「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

For a liquid phase growing method for growing this semiconductor layer on the substrate, which contains oxygen, the substrate is brought into contact with the melt of a temperature, so that defects caused by the oxygen is less than 1,000/cm2 on the surface of the substrate, and the first semiconductor layer is grown.例文帳に追加

酸素が含まれている基体に半導体層を成長させる液相成長法において、前記酸素による欠陥が前記基体の表面に１０００個／ｃｍ^2未満になるような温度のメルトに前記基体を接触させることにより第１の半導体層を成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the Faraday rotator using the bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film indicating substantially square magnetic hysteresis is provided with: a single crystal film growing process for growing the single crystal film; and an under-magnetic-field thermal treatment process for conducting thermal treatment to the single crystal film while applying an external magnetic field.例文帳に追加

実質的に角型の磁気ヒステリシスを示すビスマス置換型希土類鉄ガーネット単結晶膜を用いたファラデー回転子の製造方法において、単結晶膜を育成する単結晶膜育成工程と、単結晶膜に対し、外部磁場をかけながら熱処理を施す磁場中熱処理工程とを備えるようにした。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal ingot suppressing degradation of crystal quality while securing polytype conversion of silicon carbide single crystal at a sufficient growing speed, and having a plurality of polytypes in the direction of crystal growing of a single crystal ingot, an epitaxial wafer obtained from the ingot, and a method of manufacturing the ingot.例文帳に追加

十分な成長速度での炭化珪素単結晶のポリタイプ変換を確保しつつ結晶品質劣化を抑制し、一つの単結晶インゴットの結晶成長方向に複数のポリタイプを有する炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method which can effectively inhibit pollutants such as water blooms from growing in a closed body of water with stagnating water such as lakes and marshes when the water temperature rises in summer, can be inexpensively provided, and can effectively and easily inhibit pollutants from growing.例文帳に追加

湖沼といった水が滞留する閉鎖性水域において、夏場の水温上昇に伴うあおこなどの汚染物質の発生を効果的に抑制するとともに、安価で提供することができ、汚染物質の発生を効果的に、かつ容易に抑制することを可能にするシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing an epitaxial wafer, in which a particular device such as a oxidation furnace directly connected to an epitaxially growing reactor is not used and a particular treatment for cleaning or oxidizing the surface after epitaxially growing is not needed, thereby the production process is made simple, and by which an epitaxial wafer good in surface smoothness is produced.例文帳に追加

エピタキシャル成長反応炉に直結した酸化炉などの特別の装置を用いることなく、また、エピ成長後洗浄または表面酸化のための特別な処理が必要でなく、従来の製造工程を簡略化でき、かつ表面の平坦性が良好であるエピタキシャルウェーハの製造方法の提供。 - 特許庁

A step of epitaxially growing an undoped layer 22 as an SiC layer into which impurities are introduced, and a step of epitaxially growing an impurity doped layer 23 as the SiC layer into which nitrogen is introduced in a pulse-like manner are alternately repeated by a CVD method, to form a restriction layer 30 on a SiC substrate 3b.例文帳に追加

ＣＶＤ法により、不純物を導入しないＳｉＣ層であるアンドープ層２２をエピタキシャル成長させる工程と、パルス状に窒素を導入したＳｉＣ層である不純物ドープ層２３をエピタキシャル成長させる工程とを交互に繰り返し、抑制層３０をＳｉＣ基板３ｂ上に形成する。 - 特許庁

The method for growing the nitride semiconductor on the crystalline nitride semiconductor substrate comprises the steps of raising the temperature of the substrate, by starting a supply of a material gas to a surface of the substrate before the substrate exceeds 1,200°C to thereby start growing of the nitride semiconductor on the substrate.例文帳に追加

