance is used, in the method for producing the silicon carbide single crystal supplying raw material on the surface of the seed crystal comprising a silicon carbide single crystal and growing the silicon carbide single crystal on the above surface.例文帳に追加

炭化珪素単結晶からなる種結晶の表面に原料を供給し、該表面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、表面を蒸着物で被覆した種結晶を使用する。 - 特許庁

To provide a method by which a nitride-based semiconductor layer that is hardly dislocated and crystal defect resulted from desorption and is excellent in crystallinity can be formed through a small number of growing steps.例文帳に追加

基板の上面に、少ない成長工程の回数で、転位が少なく、かつ、離脱に起因する結晶欠陥の少ない結晶性の良好な窒化物系半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal, by which a high quality group III nitride crystal having a practical large size and large area can be manufactured at a lower cost compared with the conventional ones and to provide the group III nitride crystal.例文帳に追加

従来よりも低コストで、実用的な大きさの大型，大面積の高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法及びＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer in which on growing an epitaxial film is formed only on the surface of a large-sized wafer which is 450 mm or more in diameter, the wafer can be decreased in warpage to obtain a high intrinsic gettering performance and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the seamless steel tube is provided by which stretching-rolling is performed after growing oxidized scale on the inside of a tube by making the inside of the tube into steam atmosphere by supplying water in the inside of a hollow tube stock which is hot pierced.例文帳に追加

熱間にて穿孔圧延された中空素管の内部に水分を供給して管内部を水蒸気雰囲気にすることによって管内面の酸化スケールを成長させた後に延伸圧延をおこなう継目無鋼管の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, which can grow a single crystal of a non-faulty region where there is no OSF (oxidation-induced stacking faults) and grown-in faults over the whole diameter direction region, in a high yield and stably.例文帳に追加

径方向全域にわたりＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）およびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide insulating material capable of epitaxially growing mutually with a zinc oxide-based semiconductor and a group III nitride semiconductor and precisely controlling the polarity of a wide gap semiconductor layer and the degree of the lattice matching, and to provide a method of forming the same.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体またはIII族窒化物半導体と相互にエピタキシャル成長出来、ワイドギャップ半導体層の極性および格子整合の度合を精密に制御可能な酸化物絶縁体材料およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compost block for plants, facilitating work and enabling easy sowing and raising seedling when growing seedlings from sowing to raise largely, and to provide a cultivation method using the compost block facilitating transplanting to soil.例文帳に追加

種植えから苗を育てて大きく育成する際に、作業が容易で簡単に種植えや育苗が可能となる植生用堆肥ブロックを提供し、さらに土への植え替えを容易とする堆肥ブロックを用いた栽培方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a base material for growing a single crystal diamond and a method for producing a single crystal diamond substrate, by which single crystal diamond having a large area and good crystallinity is grown and a high quality single crystal diamond substrate is produced at a low cost.例文帳に追加

大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a raw material for an aluminum nitride single crystal and a method for producing the raw material, showing a stable sublimation rate of the raw material for a long time even in a long-term growing process and producing an aluminum nitride single crystal having stable quality.例文帳に追加

長時間の成長でも原料の昇華速度が長時間に亘り安定しており、安定した品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶用原料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plant cultivation tool, and a plant cultivation method, in which subject plants can be grown with minimum quantity of sprinkling of water or supply of water on a vertical surface or a surface with relatively steep inclination using water holding plant growing material.例文帳に追加

保水性植物生育体を用いて垂直面又は比較的急傾斜の面において、最小限の量の灌水又は給水により、対象植物を生育することが可能な植物栽培用具及び植物栽培法を提供する。 - 特許庁

The method for producing ethanol includes using yeast growing at a pH of about 5 and belonging to the genus Saccharomyces for alcohol fermentation in ethanol fermentation of a sugar solution obtained by hydrolyzing woody plants and/or grass plants.例文帳に追加

また、本発明は、木本類および／または草本類を加水分解して得られる糖液をエタノール発酵するにあたり、ｐＨ５前後の条件で生育可能であるアルコール発酵用サッカロミセス属酵母を用いる、エタノールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a grain-oriented magnetic steel sheet having high magnetic flux density by firstly generating nucleuses having extremely good orientation to {110}<001> direction at high probability and preferentially growing the nucleuses as secondary recrystallized grains.例文帳に追加

最初に高い確率で、{110}<001>方位に対する配向性が極めて良い核を発生させ、この核を、２次再結晶粒として優先的に成長させることにより高磁束密度を有する一方向性電磁鋼板の安定製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for wastewater treatment capable of decomposing an organic material at a high speed by preventing the inhibition of a sulfate-reducing bacterium by a sulfide in an anaerobic treatment environment and favorably growing the sulfate-reducing bacterium.例文帳に追加

