「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an optimal culture medium for aseptic artificial culture of saprophytic orchids which have no chlorophyll, particularly Yoania flava, and provide a growing method for dense seedlings under the aseptic culture by using aseptic budding and aseptic proliferation to grow cultured seedlings needed for protection of Yoania flava and further by enlarging the proliferated seedlings according to the method of this invention.例文帳に追加

本発明は、葉緑素を持たない腐生ラン、特にシナノショウキランの無菌人工培養に最適な培地を提供し、また、これを用いた無菌発芽及び無菌増殖によりシナノショウキランの保護に必要な培養苗を育成することを目的とする。 - 特許庁

To repeatedly use a vessel for growing single crystals by drastically improving the yield of good quality single crystals almost free from crystal defects such as transposition without necessitating complicated equipment in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、煩雑な設備を要せずに、転位等の結晶欠陥の少ない良質な単結晶を得る収率を大幅に向上させ、単結晶成長用容器の繰り返し利用を可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of suppressing growing of plating 14 on an end side face 2c of a semiconductor wafer 2 even in polishing the end side face 2c of the semiconductor wafer 2 in a method of manufacturing a vertical semiconductor device 100.例文帳に追加

縦型の半導体装置１００を製造する方法において、半導体ウェハ２の端部側面２ｃを研磨した場合でも、半導体ウェハ２の端部側面２ｃにめっき１４が成長することを抑制することができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the carbon nano-structures comprises growing carbon crystal from the crystal growth surface of a catalyst base material containing a catalyst material, and in the method, the catalyst base material is formed by diameter reduction processing.例文帳に追加

触媒材料を含む触媒基材の結晶成長面から気相成長によってカーボン結晶を成長させるカーボンナノ構造体の製造方法であって、触媒基材が縮径加工により形成されるカーボンナノ構造体の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of growing a carbon-doped silicon single crystal, by which carbon can be easily doped into the silicon crystal at a low cost in the process of pulling up a silicon single crystal by Czochralski method, and further the carbon concentration in the silicon single crystal can be accurately controlled.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上げ工程において、シリコン単結晶中に炭素を容易且つ低コストにドープでき、さらにシリコン単結晶中の炭素濃度を精度良く制御できる炭素ドープのシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing qualities of a hot-dipped metal strip from lowering, by restraining metal powders flying on a hot-dipping metal bath from growing and depositing on equipment on the bath.例文帳に追加

溶融金属めっき浴上で飛散する金属粉が浴上機器上等に堆積・成長するのを抑制し、溶融めっき金属帯の品質低下を防止することのできる金属粉堆積抑制方法を提供する。 - 特許庁

A silicon carbide single crystal thin film is subjected to the epitaxial growth on a (000-1) surface of a silicon carbide single crystal substrate with the surface roughness of ≤1.0 nm at the growing temperature of ≤1,500°C by the thermochemical vapor deposition method.例文帳に追加

表面粗さが１．０ｎｍ以下である炭化珪素単結晶基板の（０００−１）面上に、熱化学蒸着法により、１５００℃以下の成長温度で炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

In the process of growing a carbon-doped silicon single crystal by the CZ (Czochralski) method from a silicon melt to which carbon is added, a quartz crucible having an aluminum low concentration layer with aluminum concentration of ≤0.1 ppm on the inner surface is used.例文帳に追加

炭素が添加されたシリコン溶融液からＣＺ法により炭素ドープシリコン単結晶を育成するに際し、内表面側にアルミニウム濃度が０．１ｐｐｍ以下のアルミニウム低濃度層を有する石英ルツボを用いる。 - 特許庁

The hair growing and restoring method comprises imparting at least either one of a protein having keratin biosynthesis promoting action and an activating agent of the protein to a part in which growth and restoration of the hair are desired to promote hair growth and hair restoration of mammal.例文帳に追加

ケラチン生合成促進作用を有する蛋白質、及び該蛋白質の活性化剤の少なくともいずれか一方を、育毛養毛させたい部分に与え、哺乳類の育毛養毛を促進させる。 - 特許庁

To realize crystal of high quality which has small dislocation and cracking by selectively growing GaN on a substrate having a stepped striped pattern consisting of projection and recessed parts in various widths by using an organic metal vapor-phase grown crystal method.例文帳に追加

