「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The n-type semiconductor layer 13 is formed by an epitaxial growing method so as to retain the recess of the trench 12 on the inner wall of the trench 12, and a p-type semiconductor layer 14 is similarly formed on the surface of the n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

トレンチ１２の内壁上にトレンチ１２の凹みを残すようにＮ型半導体層１３をエピタキシャル成長法により形成し、同様にＮ型半導体層１３の表面上にＰ型半導体層１４を形成する。 - 特許庁

The hydrogen storage material is obtained by placing the hydrogen storage alloy in an atmosphere to be heated, supplying a carbon source gas and growing the CNT from the surface of the hydrogen storage alloy by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

そして、この水素吸蔵材は、加熱雰囲気下に水素吸蔵合金を配置するとともに炭素源ガスを供給し、化学的気相合成法により水素吸蔵合金の表面からカーボンナノチューブを成長させることで得られる。 - 特許庁

To provide an identification method for mold-growing grain, capable of accurately examining mold without depending on experience of the operator, easy in mold examination work and requiring no special microorganism-examining facilities, instruments, tools nor material.例文帳に追加

作業者の経験に頼ることなく精度よいカビ検査が可能であり、また、カビ検査作業が簡易で、特別な微生物検査施設や機器・器材を必要としないカビの発生した穀物の識別方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve a nitriding rate in single crystal growth and to prevent discoloring of a single crystal upon growing a single crystal by a flux method using a source material containing an easily oxidizing substance or easily moisture absorbing substance such as Na.例文帳に追加

Naなどの易酸化性物質または易吸湿性物質を含む原料を用いてフラックス法により単結晶を育成するのに際して、単結晶育成時の窒化率を向上させ、単結晶の着色を防止することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an Si ingot crystal which can grow largely the Si ingot crystal in growing in a melt, sufficiently decreases strain, and exhibits a good production efficiency when the Si ingot crystal is manufactured.例文帳に追加

Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method for bottom materials capable of solving a recycling problem such as the deficiency of a receiving area or the like and capable of restoring a growing environment for fishes and shellfishes, algae, small animals or the like or the natural environment.例文帳に追加

受入地不足等のリサイクル問題を解決することができ、また、魚貝類、海藻、小動物等の生育環境や自然環境の回復をもたらすことができるようにした底質物の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor substrate which can be suitably used for growing up a compound semiconductor crystal containing a Group III-V nitride semiconductor embedded on different types of materials with high crystallinity on a substrate without increasing the thickness.例文帳に追加

異種材料が埋め込まれた３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体結晶を、厚さを大きくすることなしに結晶性よく基板上に成長させる、化合物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a growing method of a nitride semiconductor which can effectively form a nitride semiconductor, having a high ratio x of In in the inside of indium nitride gallium (InGaN) on the surface of a substrate, even at a low temperature of about 600°C or lower.例文帳に追加

約６００℃以下の低い温度でも、基板表面に窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）中のＩｎの比率ｘが高い窒化物半導体を効率よく成長させることができる窒化物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

To produce an aluminum alloy rolled thin sheet product having the combination of improved fatigue crack growing resistance, improved strength and fracture toughness and useful for the use for aerospace such as the airframe of aircraft and to provide its production method.例文帳に追加

改良された耐疲労割れ成長性、改良された強度と破壊靱性の組み合わせを含む、航空機の機体などの航空宇宙用途に有用なアルミニウム合金圧延薄板製品、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To measure the temperature of a silicon fused liquid 1 in an infrared image furnace 2 having a halogen lamp 8 as a heating source and growing a silicon single crystal by a floating zone fusing method from the irradiated light of the silicon fused liquid 1 with high precision.例文帳に追加

ハロゲンランプ８を加熱源として有する、浮遊帯域溶解法によってシリコン単結晶の成長を行う赤外線イメージ炉２内のシリコン融液１の温度を、シリコン融液１の放射光から高精度に測定する。 - 特許庁

In a method for growing the organic single crystal from a solution in which an organic compound constituting the organic single crystal is dissolved, a gel is formed by charging a gelling agent into the solution and the single crystal is grown in the formed gel.例文帳に追加

有機単結晶を構成する有機物が溶解した溶液中から有機単結晶を育成する方法において、前記溶液中にゲル化剤を投入することによりゲルを形成し、ゲル中で結晶成長を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which device characteristics can be improved by unifying a cooling rate of a semiconductor element molten by single laser irradiation and unifying/increasing grain sizes of growing crystals, and to provide a method for producing the element.例文帳に追加

単一のレーザ照射により溶融した半導体素子の冷却速度を均一にし、成長する結晶を均一かつ大きくすることで、デバイス特性を向上できる半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

