「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To grow a group III-V compound semiconductor crystal whose V group contains phosphate using an MOCVD method by reducing a phosphate raw material flow rate necessary for growing a thin film crystal whose surface is finished to a mirror surface than a flow rate in a conventional manner.例文帳に追加

Ｖ族にリンを含むIII−Ｖ族化合物半導体結晶をＭＯＣＶＤ法を用いて成長するとき、表面が鏡面状態の薄膜結晶を成長するために必要なリン原料流量を、従来よりも少なくすること。 - 特許庁

To provide a base material for growing a single crystal diamond and a method for manufacturing a single crystal diamond substrate attaining the growth of a single crystal diamond with a large area and good crystallinity and the low-cost manufacture of the single crystal diamond substrate of high quality.例文帳に追加

大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystallization apparatus and method in which melting and crystallizing state of a semiconductor film can be observed in real time, and a growing rate and a direction of the semiconductor film can be measured accurately.例文帳に追加

半導体膜が溶融して、結晶化する状態をリアルタイムで観察することが可能であり、半導体薄膜の、例えば、成長速度及び成長方向を正確に測定することが可能な結晶化装置及び結晶化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal of lithium niobate for optical use excellent in polarity control characteristics, nonlinear optical characteristics and electro-optic characteristics, and to provide an optical element using the single crystal, and a manufacturing method for stably growing a lithium niobate single crystal.例文帳に追加

分極制御特性や非線形光学特性および電気光学特性に優れた光学用途のニオブ酸リチウム単結晶と、その単結晶を用いた光素子、およびニオブ酸リチウム単結晶を安定に成長させる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor layer capable of effectively preventing through dislocation from occurring in a GaN growth layer and obtaining a high-quality GaN crystal without increasing the number of processes, and to provide a method for growing the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ＧａＮ成長層に貫通転位が生じることを効果的に防ぐことができ、工程数を大にすることなく高品質のＧａＮ結晶を得ることのできるIII族窒化物半導体層およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

In the method for treating a waste liquid, the waste liquid containing the heavy metal ions is supplied in a culture vessel 1 for protozoa such as Paramecium bursaria having plastid capable of growing (photosynthesis) by photoirradiation and absorbed the heavy metal ions into the the protozoa.例文帳に追加

色素体を有し、光照射によって増殖（光合成）可能なミドリゾウリムシ等の原生動物の培養槽１中に、重金属イオンを含有する廃液を供給し、該原生動物に重金属イオンを吸収させる廃液処理方法である。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride based III-V compound semiconductor layer which can produce a nitride based III-V compound semiconductor substrate having good crystallinity and no surface roughness nor crack with high productivity.例文帳に追加

表面荒れやクラックがなく結晶性も良好な良質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を高い生産性で製造することができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

In the method, bean sprouts are made through sowing seeds 5 on the cultivation soil 1 followed by sprouting and growing the sprouts in a condition of being covered with the cultivation soil until harvest time in the case of performing hydroponics using the cultivation bed.例文帳に追加

もやしの製造方法においては、この栽培床を用いて水耕栽培する場合に、栽培用土の中に播種して種子を発芽させ、収穫時までその芽が栽培用土に覆われた状態で成長させてもやしとすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor apparatus having a nitride-gallium semiconductor layer having a growing main plane other than a c-face and having a flat plane and less crystal defect, and to provide a nitride semiconductor manufacturing method for forming such a nitride-gallium semiconductor layer.例文帳に追加

ｃ面以外の成長主面を持ち、平坦でかつ結晶欠陥が少ない窒化ガリウム半導体層を有する窒化物半導体装置およびそのような窒化ガリウム半導体層を形成するための窒化物半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a growth method of gallium nitride crystal for restricting crack in a working process for thin film formation and growing a gallium nitride crystal with a large thickness and to provide a gallium nitride crystal substrate, epitaxial wafer and a production process of the epitaxial wafer.例文帳に追加

薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a hydrocarbon from a synthesis gas, wherein the reaction can stably and smoothly be carried out in the coexistence of carbon dioxide in high chain-growing probability, excellent olefin selectivity, excellent C_5+ productivity, and high catalyst activity.例文帳に追加