結晶性の窒化物半導体基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、基板を昇温させると共に、当該基板が１２００℃を越える前に当該基板表面への原料ガスの供給を開始することで当該基板上への窒化物半導体の成長を開始させる。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor single crystal includes steps of: forming a nitride seed layer on a substrate for growing a nitride single crystal; forming a dielectric mask having a stripe pattern on the nitride seed layer; and growing a nitride semiconductor single crystal containing Al on the nitride seed layer where the dielectric mask is formed while injecting Cl-based gas or Br-based gas.例文帳に追加

本発明は、窒化物単結晶成長用基板上に窒化物シード層を形成する段階と、上記窒化物シード層上にストライプパターンを有する誘電体マスクを形成する段階と、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入しながら、上記誘電体マスクが形成された窒化物シード層上にAlを含んだ窒化物半導体単結晶を成長させる段階を含む窒化物半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To comply with a growing necessity that the creation of a new rendering method is more required since a mission rendering is the rendering method which has been frequently used in the past, thereby, is the rendering without allowing a player to feel originality.例文帳に追加

ミッション演出は従来より多用されている演出手法であるため、遊技者にとっては何ら新鮮味を感じられない演出となってきており、新たな演出手法を創作する必要性が高まってきている。 - 特許庁

To provide a method of growing liquid phase able to improve a wettability of the melt and to grow well with good repeatability even for a substrate which can't get sufficient effect (i.e., repeatability and productive efficiency) by a conventional method.例文帳に追加

従来の方法では、十分な効果（即ち、再現性および生産効率）が上げられなかった基板に対しても、メルトの濡れ性を改善し、再現性良く、良好な成長を行うことができる液相成長法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the temperature responsive chromatography carrier comprises the steps of fixing an atom migrating radical polymerization initiator on the surface of a substrate and growing-and-reacting the polymer having hydration force changing within the temperature range of 0-80°C from the initiator by an atom migration radical method in the presence of a catalyst.例文帳に追加

基材表面に原子移動ラジカル重合開始剤を固定化し、その開始剤から触媒下で原子移動ラジカル法により０〜８０℃の温度範囲内で水和力が変化するポリマーを成長反応させること。 - 特許庁

The seed crystal for use in a silicon carbide single crystal growth, having one side surface of a plane surface and the other side surface of not necessarily a plane surface, and besides the manufacturing method thereof, and furthermore the method for growing an SiC single crystal using this seed crystal, are each disclosed.例文帳に追加

片面が平面、他面が必ずしも平面でない炭化珪素単結晶成長用種結晶、及び、その製造方法、並びに、この種結晶を用いたＳｉＣ単結晶の結晶成長方法である。 - 特許庁

To provide a novel lactic acid bacterium strain obtained from fruit of cactuses, particularly Opuntia ficus-indica, a method for producing cactus fermentation product by using the same and a method for growing flatfish by using the fermentation product.例文帳に追加

サボテン、特にウチワサボテンの実から採った新規な乳酸菌菌株、これを用いたサボテンの乳酸菌発酵物の製造方法、及びこの方法により製造された乳酸菌発酵物を用いたヒラメの飼育方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a carbon nanotube which can overcome such a problem that the conventional methods to grow carbon nanotubes at a high speed can hardly grow carbon nanotubes having equal lengths and diameters with good reducibility since the growing speed strongly depends on the supply method of gases.例文帳に追加

カーボンナノチューブを高速成長せしめる従来の方法では、成長速度がガスの供給方法に強く依存しているため、長さや直径が揃ったカーボンナノチューブを再現性よく成長せしめることは困難である。 - 特許庁

To provide a method for producing SiC single crystals, which method enables stable growth of the SiC single crystals when growing the SiC single crystals by using an apparatus for producing wherein a heat insulating material is arranged around a crucible.例文帳に追加

坩堝の周囲に断熱材を配置した製造装置を用いてＳｉＣ単結晶を成長させるに際し、当該ＳｉＣ単結晶の安定な成長を可能とするＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for controlling a residual carrier to low concentration without changing characteristics of a semiconductor thin film when epitaxially growing the semiconductor thin film on a semiconductor substrate by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。 - 特許庁

