「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method for growing the silicon single crystal by a Czochralski method, the silicon single crystal is grown under such a condition that the temperature gradient of a silicon melt along the axis parallel to the radial direction of the single crystal satisfies formula (1), wherein ΔTmax is the maximum value of the temperature gradient; and ΔTmin is the minimum value of the temperature gradient.例文帳に追加

チョクラルスキ法によりシリコン単結晶を成長させる方法であって，単結晶の半径方向と平行した軸に沿ったシリコン融液温度の傾きを，温度の傾きの最大値をΔTmax，最小値をΔTminとしたとき，を満足させる条件でシリコン単結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a control method of the position of an axial direction on a phase interface where a melt crystallizes, in a method for producing a single crystal of a semiconductor material by melting granules of a semiconductor material on a dish having a run-off tube made of the semiconductor material and growing a single crystal downward.例文帳に追加

半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a rutile (TiO_2) single crystal free from subgrains or small tilt grain boundaries, by growing the rutile single crystal within high pressure oxygen of 0.3 MPa or more by a floating zone (FZ) method using an infrared-concentrated oven.例文帳に追加

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZnO oxide semiconductor layer which can significantly increase the carrier concentration of a p-type layer in the ZnO oxide semiconductor layer and a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device having a superior property of light emission by improving a crystal state of the ZnO oxide.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法、およびＺｎＯ系酸化物の結晶性を向上させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaN thin film for growing high quality GaN on a large area substrate by utilizing an electrode layer suspended on the substrate, and to provide a GaN thin film structure manufactured by the method, and a semiconductor element containing the GaN thin film structure.例文帳に追加

基板上に懸架されている電極層を利用して大面積基板上に高品質のＧａＮを成長させるＧａＮ薄膜の製造方法、前記方法で製作されたＧａＮ薄膜構造物及び前記ＧａＮ薄膜構造物を含む半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal under gripping the enlarged-diameter portion of the single crystal formed by CZ method, intended to grow and pull it in dislocation-free and stable state without causing its deformation or rupture even if the enlarged-diameter portion stands at high temperatures and the corresponding single crystal rod has a weight of as heavy as about 400 kg with large diameter.例文帳に追加

ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下部を把持する構成において、径拡大部が高温であり、４００ｋｇ程度の大重量、大径の単結晶棒であっても変形、破断を生じさせず、無転位でかつ安定した状態で成長させ引き上げる。 - 特許庁

The method of producing the itaxial silicon wafer comprises cutting a silicon single crystal grown by a Czochralski method while doping nitrogen to obtain a wafer, then cleaning the wafer with an aqueous solution containing hydrogen fluoride(HF) and growing an epitaxial layer on the surface of the wafer.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によって窒素ドープで育成したシリコン単結晶から切り出されたウェーハをフッ酸（ＨＦ）を含む水溶液を用いて洗浄した後、当該ウェーハの表面上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法である。 - 特許庁

The method for growing the silicon single crystal by a CZ method comprises adding a dopant so that the resistivity in the crystal becomes 0.025-0.008 Ωcm in an inert atmosphere containing hydrogen and at the same time, adding carbon, and then pulling the silicon single crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、水素を含む不活性雰囲気中で結晶中の抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍとなるようにドーパンドを添加するとともに、炭素を添加してシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成方法とする。 - 特許庁

To provide a method for increasing the ethanol concentration in silage safely and inexpensively, and further sufficiently even when the outside air temperature is ≥30°C in order to suppress growing of molds or secondary fermentation during production, or unsealing or feeding of the silage, and to provide the silage in which the ethanol concentration is increased by the method.例文帳に追加

サイレージの製造時や開封給与時のカビ発生や二次発酵を抑制するため、安全且つ安価に、更に外気温が３０℃以上であっても良好に、サイレージ中のエタノール濃度を増加する方法、及びその方法によりエタノール濃度が増加したサイレージを提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor single crystal which is extremely uniform in a carrier concentration distribution within a plane perpendicular to the axial direction of crystal growth and is little in loss in cutting out the substrate and a substrate which is uniform in the in- surface carrier concn. distribution obtained by such method.例文帳に追加

結晶成長軸方向に垂直な面内でキャリア濃度分布が非常に均一で、かつ基板を切り出す時のロスが少ない化合物半導体単結晶の成長方法、及びかかる方法により得られた面内キャリア濃度分布が均一な基板を提供する。 - 特許庁