SMALL VIRUS CAPABLE OF GROWING AND LYSING ALGAE BY SPECIFICALLY INFECTING RED TIDE PLANKTON, METHOD FOR CONTROLLING RED TIDE AND AGENT FOR CONTROLLING RED TIDE USING THE VIRUS AND METHODS FOR ISOLATING, EXTRACTING, SUCCESSIVELY SUBCULTURING, PRESERVING AND CONCENTRATING THE VIRUS例文帳に追加

赤潮プランクトンに特異的に感染して増殖・溶藻しうる小型ウイルス、該ウイルスを利用する赤潮防除方法および赤潮防除剤、並びに該ウイルスの単離方法、抽出方法、継代培養方法、保存方法、および濃縮方法 - 特許庁

To provide a plant disease-controlling agent exhibiting a controlling effect more excellent than those of conventional products against fungous and bacterial diseases generated in growing seedlings of rice plant and less environmental pollution, and a method for controlling the same.例文帳に追加

イネの育苗時に発生する糸状菌性病害および細菌性病害に対し、従来品より優れた防除効果を発揮し、且つ環境汚染の少ない植物病害防除剤および防除方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive antifungal agent, a resin having an antifungal effect, and a mold suppression method, which is effective against black molds growing in a bathroom, lavatory, etc., is biologically safe and does not damage fabrics such as clothes.例文帳に追加

浴室、洗面所などで発生する黒カビに対して効果を示し、生体に対して安全、かつ衣服などの生地を傷めず、安価である防カビ剤、カビ用洗浄剤、防カビ効果を有する樹脂、及びカビ発生抑制方法を提供する。 - 特許庁

This method for treating the sludge is characterized by growing a microorganism, which can solubilize the sludge, and belongs to the genera Aeromonas, Enterobacter or Clostridium, in the sludge produced from an activated sludge process tank.例文帳に追加

上記課題は、アエロモナス属、エンテロバクター属又はクロストリディウム属に属し汚泥を可溶化しうる微生物を、活性汚泥処理槽から分離された汚泥中で生育させることを特徴とする汚泥処理方法によって解決される。 - 特許庁

In the planting base for carrying out the seeding-planting appreciating method, physical and/or chemical growing members 23 are disposed in the vegetation member to abut on the transparent plate or near the transparent plate.例文帳に追加

また、上記の緑化観賞法を実施するための植栽基盤は、上記植生部材中に、物理的及び／又は化学的な生育部材２３を、上記透明板と接するようにして、若しくは上記透明板の近くに配設する。 - 特許庁

The material for the setter for sintering has a coating film which is formed into a thickness of 0.1 to 5 μm on the surface of a woven fabric or nonwoven fabric of a carbon fiber with a vapor-phase growing method, and is made from a ceramic material such as SiC, Si_3N_4, Al_2O_3, AlN and BN.例文帳に追加

織布又は不織布状の炭素繊維の表面に気相成長法によってＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＢＮ等のセラミックスの被膜を０．１〜５μｍ厚に形成したものを焼結用セッター材とする。 - 特許庁

To provide a method for cultivating plants comprising spraying electrolytically generated acidic water to leaves of growing plants to promote growth of the plants, wherein the surfaces of the leaves are prevented from causing acid burning due to the sprayed electrolytically generated acidic water.例文帳に追加

電解生成酸性水を生育途中の植物の葉に散布して、同植物の生長を助成する植物の栽培方法において、散布する電解生成酸性水に起因する葉面の酸焼けの発生を回避する。 - 特許庁

This method comprises the steps of growing a ferroelectric film on an electrode film, and thereafter effecting wet etching using a dilute acid solution containing 60 wt.% or less of an acid to remove a surface layer portion of the ferroelectric film.例文帳に追加

電極膜上に強誘電体膜を成長させた後に、６０重量％以下の希酸水溶液でウェットエッチングして強誘電体膜の表層部を除去することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal by recycling an unnecessary part of the crystal which is conventionally wasted but which contains a large quantity of a dopant impurity in order to save an expensive metallic element necessary for growing a low resistivity crystal.例文帳に追加

従来廃棄せざるを得なかったドーパント不純物を多く含む結晶の不要部分を再利用し、低抵抗率結晶を育成するために必要な高価な金属エレメントの節約を図ることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology by which a GaN-based semiconductor substrate is manufactured with excellent productivity, by a method of manufacturing a GaN-based semiconductor substrate by growing a GaN-based semiconductor thick layer directly on an epitaxial growth substrate.例文帳に追加

エピタキシャル成長用基板上に直接ＧａＮ系半導体厚膜層を成長させるＧａＮ系半導体基板の製造方法により、ＧａＮ系半導体基板を生産性よく製造できる技術を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a CdTe-system semiconductor substrate for epitaxially growing a specified semiconductor, the surface of the substrate is mirror-polished or etched, and then, it is stored in a non-oxidizing gas atmosphere within 24 hours.例文帳に追加

