「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for raising pigs for growing pig meat having, as a health functional food, high-quality lipids slight in saturated fatty acids bringing human body cholesterol to high levels and rich in unsaturated fatty acids, and to provide a formula feed for pig-raising.例文帳に追加

本発明は、豚肉を、健康機能食品として、人体のコレステロール値をあげる飽和脂肪酸が少なく、不飽和脂肪酸を多く含む良質な脂質を有する肉豚を肥育する飼育方法及びそれに用いる養豚用配合飼料を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a problem can be solved that a superlattice material and a metal catalyst need to form an alloy or a solid solution in a technology for growing a nanowire by a vapor-liquid-solid growth method, thereby allowing many types of superlattice nanodevices to be produced.例文帳に追加

しかも、気相−液相−固相成長法でナノワイヤーを成長させる技術では、超格子の材料と金属の触媒が合金又は固溶体を形成する必要がある問題を解決できるから、種類が多い超格子のナノデバイスを製造できる。 - 特許庁

In the composite material 10 constituted by laminating a plurality of prepreg sheets 12 each of which is obtained by arranging long fiber bundles in a resin material, carbon fibers 14 by a vapor phase growing method are added to the gap between the prepreg sheets.例文帳に追加

本発明に係る複合材料１０は、樹脂材料中に長繊維束が配列されたプリプレグシート１２が複数枚積層された複合材料において、プリプレグシート１２間に気相成長法による炭素繊維１４が添加されてなることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a solar cell and its manufacturing method by which high conversion efficiency can be realized by using silicon crystals growing on a substrate that is low in cost like a metallic silicon substrate made of metallic silicon and includes a large quantity of impurities.例文帳に追加

金属級シリコンで形成した金属級シリコン基板の様に安価ではあるが多量の不純物を含む基板の上に成長したシリコン結晶を利用しながら高い変換効率が得られる太陽電池、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The purification method of the boron contaminated soil comprises the step of growing at least one kind of plant selected from Salicaceous plants, Fabaceae plants, Moraceae plants, Phytolaccaceae plants, Asteraceae plants, or Commelinaceae plants in the soil contaminated by boron.例文帳に追加

本発明にかかるホウ素汚染土壌の浄化方法は、ホウ素によって汚染された土壌で、ヤナギ科の植物、マメ科の植物、クワ科の植物、ヤマゴボウ科の植物、キク科の植物、またはツユクサ科の植物の中から少なくとも一種類の植物を生育する。 - 特許庁

There is provided the method for preserving the horseradish and imparting a refreshing feeling to a spectator at the same time, by setting the environment of the horseradish preserving chamber in the container close to that of the growing environment and preserving the horseradish to be stood in the chamber.例文帳に追加

容器の中のわさび保存室を栽培時と似た環境にし、その中に葉つきのわさびを立てて保存し、わさびの保存と同時に見る人に清涼感を与える保存方法を呈せんとするものであり、これが課題を解決するための手段である。 - 特許庁

To provide a method for reliably growing plants in sandy ground by which a sand bag forming a curing part functions as a wind-proofing wall and a sand-proofing wall, so that dispersion of seeds and seedlings is prevented and strong sunlight specific to desert regions is prevented.例文帳に追加

養生部を形成する砂嚢が防風壁、防砂壁としての役割を担い、種子および苗の飛散を防止し、且つ砂漠地帯特有の強い日差しを抑制することを可能とした、砂地において植物を確実に育成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for storing a seed covered with a gel in treatment prior to seeding, capable of preventing a covering gel layer of the seed from deforming in the treatment prior to the seeding of the seed covered with the gel, such as forced sprouting treatment, low-temperature hysteresis treatment, and storage, and capable of effectively preventing mold from growing.例文帳に追加

催芽処理、低温履歴処理、および、保存等の、ゲル被覆種子の播種前処理時の、被覆ゲル層の変形を防止し、かつ、カビの発生を効果的に防止することができるゲル被覆種子の播種前処理時の保管方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a shielded sea area encircled by a water-shielding wall at a reduced cost for actively growing marine life and fish in the shielded area while varying the water level corresponding to the tide of the outer sea area and provide an apparatus for the cleaning of seawater.例文帳に追加

潮の干満に対応させると同時に遮水海域内に海生動物や魚類を活発に育成するために、遮水壁によって形成された遮水海域に低減されたコストの下に遮水海域の浄化方法と海水浄化装置を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a second conductivity type semiconductor region 12 in a part of the surface layer of a first conductivity type semiconductor 11 and growing an epitaxial growth layer 13 of a first conductivity type, second conductivity type or intrinsic semiconductor thereon.例文帳に追加