二酸化炭素の共存下に、高い連鎖成長確率、優れたオレフィン選択性およびＣ_5＋の生産性で、かつ高触媒活性で、安定して円滑に反応を行うことができる、合成ガスからの炭化水素類の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the filler-containing hollow resin particle includes polymerizing a polymerizable composition comprising the filler, a polymerizable monomer, an organic solvent and a polymerization initiator by a suspension polymerization of growing a polymer by using the filler as a nucleus.例文帳に追加

中空樹脂粒子の製造に、フィラーと重合性モノマーと有機溶媒と重合開始剤からなる重合性組成物をフィラーを核として重合物を成長させる懸濁重合により重合する、フィラー含有中空樹脂粒子の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of growing a group II-VI compound semiconductor crystal, by which the group II-VI compound semiconductor crystal excellent in crystallinity can be stably manufactured with a good reproducibility and in a high yield.例文帳に追加

結晶性に優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を安定して再現性よく高い歩留まりで作製することができるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device which forms a wiring layer or a bump by growing a metallic plating film on the surface of a semiconductor substrate by plating method, the semiconductor device is made, with the crystal grains of the metallic plating film oriented in the direction of (200) in the above plating process.例文帳に追加

半導体基板表面にメッキ法で金属メッキ膜を成膜し配線層あるいはバンプを形成する半導体装置の製造工程において、上記メッキ工程で金属メッキ膜の結晶粒を（２００）方向に配向して形成する。 - 特許庁

To provide a method for tomato cultivation, with which reduction in quality caused by excessive application of water and fertilizer for maintenance of growing power (securement of yield) of tomato is prevented, defective fruiting of flower and scorch of fruit occurring in a high-temperature period in the summer are prevented and reduction in shipment and qualities is prevented.例文帳に追加

トマトの樹勢維持（収量の確保）のために水や肥料を過度に施用する結果生ずる品質低下を防止し、夏場の高温期に生ずる花の着果不良と果実の焼けを防止して、出荷量と品質の低下を防止する。 - 特許庁

To provide a method for repairing welding of a directional solidification material, which increases a region where G/R is large, while preventing the occurrence of burn through so that a build-up part that is formed by preferably growing a crystal in the same direction is formed in a damaged part of a directional solidification material.例文帳に追加

溶け落ちを防止しつつＧ／Ｒが大きな領域を多くして、結晶を同じ方向に好適に成長させた肉盛部を方向凝固材の損傷部に形成できる方向凝固材の溶接補修方法を提供する。 - 特許庁

By this structure, since the intermediate layer 6 acts to protect the micro irregular shape of the base materials when the hydrophilic material film 3 is formed, the hydrophilic material film 3 is made possible to be formed by the low temperature vapor phase growing method using a high density plasma.例文帳に追加

この構造により、親水性材料膜３を成膜する際に、中間層６が基材の微小凹凸形状を保護する作用をするため、高密度プラズマを用いた低温の気相成長法で親水性材料膜６を形成可能になる。 - 特許庁

The method for growing a plant comprises supplying carbon dioxide and a liquid to a two-fluid nozzle to produce carbonic acid fog which contains carbon dioxide in a concentration not less than a saturated concentration of the carbon dioxide in the atmosphere and has an average particle diameter of about 10 μm, and then intermittently spraying the fog on the plant.例文帳に追加

二酸化炭素と液体とを二流体ノズルに供給して、常圧大気中の飽和濃度以上に二酸化炭素を含有した平均粒子径１０μｍ程度の炭酸フォグを生成し、これを間欠的に植物に噴霧する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a floating gate memory structure, the floating gate is composed of a single crystal semiconductor material, and is grown epitaxially on a single crystal substrate by selective epitaxial growth for growing in the lateral direction on a tunnel oxide layer 2.例文帳に追加