所定の半導体をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法において、基板表面を鏡面研磨した後又はエッチングした後、２４時間以内に非酸化性ガス雰囲気中で保管する。 - 特許庁

This method for making a horticultural growing medium comprises the steps of mixing at least one filler material 12 with a polyisocyanate-polyol-based quasi-prepolymer composition to form a quasi-prepolymer/filler mixture 24 and applying water to the quasi-prepolymer/filler mixture 24.例文帳に追加

園芸成長媒体を作る方法は、少なくともひとつの充填材料１２をポリイソシアン酸塩-ポリオル-ベースの準プレポリマー組成物と混合する工程と、準プレポリマー充填材混合物２４に水を加える工程とから成る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single crystal capable of easily manufacturing a large diameter sized silicon single crystal having required crystal characteristics by predicting a crystal temperature distribution when growing the large diameter sized silicon single crystal.例文帳に追加

大口径のシリコン単結晶の育成時における結晶温度分布を予測し、所望の結晶特性を持つ大口径のシリコン単結晶を容易に製造することが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a character image providing system, a character image providing device, and a character image providing method for providing growing information corresponding to the growth state of a vegetable together with a character image corresponding to the kind of the vegetable.例文帳に追加

植物の種類に応じたキャラクタ画像と共に前記植物の生育状態に応じた育成情報を提供するキャラクタ画像提供システム、キャラクタ画像提供装置及びキャラクタ画像提供方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the Fenugreek sprouts enriched in 4-hydroxy isoleucine (4-OH-Ile) includes growing fenugreek seeds in hydroponics, and supplies isoleucine in the hydroponics.例文帳に追加

本発明は、フェヌグリーク種子から水栽培により、４−ヒドロキシイソロイシン（４−ＯＨ−Ｉｌｅ）が富化されたフェヌグリークスプラウトを製造する方法であって、前記水栽培においてイソロイシンを供給することを特徴とする方法に関する。 - 特許庁

To provide a system for producing a semiconductor substrate in which metallic impurities mixed in an epitaxial semiconductor substrate can be grasped at the time of growing an epitaxial layer, and a method for fabricating a semiconductor device using that semiconductor substrate.例文帳に追加

エピタキシャル半導体基板に混入する金属不純物をエピタキシャル層の成長時に把握し得る半導体基板の製造装置、およびそれによる半導体基板を使用する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a construction method of a greening retaining wall capable of arranging conditions necessary and sufficient for growing greening plants by sufficiently and surely rooting a root part of the greening plant to a banking side of a concrete retaining wall.例文帳に追加

緑化植物の根部をコンクリート擁壁の盛土側へ十分に確実に活着させることにより緑化植物の育成に必要十分な条件を整えることができる緑化擁壁の施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide an immuno-enhancing agent for fishes capable of healthily growing fishes without exposing fishes being cultured including seedling fishes to disease damage, a feed composition using the same, and a producing method of cultured fishes.例文帳に追加

種苗を包含する養殖時の養魚が病害に曝されることなく、健常に成長させることのできる魚類用免疫能増強剤ならびにそれを用いた餌料組成物および養殖魚の生産方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride system semiconductor optical element, capable of suppressing generation of crystal defects at growing of another III-V nitride compound semiconductor on a III-V nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物系III −Ｖ族化合物半導体層上に別の窒化物系III −Ｖ族化合物半導体を成長させる際、結晶欠陥の発生を抑制できるようにした窒化物系半導体光素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for growing a semiconductor crystal such as group III-V, II-VI single crystal by involving a rigid support of a sealed ampule, carbon doping and resistivity control and heat gradient control.例文帳に追加

封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によってＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族単結晶等の半導体化合物を成長させる方法および装置を提供する。 - 特許庁

In a method for growing a silicon carbide single crystal on a planar silicon carbide seed crystal by heating a mixture of silicon oxide and carbon, the mixture contains particles in which the silicon oxide has a contact inside with the carbon.例文帳に追加

ケイ素酸化物と炭素の混合物を加熱して、平板状炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法であって、前記混合物が、ケイ素酸化物と炭素が内部で接触した粒子を含んでなる。 - 特許庁

The gallium nitride-based compound semiconductor is obtained by growing at least a first gallium nitride-based compound semiconductor layer and a second gallium nitride-based compound semiconductor layer in this order on a substrate by using a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて、基板上に少なくとも、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とをこの順で成長させて窒化ガリウム系化合物半導体基板を得る。 - 特許庁

A silicon single crystal 4 in the crystal orientation [110] is grown by Czochralski method by disposing a cooling body 6 surrounding the periphery of a silicon single crystal 4 under growing while forcibly cooling the silicon single crystal 4.例文帳に追加