To stabilize the distribution of carrier concentration in the growing direction of an ingot when a single crystal is grown by a Czochralski method and to provide a group III-V compound semiconductor single crystal in which the carrier concentration is controlled and a method of producing the same.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶成長で、インゴットの成長方向のキャリア濃度分布を安定化させ、キャリア濃度の制御がなされたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which the occurrence of dislocations in a tail part is suppressed and the yield and productivity is improved when a silicon single crystal having a diameter of 450 mm is grown by a Czochralski method.例文帳に追加

ＣＺ法により直径４５０ｍｍのシリコン単結晶を育成するに際し、テイル部での有転位化の発生を抑制し、歩留りおよび生産性を向上させることができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a koji mold which vigorously proliferates even when water content charged to raw materials is lower than a conventional water content and having rapid growing rate in a method for producing koji for brewing and to provide the method for producing the koji for brewing by using the koji mold.例文帳に追加

醸造用麹の製造法において原料の盛込み水分が通常よりも低水分でも旺盛に繁殖し、生育速度が早い麹菌、及び該麹菌を用いる醸造用麹の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the growing method of a silicon single crystal by CZ method, in the necking process where the seed diameter is reduced, rotation number of a crucible is set not higher than 0.1 rpm in the normal or reverse direction to the direction of the rotation of the seed crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成方法において、シード直径を減少させる絞り工程で、ルツボ回転数を、前記種結晶の回転方向に対して正方向または逆方向に０．１ｒｐｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a method for growing bivalves, which stably promotes groundings of larvae and young shellfishes 5 of bivalves, such as, clams for a longer period of time, bottom quality improving base materials 2 and a method for improving the bottom qualities.例文帳に追加

アサリ等の二枚貝類の幼生、稚貝５の着底をより長期に渡って安定して促進することができる二枚貝類の増殖方法、および底質改善基材２、並びに底質改善方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacture method by which carbon fibers having a uniform film thickness are obtained independently of growth positions and growth areas on a substrate, with respect to a method for manufacturing carbon fibers by growing carbon fibers through a catalyst by thermal CVD.例文帳に追加

熱ＣＶＤ法により触媒を介してカーボンファイバーを成長させるカーボンファイバーの製造方法において、基板上の成長位置、成長面積によらずに均一な膜厚のカーボンファイバーが得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing carbon nanotubes by which high quality carbon nanotubes can be grown by using catalytic fine particles which are formed on a substrate by using various catalytic substances; and to provide a method for manufacturing a carbon nanotube structure.例文帳に追加

基板上に種々の触媒物質を用いて形成した触媒微粒子を用いて高品質のカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの成長方法およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法の提供。 - 特許庁

Tea plants that produce tencha leaves, for powdered green tea, are grown in the shade "under reed screens for ten days" and "under straw sheets for ten days" in order to keep them out of direct sunlight, this is the same method used to grow tea plants for the highest quality green tea called gyokuro, and which is very different from the method for growing ordinary tea. 例文帳に追加

碾茶に用いる茶は煎茶に用いるものとは異なり、葭簀（よしず）と藁（わら）を用いて直射日光を遮り「簀下十日、藁下十日」被覆栽培する（玉露と同様の栽培法）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method for growing plants by bringing clinker ash in coal combustion ash which is an industrial waste generated in a boiler and coconut husk dust generated as a residue in producing coconut fiber to be recycled for producing a greening environment playing roles such as cleaning of air and the like and provide light soil used for the method for growing plants.例文帳に追加

本発明は、ボイラ内で生成された産業廃棄物である石炭の燃焼灰中のクリンカアッシュと、やしがら繊維を生成する際に残渣として生じるやしがらダストを、大気浄化などの役割を果たす緑化環境の造成にリサイクル利用するようにした植物の育成方法およびこの育成方法に使用される軽量な土壌を提供すること目的とするものである。 - 特許庁