第１導電型半導体１１の表層の一部に第２導電型の半導体領域１２を形成し、それらの上に、第１，第２導電型または真性の半導体からなる結晶成長層１３を結晶成長させる工程を含む。 - 特許庁

The method has a lateral growing process in which a region having a low defect density and a region having a high defect density are formed alternately and periodically to grow a GaN layer 15 on a transparent substrate 10.例文帳に追加

本方法は、ＧａＮ層１５を透明な基板１０上に成長させる際、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的にＧａＮ層内に形成される横方向成長の成長工程を備えた、半導体素子の作製方法である。 - 特許庁

To provide an inexpensive means and device for automatic irrigation capable of supplying the optimal amount of water according to growing states of crops in an elevated cultivation with a simple configuration and method while corresponding to the amount of sunlight, and capable of minimizing the waste liquid.例文帳に追加

日照量に対応しながら、簡易な構成及び方式により高設栽培での作物の生育状況に応じた最適量の給水を行ない、かつ排液も最小限に抑えることができる低コストの自動潅水方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises growing an SiC single crystal on an SiC seed crystal substrate 9 from a raw material solution 3 containing SiC, C and a solution component other than the two components by the solution method, and includes a process for dissolving C before the start of SiC growth and a process for replenishing SiC after the start of SiC growth.例文帳に追加

溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for improving ohmic contact of a growing substrate and an electrode formed on the substrate in a zinc oxide-based semiconductor light emitting element and improving emission efficiency and reliability of the zinc oxide-based semiconductor light emitting element and to provide the zinc oxide-based semiconductor light emitting element manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体発光素子において成長用基板とその上に形成される電極とのオーミック接触を向上させるとともに、酸化亜鉛系半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させることができる製造方法及び当該製法によって製造される酸化亜鉛系半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The method for producing a granular fertilizer includes adding a mineral acid to a mixture containing the combustion ash of chicken droppings and a neutral potassium compound, wherein the mass ratio of the neutral potassium compound to the combustion ash of chicken droppings (neutral potassium compound/combustion ash of chicken droppings) is within the range of 0.05-1.0, and then granulating the resulting mixture by a method of growing nuclear particles.例文帳に追加

鶏糞燃焼灰と中性カリウム化合物との質量比(中性カリウム化合物／鶏糞燃焼灰)が0.05〜1.0の範囲である鶏糞燃焼灰と中性カリウム化合物との混合物に、鉱酸を添加して、核粒子を成長させる方法により造粒することを特徴とする粒状肥料の製造方法である。 - 特許庁

In the method of performing crystal growth by the ammonothermal method using ammonia as a solvent, the crystal growth is performed by using two types of crystals having different average particle sizes to each other as starting raw materials while applying supersonic waves to a growing part in which seed crystals are arranged and/or to a raw material-filling part from which the raw materials are supplied.例文帳に追加

アンモニアを溶媒とするアモノサーマル法による結晶成長を行う方法において、出発原料として、相対的に平均粒径の異なる２種の結晶を使用し、種結晶を配置した育成部および／または出発原料を供給した原料充填部に超音波を印可しながら結晶成長を行う。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor, by which the nitride semiconductor reduced in the dislocation and good in the crystallinity can be obtained, and to provide a nitride semiconductor element which is produced by using as a substrate the nitride semiconductor obtained by the method and exhibits good life characteristic.例文帳に追加

マスクとして用いられるＳｉＯ_2による上記の問題点を解決し、転位が低減され結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に本発明の方法により得られた窒化物半導体を基板とする寿命特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。 - 特許庁

To provide culture soil capable of forming strong root balls by simple and efficient method, smoothly planting without causing collapse of root balls when seedlings are planted into fields, etc., every root balls by a transplanter and healthily growing seedlings without inhibiting growth and a method for solidifying the above culture soil for raising seedlings.例文帳に追加

簡便かつ効率的な方法で強力の高い根鉢を形成し、移植機で苗を根鉢ごと田畑などに植付ける際に根鉢の崩壊が生じず円滑に植付けることができ、しかも苗を育成阻害を招くことなく健全に育てることの出来る育苗用培土の提供、および該育苗用培土の固化方法の提供する。 - 特許庁

The colloidal silica can be produced by the method including the steps of preparing an aqueous solution of active silicic acid by contacting an alkali aqueous solution of silicic acid and a cationic exchange resin, adding the alcohol and an alkali agent to active silicic aqueous solution to make alkaline, then heating the solution to form silica particles and successively growing silica particles by a build up method.例文帳に追加