嫌気性処理環境において硫化物による硫酸還元菌の阻害を防止し、硫酸還元菌を好適に増殖させることで、高速に有機物を分解させることが可能な排水処理装置および排水処理方法を提供する。 - 特許庁

The method includes: a growth process G of growing an epitaxial layer on a silicon single crystal substrate W; and a mirror chamfering polishing process D2 of mirror polishing a chamfering part 1 on a peripheral edge of the silicon single crystal substrate after the epitaxial growth process G.例文帳に追加

シリコン単結晶基板Ｗにエピタキシャル層を成長させる成長工程Ｇと、エピタキシャル成長工程Ｇの後に、シリコン単結晶基板の周縁の面取り部１を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程Ｄ２と、を有する。 - 特許庁

To realize an epitaxial rare earth oxide (110)/silicon (001) structure by well epitaxially growing a rare earth oxide such as cerium oxide of the (110) face orientation on a silicon substrate of the (001) face orientation at a lower growth temperature than that of a conventional method.例文帳に追加

酸化セリウムなどの希土類酸化物を従来よりも低い成長温度で（００１）面方位のシリコン基板上に（１１０）面方位で良好にエピタキシャル成長させ、エピタキシャルな希土類酸化物（１１０）／シリコン（００１）構造を実現する。 - 特許庁

The method of storing the tuber of a cyclamen comprises culturing the juvenile growing plant of a cyclamen in a state coexisting with a VA mycorrhiza fungus infection source, thereafter stopping supplying water, rendering the tuber in a dormant state, and storing the tuber of the cyclamen at 0-10°C.例文帳に追加

シクラメンの幼植物体を、ＶＡ菌根菌感染源と共存する状態で栽培した後、給水を停止し、塊茎を休眠させ、温度０〜１０℃の条件下で貯蔵することを特徴とするシクラメンの塊茎の保存方法。 - 特許庁

The method for identifying the toxic material comprises varying an amino acid composition and/or a sugar composition in a culture medium for growing microorganisms, and using the response shown by the microorganisms so as to correspond to the variation as an index.例文帳に追加

微生物を生育させる培養培地におけるアミノ酸組成および／または糖組成を変動させ、その変動に対応して微生物が示す応答を指標に用いることを特徴とする、毒性物質を同定するための方法に関する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, CRYSTAL GROWING DEVICE, SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT FORMED BY USING THEM, AND OPTICAL TRANSMITTER MODULE, OPTICAL TRANSMITTER-RECEPTOR MODULE, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM USING THE ELEMENT例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子の製造方法および結晶成長装置、ならびにこれらを用いて形成した面発光型半導体レーザ素子、該面発光型半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システム - 特許庁

To provide a method for forming soil circumstances suitable for cultivating and growing plants by plowing various organic substances remained on or in the soil into the soil and promptly degrading them.例文帳に追加

土壌の上や土壌中に残留したり含まれている種々の有機物を、土壌中に鋤き込むと共に土壌中で速やかに分解させて、植物の栽培や生育に適した土壌環境を短い期間に形成させる方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor having the low defective rate is obtained by a simple method for forming an aluminum layer on a single-crystal substrate 1 and growing a group III nitride crystal layer 3 on a porous alumina layer 2 obtained by anode-oxidizing the surface of the aluminum layer.例文帳に追加

単結晶基板１上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層２上にIII 族窒化物結晶層３を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。 - 特許庁

To provide an user-friendly flowerpot for succulent plants capable of readily growing plants and a method for culturing a succulent plant, capable of simply enjoying the succulent plant by using the flowerpot for succulent plants.例文帳に追加

使い勝手がよく、容易に植物を生育させることができる多肉植物用植木鉢と、この多肉植物用植木鉢を使用し、簡単に多肉植物を長期間楽しむことができる多肉植物の栽培法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the substrate includes an ingot growing step (S110) as a step for preparing a gallium nitride (GaN) ingot, and a slicing step (S120) as a step for preparing a gallium nitride substrate by slicing the ingot.例文帳に追加

本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide powder having ≤0.1 ppm impurity content, free from causing extreme decrease of specific surface area under single crystal growing condition by sublimation process and having a particle diameter exhibiting stable sublimation rate.例文帳に追加

不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下であり、昇華法による単結晶育成条件下で比表面積の大幅な減少を起こすことがない、安定した昇華速度を示す粒径を有する炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する - 特許庁

To provide a method of growing a crystal by which nitrogen can be mixed in crystals without being affected by the supply condition of a group III raw material and a III-V compound semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen in a group V composition can be obtained.例文帳に追加