The method for producing a crystal 10 by a sublimation method includes: a process for arranging a ground substrate made of a material different from the crystal 10; a process for growing a first crystal 11 on the ground substrate by raising the temperature to a set temperature; and a process for growing a second crystal 12 on the first crystal 11 at a temperature equal to or higher than the set temperature.例文帳に追加

結晶の製造方法は、昇華法により結晶１０を製造する方法であって、結晶１０と異なる材料の下地基板を配置する工程と、設定温度まで昇温することで、下地基板上に第１の結晶１１を成長する工程と、設定温度以上の温度で、第１の結晶１１上に第２の結晶１２を成長する工程とを備えている。 - 特許庁

This single crystal-growing apparatus is obtained by providing three floors for working respectively in close to chambers corresponding to respecting working faces at least for multicrystal set, for zoning and for taking out of single crystal, in the apparatus for growing crystal by floating zone method(FZ method), equipped with at least multicrystal set chamber, a zoning chamber and a single crystal taking out chamber.例文帳に追加

少なくとも多結晶セットチャンバ、ゾーニングチャンバおよび単結晶取出しチャンバを具備するフローティングゾーン法（ＦＺ法）による単結晶育成装置において、チャンバに近接して設ける作業用フロアを、少なくとも多結晶セット用、ゾーニング用および単結晶取出し用の各作業面に対応する位置に三箇所設けることを特徴とするＦＺ法単結晶育成装置。 - 特許庁

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal.例文帳に追加

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。 - 特許庁

In the method of producing the microwave element, the magnetic garnet single crystal film grown by a liquid phase epitaxial method is used, and the method of producing the microwave element comprises cutting a garnet single crystal substrate into chips and then growing the magnetic garnet single crystal film on the surface of the chip of the garnet single crystal substrate by a liquid phase epitaxial method.例文帳に追加

液相エピタキシャル法により育成する磁性ガーネット単結晶膜を用いたマイクロ波素子の製造方法は、ガーネット単結晶基板をチップ状に切断した後、ガーネット単結晶基板チップ表面に液相エピタキシャル法により磁性ガーネット単結晶膜を育成することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for growing the silicon single crystal by a CZ method (Czochralski method), the concentration of oxygen in the silicon single crystal is made to be ≤9×10^17 atoms/cm^3 and nitrogen is doped in a concentration of nitrogen in the crystal of 1×10^12 to 5×10^15atoms/cm^3.例文帳に追加

ＣＺ法（チョクラルスキー法）によってシリコン単結晶を育成する方法において、単結晶中の酸素が９×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下の濃度であり、窒素が１×１０^12ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3〜５×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の濃度でドープする。 - 特許庁

The silicon crystal material manufactured by the CZ silicon crystal manufacturing method has a support part 3 formed in the CZ silicon crystal manufacturing method and serving for growing a single crystal in a crystal manufacturing apparatus by the FZ method as well as shoulder 5, straight body 2, tail 6.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride group III-V semiconductor crystal suitable for growing a nitride group III-V semiconductor crystal on the top surface to which AlGaN of a substrate is exposed, and to provide a method of manufacturing the nitride group III-V semiconductor laser device using the method.例文帳に追加

基板のＡｌＧａＮが露出した最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させるのに適したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法およびその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fusing method of solid raw materials which prevents the convection of the melt from becoming inhomogeneous within a crucible in a method for fusing solid materials which is materials for growing a crystal within the crucible, such as the production of a silicon single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキ法によるシリコン単結晶体の製造等のように、結晶を成長させる原料となる固体原料を坩堝内で融解させる方法において、坩堝内における融液の対流が不均一になることを防止する固体原料融解方法を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst particle for manufacturing a carbon nanocoil, which is used for growing the carbon nanocoil in high yield for a short time to manufacture the carbon nanocoil more easily even when a vapor-phase synthesis method is used, and to provide a method for manufacturing the catalyst particle for manufacturing the carbon nanocoil and a method for manufacturing the carbon nanocoil.例文帳に追加

