「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the III-V compound semiconductor layer containing N atoms includes a step of growing semiconductor crystals constituting the III-V compound semiconductor layer on a semiconductor substrate to form an epitaxial wafer 1 and an annealing step of heat-treating the semiconductor crystals at a temperature higher than its growth temperature while applying a load to the crystals by putting a weight 104 on the epitaxial wafer 1.例文帳に追加

Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を製造する方法であって、III−Ｖ族化合物半導体層を構成する半導体結晶を半導体基板上に成長させてエピタキシャルウェハ１を形成する工程と、エピタキシャルウェハ１上におもり１０４を載せることで該半導体結晶に対して荷重を付与しつつ、該半導体結晶に対しその成長温度より高い温度で熱処理を行うアニール工程とを備える。 - 特許庁

The depositing method of the polycrystalline thin film Si includes a process for depositing an amorphous Si thin film serving as a base on a substrate, a process for forming a metal oxide film on the surface of the amorphous Si thin film, a process for partially reducing the metal oxide film, a process for forming silicide by reduced metal and amorphous Si, and a process for growing crystal Si with silicide as a core.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法において、少なくとも 下地となる非晶質Ｓｉ薄膜を基板上に堆積する工程と 該非晶質Ｓｉ薄膜表面に金属酸化膜を形成する工程と 該金属酸化膜を部分的に還元する工程と 還元された金属と非晶質Ｓｉとによりシリサイドを形成する工程と 該シリサイドを核として結晶Ｓｉを成長させる工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the single crystal comprises introducing an atmospheric gas (g) into a crucible 100 and, growing a single crystal plate 40 by sublimating the crystal material 20, wherein the gas stream in the crucible is controlled by forming the gas discharge port 130 side of the crucible with a gas-permeable porous material, whereby it is possible to efficiently performing deposition/growth of a crystal material gas.例文帳に追加

かゝる本発明は、るつぼ１００内に雰囲気ガスｇを導入すると共に、結晶材料２０を昇華させて単結晶板４０を成長させる単結晶の製造方法において、るつぼのガス排出口１３０側をガス透過性の多孔質材で形成して、るつぼ内のガス流制御を行う単結晶の製造方法にあり、これによって、結晶材料ガスの析出・成長を効率よく行うことができる。 - 特許庁

In the method for manufacturing a gallium nitride based compound semiconductor by supplying a halide containing gas and a nitrogen source containing gas onto a substrate disposed in a reactor and growing a gallium nitride based compound semiconductor on the substrate by vapor phase epitaxy, a compound containing at least carbon and hydrogen is supplied into the reactor in a gas state, and the gallium nitride based compound semiconductor is doped with a dopant by supplying material gas of dopant onto the substrate.例文帳に追加

反応器内に配置された基板上にガリウムのハロゲン化物含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、少なくとも炭素と水素とを含む化合物を、反応器内に気体状態で供給するとともに、ドーパントの原料ガスを基板上に供給してドーパントを窒化ガリウム系化合物半導体にドーピングする。 - 特許庁

The method for controlling the weeds at the growing site of the Jatropha, comprising applying effective amounts of one or more compounds selected from glyphosate or an agriculturally acceptable salt thereof, glufosinate or an agriculturally acceptable salt thereof, glufosinate-P or an agriculturally acceptable salt thereof, and bialaphos or an agriculturally acceptable salt thereof to the site in which the Jatropha grows, and the like are provided.例文帳に追加

ヤトロファ（Ｊａｔｒｏｐｈａ）が生育している場所に、有効成分としてグリホサートまたは農学的に許容されるその塩、グルホシネートまたは農学的に許容されるその塩、グルホシネート−Ｐまたは農学的に許容されるその塩、ビアラホスまたは農学的に許容されるその塩から選ばれる一つまたはそれ以上の化合物の有効量を適用することからなるヤトロファの生育場所の雑草を防除する方法；等を提供する。 - 特許庁

