「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for growing, at a high speed, a single crystal SiC scarcely generating micropipe (microvoid) defects, interface defects or the like and having high purity, extremely high quality and high performance.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、純度も高くて非常に高品質、高性能な単結晶ＳｉＣを高速度に成長させることができる単結晶ＳｉＣの育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a greening method for promoting the quick formation of natural plantation by using a work space and construction machines for land-creation and forming a growing environment suitable for the local plant variety.例文帳に追加

従来の造成工事等に用いる作業スペース及び建設機械を使用して、在来植生に適した生育環境を作り出すことによって、速やかな自然植生を促す緑化工法を提案するものである。 - 特許庁

To provide a method for covering soil on a plant-growing ground, requiring no complex laying operation such as that for a conventional covering material of a sheet shape for agriculture and capable of facilitating an after- treatment because a material capable of being spontaneously biodegraded after the use is used.例文帳に追加

従来のシート状の農業用被覆材のように煩雑な敷設作業が不要であり、使用後には自然に生分解されるため、後処理も容易な植物育成地の覆土方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a single crystal which is capable of automatically aligning precisely a crystal axis and a crucible axis, suppressing swinging of a growing single crystal and manufacturing a single crystal with high productivity.例文帳に追加

自動的に結晶軸とルツボ軸の軸芯出しを精度よく行うことができ、育成中の単結晶の振れを抑制することができ、生産性よく単結晶を製造できる単結晶引上方法を提供する。 - 特許庁

In the method for supporting the substrate of a horizontal vapor phase growing device comprising a susceptor 2 which is for supporting the substrate 11 so that the deposition surface 28 faces the lower side, a step part 21 is formed at the edge of the outer periphery of the substrate 11.例文帳に追加

成膜面２８が下側を向くように基板１１を支持するためのサセプタ２を備える横型の気相成長装置の基板支持方法であって、基板１１の外周の縁に、段差部２１を形成する。 - 特許庁

This method for pulling up the plant growing on the surface of the ground, characterized by jetting a fluid to the root portion of the plant to float the plant together with soil or sand on the surface of the ground.例文帳に追加

地表に生えている植物を根利ぎ抜去する方法において、前記植物の根本部に流体を噴射し、当該植物を土若しくは砂と共に地表に浮かすことを特徴とする植物の抜去方法。 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor light-emitting element, which can enhance the proportion of incorporated In in a step of growing an active layer containing In on a GaN substrate, having a semipolar plane as main surface.例文帳に追加

半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a disposal method of cut-down plants and a grass protection sheet produced in the disposal process capable of effectively disposing of a plant such as weed or the like bringing up on a slope or a field to prevent the slope or the like from thickly growing weed or the like again caused by the cut-down plants.例文帳に追加

斜面や野原に生えていた雑草等の植物の処理を効果的に行うことができて、処理した植物によって斜面等に再び雑草等がはびこらないようにすること。 - 特許庁

The method for manufacturing the carbon nanotube thin film comprises the steps of: growing a carbon nanotube array on a substrate; and pressing the grown carbon nanotube array by using a pressing tool to form the carbon nanotube thin film.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ薄膜の製造方法は、基板にカーボンナノチューブアレイを成長させるステップと、押し器具を利用して前記カーボンナノチューブアレイを押してカーボンナノチューブ薄膜を形成させるステップと、を含む。 - 特許庁

Boron nitride nanotubes for hydrogen storage are produced by holding boron nitride nanotubes synthesized by a chemical vapor phase growing method between two metal plates and heat treating at high temperature in an inert gas flow.例文帳に追加

化学的気相成長法により合成した窒化ホウ素ナノチューブを２枚の金属板間に保持し、不活性気流中において、高温で加熱処理することにより水素吸蔵用窒化ホウ素ナノチューブを生成する。 - 特許庁

To provide a molding by advantageously recycling decomposition products, as resources, obtained by fermenting and decomposing organic wastes by microorganism, a pot for growing a seeding, and a method of producing the molding.例文帳に追加

微生物を用いて有機廃棄物の発酵分解処理をして得られた分解生成物を再利用して資源の有効活用を図ることができる成形品、育成苗ポット及び成形品の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of rapidly growing a SiC single crystal epitaxial thin film which is free from the contamination of unusual polytypes and has little or no surface defects and a lower density of residual impurities.例文帳に追加

