「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

The sericulture method comprises laying a sheet-like sericulture feed 1 on a palette 3, arranging a net 4 on the sericulture feed, superposingly arranging sericulture beds 6 where the silkworms are put therein in a sterile room 5, and supplying the sericulture feed 1 to the silkworms once to several times during growing the silkworms between 1-5 instars.例文帳に追加

パレット３にシート状に形成した養蚕用飼料１を敷き、その上にネット４を配設して蚕を収容した養蚕用ベッド６を無菌室５に重畳して配置するとともに、蚕が１齢から５齢まで成長する間に１〜数回前記養蚕用飼料１を補給する。 - 特許庁

When the carbon nanocoils are grown by a CVD method by supplying a raw material gas for growing the carbon nanocoils above a substrate on which a catalyst film is deposited, a film having Ti-O-N bond is provided between the substrate and the catalyst film, and then the carbon nanocoils are grown on the catalyst.例文帳に追加

触媒を成膜した基板上にカーボンナノコイル成長用原料ガスを供給し、ＣＶＤ法でカーボンナノコイルを成長させる際に、基板と触媒膜との間にＴｉ−Ｏ−Ｎ結合を有する膜を設けて触媒上にカーボンナノコイルを成長させる。 - 特許庁

To provide a Hizikia fusiforme processing equipment and a method for cleaning its steaming chamber, enabling processed Hizikia fusiforme to be produced at low cost through preventing growing bacteria such as butyric acid bacteria contained in Hizikia fusiforme in transferring it from its steaming step to its drying step, and also easy in the maintenance and cleaning of the equipment.例文帳に追加

ヒジキの蒸煮工程から乾燥工程に移行する時にヒジキに含まれている酪酸菌等の細菌に増殖を防止し、生低コストで加工ヒジキの生産を可能にし、更にメンテナンスや清掃が容易なヒジキの加工装置及びその蒸煮室の清掃方法の提供。 - 特許庁

The method includes growing a nitride semiconductor layer on a GaN substrate having a non-polar or semi-polar crystal plane, the upper surface of which has a predetermined angle of intersection with respect to the c plane, patterning the nitride semiconductor layer, and forming light emitting cells separated from one another.例文帳に追加

この方法は、上部表面がｃ面に対して一定の交差角をなす非極性または半極性の結晶面を有するＧａＮ基板上に窒化物半導体層を成長させ、前記窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルを形成することを含む。 - 特許庁

In this method for producing the gas using the biomass, the chipped ligneous biomass is mixed with splinters of a waste mushroom-growing medium, then a material containing a methane-producing microorganism is added to the mixture, and as a result, a mixed gas containing at least the methane is generated by fermenting the mixture in an anaerobic state.例文帳に追加

細片化された木質バイオマスに、茸栽培廃床の細片を混合した後、メタン細菌含有物質を添加し、嫌気状態下での発酵により少なくともメタンを含む混合ガスを発生させることを特徴とするバイオマスを用いたガス製造方法。 - 特許庁

To improve the yield of growing an Hg-Cd-Mn-Te single crystal having desired quality in the method for manufacturing the single crystal by melting the mixture of source materials in a container to produce a polycrystalline material and continuously generating a melting zone in the polycrystalline material.例文帳に追加

原料混合物を容器中で溶融させることによって多結晶材を作製し、この多結晶材に連続的に融帯を生成させてＨｇ−Ｃｄ−Ｍｎ−Ｔｅ系単結晶を作製する方法において、所望の品質を有する単結晶の育成時の歩留りを向上させる。 - 特許庁

To reduce fixed charges in a gate insulating film and to lower the film forming temperature of a semiconductor polycrystalline film by a direct growing method in order to achieve a bottom gate structure TFT using a directly grown polycrystalline silicon film for a channel layer in order to obtain a display panel with an excellent display performance at a low cost.例文帳に追加

表示性能の優れたディスプレイパネルを安価に得るため、直接成長多結晶シリコン膜をチャネル層に用いたボトムゲート構造TFTを実現するために、ゲート絶縁膜中の固定電荷を低減し、かつ直接成長法による半導体多結晶膜の成膜温度を低温化する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a first insulating film 3 on an n-type high concentration substrate 1 after growing an I-layer 2 having a relatively low impurity concentration on the main surface of the substrate 1, and exposing the I-layer 2 in a peripheral portion by removing an unnecessary portion of the film 3.例文帳に追加

ｎ型高濃度基板１の主面上に相対的に不純物濃度が低いＩ層２を成長させた後、ｎ型高濃度基板１上に第１絶縁膜３を形成し、第１絶縁膜３の不要部分を除去して、周辺部分のＩ層２を露出させる。 - 特許庁