気相合成法を用いる場合もカーボンナノコイルの生成率が高く、短時間でカーボンナノコイルが成長し、より簡単に製造することができるカーボンナノコイル製造用触媒粒子およびその製造方法ならびにカーボンナノコイルの製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor layer, which suppresses the size of produced voids in the Pendeo growth method and also the inclination of the c-axis of the crystal in the semiconductor layer to reduce defects in this layer, and to provide a method of manufacturing semiconductor light-emitting elements using the same.例文帳に追加

ペンデオ成長法において、発生するボイドの大きさを抑制し、半導体層の結晶のｃ軸の傾きを抑制し、半導体層中の欠陥を低減できる半導体層の成長方法とこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a mono-crystal nitride system group III-V compound semiconductor with low crystal failure density and high quality, and a semiconductor device manufactured by a growth method and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

低結晶欠陥密度の高品質の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、この成長方法を用いて製造される半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semi-conductor device manufacturing method capable of selecting and growing a silicon epitaxial film in a processing chamber in which a substrate storage area in the chamber is set to be a substantially uniform high-temperature atmosphere.例文帳に追加

室内の基板収容領域が略均等な高温雰囲気に設定された処理室で、シリコンのエピタキシャル膜を選択成長させることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for producing plum confectionery further easily eatable without getting the fingers dirty even by grabbing with the fingers, greatly popular among growing children with a good appetite, and expected to bring expansion of consumption.例文帳に追加

より気軽に手掴みでも手指を汚すことなく食することが可能であり、しかも食べ盛りの子供達にも大いに好まれ、消費の拡大が期待できる新たな梅菓子製造技術を提供する。 - 特許庁

By this method, a Si layer 3 is formed by aligning and growing Si on a LiNbO3 substrate 1 having an optical waveguide 2 formed, and the surface of the layer in the region except for the etching region is oxidized to form a SiI2 film 5.例文帳に追加

光導波路２を形成したＬｉＮｂＯ_3 基板１上にＳｉを配向成長させてＳｉ層３を形成し、エッチング領域以外の表面を酸化してＳｉＯ_2 膜５を形成する。 - 特許庁

The crystal growing unit 500 grows a second GaN crystal on a substrate formed by using the GaN wafer by the HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method, thus producing a bulked GaN crystal.例文帳に追加

結晶成長装置５００は、作製されたＧａＮウエハを基板として、ＨＶＰＥ法によって基板上に第２のＧａＮ結晶を結晶成長させ、塊状のＧａＮ結晶を製造する。 - 特許庁

In a method for culturing a standard product of the Phalaenopsis orchid, the growing point 8 is picked off in a state of Fig.1 in which six buds are attached when culturing Phalaenopsis orchid having six-stem flower as the standard product.例文帳に追加

本発明の胡蝶蘭の規格品栽培方法では、例えば、規格品として「６輪咲きの胡蝶蘭」を栽培する場合、つぼみを６つ付けた図１の状態で成長点８を摘み取る。 - 特許庁

To suppress the formation of polycrystals, which generate partially in the process for growing a single crystal, and to produce a crystal body having improved purity, in the production of a fluoride single crystal by a pulling method.例文帳に追加

引き上げ法によるフッ化物単結晶の製造において、単結晶の育成の過程で部分的に生じる多結晶化の発生を低く抑え、より高純度の結晶体を製造すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN crystal, which is low in dislocation density and high in crystallinity, without adding impurities other than the source material to a melt and also without increasing the scale of a crystal growth apparatus.例文帳に追加

融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flip-chip connecting method, which suppress voids from growing so as to ensure a fully satisfactory bond strength of bare chips for improve bonding reliabililty.例文帳に追加

本発明は、ボイドの発生を抑制することで、ベア・チップの接合強度を充分に確保することができ、接合の信頼性を高めることができるフリップチップ接続方法の提供を目的とする - 特許庁