有機金属気相成長結晶法を用い、凸部と凹部の幅に粗密のある段差状ストライプ・パターンを有する基板上に、ＧａＮを選択成長させ、転位やクラックの少ない、高品質の結晶を実現する。 - 特許庁

To provide the subject method capable of preventing weeds from growing without exerting adverse effect on growth of lawn, and enabling lawn to coexist with weeds and to contribute to landscape improvement and also environmental protection.例文帳に追加

芝生の生育に悪影響を及ぼすことなく雑草の発生を抑制することができ、また雑草との共存が可能で、景観の向上や環境保全にも寄与することができる芝生の管理方法を提供する。 - 特許庁

Extracts from Pleurotus cornucopiae or extracts from Peucedanum deltoideum obtained by the preparation method are provided as hair-growing agents, hair restoring agents, cosmetics, foods and functional foods in an appropriate form.例文帳に追加

また、本発明の調製方法によって抽出されたタモギタケ抽出物又は山人参抽出物を、適当な形態で用いることにより、発毛剤、育毛剤、化粧品、食品、又は機能性食品として提供する。 - 特許庁

To provide a method for rearing animals and plants by which illumination is distributed to preservation and growth of animals and plants and appearance of animals and plants are made more vivid than that obtained by a conventional panel light and growing rate is remarkably improved.例文帳に追加

動植物の維持や成長に照明の面から寄与し、従来の照明灯よりも動植物の外観が鮮やかで、成長速度も格段に向上する動植物の育成方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method of producing a microwave element, by which the occurrence of cracks in a single crystal substrate during growing a magnetic garnet single crystal film can be avoided and the single crystal substrates free from chippings and small in dispersion of film thickness between substrates can be produced.例文帳に追加

磁性ガーネット単結晶膜の育成中に単結晶基板が割れることがなく、また、チッピングが発生せず、さらに、基板間の膜厚ばらつきが少ない、マイクロ波素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal, by which a high quality group III nitride crystal having a practical large size and large area can be manufactured at a lower cost compared with the conventional ones, and to provide the group III nitride crystal.例文帳に追加

実用的な大きさの高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を低コストで作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法及びＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a cultivation bed for bean sprout hydroponics and a method for producing bean sprouts each facilitating maintenance of cultivation conditions most suitable for growing bean sprouts and enabling easy harvest without spoiling bean sprouts.例文帳に追加

もやしの生育に最適な栽培条件を維持することが容易で、かつもやしを傷をつけることなく容易に収穫できるもやしの水耕栽培用の栽培床およびもやしの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for culturing tuna, which uses a fish preserve with a shape similar to the conventional one, reduces the death of juvenile fish in the growing stage, and increases the survival ratio to adult fish, and to provide the fish preserve therefor.例文帳に追加

従来と同様の形状の生け簀を用いて、稚魚が生育段階において死亡することを減らして成魚までの生存率を高くするマグロの養殖方法および養殖用生け簀を提供する。 - 特許庁

To provide a CVD apparatus which prevents a source gas supplied to a growing region from intruding into a preheating region, and can form a superconductive thin film having a homogeneous and stable composition, and to provide a method for forming the superconductive thin film.例文帳に追加

成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なＣＶＤ装置、及びその成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which a single crystal of a defect-free region where OSF and grown-in defects are not included over the whole region in the radial direction is grown stably in a high yield.例文帳に追加

径方向全域にわたりＯＳＦおよびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing and patterning nanowire stably at high temperature using a new material that can overcome a problem of instability of conventional lift off material at high temperature.例文帳に追加

従来のリフトオフ材料が持っている高温での不安定性の問題を克服することができる新規材料を利用して、高温で安定してナノワイヤを成長及びパターニングすることができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ribbon-shaped silicon crystal by which the shape (width and thickness) of the ribbon-shaped silicon crystal can be arbitrarily regulated and the width of the ribbon-shaped crystal can be widened.例文帳に追加

リボン型シリコン結晶の形状（幅及び厚み）を任意に制御することが可能で、かつリボン型シリコン結晶の幅を広げることが可能なリボン型シリコン結晶の成長方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide a mold capable of growing all of the surfaces of a foam layer constituted of surfaces widening in a plurality of directions, and a molding method of a molded product.例文帳に追加

複数の方向に広がる面から構成されている発泡層おいて、そのすべての面を所定の発泡倍率以上に成長させることのできる成形用金型および成形体の成形方法を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient apparatus and method for supplying carbon dioxide dissolved water and growing water with dissolved carbon dioxide, which are to be applied to plants in greenhouse cultivation and a plant factory, and algae of a bioreactor.例文帳に追加