チョクラルスキー法により、育成中のシリコン単結晶４の周囲を囲繞するように冷却体６を設けてシリコン単結晶４を強制的に冷却しながら、結晶方位［１１０］のシリコン単結晶４を育成する。 - 特許庁

To realize a method for growing a III-V nitride compound semiconductor having high crystallinity by increasing nitrogen materials contributing to growth.例文帳に追加

成長に寄与する窒素原料種を増加させることにより、高い結晶性を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

A collector region 13 having relatively lower impurity concentration is formed on a semiconductor substrate 16 containing two impurities (phosphorus and arsenic) having different diffusion coefficients and constituting a collector contact region 12 by an epitaxial growing method.例文帳に追加

コレクタコンタクト領域１２を構成する、拡散係数の異なる２つの不純物（リンおよびヒ素）を含む半導体基板１６上に、エピタキシャル成長方法により相対的に不純物濃度の低いコレクタ領域１３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING OXIDE CRYSTAL, CERIUM OXIDE, PROMETHIUM OXIDE, OXIDE LAMINATED STRUCTURE, PRODUCTION OF FIELD EFFECT TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, PRODUCTION OF FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY AND FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

酸化物の結晶成長方法、セリウム酸化物、プロメチウム酸化物、酸化物積層構造、電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ、強誘電体不揮発性メモリの製造方法および強誘電体不揮発性メモリ - 特許庁

(4) A method for producing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer after heat treating a silicon single crystal wafer at 1,200 to 1,300°C for at least 1 min, which wafer is grown while doping nitrogen in a concentration of ≥1×1012 and ≤1×1014 atom/cm3.例文帳に追加

(4) 窒素が１×10^12atoms/cm^3以上、１×10^14atoms/cm^3未満の濃度でドープされて育成されたシリコン単結晶ウェーハに1200℃〜1300℃の温度範囲で１分間以上の熱処理を施した後、エピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

The method for growing the novel ornamental cabbage is provided by cross-fertilizing Brassica oleracea family without secreting or attaching the wax component on the surface of the leaves substantially with the ornamental cabbage family, selecting an individual body or a family without secreting the wax component on the surface of the leaves substantially from the cross-fertilized generation.例文帳に追加

葉面にワックス成分が実質的に分泌、付着されないブラシカ・オレラセア系統とハボタン系統を交雑し、交雑後代から葉面にワックス成分が実質的に分泌、付着されない個体または系統を選抜する。 - 特許庁

This method according to the invention, which comprises a step of heat-treating the epitaxial wafer W, having an epitaxial layer EP formed by epitaxially growing silicon single crystals on the surface of a silicon substrate SUB, in a gas atmosphere, is characterized in that the gas atmosphere of the step includes nitride gas.例文帳に追加

シリコン基板ＳＵＢの表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長したエピタキシャル層ＥＰを有するエピタキシャルウェーハＷを雰囲気ガス中で熱処理する工程を有し、該工程の前記雰囲気ガスは、窒化ガスを含む。 - 特許庁

The manufacturing method repeats the following processes of: depositing a silicon dioxide (SiO_2) film at a prescribed thickness using a cathode CVD device as shown in Fig. 1; and removing an overhang growing from a corner of the core by chemical etching using gas with H_2 as a major component.例文帳に追加

図１に示すカソードCVD装置を用いて、二酸化珪素（SiO_2）膜を所定の厚さに形成する工程と、コアのコーナーから成長するオーバーハングをH_2を主体とするガスで化学的エッチングにより除去する工程を繰り返す。 - 特許庁

The manufacturing device includes: a crystal deposition device 10 for growing crystals by an organic metal vapor deposition or molecular beam epitaxy method on a substrate; and a heating laser irradiation device 20 for irradiating a heating laser beam 21 on a surface of the substrate.例文帳に追加

基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。 - 特許庁

The silicon single crystal growing method is characterized un that the bring up speed is reduced from ordinary speed to remarkably slow speed and keeping for a specific time at least one time, preferably repeat more than three times.例文帳に追加

育成速度を通常速度から極端な低速度に下げて一定時間保持する操作を少なくとも１回、好ましくは、３回以上繰り返すことを特徴とするシリコン単結晶の成長方法により上記課題を達成。 - 特許庁

To provide a method of growing silicon single crystal applicable for CZ method, as well as for MCZ method which doesn't need to adopt a contraction part with specific shape while adopting large diameter contraction part, without operation of considerable skill and experience, and the length of contraction part can be shortened to the utmost.例文帳に追加

太い径の絞り部を採用しながら、特殊な形状を有する絞り部を採用する必要もなく、また、かなりの習熟と経験が必要とされる操作をも必要としない、絞り部の長さをできるだけ短くすることができる、ＣＺ法は勿論のこと、ＭＣＺ法にも適応可能なシリコン単結晶の成長方法の提供。 - 特許庁