The method using an apparatus for growing the biopolymer crystal by a vapor diffusion process comprises holding a biopolymer-containing solution 11 in the void of a substrate 26 by surface tension, applying an alternating electric field to the above solution by a pair of electrodes 31 located near th void of the substrate to induce an induced dipole into the biopolymer so as to move in the solution, and thus promoting the formation of the crystal nucleus.例文帳に追加

生体高分子を蒸気拡散法によって結晶成長させる装置において、生体高分子を含有する溶液１１を表面張力により基板２６の間隙に保持し、その基板の間隙近傍に位置して対を成す電極３１によって、間隙に保持された溶液に対して交流電場を印加することで、生体高分子に誘起双極子を誘起して溶液中を移動させ、結晶核の形成を促進する。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁

The method for growing an indium nitride-containing semiconductor layer comprises the steps of: forming indium hydride by causing hydrogen atoms resulting from the decomposition by plasma to react with an indium source including indium metal or indium-containing compound; forming nitrogen atoms by decomposing nitrogen with plasma; and forming an indium nitride-containing semiconductor layer on a substrate by causing the indium hydride and the nitrogen atoms to react with each other.例文帳に追加

本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method for forming a layer of a monocrystalline semiconductor material on a substrate, comprises: providing the substrate 1; growing epitaxially a template comprising at least one monomolecular layer 2 of a semiconductor material on the substrate 1; depositing an amorphous layer 3 of the semiconductor material on the template; and performing a thermal treatment or a laser anneal thereby completely converting the amorphous layer of the semiconductor material into a monocrystalline layer of the semiconductor material.例文帳に追加

基板上に単結晶の半導体材料の層を形成する方法に関し、この方法は、基板１を準備する工程と、基板上に少なくとも１つの半導体材料の単分子層２を含むテンプレートをエピタキシャル成長する工程と、テンプレート上に半導体材料のアモルファス層３を堆積する工程と、熱処理またはレーザアニールを行い、半導体材料のアモルファス層を、半導体材料の単結晶層に完全に変える工程とを含む。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: epitaxially growing an epitaxial semiconductor layer 4 on a semiconductor substrate; forming a photoelectric conversion part on the epitaxial semiconductor layer 4; forming a wiring layer on the epitaxial semiconductor layer 4 after forming the photoelectric conversion part; bonding a supporting base 23 onto the wiring layer; and etching the semiconductor substrate from the opposite surface side of the bonded surface after the bonding.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。 - 特許庁

This method for manufacturing the unidirectionally arrayed carbon tubes has a metallic particulate forming process for forming metallic particulates by an electrolytic treatment in pores 21 of an anodically oxidized aluminum film 2, a sulfide particulate forming process for sulfiding these metallic particulates and a carbon tube forming process for depositing and growing the carbon tube 5 in the pores 21 with the sulfide particulates 4 as start points by cracking gas containing a carbon component.例文帳に追加

アルミニウム陽極酸化皮膜２の細孔２１中に、電解処理によって金属微粒子を生成させる、金属微粒子生成工程と、該金属微粒子を硫化する、硫化物微粒子形成工程と、７５０〜９５０℃の条件下で、炭素成分を含むガスを分解させて、硫化物微粒子４を起点として細孔２１中にカーボンチューブ５を析出・成長させる、カーボンチューブ生成工程とを備えたことを特徴とする一方向配列カーボンチューブの製造方法である。 - 特許庁

The method of producing the metallic nanoparticles from a salt of a metal comprises: a reduction step of depositing metallic particles by adding the salt of the metal to the first solution containing an organic compound having a nature of coordinating a metal; and an aging step of growing crystals of defect-free particles among the metallic particles, while dissolving the defective particles among the metallic particles into the second solution containing an organic ligand.例文帳に追加

金属の塩から金属ナノ粒子を製造する製造方法において、金属配位性を有する有機化合物を含む第１の溶液に金属の塩を添加することにより金属の金属粒子を析出させる還元工程と、有機配位子を含む第２の溶液に金属粒子中の欠陥粒子を溶解させながら、金属粒子中の無欠陥粒子の結晶を成長させる熟成工程と、を備えることから成る金属ナノ粒子の製造方法である。 - 特許庁