Also, the method of cultivation is provided by inoculating a fungal seed of the Paecilomyces Japonica on the above medium composition, culturing at 20-30°C for 5-7 days, then growing its fruit body at 18-22°C under ≥5,000 lux and ≥95% humidity, and harvesting before the fruit body forms spores.例文帳に追加

また、この培養法は、雪花冬虫夏草の種菌を前記培地組成物に接種し、２０〜３０℃で５〜７日間培養した後、１８〜２２℃、照度５００ルクス以上、湿度９５％以上で子実体を成長させ、前記子実体が胞子を生成する前に収穫する方法である。 - 特許庁

To provide an effective molecular peeling method by which the amelioration and prevention of skin trouble such as blotch, freckle, pimple, wrinkle, drabness, atopy and inflammation by sunburn, and the rejuvenation of the skin are achieved in the skin, and the promotion of hair growing and hair development is achieved in the scalp without damaging the skin and the scalp.例文帳に追加

皮膚や頭皮にダメージを与えることなく、皮膚においては、しみ・そばかす・にきび・しわ・くすみ・アトピーや日焼けの炎症などの皮膚トラブルの改善並びに予防および皮膚の若返りを、頭皮においては育毛・発毛促進を実現する効果的な分子ピーリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fermentation-treated product of Curcuma zedoaria or Curcuma aromatica Salisb, having improved bitterness, exhibiting little side effects and high safety in a living body, and having α-amylase-inhibiting activities to effectively utilize the Curcuma zedoaria or the Curcuma aromatica Salisb of turmerics naturally growing in Okinawa, and to provide a method for producing the product.例文帳に追加

本発明の課題は、沖縄に自生するウコン類であるガジュツ又はキョウオウの有効利用を図り、苦味が改善され、生体に対し副作用が少なく安全性が高いα−アミラーゼ阻害活性作用を有する、醗酵処理物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the sampling tool includes: a process of covering the surface including the tip of the sampling needle or a part of the surface with insulating material; a process of separating a part of the insulating material; and a process of growing the projection on the separating part.例文帳に追加

本発明のサンプリング用治具を製造する方法は、前記サンプリングニードルの先端部を含めた表面又は前記表面の一部分を絶縁材料で覆い隠す工程、前記絶縁材料の一部分を剥離する工程、前記剥離部分上に突起を成長させる工程を有する。 - 特許庁

This method for rooting cultivation comprises growing a long epicotyl seedling using a cotton candy like soil substitute material having a vertical hole for elevation-elongating the epicotyl, planting the cotton candy like soil substitute material housing the seedling and housed in a protecting tool (a retainer) into a planting hole at a planting furrow together with the retainer and cultivating.例文帳に追加

［解決手段］ 上胚軸上昇伸長用縦長穴を有する綿菓子状培土代替資材を用いて長上胚軸苗を育成し、この苗を収納した綿菓子状培土代替資材を保護具（リテーナー）に収納したまま、リテーナーごと定植畝の植え穴に定植し栽培する。 - 特許庁

To provide a method for producing a plant-growing base material using soil containing coarse fragments which enables efficient utilization of clay particles falling in soil for producing the plant-growth base material, prevents the coarse fragments from breaking the blades of a mixer when stirring, and prevents the coarse fragments from falling down from a slope surface after sprayed.例文帳に追加

土に含まれる粘土粒子を植物生育基盤材料の生成に効率的に利用することを可能にし、また、予め礫を土から除去することによって、攪拌時に前記礫によりミキサの羽根が損傷したり、散布後に法面から前記礫が落下するのを防止すること。 - 特許庁

The method for propagating Chinese yam includes: making a stem 4 growing from the parent stock of the Chinese yam creep over the ground; covering grown propagules 8 with soil; and sprouting roots 11 such as absorptive roots and storage roots from the propagules 8 while the propagules 8 are joined to the stem 4 to grow the Chinese yam.例文帳に追加

自然薯の親株から成長した茎４を地面上に這わせ、生成されたむかご８の部分を土で覆い、むかご８が茎４に接続されている状態でむかご８から吸収根および貯蔵根の根１１を発根させて自然薯を生育させる。 - 特許庁

A carbon nanotube is produced by the method that a primary carbon nanotube is grown on a substrate where a catalytic substance layer is formed and that, after the primary growing, a secondary carbon nanotube is grown on the surface of the primary carbon nanotube utilizing the catalytic substance existing on the surface of the grown primary carbon nanotube.例文帳に追加