これは、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させて、活性珪酸水溶液を調製した後、この活性珪酸水溶液にアルコールおよびアルカリ剤を添加し、アルカリ性とした後、加熱してシリカ粒子を形成させ、続いてビルドアップの手法でシリカ粒子を成長させる工程を有することにより製造することができる。 - 特許庁

In a method of producing the fluoride single crystal such as a calcium fluoride single crystal, comprising growing the single crystal from a melt of a fluoride raw material by the pulling method, solid impurities floating on the surface of the melt of the fluoride raw material are removed by scooping-up, or the like, with a removing member provided in a chamber.例文帳に追加

原料フッ化物の溶融液から、引き上げ法により単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、該原料フッ化物の溶融液表面に浮遊する固体不純物を、チャンバー内に設けた除去部材により掬い取る等して除去することを特徴とするフッ化カルシウム等のフッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

The production method of a silicon wafer comprises at least growing a silicon single crystal bar by Chokralski method, slicing the silicon single crystal bar to silicon single crystal substrates, and thereafter, implanting an element on the whole surface of the silicon single crystal substrate opposite to the surface thereof on which devices are formed, to form the strain layer.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶基板に加工した後、該シリコン単結晶基板の素子が形成される面とは反対の面の全面に元素の注入を行って歪み層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

When growing silicon single crystal by the Czochralski method, the manufacturing method comprises mounting a heat shielding member that is composed of graphite and a heat insulating material into the chamber, and heating the inside of the chamber in a state where a graphite susceptor is removed, then carrying out a single crystal-pulling operation by charging the graphite susceptor and a quartz crucible filled with polycrystal silicon into the chamber.例文帳に追加

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際、チャンバに黒鉛及び断熱材からなる熱遮蔽部材を取り付け、かつ黒鉛質サセプタを取り除いた状態でチャンバ内を加熱し、その後に黒鉛質サセプタ及び多結晶シリコン充填石英るつぼをチャンバ内に装填して単結晶引上げ操作を行う。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate is used which includes a process of conducting the epitaxial growth of the SiC crystal layer on the 4H- or 6H-type c-surface SiC substrate having a tilt angle in the range between 1° to 6° using a proximity sublimation method having a tendency of step flow growth, and a process of growing a plurality of nitride semiconductor layers on the SiC crystal layer.例文帳に追加

１度から６度の範囲の傾斜角の４Ｈ型または６Ｈ型ｃ面ＳｉＣ基板上に、ステップフロー成長の傾向が大きい近接昇華法を用いてＳｉＣ結晶層のエピタキシャル成長を行う工程と、さらにその上に複数の窒化物半導体層を成長する工程とを含む半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a production apparatus and production method for uniformizing the temperature distribution in a horizontal direction of a molten raw material in a square crucible or the like in a production method of a plate-like crystal, comprising dipping a substrate into a raw material melt controlled to a low temperature close to the solidification point and growing a thin plate-like crystal on the substrate.例文帳に追加

凝固点近傍の低い温度に制御した原料融液に基板を浸漬し、基板上に薄板状の結晶を成長させる板状結晶の製造方法において、角型ルツボなどにおける溶融原料の水平方向における温度分布を均一化するための製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a growing apparatus and method, by which a larger-diameter silicon single crystal ingot larger than 200 mm as well as a middle or small diameter silicon single crystal ingot having a uniform oxygen concentration in a longitudinal direction can be produced based on a Czochralski method and the flower phenomenon generated on the growth of a single crystal can be completely controlled; and to provide wafers produced from the ingot.例文帳に追加

チョコラルスキCZ法において、中、小口径だけでなく、200mm以上の大口径のシリコン単結晶インゴットの長手方向に酸素濃度が均一で、また単結晶の成長時に発生するフラワ現象を完全に制御することができる成長装置、成長方法及びそのインゴットから製造されたウエハを提供する。 - 特許庁

A method of producing the cubic system silicon carbide (3C-SiC) monocrystal using a chemical vapor phase growing method, wherein a raw material gas and carrier gas are supplied from the top of a vertical reactor tube, a silicon substrate is placed vertically to the gas flow so as to supply the gases evenly to both the faces of the substrate.例文帳に追加

化学気相成長法を用いた立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）単結晶薄膜を作製する方法であって、縦型の反応管に上部より原料ガス及びキャリヤーガスを供給し、そのガス流れに対して垂直にＳｉ基板を配置することにより基板全面にガスを供給することを特徴とする方法。 - 特許庁