異形ポリタイプの混入がなく、また、表面欠陥が少ないか又は全くなく、さらには残留不純物密度のより少ないＳｉＣ単結晶エピタキシャル薄膜を高速で成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an MOCVD device or a semiconductor layer, capable of preventing the depositing of reaction products on a region except a substrate and capable of growing a semiconductor with excellent reproducibility.例文帳に追加

反応生成物が基板以外の領域に堆積することを防止すると共に、再現性良く半導体を成長させることができるＭＯＣＶＤ装置又は半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing group III nitride layer and group III nitride substrate, which can efficiently manufacture a group III nitride substrate preferably used for a semiconductor device at a low cost.例文帳に追加

半導体デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするＩＩＩ族窒化物層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物基板を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of epitaxially growing the SiC layer 4 so as to embed the trench 2 and the marker 3, then sequentially removing the SiC layer from its surface layer, and advancing flattening until the surface of the substrate 1 is exposed.例文帳に追加

続いて、トレンチ２及びマーカー３を埋め込むようにＳｉＣ層４をエピ成長させたのち、ＳｉＣ層４を表層部から順に除去していき、ＳｉＣ基板１の表面が露出するまで平坦化を進める。 - 特許庁

To provide a semiconductor layer structure capable of growing an epitaxial layer of a semiconductor, particularly a nitride compound semiconductor at a high quality level, and to provide an economical method for producing the semiconductor.例文帳に追加

半導体材料、特に窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を品質的に高価に成長させることができる半導体層構造並びに半導体層構造の経済的な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for killing Legionella genus bacteria coexisting with amoebas in an aqueous system by which Legionella genus bacteria coexistent with amoebas in the aqueous system can be killed and the bacteria can be prevented from growing by using a nonhalogen compound.例文帳に追加

非ハロゲン系化合物を用いて、水系において、アメーバと共存するレジオネラ属菌を除菌し、その増殖を防止することができる水系でアメーバと共存するレジオネラ属菌の除菌方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing an oxide crystal of nitrogen (N) dope capable of setting concentration of nitrogen (N) at a desired value and uniformly forming the nitrogen (N) concentration from the surface along the depth direction.例文帳に追加

本発明は、窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能な窒素（Ｎ）ドープの酸化物結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a lithium ion secondary battery is characterized in that the positive electrode is formed with epitaxial growing by vertically orienting the (003) face of the LiCoO_2 on the surface of the metal single crystal substrate.例文帳に追加

金属単結晶基板面上にＬｉＣｏＯ_２の（００３）面を垂直に配向させてエピタキシャル成長させることにより正極を形成することを特徴とするリチウムイオン二次電池の製造方法。 - 特許庁

To prevent a gettering layer from growing to deteriorate device characteristics and take defect elements in a silicon substrate into the gettering layer in a method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置の製造方法に関し、デバイス特性を劣化させるゲッタリング層の発生を防止しつつシリコン基板中の欠陥要素をゲッタリング層に取り込むことを目的とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer 17 is formed, for example, by growing GaN added with Eu and Mg on the nitride semiconductor layer 16 by MBE method using NH_3 as a nitrogen source.例文帳に追加

窒化物半導体層１７の形成は、たとえば、窒化物半導体層１６上に、ＮＨ_３を窒素源として用いたＭＢＥ法によりＥｕ及びＭｇが添加されたＧａＮを成長させることにより行う。 - 特許庁

To provide a method of easily growing a good quality crystal from a group III-V compound semiconductor containing at least indium, gallium, antimony and arsenide in composition.例文帳に追加

少なくともインジウムとガリウムとアンチモンと砒素とを組成として含む良質なIII−Ｖ族化合物半導体を容易に結晶成長することが出来るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a lattice-relaxed germanium film or silicon germanium film having only a few defects and a good crystallinity on an insulator substrate or on a monocrystalline silicon film formed on an insulation film.例文帳に追加

欠陥が少なく、結晶性のよい格子緩和したゲルマニウム膜及びシリコンゲルマニウム膜を、絶縁体基板、或いは絶縁膜上に形成された単結晶シリコン膜上に成長させる方法を提供する。 - 特許庁

In Yoshikawa-ku, Joetsu City, which is the largest Gohyakumangoku growing district in Niigata Prefecture, efforts to grow it with the Nagata agricultural method have been made since the 1980s and sakamai with improved brewing aptitude (such as sugar content, hardness and structure) have been produced. 例文帳に追加

新潟県内での五百万石の最大産地である上越市吉川区では1980年代から永田農法による栽培に取り組み、糖度・硬度・構造などの醸造適性を工夫した酒米を生産している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a high-speed high-performance semiconductor device wherein a base film is formed by a non-selective growing method which is excellent in film thickness control property without causing any crystal defect, and bad insulation between a base layer and an emitter electrode is eliminated.例文帳に追加