触媒物質層が形成された基板に１次カーボンナノチューブを成長させ、１次成長後にカーボンナノチューブの表面に存在する触媒物質を利用して１次カーボンナノチューブの表面に２次カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法である。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a fluoride single crystal having a diameter of not less than 70 mm in the cross section perpendicular to the axis of a crystal growth direction and capable of obtaining a sufficient resolution performance when used as a lens material for a stepper, to provide a growing method thereof, and to provide a lens composed of such a fluoride single crystal.例文帳に追加

結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が７０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、その育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。 - 特許庁

When growing aluminium nitride on a seed crystal 7 by heating and sublimating a raw material powder 9 of the aluminium nitride in a heating furnace 1, the manufacturing method uses as the raw material powder 9 of the aluminium nitride one that has an average particle diameter of 10 μm or larger or a specific surface area of 0.02 m^2/g or smaller.例文帳に追加

加熱炉１内で窒化アルミニウムの原料粉末９を加熱して昇華させ、種結晶７上で窒化アルミニウムを成長させるに当たり、前記窒化アルミニウムの原料粉末９に、平均粒径１０μｍ以上のもの又は比表面積０．０２ｍ^２／ｇ以下のものを用いる。 - 特許庁

The method is provided with a cleaning stage where an Si substrate is subjected to heating cleaning; an initial layer forming stage where an initial layer consisting of β-FeSi_2 is formed on the Si substrate at a first temperature; and a growing stage where the initial layer is grown at a second temperature higher than the first temperature.例文帳に追加

この発明の方法は、Ｓｉ基板を加熱クリーニングするクリーニング工程と、β−ＦｅＳｉ_２からなる初期層を第１の温度でＳｉ基板上に形成する初期層形成工程と、初期層を第１の温度より高い第２の温度で成長させる成長工程とを備える。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device of the present invention includes the steps of: forming the groove portion on the semiconductor substrate; forming a first separation film and a second separation film by growing the oxide film on a bottom surface of a first opening and a bottom surface of the groove portion; and forming the PiP capacitive element on the second separation film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に溝部を形成し、第1の開口部の底面と溝部の底面に酸化膜を成長させて第１の分離膜及び第２の分離膜を形成し、第２の分離膜上にＰｉＰ容量素子を形成する工程を含む。 - 特許庁

The method for securing an environment for growing yeast, cells, and the like, in the inside of a carrier, while making antimicrobial effects develop by a photocatalyst on the surface of the carrier comprises carrying out a reaction, while irradiating the carrier, in which the photocatalyst is combined with a porous material through irradiation od light.例文帳に追加

光触媒と多孔質材料を組合わせた担体に光を照射しながら反応させることにより、担体表面には光触媒による抗菌効果を発現させながら、担体内部には酵母や細胞などの成育できる環境が確保できる方法である。 - 特許庁

In case of the In-dope, among the CdTe type compound semiconductor single crystal obtained by the melt growing method which dopes 0.05-1.0 ppmwt of indium into the CdTe raw material melt, the part whose solidification ratio of the crystal of 0.9 or less is used as a material for electrooptic elements.例文帳に追加

また、Ｉｎドープの場合は、ＣｄＴｅ原料融液中に０．０５〜１．０ｐｐｍｗｔのインジウムをドープし融液成長法により得られたＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶のうち、結晶の固化率が０．９以下の部分を電気光学素子用の材料とするようにした。 - 特許庁

The other objective method for raising seedling is characterized by comprising using a raising seedling vessel for growing young seedling made to pass through a nursery bed holding hole formed on the raising seedling holding part 1, arranging the lower end thereof on the nutritious liquid container and filling water or liquid manure in the nutritious liquid container 4.例文帳に追加

また方法にあっては、子苗を育成するための育苗容器を、苗床保持部１に構成される苗床保持孔に貫通させるとともに、下端を養液容器上に配置し、溶液容器４に水または液肥を充填して用いることを特徴とする。 - 特許庁

This cultivation method comprises applying a compound (A) of a specified structure having a 10-22C hydrocarbon group to underground parts and/or aboveground parts of the green vegetables in an amount of 5-120g per 10 ares at least once on a growing stage 1 on which a growth rate of plant height is less than 40%.例文帳に追加

炭素数１０〜２２の炭化水素基を有する特定構造の化合物（Ａ）を、草丈生長率が４０％未満である生育ステージ１において、１０ａあたり５〜１２０ｇの量で、葉菜類の地下部及び／又は地上部に対して少なくとも１回施用する。 - 特許庁