本発明はハウス栽培や植物工場の植物や、バイオリアクター等の藻へ施用する炭酸ガス溶解水や炭酸ガス溶解の育成水の効率的な供給装置および供給方法を提供する。 - 特許庁

This method for preventing the seed from causing the defect in germination and the rosette formation comprises leaving the seed of plant causing the defect in germination or the rosette formation when growing in a high-moisture content state in a low-temperature and dark condition and then carrying out drying treatment.例文帳に追加

発芽不良、または、生育時にロゼット化を起こす植物体種子を、高水分状態で低温・暗黒条件下に放置したのち、乾燥処理する種子の発芽不良・ロゼット化防止方法。 - 特許庁

To provide a block body for planting, by which a pot-like block body of fixed shape is partitioned by a partion body and each partion body is easily pulled out and a simple method for growing plant, using the block body.例文帳に追加

所定形状の鉢状ブロック体を仕切体で仕切ると共に、仕切体毎に容易に引き抜くことができる植裁用ブロック体及び該ブロック体を用いる植裁簡易育成方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of etching a side face of a mesa type diode chip 4, then coating the side face with a surface protective film 6 generated by a reaction generated water, heat treating it at 200 to 450°C, and growing a modified oxide film 5 on the connecting surface.例文帳に追加

メサ型ダイオードチップ４の側面をエッチング後、反応生成水を生じる表面保護膜６を塗布し、２００〜４５０℃で熱処理して、接合表面に改質酸化膜５を成長させる。 - 特許庁

To provide a growing rack enabling a yield of fruit bodies to be stable and enough, by making an environment of cultivating the fruit bodies more ideal than ever, and to provide a method for cultivating the mushrooms.例文帳に追加

子実体の栽培環境をより理想的なものとし、子実体の収穫量を安定かつ十分なものとすることができる生育ラックおよび茸類の栽培方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal of a nitride compound semiconductor wherein the crystal of a p-type nitride compound semiconductor can be made low in resistance as a bulk, and which is in a low level of a defect and high in quality.例文帳に追加

バルク全体にわたってｐ型窒化物系化合物半導体結晶の低抵抗化が可能で、しかも欠陥レベルの低い、高品質の窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a hydroponic apparatus, a container for hydroponics, and a method of hydroponics, in which overgrowth of edible parts such as underground stems and roots can be promoted in growing courses of root crops such as Japanese horseradish and Japanese radish.例文帳に追加

ワサビやダイコン等の根菜類の成長過程において地下茎・根等の食用部の肥大を促進させることができる水耕栽培装置、水耕栽培用容器及び水耕栽培方法を提供する。 - 特許庁

To enable the use of an inexpensive crucible and control the distortion of a growing crystal by reducing the temperature gradient of the melt in the crucible in a single crystal pulling apparatus based on the Czochralski (Cz) method.例文帳に追加

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げ装置において、安価なるつぼの使用を可能とするとともに、るつぼ内の融液の温度勾配を緩くして、成長させた単結晶の歪みを抑制する。 - 特許庁

This method for rearing Carassius auratus grandoculis includes rearing Carassius auratus grandoculis in a phosphorus deficiency condition by continuously administering for ≥50 days, phosphorus deficiency feed below a phosphorus requirement necessary for growing, with respect to phosphorus contained in the feed.例文帳に追加

飼料中に含有されるリンに関して生育に必要とするリン要求量よりも少ないリン欠乏の飼料を５０日以上継続して投与してリン欠乏状態でニゴロブナを飼育する飼育方法。 - 特許庁

The method for controlling planthoppers having a step of directly applying an effective amount of spirotetramat to paddy filed water where the rice plant is growing exhibits the excellent controlling effect on the planthoppers in the paddy field where the rice plant grows.例文帳に追加

スピロテトラマトの有効量を、イネが生育している水田の田水に直接施用する工程を有してなるウンカ類の防除方法は、イネが生育している水田においてウンカ類に対して優れた防除効果を示す。 - 特許庁

After growing a silicon carbide single crystal 40 on a seed crystal 13 fixed to a seed crystal holding member 22 used in a sublimation method, the seed crystal holding member 22 is removed by using a chemical process.例文帳に追加