In a heat treating method of P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal, a heat cycle heat treatment for repeating sudden heating treatment and sudden cooling treatment is performed on the P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal formed by growing it by an metal organic vapor phase deposition method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により成長して成るｐ型不純物ドープ窒化ガリウム系化合物半導体結晶を急熱処理、急冷処理を繰り返すヒートサイクル熱処理することを特徴とするＰ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法にある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser in which shallowing of the depth of a diffraction grating due to the growth of a denatured layer by the activation of mass transport in crystal-growing a semiconductor layer on the diffraction grating by a metal-organic vapor-phase growth method is eliminated.例文帳に追加

本発明の目的は、回折格子上に半導体層を有機金属気相成長法で結晶成長させる際に、マストランスポートの活性化により変成層が生じ、回折格子深さが浅くなることのない半導体レーザの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The production method of a seed crystal to be used for growing a silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method comprises preparing a silicon carbide single crystal substrate as a seed crystal from a silicon carbide single crystal ingot by mechanical processing, and annealing the seed crystal in a non-oxidizing atmosphere.例文帳に追加

昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す。 - 特許庁

To provide a detection method improving the accuracy of detection of single crystal diameter, and to provide a method of manufacturing single crystal and equipment for manufacturing single crystal precisely controlling a diameter of single crystal based on detection result of the diameter and industrially stably growing the single crystal with a satisfactory yield.例文帳に追加

単結晶直径の検出精度を向上させる検出方法、及びその検出結果に基づいて精度良く直径制御を行い、単結晶を歩留まり良く、工業的に安定して育成する単結晶の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

In the method of growing the silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, the temperature of a crucible for growth is lowered to suppress the temporary temperature elevation in the crucible during pressure reduction when the atmosphere pressure is dropped after the temperature for the growth of the crystal is attained.例文帳に追加

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる方法において、雰囲気圧力を結晶成長温度到達後に低下させる際に、成長用坩堝温度を降下させ、減圧時の一時的な坩堝内温度上昇を抑制する。 - 特許庁

To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加

全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality SiC single crystal at a high growth rate, in which an ideal flow of a solution is achieved by finding an ideal ACRT (Accelerated Crucible Rotation Technique) pattern of so called an ACRT, in the production of a SiC single crystal by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、いわゆる坩堝加速回転法（ＡＣＲＴ：Accelerated Crucible Rotation Technique）の理想的なＡＣＲＴパターンを見いだして、理想的な溶液の流れを実現し、高速成長かつ高品質のＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal for efficiently discharging a gaseous material or particles having a high melting point present in a melt during growing a crystal to the outside of the system and for obtaining a grown crystal with high purity and no bubble or the like, and to provide a crystal manufacturing apparatus for the method.例文帳に追加

結晶成長の際に融液内に存在するガス体や高融点のパーティクルを効率的に系外に排出し、成長した結晶が高純度であり、気泡等を含まない結晶成長方法およびそのための結晶製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

In this compound semiconductor wafer 1 formed by growing a plurality of compound semiconductor layers 3 on the substrate 2 respectively, a buffer layer 4 is grown on the substrate 2 by a liquid phase epitaxial method, and respective compound semiconductor layers 3 are grown on the buffer layer 4 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

基板２上に複数の化合物半導体層３をそれぞれ成長させて作製される化合物半導体ウェハ１において、基板２上にバッファ層４を液相エピタキシャル法で成長させ、バッファ層４上に各化合物半導体層３を気相法でそれぞれ成長させたものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the nanocarbon material composite substrate includes the steps of: supporting catalyst on the substrate; heat treating the catalyst; forming a three-dimensional structural pattern on the substrate; and growing a nanocarbon material on the surface of the substrate on which the catalyst is supported, by means of the solid-liquid interface decomposition method.例文帳に追加

本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。 - 特許庁

To provide a seeding and planting retaining wall block capable of securing a sufficient earth quantity, and capable of replenishing moisture, for growing plants vegetated in a plant cultivating pot while securing water permeability of a retaining wall part by using a backfilling material as a conventional construction method.例文帳に追加

従来工法どおりに裏込め材を用いて擁壁部分の透水性を確保しつつも、植栽ポット内に植生した植物成育に十分な土量確保と水分補給を可能とする緑化擁壁ブロックを提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the minute structural element comprises processes for: forming a small hole 4 by irradiating a base body 1 to form the shape material 5 with a converged energy beam 3, and; growing the minute structural element 8 within the small hole 4.例文帳に追加