フローティングゲートメモリ構造を作製する方法に関し、フローティングゲートは単結晶半導体材料からなり、トンネル酸化物層２の上に横方向に成長する、選択エピタキシャル成長により、単結晶基板上にエピタキシャル成長される。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride crystal which is free from decomposition at the temp. of crystal growth when it is used as a raw material for growing a single crystal of a nitride compound semiconductor of a metal element of group III and to provide a method for producing the crystal of the nitride compound semiconductor using the nitride crystal.例文帳に追加

III 族金属元素の窒化物系化合物半導体の単結晶成長のための原料として使用されたとき、結晶成長温度において分解を起こすことのない窒化物結晶の製造方法と、この窒化物結晶を使用した窒化物系化合物半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a control plate for growing artificial crystal which is capable of easily being separated from the grown artificial crystal and gives small damage to the artificial crystal to obtain excellent quality artificial crystal, a method of manufacturing the artificial crystal using the control plate and the artificial crystal by the manufacturing method.例文帳に追加

成長した人工水晶と制御板との分離が容易で、かつ人工水晶の損傷が少なく品質の良好な人工水晶育成用制御板を提供するとともに、当該制御板を用いた人工水晶の製造方法、及び当該製造方法による人工水晶を提供する。 - 特許庁

In the method for growing the aluminum nitride (AIN) crystal by a sublimation method, a seed crystal that grows the AlN crystal at an angle within 35 degrees to a direction perpendicular to axis c is used, provided that the AlN crystal is grown in the direction of axis a, axis m or axis r.例文帳に追加

昇華法による窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶の成長方法であって、ｃ軸に垂直な方向から３５度の角度範囲でＡｌＮ結晶が成長するような種結晶を用いることを特徴とし、上記ＡｌＮ結晶の成長方向として、ａ軸方向、ｍ軸方向およびｒ軸方向が挙げられる。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor layer by which the plane direction of a semiconductor layer to be grown on a substrate can be selected and a piezoelectric field of the semiconductor layer can be suppressed and/or its crystal quality is improved as needed, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

基板上に成長させる半導体層の面方位を選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法およびこの成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing a porous preform by a VAD method for forming soot by ejecting a glass raw material gas and flame from a burner, forming fine glass particles in the flame and piling on a starting material, is provided by installing a heat-blocking means 7 at a column 5 of a soot lifting up device for lifting up the soot while growing it.例文帳に追加

バーナーからガラス原料ガスと火炎を噴出させ、該火炎中でガラス微粒子を生成し出発材上に堆積させてスートを形成するＶＡＤ法において、該スートを成長させつつ上方に引上げるスート引上装置のコラム５に、遮熱手段７を設けたことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for fixing a silicon carbide seed crystal and a method for producing a silicon carbide single crystal, for producing a high-quality silicon carbide single crystal free of penetration defects in the process of growing a single crystal of silicon carbide on a silicon carbide seed crystal by supplying a sublimated gas of a silicon carbide raw material.例文帳に追加

炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This producing method of the substrate comprises: a process for preparing a base material wherein a nickel layer is formed on a copper layer by a plating method; a process for heat-treating the nickel layer at 800 to 1,000°C; and a process for epitaxially growing a coating layer on the nickel layer after the process for heat-treating the nickel layer.例文帳に追加

本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を８００〜１０００℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 - 特許庁

A method for producing the carbon material coated with tantalum carbide is a method of forming the tantalum carbide coating film on a carbon substrate, and includes: a crystal nucleus forming step of forming a crystal nucleus of tantalum carbide on a surface of the carbon substrate; and a crystal growth step of growing the crystal nucleus of the tantalum carbide after the crystal nucleus forming step.例文帳に追加

炭素基材上に炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面に炭化タンタル結晶核を形成する結晶核生成工程と、結晶核生成工程後に炭化タンタル結晶核を結晶成長させる結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal S by Czochralski method includes growing the single crystal S in a single crystal production apparatus 1 by applying a magnetic field of 1,000 Gauss or more and 5,000 Gauss or less to a silicon raw material F molten in a crucible 6 and controlling the rotation speed of a seed to not more than 8 rpm.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｓを製造する製造方法は、単結晶製造装置１において、坩堝６中の溶融されたシリコン原料Ｆに１０００ガウス以上５０００ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を８ｒｐｍ以下に制御して単結晶Ｓの成長を実行する。 - 特許庁