昇華法において用いる種結晶保持部材２２に固着された種結晶１３に炭化珪素単結晶４０を成長させた後、化学的方法を用いて種結晶保持部材２２を除去する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound semiconductor element which is capable of growing an MgZnO series oxide element layer with high quality even when an inexpensive ZnO single crystal substrate whose crystal quality is not so good is employed.例文帳に追加

結晶品質がそれ程良好でない安価なＺｎＯ単結晶基板を用いても、ＭｇＺｎＯ系酸化物素子層を高品質にて成長できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN-based compound semiconductor, by which a crystal growth layer can be easily separated from a sapphire substrate without causing damage to the crystal growth layer, and to provide a substrate with the growth layer.例文帳に追加

結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality carbon-doped silicon single crystal easily and at a low cost by preventing incorporation of an impurity into the single crystal in growing a carbon-doped silicon single crystal.例文帳に追加

炭素がドープされたシリコン単結晶の育成時において、単結晶内に不純物が取り込まれてしまうことを抑止し、容易にかつ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing SiC capable of accurate temperature measurement for long hours, by suppressing deposition of a material sublimed into a hole for measuring the temperature, in crystal growth of SiC by a sublimation method.例文帳に追加

昇華法によるＳｉＣの結晶成長において、温度測定用の穴に昇華した物質が析出することを抑制して、精度の良い温度測定が長時間可能なＳｉＣ成長装置を提供する。 - 特許庁

The method for germination of seeds of the Cimicifuga simplex group plant comprises a step of germination of continuously contacting the seed of Cimicifuga simplex group plant with a plant growing agent until the germination.例文帳に追加

本発明に係るサラシナショウマ属植物の種子発芽は、サラシナショウマ属植物の種子を発芽までに植物成長剤に継続的に接触させて、前記サラシナショウマ属植物の種子を発芽させる、発芽工程、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor includes a step of preparing a (11-23) plane sapphire substrate and a step of growing a non-polar m-plane (10-10) nitride semiconductor on the sapphire substrate.例文帳に追加

ほぼ（１１−２３）面であるサファイア基板を備える段階と、上記サファイア基板上に非極性ｍ面（１０−１０）窒化物半導体を成長させる段階と、を含む窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the carbon fiber involves a growing step to grow the carbon fiber 5 on a substrate 1 in which a step to expose an orientation material 4 containing cobalt oxide to a gas containing carbon is involved.例文帳に追加

基体１上に炭素繊維５を成長させる成長工程を含む炭素繊維の製造方法において、前記成長工程が酸化コバルトを含む配向物質４を炭素含有ガスに晒す工程を含む。 - 特許庁

To provide a growing method which effectively suppresses the generation of first dislocation generation at the tail part, and can grow a low resistance single crystal at a high yield when Sb or As is used as a dopant for resistivity adjustment.例文帳に追加

抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal almost free from impurities and having a low dislocation density and good crystallinity; a group III nitride crystal substrate; and a semiconductor device including the same.例文帳に追加

不純物が少なく、かつ、転位密度が低く結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a construction method capable of cheaply and quickly constructing a revetment/slope of a porous concrete enabling water to circulate in a good environment for growing small animals/plants and being produced in a natural environment having purifying force of water.例文帳に追加

小動物・植物の生育の環境によく水の流通ができ、水の浄化力がある自然環境にできるポーラスコンクリートの護岸・法面を安価且つ迅速に構築できる構築法を提供する。 - 特許庁

A plasma treatment surface is provided on one surface of a polyamide resin film and a vapor deposition film of an inorganic oxide with a thickness of 4-10 nm due to a chemical vapor phase growing method is provided on the plasma treatment surface to constitute a transparent barrier film.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂フィルムの一方の面に、プラズマ処理面を設け、更に、該プラズマ処理面の面に、化学気相成長法による膜厚４〜１０ｎｍの無機酸化物の蒸着膜を設けた透明バリア性フィルム。 - 特許庁

The forming method of the bump comprises forming of a coating layer 20 having through holes 26 overlapping a pad 12 as well as growing and forming of metal layers 14, 16, 18, for example, on the pad 12 in the through hole 26.例文帳に追加

バンプの形成方法は、パッド１２とオーバーラップする貫通穴２６を有する被覆層２０を形成し、貫通穴２６内でパッド１２上に、例えば金属層１４，１６，１８を成長させて形成することを含む。 - 特許庁