A method for making an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface, a second step of placing a carbon nanotube layer with a plurality of gaps on the epitaxial growth surface of the substrate, a third step of growing an intrinsic semiconductor epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate, and a fourth step of growing a doped semiconductor epitaxial layer on the intrinsic semiconductor epitaxial layer.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 - 特許庁

The method includes the steps of forming a mask layer 2 having a plurality of openings, which are arranged one or two dimensionally, on a first-conductive-type or semi-insulating semiconductor substrate 1, and selectively growing a plurality of semiconductor layers 3a, 3b, and 3c including an absorption layer 3b in the openings.例文帳に追加

第１導電型または半絶縁性の半導体基板１上に、一次元または二次元に配列された複数の開口部を有するマスク層２を形成する工程と、前記開口部に受光層３ｂを含む複数の半導体層３ａ、３ｂ、３ｃを選択成長させる工程とを含む。 - 特許庁

To provide a stable method for producing a CNF (carbon nanofiber) aggregate suppressing a mixture of impurities such as graphite particles and catalyst metal, stably growing up to a height equal to or more than 10 mm from a substrate, with excellent reproducibility, and having a bulk density equal to or more than 0.08 g/cm^3.例文帳に追加

黒鉛粒子および触媒金属等の不純物の混入を抑制するとともに、安定して再現性よく基板から１０ｍｍ以上の高さに成長し、かつ０．０８ｇ／ｃｍ^3以上の嵩密度を有するＣＮＦ集合体の安定した製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for controlling an irrigation liquid control system remarkably reducing the loss in the amount of an irrigation liquid, and appropriately growing plants through controlling water content in consideration of influence of increase/decrease in the amount of solar radiation, and to provide an irrigation liquid control system.例文帳に追加

灌液量の損失を著しく減少させることができるとともに、日射量の増減による影響を考慮した上で含水率を制御して、植物を適切に発育させることができる灌液制御システムの制御方法および灌液制御システムを提供する。 - 特許庁

This method for producing the non-soil vegetation base material with drought resistant fleshy plants comprises shaking the adventive embryos of drought resistant fleshy plants in a liquid medium, moving the adventive embryos which are bred to the non-soil vegetation base material and growing plant bodies of the drought resistant fleshy plants.例文帳に追加

本発明の耐乾性多肉植物付き無土壌植生基盤材の製造方法は、耐乾性多肉植物の不定胚を液体培地中で振盪培養し、増殖した不定胚を無土壌植生基盤材に移し、前記耐乾性多肉植物の植物体を生育させることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming silicon oxide films 12, 13 on a silicon substrate 11, selectively etching the films 12, 13 to an extent that the substrate 11 exposes, and epitaxial growing silicon germanium films 15, 16 on the exposed substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２，１３を形成する工程と、このシリコン酸化膜１２，１３をシリコン基板１１が露出するまで選択エッチングする工程と、露出したシリコン基板１１上にシリコンゲルマニウム膜１５，１６をエピタキシャル成長する工程を有する。 - 特許庁

To provide the element isolation formation method of a semiconductor device, that can reduce aspect ratio for forming an element separation film without voids, by minimizing loss in a thermal oxide film on the sidewall of a trench, by completely removing the thermal oxide film on the bottom surface of the trench for normally growing silicon.例文帳に追加

トレンチ側壁の熱酸化膜の損失を最小化し、トレンチ底面の熱酸化膜を完全に除去して正常的にシリコンを成長させて、アスペクト比を減らしてボイドの無い素子分離膜を形成できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fertilizer composition using a stable isotope of sulfur, while aiming at easy and detailed clarification of identification, movement, metabolism rate or the like of cysteine or methionine which is an essential amino acid and secondary metabolites, and to provide a growing method using the composition, and a living thing obtained therefrom.例文帳に追加

本発明は、必須アミノ酸のシステイン、メチオニンおよび二次代謝物の同定、移動、代謝速度などを精緻な解明を容易にする事を目指し、硫黄の安定同位体を使用する肥料組成物、該組成物を使用した生育方法およびそこから得られる生物を提供することにある。 - 特許庁

In the crystal growth method for growing a group III nitride crystal from a melt prepared by dissolving at least alkali metal, group III metal and nitrogen, the crystal is grown while a crystal face except for a specified crystal face (for example, (0001) plane) is used as a growth face.例文帳に追加