The silicon wafer evaluating method comprises heat treating of a silicon wafer containing oxygen deposits which are smaller than a lower limit of oxygen deposits detectable by a specific measuring instrument, thereby growing all the oxygen deposits smaller than the lower limit size, up to a size detectable by the specific measuring instrument, without producing new oxygen deposits, and measuring the density of the oxygen deposits in the silicon wafer to evaluate it.例文帳に追加

特定の測定装置により検出可能な酸素析出物の下限サイズより小さな酸素析出物を含有するシリコンウエーハに、新たな酸素析出物を発生させることなく酸素析出物を成長させる熱処理を加えて、前記下限サイズより小さな酸素析出物のすべてを前記特定の測定装置により検出可能なサイズに成長させた後に、前記シリコンウエーハ中の酸素析出物密度を前記特定の測定装置により測定するシリコンウエーハの評価方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate includes steps of: forming a ZnO layer 23 on a base substrate 21; forming a low-temperature nitride buffer layer 24 using dimethyl hydrazine (DMHy) as an N source on the ZnO layer; growing a nitride single crystal 25 on the low-temperature nitride buffer layer; and separating the nitride single crystal from the base substrate by chemically eliminating the ZnO layer.例文帳に追加

窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。 - 特許庁

The inventive method comprises a step for forming a platinum alloy film of arbitrary shape and thickness on a nonmagnetic garnet single crystal substrate 1, and a step for growing a magnetic garnet single crystal film 3 on the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 by bringing a magnetic garnet material liquid containing lead oxide as flux into contact with the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 and removing platinum or platinum alloy therefrom by means of the flux.例文帳に追加

非磁性ガーネット単結晶基板１上に、白金または白金合金の膜を任意の形状および厚さに形成する工程と、融剤として酸化鉛を含有する磁性ガーネット原料融液と前記非磁性ガーネット単結晶基板１を接触させ、この非磁性ガーネット単結晶基板１上の白金または白金合金を融剤によって除去しながら、非磁性ガーネット単結晶基板１上に磁性ガーネット単結晶膜３を育成する工程とを備える。 - 特許庁

The method for cleaning soil contaminated with agrochemicals comprises following processes, (I) transducing a gene encoding a multidrug resistance-associated protein (MRP) into a plant cell to obtain the MRP transformed plant, (II) a process growing the MRP transformed plant obtained in the process (I), in the soil contaminated with agrochemicals, and (III) a process collecting the MRP transformed plant grown in the process (II).例文帳に追加

本発明は、（Ｉ）マルチドラッグレジスタンスアソシエーテッドプロテイン（ｍｕｌｔｉｄｒｕｇ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ−ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ ｐｒｏｔｅｉｎ；ＭＲＰ）をコードする遺伝子を植物細胞に導入することにより、ＭＲＰ形質転換植物を得る工程、（ＩＩ）工程（Ｉ）において得られたＭＲＰ形質転換植物を農薬汚染土壌で生育させる工程、及び、（ＩＩＩ）工程（ＩＩ）において生育させたＭＲＰ形質転換植物を回収する工程を包含する、農薬汚染土壌の浄化方法を提供する。 - 特許庁

This fruit or vegetable hydroponic method for growing fruits or vegetables in a potassium-containing culture solution includes using a standard culture solution containing potassium at standard concentration in a period before a reproductive growth period, and using after a reproductive growth period, a potassium culture solution having a potassium concentration less than the standard concentration without deficiency of potassium in the culture solution so as to decrease the rate of potassium content of fruits or vegetables.例文帳に追加