This method comprises the step of preparing a sapphire substrate 10, the step of forming an intermediate layer 11 containing aluminum and nitrogen on the sapphire substrate 10 by a vapor phase growth method at a growth temperature of 1,100-1,300°C, and the step of growing a group III nitride layer 12 on the intermediate layer 11.例文帳に追加

サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which a silicon single crystal wafer having desired resistivity can be obtained even when a donor is generated by the carbon as a dopant during heat treatment such as in a process of manufacturing a device, and to provide a production method of a silicon epitaxial wafer produced from the silicon single crystal.例文帳に追加

ドープされた炭素によってデバイス製造工程等における熱処理時にドナーが発生しても、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶ウェーハとすることのできるシリコン単結晶の育成方法及び該シリコン単結晶から作製されたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing an optical biaxial single crystal characterized in that working of a grown optical biaxial single crystal is not complicated and the proportion of the grown optical biaxial single crystal to be actually used for devices to the grown optical biaxial single crystal is high, and to provide an optical biaxial single crystal produced by using the method.例文帳に追加

育成された光学的二軸性単結晶の加工が煩雑でなく、育成された光学的二軸性単結晶のうち実際に素子に使用できる割合が高い光学的二軸性単結晶の育成方法及びこの方法を用いて製造された光学的二軸性単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type nitride compound semiconductor, having characteristics of a low resistance according to a high hole concentration in a growing crystal, having no dry spots on the surface of the crystal and furthermore, not lowering mass productivity, a semiconductor wafer having a p-type nitride layer obtained by the method, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

成長結晶に高正孔濃度による低抵抗の特質が備わるとともに、結晶表面の荒れがなく、さらに、量産性を低めることのないｐ型窒化物系化合物半導体の製造方法と、これより得られるｐ型窒化物層を備えた半導体ウエハおよび半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which the efficiency of additionally filling work of a polycrystalline raw material can be improved in a multi-pooling method, and the weight measurement of a single crystal rod, which have been required due to that the growing single crystal rod is made large in diameter and heavy in weight recently, can easily and inexpensively be automated and mechanized.例文帳に追加

マルチプーリング法における多結晶原料の追加充填作業の効率化を可能とし、また、近年の育成単結晶棒の大口径化、大重量化にともない必要となった単結晶棒の重量測定の自動化、機械化を、簡単かつ安価で可能とする単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the gas phase carbon fibers by the thermal decomposition of an organic compound is characterized by selectively forming amorphous carbon on a wall surface in a carbon fiber-growing section in a reaction oven and then producing the carbon fibers, and the reaction oven used for the production method.例文帳に追加

有機化合物の熱分解による気相法炭素繊維の製造方法であって、反応炉内の炭素繊維成長区間の壁面に、アモルファスカーボンを選択的に形成させた後、炭素繊維の製造を行うことを特徴とする気相法炭素繊維の製造方法、及びその製造方法に使用される反応炉を提供する。 - 特許庁

To provide a large size neodymium-gallium garnet single crystal substrate having high quality sufficient for producing a Bi-substituted rare earth-iron garnet material for a Faraday rotator by a liquid phase epitaxial method and to provide a method for growing a neodymium-gallium garnet single crystal for the substrate.例文帳に追加

本発明は、ファラデー回転子等に用いられるＢｉ置換希土類鉄ガーネット材料を液相エピタキシャル法により製造するための優れた品質を備えた大型のネオジウムガリウムガーネット単結晶基板及びそれを得るためのネオジウムガリウムガーネット単結晶育成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of preventing the occurrence of dislocation of tail part of the silicon single crystal even in the case of growing the silicon single crystal added with a large quantity of a dopant and having a low resistivity, and a silicon single crystal manufactured by the method.例文帳に追加