少なくともアルカリ金属とＩＩＩ族金属と窒素が溶解した融液からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、特定の結晶面（例えば（０００１）面）以外の結晶面を成長面として形成しながら結晶成長する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises a step for cutting away or grooving a part of the peripheral region 15 of an SiC substrate 1, and a step for growing the SiC single crystal on the surface of the substrate which has been cut away or grooved as the seed substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の周縁領域１５の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを含むＳｉＣ単結晶の製造方法である。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a single crystal and a solidification contact monitoring method which enable the contact or proximity of a growing single crystal and other solidified melt to be easily and surely determined and can be applied to an existing apparatus at a low cost without largely altering the existing apparatus.例文帳に追加

育成中の単結晶と他の固化した融液との接触あるいは近接を簡便かつ確実に判定することができ、既存の装置にも大幅な改造をせずに低コストで適用することができる単結晶製造装置及び固化接触監視方法を提供する。 - 特許庁

The method of growing an oxynitride film on a substrate includes a step 100 of providing a substrate in a process chamber, a step 102 of heating the process chamber, and a step 104 of flowing a wet process gas containing water vapor and a nitriding gas containing nitrous oxide (NO) into the process chamber.例文帳に追加

基板上に酸窒化膜を成長する方法は、処理チャンバ内に基板を設ける工程１００、処理チャンバを加熱する工程１０２、並びに、水蒸気を含む湿式処理ガス及び亜酸化窒素(NO)を含む窒化ガスを処理チャンバへ流し込む工程１０４を有する。 - 特許庁

In the production method of the silicon carbide single crystal, including a process for growing the silicon carbide single crystal ingot on a seed crystal, when the concentration of impurity in an atmospheric gas is changed during growth of the silicon carbide single crystal, temperature is controlled so that the growth temperature becomes constant.例文帳に追加

種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶成長中に雰囲気ガス中の不純物濃度を変化させる際に、成長温度が一定になるように温度制御する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a new oxide superconductor by which the crystal growing rate of a Bi2Sr2CaCu2OX compound superconductor can be significantly improved, the synthesizing time for the superconductor can be reduced, the superconducting characteristics can be improved and the crystal size can be increased.例文帳に追加

Ｂｉ_2Ｓｒ_2ＣａＣｕ_2Ｏ_X化合物系超伝導体の結晶成長速度を飛躍的に高めることができ、超伝導体の合成時間の短縮化を図り、超伝導特性の向上および結晶サイズの大型化をも可能とする、新しい酸化物超伝導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient three-dimensional tissue construct-forming substrate which can inhibit an increase in size of the culture of proliferating cells, and enables growing cells having high metabolic properties to hold the cell function over a long period and to provide a method for forming the tissue construct by using the substrate.例文帳に追加

三次元組織体が増殖性の細胞の培養においてもサイズの増加を抑制するとともに、代謝性の高い増殖細胞を長期にわたって細胞機能保持し得る効率的な三次元組織体形成用基材、及びそれを用いた組織体形成法を提供する。 - 特許庁

In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＶＰＥ法によって活性層４およびウィンドウ層６を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層６は、５×１０^18ｃｍ^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層４よりバンドギャップの大きいＡｌＧａｌｎＰ層により構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the piezoelectric elastomer composite material includes a process (A) for introducing a polymerization functional group 22 onto the surface of the piezoelectric ceramics powder 2, a process (B) for growing the polymer 21 from the polymerization functional group 22, and a process (C) for mixing the piezoelectric ceramics powder 2 with the elastomer base 3.例文帳に追加

また、本発明の圧電エラストマー複合材料の製造方法は(A)圧電セラミックス粉末２の表面に重合性官能基22を導入する工程、(B)重合性官能基22からポリマー21を成長させる工程、及び(C)圧電セラミックス粉末２とエラストマー基材３とを混合する工程を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that is formed after forming a via hole, can effectively restrain an increase in via resistance caused by a growing altered layer, can improve reliability in the semiconductor device, and has a wiring structure in which a TiN film is provided on wiring.例文帳に追加

ビア孔形成後に形成され、成長する変質層に起因するビア抵抗の上昇を効果的に抑えることができ、半導体装置の信頼性を向上させる事ができる、ＴｉＮ膜が配線上に設けられた配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize an efficient and stable organic waste treatment method by paying attention to the relationship between the concentration of an electron acceptor, which is a respiration factor of an organism group, and oxidation-reduction potential, which is one factor specifying the growing environment of an microorganism group, and controlling them within proper ranges.例文帳に追加

生物群の呼吸因子である電子受容体の濃度と、微生物群の生育環境を規定する一因である酸化還元電位の関連性に着目し、これらを適正な範囲にコントロールすることにより、効率的で安定な有機性廃棄物処理法の実現を図る。 - 特許庁