In this lotus root-shaped porous metal manufacturing method, an advancing direction of a solid-liquid interface at solidifying as a determination factor of a growing direction of a pore is controlled to be slant, whereby the panel having the insertion hole can be manufactured only by the simple casting and the fabrication.例文帳に追加

ロータス型ポーラス金属作製方法において、気孔の成長方向の決定因子である凝固時の固液界面の進行方向を斜めに制御することにより、単純な鋳造と成形加工のみで貫通孔を有するパネルを作製することを可能とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the polygonal semiconductor ring laser comprises steps of growing an n-type AlGaAs clad layer 11, an active layer region 12, an AlAs-current constriction layer 13, and a p-type AlGaAs clad layer 14 on an n-type GaAs substrate in Fig. (a); and patterning a first resist 1 thereon, in a shape of an optical waveguide.例文帳に追加

（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、活性層領域１２、ＡｌＡｓ電流狭窄層１３と、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を成長させ、その上に第一のレジスト１を光導波路の形状にパターニングする。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor light-emitting element includes the steps of: growing a laminate of GaN based semiconductor layers including light emitting layer, on a GaAs (111) A substrate 1; fixing an electrode surface provided on a surface of the laminate and the conductive substrate with a conductive adhesive; and removing the GaAs (111) A substrate 1.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs（111）Ａ基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs（111）Ａ基板1を除去する。 - 特許庁

The method for growing a fruit tree 1 producing fruits (mangos 4) comprises setting up a plurality of stages of flat first nets having meshes each smaller than a matured fruit in a height direction of the mango tree 1 so as to range from the periphery of the trunk of the mango tree 1 to the crosswise region of the mango tree 1.例文帳に追加

果実（マンゴー４）が生る果樹（マンゴーの木１）の育成方法において、マンゴーの木１の高さ方向に、マンゴーの木１の幹の周囲からマンゴーの木１の幅方向の範囲に渡り、完熟状態の果実よりも網目が小さい平面状の第１のネットを複数段配置する。 - 特許庁

The method includes a process of selectively epitaxial-growing a single crystal Si strip on the surface of the sidewall of a single-crystal SiGe layer and the SiGe layer is attached to a support platform (generally, an insulator on a Si substrate) and the Si strip is also attached to the support platform.例文帳に追加

該方法は、単結晶ＳｉＧｅ層の側壁表面に単結晶Ｓｉストリップを選択的なエピタキシャル成長させる工程を含み、前記ＳｉＧｅ層は支持基板（一般にＳｉ基板上の絶縁体）に接着され、かつ前記Ｓｉストリップもまた支持基板に接着される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shibori log (artificially shaped log) capable of supplying shibori log as prescribed at a low cost without changing a cost without effecting an influence of growing conditions or the like of a tree without necessity of a special skill by enabling mechanical manufacturing of the log of a prescribed quality.例文帳に追加

一定品質の絞り丸太を機械的に製造可能とすることで、特殊技能必要とせず、樹木の成育条件等の影響を受けることもなく、所期した通りの絞り丸太を、価格の変動なしに低価格で供給できる絞り丸太の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for growing the gallium nitride single crystal in a vapor phase by supplying a gas containing a gallium source and a gas containing a nitrogen source, the single crystal is grown in the (000-1) direction at a partial pressure of the gallium source of ≤3×10^-4 atm and at a growth temperature of ≥950°C in the presence of hydrogen gas.例文帳に追加

反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下、ガリウム源の分圧を３×１０^−４ａｔｍ以下、成長温度９５０℃以上とし、〈０００−１〉方向に成長させる。 - 特許庁

To provide a culture soil for growing seedlings, having light weight facilitating the transportation, and self-holding power to prevent the breaking down at transplantation, providing good transplantation operability, allowing the plant after the transplantation to be grown well, and not requiring frequent watering, and to provide a method for planting cuttings of vegetables by using the culture soil.例文帳に追加

軽くて持ち運びが容易で、定植する際、自己支持力があって培土崩れがなく、定植作業性が良好で、定植後の植物の生育も良く、頻繁に灌水を行う必要がない育苗用培土及びこれを用いた野菜類の挿し木方法を提供する。 - 特許庁

To provide a weed-proof structure capable of preventing a weed from growing over the whole area requiring weed prevention, and capable of holding the fixation of an end part of a weed-proof sheet surely over a long period under the state where the beautiful appearance is maintained, in particular, even when laying the weed-proof sheet on a slope face, and a construction method therefor.例文帳に追加