ドーパントが多量に添加された低い抵抗率のシリコン単結晶を成長させる場合であっても、シリコン単結晶のテール部分が有転位化することを防止できるシリコン単結晶の製造方法、及びそのような製造方法によって製造されるシリコン単結晶を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of an oxide semiconductor thin film includes processes of: cleaning the surface of the oxide substrate by the cleaning method of the oxide substrate; and growing an oxide semiconductor crystal on the surface of the cleaned oxide substrate to obtain the oxide semiconductor thin film.例文帳に追加

この酸化物基板の清浄化方法によって酸化物基板の表面を清浄化する工程と、清浄化した酸化物基板の表面に酸化物半導体結晶を成長させて酸化物半導体薄膜を得る工程とを有することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of producing a zinc oxide single crystal by which a seed crystal can be prevented from melting in the initial stage of the production of a crystal and the crystal during growing can be prevented from dropping while suppressing sublimation of the zinc oxide seed crystal in a continuous pulling method for a zinc oxide single crystal using a flux.例文帳に追加

フラックスを用いた酸化亜鉛単結晶の連続引上げ法において、酸化亜鉛種子結晶の昇華を抑制し、結晶製造初期段階での種子結晶の溶損および育成途中での結晶の脱落を防ぐことが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tool for flattening the surface of a powder, with which the surface of a raw material powder for sublimation can be flattened in a short time with good precision so as to keep the distance between a seed crystal growth surface and the raw material powder for sublimation constant, in a method for growing a silicon carbide single crystal by a sublimation method.例文帳に追加

昇華法による炭化ケイ素単結晶の成長方法において、種結晶成長表面と昇華用原料との距離を一定に保つために、昇華用原料粉体の表面を短時間で精度よく平坦化させることが可能な粉体表面平坦化治具を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal is characterized by generating the melt from a flux consisting of Li_2O, B_2O_3 and Bi_2O_3 and growing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal by the liquid phase epitaxial method on a nonmagnetic garnet single crystal using the melt.例文帳に追加

Ｌｉ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３およびＢｉ_２Ｏ_３により構成されたフラックスから融液を生成し、該融液を用いて非磁性ガーネット単結晶上に液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成することを特徴とする、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride-based semiconductor layer includes a step of applying nitride processing to one main surface of the sapphire substrate at a temperature of 800-1,200°C before forming the nitride-based semiconductor layer, and a step of forming the nitride semiconductor layer by an organic metal vapor phase growing method on the surface of the nitride-processed sapphire substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 - 特許庁

In the method for producing the sapphire substrate which is used for growing a nitride-based compound semiconductor by an epitaxial growth method, after subjecting a sapphire single crystal ingot to grinding processing, the outer peripheral part of the sapphire single crystal ingot is subjected to chemical polishing treatment before the sapphire single crystal ingot is sliced into wafers.例文帳に追加

エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウエハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁

To present a method for growing a light emitting element structure in a selective region on a substrate, and variously changing the shape of a nitride semiconductor layer selectively grown in this manner, and to provide a vertical type light emitting device which realizes an optical high extraction efficiency by using such a structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上の選択的な領域で発光素子構造を成長させ、このように選択的に成長された窒化物半導体層の形状を多様に変化させる方法を提示し、かかるな構造を用いて高い光抽出効率を実現できる垂直型発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing artificial cultivating water having an osmotic pressure nearly equal to the osmotic pressure of the blood of a cultivated fish, to provide the artificial cultivating water capable of efficiently cultivating and growing the cultivated fish, and to provide an efficient and safe cultivation method for the cultivated fish, using the artificial cultivating water.例文帳に追加

養殖魚の血液の浸透圧と略等しい浸透圧を有する人工飼育水を効率よく製造する方法、養殖魚を効率よく養殖又は飼育することができる該人工飼育水、並びに前記人工養殖水を用いた効率のよい安全な養殖魚の養殖方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the rutile single crystal is characterized by that the rutile single crystal free from the subgrains and small tilt grain boundaries can be obtained, by growing the rutile (TiO_2) single crystal within the high pressure oxygen of 0.3 MPa or more oxygen pressure by the floating zone (FZ) method using the infrared-concentrated oven.例文帳に追加

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を、赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって、酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を得るようにしたことを特徴とするルチル単結晶の製造方法。 - 特許庁