本発明は、カリウムを含有した培養液によって果実又は野菜を養液栽培する果実又は野菜の養液栽培方法において、生殖成長期よりも前の時期にはカリウムが標準濃度で含有された標準培養液を用いるとともに、生殖成長期以降には培養液中におけるカリウムを欠除させること無く上記標準濃度よりもカリウム濃度を低下させたカリウム低下培養液を用いることにより、果実又は野菜のカリウム含有率を低下させる。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: supplying a hydrogen chloride gas into a reaction chamber simultaneously with supply at least a B source out of a material gas including the B source containing Cl and a Si source containing H when growing a polysilicon film doped with B on a semiconductor substrate by supplying the material gas into the reaction chamber; and supplying a purge gas into the reaction chamber to discharge the material gas and the hydrogen chloride gas.例文帳に追加

Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the group 13 element nitride crystal comprises growing the group 13 element nitride crystal in a liquid phase containing at least Na, a group 13 element and nitrogen element.例文帳に追加

少なくともＮａと第１３族元素と窒素元素とを含む液相中で第１３族窒化物結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法において、前記液相の表面と接しかつ少なくとも前記液相の表面から上部２０ｍｍの高さまでを満たす気相が存在し、前記液相表面部分の温度Ｔ１（Ｋ）と、前記液相表面から鉛直方向に２０ｍｍ離れた気相部分の温度Ｔ２（Ｋ）とが、式（１）を満たすようにして結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法。 - 特許庁

The method includes steps of: preparing a substrate 31 for growing GaN; forming a GaN epitaxial layer on the substrate 31; forming a mask 33 on the GaN epitaxial layer 32 so as to expose a part of the upper face of the GaN epitaxial layer 32; and overgrowing GaN to predetermined thickness on the GaN epitaxial layer including the mask 33 by doping with a predetermined amount of In.例文帳に追加

本発明は、ＧａＮを成長させるための基板３１を用意する段階と、上記基板３１上にＧａＮエピ層３２を形成する段階と、上記ＧａＮエピ層３２上に上記ＧａＮエピ層３２の上面の一部が露出するようマスク３３を形成する段階と、上記マスク３３を含むＧａＮエピ層３２上に所定量のＩｎをドーピングしてＧａＮを所定の厚さに再成長させる段階とを含むことを特徴とするＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法を提供する。 - 特許庁

The method of producing the langasite single crystal C comprises filling a langasite seed crystal S at the lower part of a platinum crucible 1, then filling a langasite raw material G on the langasite seed crystal S mentioned above, melting the langasite seed crystal S and the langasite raw material G in a vertical furnace having a temperature gradient in the vertical direction, and growing the langasite single crystal S by moving the platinum crucible 1 in the vertical direction.例文帳に追加

本発明は、ランガサイト単結晶の作製方法が、ランガサイト種結晶Ｓを白金るつぼ１の下部に充填し、かつ前記ランガサイト種結晶Ｓの上にランガサイト原料Ｇを充填して、前記ランガサイト種結晶Ｓと前記ランガサイト原料Ｇを垂直方向に温度勾配を有する垂直な炉内で溶融させた後、前記白金るつぼ１を垂直に移動させてランガサイト単結晶Ｓを育成するランガサイト単結晶Ｃの作製方法であって、前記ランガサイト種結晶Ｓと前記ランガサイト原料Ｇとの界面の温度を１４９６〜１５１６℃にして溶融する方法である。 - 特許庁

The method for producing an aluminum nitride single crystal comprises heating a raw material gas generation source arranged in a raw material supply part to a raw material gas generation temperature T_1 so as to generate aluminum gas or aluminum oxide gas being a raw material gas, then supplying the raw material gas and nitrogen gas to the deposition part where a substrate for growing the aluminum nitride single crystal is arranged, and producing the aluminum nitride single crystal on the substrate.例文帳に追加

本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、 原料供給部に配置した原料ガス発生源を原料ガス発生温度Ｔ_１に加熱して、原料ガスであるアルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを生成し、 窒化アルミニウム単結晶成長用基板を配置した析出部に該原料ガスおよび窒素ガスを供給して、該基板上に窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、 該原料ガスおよび窒素ガスからの単結晶窒化アルミニウムの析出開始温度Ｔ_２と、前記原料ガス発生温度Ｔ_１と析出部温度Ｔ_Ｓとが、下記条件を満たす条件下で窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