防草が必要な区域全体にわたって草の生育を防止し、特に防草シートを法面に敷設する場合にも、美観を保った状態で、長期間にわたって確実に、防草シートの端部の固定を保つことができる防草構造体及びその施工方法を得る。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal, in which the solid-liquid interface can be prevented from being concaved by accelerating the dissipation of heat transferred to the compound semiconductor single crystal from a melt of the compound semiconductor; and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体融液から化合物半導体単結晶に伝達された熱の放熱を促進することにより固液界面の凹化を抑止することができる化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the sheet-like silicon comprising bringing a substrate having a growth surface into contact with a silicon melt and growing silicon on the substrate, the sheet-like silicon almost free from irregularity in quality can be obtained by dividing the substrate having the growth surface for the sheet-like silicon.例文帳に追加

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。 - 特許庁

The method comprises pre-culturing the algae body of prasinophyte of marine microalgae, adding to the prasinophyte cultivation algae, as nutrient salts, a nitrogen source and/or a phosphorus source such as monohydrogen dipotassium phosphate to cultivate, and growing up to produce both of DHA and EPA from the prasinophyte grown-up algae.例文帳に追加

海洋性微細藻類のプラシノ藻の藻体を前培養した後、該プラシノ培養藻体に栄養塩としての窒素源および／又はリン酸一水素二カリウム等のリン源を添加・培養して生育させ、該プラシノ生育藻体からＤＨＡ及びＥＰＡの双方を生産する方法。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

The lithium tantalate single crystal is produced by the Czochralski method, using a seed crystal prepared so that the ratio (n2/n1) of the Ni concentration (n2) of growing crystal to the Ni concentration (n1) of the seed crystal becomes 1 or more and 3 or less and setting the highest attaining temperature of raw material melt at 1,800°C or lower.例文帳に追加

前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 - 特許庁

To provide a method for vapor growth which is capable of growing well-reproductively an epitaxial layer of a compound semiconductor such as InGaAsP on a semiconductor substrate such as InP in a desired element composition and of manufacturing stably a semiconductor element with a definite PL wavelength.例文帳に追加

ＩｎＰ等の半導体基板上にＩｎＧａＡｓＰ等の化合物半導体からなるエピタキシャル層を所望の元素組成で再現性よく成長させ、一定のＰＬ波長を有する半導体素子を安定して製造することのできる気相成長方法を提供する。 - 特許庁

A method for patterning metal using nanoparticles containing precursors comprises: providing pre-nucleated metal nanoparticles in a composite; generating a metal atom by reducing a metal ion by exposure to radiation; and reacting the metal atom with the pre-nucleated metal nanoparticle, thereby growing the metal nanoparticles.例文帳に追加

予備核形成した金属ナノ粒子を複合材にして準備し、放射線への露光により金属イオンを還元することのより金属原子を生成し、前記金属原子を前記予備核形成した金属ナノ粒子と反応させ、それにより金属ナノ粒子を成長させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a catalyst layer for a fuel cell includes: a step of growing carbon nanowalls from vapor on a substrate; a step of removing a carbon thin film formed on the carbon nanowalls; and a step of bearing and dispersing a catalyst component on the carbon nanowalls as a carrier for a catalyst layer.例文帳に追加

基板上にカーボンナノウォールを気相成長させる工程と、該カーボンナノウォールに形成されたカーボン薄膜を除去する工程と、該カーボンナノウォールを触媒層用担体として触媒成分を該触媒層用担体上に担持・分散させる工程とを含む燃料電池用触媒層の製造方法。 - 特許庁

A continuous film-forming process for supplying the insulating substrate 70, where the gate electrode is formed to the reaction room 12 of a film forming device, forming a gate oxide film with a chemical vapor phase growing method, and forming a semiconductor thin film by overlapping it on the gate oxide in the same reaction room 12 is executed.例文帳に追加

ゲート電極を形成した絶縁基板７０を成膜装置の反応室１２に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し、更に同一の反応室１２内でゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程を行なう。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a single crystal capable of making a cooling body function effectively with respect to a trend toward an increasingly higher pulling up speed in pulling up a single crystal by a CZ (Czochralski) method by using the cooling body and further capable of effectively preventing the crack of the single crystal due to excessive cooling of the single crystal.例文帳に追加

冷却体を用いたＣＺ法による単結晶の引上げにおいて、引上げ速度の高速化に対して冷却体を有効に機能させ、且つ、単結晶の過度の冷却による単結晶の割れを効果的に防止できる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

The method for growing crystals of the group III nitride semiconductor includes steps of: heating a silicon substrate 100; and forming a concave structure 105 on a surface of the heated silicon substrate 100 by advance-feeding a gas containing at least TMA (trimethylaluminum).例文帳に追加

このＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板１００を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板１００に対して、少なくともＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造１０５を形成する工程とを備えている。 - 特許庁