ベース膜を膜厚制御性に優れ、結晶欠陥の無い非選択成長法により成膜し、ベース層とエミッタ電極との間の絶縁不良を無くし、高速で高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a carbon-doped silicon single crystal, from which a wafer having high density of BMD (Bulk Micro Defects: oxygen deposits) and excellent ability of IG (Intrinsic Gettering) can be cut out, in a high yield, and to provide the silicon single crystal.例文帳に追加

ＢＭＤ（酸素析出物）密度が高く、優れたＩＧ（ゲッタリング）能力を有するウェーハを切り出せる炭素ドープシリコン単結晶を高い歩留まりで育成する方法、およびそのシリコン単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a print pattern inspection method and an inspection device capable of suppressing pseudo defect detection by reducing an influence of meandering or expansion/contraction of a base material to be printed, and detecting a defect growing little by little.例文帳に追加

被印刷基材の蛇行や伸縮の影響を小さくして擬似不良検出を抑え、少しずつ成長するような不良の検出も可能な印刷絵柄検査方法及び検査装置を提供する。 - 特許庁

To allow a player to play a game without growing tired since a game machine can display various moving images on a display part by a game machine control system, a game machine control method and a program suitable for them.例文帳に追加

本発明の遊技機制御システム、遊技機制御方法、これらに好適なプログラムによれば、遊技機は多様な動画像を表示部に表示することできるため、遊技者は、飽きることなく遊技を行うことができる。 - 特許庁

This method of manufacturing silicon epitaxial wafer includes a step of gradually growing a silicon epitaxial layer on a single-crystal silicon substrate, by gradually increasing the heating power to the silicon substrate and also gradually increasing the feed rate of a gaseous starting material.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に対する加熱力を漸増させるとともに、原料ガスの供給量を漸増させながらシリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長する漸増成長工程を有する。 - 特許庁

To provide a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal from which large diameter face wafers with good quality almost free from dislocation defects can be produced with good reproducibility, and to provide a silicon carbide single crystal ingot and a production method therefor.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の大口径面ウェハを、再現性良く製造し得るためのＳｉＣ単結晶育成用種結晶とＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a solid surafce capable of removing an oxide on the solid surface of a directional electromagnetic steel plate or the like, to provide a method for growing a crystal, and to provide a semiconductor device with a GaN film formed on the directional electromagnetic steel plate or the like and its manufacturing method.例文帳に追加

方向性電磁鋼板等の固体表面の酸化物を除去する事ができる固体表面の酸素除去方法、結晶成長方法、並びに、方向性電磁鋼板等上にＧａＮ膜が成膜された半導体を製造する半導体製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, which can prevent polycrystallization by optimizing the shape of the solid-liquid interface of the growing crystal in the production of a large-diameter compound semiconductor single crystal of a crystal diameter φ of 200 mm or more by an LEC method (Liquid Encapsulated Czochralski method).例文帳に追加

ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for growing the nitride semiconductor substrate has a process for growing a first nitride semiconductor 2 on the substrate 1 and then forming recesses and protrusions on the first nitride semiconductor 2, and a process for forming cavities in the recess of the first nitride semiconductor 2 and forming a second nitride semiconductor 3 on the first nitride semiconductor 2.例文帳に追加

基板１上に、第１の窒化物半導体２を成長させ、第１の窒化物半導体２に凹凸を形成する工程と、気相成長させる反応装置内において、第１の窒化物半導体２の凹部に空洞を形成し、第１の窒化物半導体２上に第２の窒化物半導体３を形成させる工程とを有する窒化物半導体基板の成長方法とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor light emitting element includes a buffer layer forming step of growing the buffer layer formed of the AlGaInN-based material including In on the growth substrate made of ZnO, the growth plane including the nitrogen polar plane; and an active layer forming step of growing the active layer formed of the AlGaInN-based material including In on the buffer layer, the growth plane including the group III polar plane.例文帳に追加

また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor epitaxial wafer which comprises the steps of heating a compound semiconductor substrate 1 arranged in a reaction tube while allowing raw materials of groups III to V to flow through the reaction tube and growing epitaxial layers 2 and 3 having an objective element structure on the substrate 1 in a vapor phase, the substrate 1 is cleaned with CH_3Cl immediately before growing the epitaxial layer 2.例文帳に追加