III族原料の供給条件に影響を受けることなく窒素の混晶化を行うことができる、窒素と窒素以外のV族元素とをV族組成に有するIII-V族化合物半導体を得る為の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing bamboo activated carbon having comparatively uniform micropores easily at a low cost without being affected by elements, components, compositions such as minerals varied by growing districts, kinds, growth processes or the like of bamboo.例文帳に追加

本発明は、竹の産地や種類、成長過程等によって異なるミネラル等の元素や成分組成に影響されることなく、比較的均一なミクロ孔を有する竹活性炭を、容易且つ安価で製造できる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for material transformation, degeneration and reconstitution of various objects to be treated by using KOAI bacteria of bio-composite bacteria obtained by compositively symbiotically growing bacterial groups each obtained by combining a plurality of kinds of various bacteria.例文帳に追加

各種の分解菌を複数種類ずつ組合わせた菌群を複合的に共生させることで得られるバイオ複合菌であるＫＯＡＩ菌を使用した各種処理対象物についての物質変容、変質および再構成方法の提供。 - 特許庁

To provide a single crystal substrate which is used for epitaxially growing a magnetic garnet single crystal film in a liquid phase and in which the generation of cracks can be suppressed; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させる際に用いる単結晶基板及びその製造方法に関し、割れの発生を抑制できる単結晶基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for raising the rate of advancing the leaf yellowness of edible farm product and growing and fully maturing a farm product in its early stages through bringing out flavor and smell each inherent therein by such a simple operation as to merely subject it to magnetic field treatment for an extremely short time.例文帳に追加

極く短時間の磁場処理を施すだけの簡単な作業によって、葉黄度の進行速度を上昇させるととともに、固有の風味、香りを引き出して食用農産物を早期に生長させ完熟させることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method producing a compound semiconductor single crystal, which comprises growing a crystal by gradually solidifying in the vertical direction from the surface of a melt without using a seed crystal and by which the single crystal free from a polycrystal and a twin crystal can be produced with a good yield.例文帳に追加

種結晶を用いず融液表面から垂直方向に徐々に固化させる結晶成長法であって、多結晶、双晶のない単結晶を歩留まりよく生産できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN semiconductor element comprises the steps of forming a structure of a III-V compound semiconductor film 15 by an epitaxial growth by using a substrate for limiting a growing area 13 by a mask 14 (b), and developing the structure until the structure is covered with the mask 14 (c).例文帳に追加

マスク１４により成長領域１３を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜１５のファセット構造を形成し（ｂ）、マスク１４を覆うまでファセット構造を発達させる（ｃ）。 - 特許庁

To provide a method and device for accurately acquiring the growing amount of an overcoat layer by a reasonable measurement means with attention focused on the incomings and outgoings of graphite matrix material therein thereby manufacturing high-quality overcoat particles with an enhanced yield.例文帳に追加

黒鉛マトリックス材の収支に着目した合理的な測定手段でオーバコート層の成長量を正確に把握できるようにし、もって高品質のオーバコート粒子を歩留まりよく製造することのできる方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, a semiconductor device, a semiconductor wafer, and a method of growing semiconductor crystal such that warpage of a substrate is suppressed and an influence of interface reflection is reduced to achieve high light extraction efficiency and high internal light emission efficiency.例文帳に追加

本発明は、基板の反りを抑制し、界面反射の影響を低減して高光取り出し効率と高内部発光効率とを実現できる半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal in a vapor phase, by which the formation of cracks in a flow channel caused by the sticking of deposits on the inner wall of the flow channel can be prevented and a gaseous raw material can be supplied efficiently onto a crystal substrate.例文帳に追加

フローチャネル内壁への堆積物付着によるフローチャネルの割れを防止すると共に、結晶基板上に原料ガスを効率よく供給できる化合物半導体結晶気相成長方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁

There is provided the method for controlling the plant disease injuries in the flower and ornamental bulbous plants including a step of planting soil for growing the flower and ornamental bulbous plants with bulbs of the flower and ornamental bulbous plants pretreated with effective amounts of tolclofos-methyl and azoxystrobin.例文帳に追加

花卉球根植物を栽培する土壌に、トルクロホスメチル及びアゾキシストロビンの有効量が予め処理されてなる花卉球根植物の球根を植える工程を有してなる、花卉球根植物における植物病害の防除方法。 - 特許庁

The mixture of the lead with the BIG is suppressed by allowing an Sr/Pb mole concentration ratio in melt to be not less than 0.07 concerning BIG growing by the LPE method, using the melt which is composed of the flux composition containing rare-earth oxide and the lead.例文帳に追加

希土類酸化物と鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いたＬＰＥ法によるＢＩＧ育成において、融液中のＳｒ/Ｐｂモル濃度比が０．０７以上とすることで、ＢＩＧへの鉛の混入が抑制できる。 - 特許庁