反応管内に設置した化合物半導体基板１を加熱し、その反応管内にIII族−Ｖ族の原料を流してその基板１上に目的とする素子構造のエピタキシャル層２，３を気相成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記エピタキシャル層２の成長を行う直前に、その基板１をＣＨ_3Ｃｌでクリーニングする。 - 特許庁

To provide a wall surface greening structure capable of easily and beautifully greening a wall surface with a wide area and efficiently maintaining by cooperating with a plant growing box and a wall surface greening net by a simple method arranging a limited number of plant growing box cages along the upper side of a wall surface necessary for greening and suspending the wall surface net so as to cover the wall surface.例文帳に追加

本発明によれば、限定された数の植物育成箱籠を、緑化を必要とする壁面の上辺に沿い並設し、同壁面を覆うように壁面緑化ネットを吊り下げる簡便なる工法にて、植物育成箱籠と壁面緑化ネットの協働により、容易且つ美麗に広面積の壁面緑化が図れ、有効に維持する壁面緑化構造を提供する。 - 特許庁

To provide the subject method capable of especially preventing a growth inhibition after transplantation in a acclimating period to increase the rooting rate and culturing seedlings rapidly in a place having a large area by using a medium not adding sugar as a medium for its growing period, and culturing a cultured body under a specific environmental condition during its growing and acclimating periods.例文帳に追加

従来のササ培養方法は、順化期の移植後に光合成を十分行えず成長が抑制されてしまうという問題点があり、ササ培養体の光合成能力を活性化し、根の発達を促進させて移植後の成長抑制を防ぎ、活着率を向上させ、植栽作業を効率的に行うことができるササ培養方法及び緑地形成方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the gallium nitride compound semiconductor substrate comprises growing of a first gallium nitride chemical semiconductor layer having the Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or higher, and growing a second gallium nitride compound semiconductor layer, which is undoped or has a Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or lower, on the first gallium nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Ｓｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第１の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はＳｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以下である第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。 - 特許庁

When manufacturing aluminum-based group III nitride crystal by vapor phase-growing it on a substrate by reacting a group III halide gas containing an aluminum halide such as aluminum trichloride with a nitrogen source gas such as ammonia on the substrate, there is employed a two step growing method where the both gases are reacted preliminarily at 300-550°C and then at 1,100-1,600°C.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスとアンモニア等の窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する際に、予め３００〜５５０℃で前記両ガスを反応させ、次いで１１００℃〜１６００℃で同両ガスを反応させる二段成長法を採用する。 - 特許庁

The method for vapor growth of growing the epitaxial layer on a semiconductor substrate comprises growing the epitaxial layer by measuring previously the concentration of a carrier of the semiconductor substrate at a room temperature and then by controlling a set temperature of the substrate responding to the carrier concentration at the room temperature so that a real surface temperature of the substrate may become a desired temperature regardless of the carrier concentration of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め半導体基板の室温におけるキャリア濃度を測定し、該半導体基板のキャリア濃度に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温におけるキャリア濃度に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 - 特許庁

The single crystal layer 11 of zinc oxide is grown by blowing a material gas containing at least an organic zinc compound material not containing an oxygen atom and steam on the substrate 10 using an organic metal compound not containing oxygen and steam by an MOCVD method at a growing temperature of 250-450°C and a growing pressure of 1-30 kPa.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。 - 特許庁

To obtain a raising seedling pot capable of maintaining soil water content in germination beginning, controlling pH, preventing soil disease unfavorably affecting to seedlings, promoting lateral and hairy root growing, stabilizing stretches of roots easily harvesting and easily controlling plant growing circumstances to adjust shipping time favorable and to provide plant raising method using the same.例文帳に追加

発芽初期における土中の水分量保持、ＰＨ調整、並びに幼苗に悪影響を及ぼす土壌の病害を防止し、苗の側根及びひげ根の生育を促進させ、発芽初期幼苗期の根張りを安定させ、かつ収穫作業が簡単で、有利な出荷時期に合わせて容易に成育状況をコントロールできるような育苗ポットおよびこれを用いた植物の栽培方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fluoride single crystal having a diameter of not less than 50 mm in the cross section perpendicular to the axis of the crystal growth direction and capable of obtaining a sufficient resolution performance when used as a lens material for a stepper, and to provide a growing method of such a fluoride single crystal capable of easily and reliably growing it and a lens composed of such a fluoride single crystal.例文帳に追加

結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、かかるフッ化物単結晶を容易且つ確実に育成することが可能なフッ化物単結晶の育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。 - 特許庁