型材５となる基体１に対して収束されたエネルギービーム３を照射して細孔４を形成する工程と、細孔４内に微小構造体８を成長させる工程とを有する、微小構造体の製造方法。 - 特許庁

To provide an extremely thin fibrous formed material having performances such as a suitable water-penetration property, shape-keeping property, etc., e.g. a seedling-growing pot, and to realize a method for producing the same in a good efficiency.例文帳に追加

本発明の目的は、繊維成形体及びその製造方法において、適切な透水性及び保形性等の性能を有し極めて薄型の繊維成形体、例えば育苗ポットを、効率良く製造する技術を実現する点にある。 - 特許庁

To provide a method for easily and efficiently laying support poles and mulching cultivation boards for growing a liane plant so as to sustain farm work and effect farmland protection through mitigating working burden resulting from farmers' aging in farm villages.例文帳に追加

蔓性植物を育成するマルチング栽培用ボードと支柱の施工を簡易に効率よく実施できる施工法を提供し、農村における高齢化から生ずる作業負担を低減して農作業の持続と農地の保全を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which device characteristics can be improved by unifying a cooling rate of a semiconductor element melted by laser irradiation, and unifying/increasing grain sizes of growing crystals, and to provide a method for producing the element.例文帳に追加

レーザ照射により溶融した半導体素子の冷却速度を均一にし、成長する結晶を均一かつ大きくすることで、デバイス特性を向上できる半導体素子およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a new plant belonging to the genus Loberia capable of obtaining individuals having a desirable form (having both of strong points of its parents and also far exceeding the characteristics of the parents) by a grower in a first filial hybrid (F1) and a method for growing the same.例文帳に追加

雑種第一代（Ｆ１）において育成者の望む形態（両親の長所を併せ持ち、且つ両親の形質を遥かに凌駕する）を示す個体を得ることができる、新規なロベリア属植物とその育種法の開発。 - 特許庁

This method for growing a crystal comprises a step of providing a 3D framework having an aggregation of solid structures and a step of pouring a starting material of a liquid around and between individual solid structures of the 3D framework.例文帳に追加

結晶を成長する方法が、固体構造の集まりを備える３Ｄフレームワークを提供する工程と、液体出発材料を３Ｄフレームワークの個々の固体構造の周囲および間に流し込む工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN crystal where the occurrence of a stacking fault is suppressed even if the GaN crystal is grown on a GaN seed crystal substrate whose principal plane is inclined at 20° or more and 90° or less from a (0001) plane.例文帳に追加

主面が（０００１）面から２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板上にＧａＮ結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

In the editing device and the editing method, a growth model of the robot device growing according to a predetermined growth model is visually displayed, and in compliance with the user operation, the visually displayed growth model is edited.例文帳に追加

また編集装置及び編集方法において、所定の成長モデルに従って成長するロボット装置の当該成長モデルを可視表示し、ユーザ操作に応じて、可視表示された成長モデルを編集処理するようにした。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal, with which an n-type ZnTh-family substance doped at up to a high concentration is grown and a pn junction in a ZnTh substance is easily formed, and an optical semiconductor device thereby.例文帳に追加

高濃度までのｎ型ＺｎＴｅ系物質を成長することができ、ＺｎＴｅ系物質のｐｎ接合を容易に形成することができる化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, the substrate is put into the MOCVD growing device, and a GaN contact layer 20 whose film thickness of 3 μm is grown by a lateral growth method via the mask 16 on the GaN second buffer layer 15.例文帳に追加

次いで、再度、基板をＭＯＣＶＤ成長装置に入れて、１０００℃程度の成長温度で、マスク１６を介してＧａＮ第２バッファ層１５上に膜厚３μｍのＧａＮコンタクト層２０を横方向成長法により成長させる。 - 特許庁

To provide a method for artificially cultivating Pleurotus eryngii mushroom enabling collecting stably in high yield mushroom having excellent feature and high commercial value through enlarging carpophore, and preventing various disease damages from generating when growing the mushroom.例文帳に追加

子実体を大型化することにより、形質良好で商品価値の高いキノコを安定的に高収率で収穫することが出来、生育時における様々な病害の発生を防止したエリンギの人工栽培方法を提供する。 - 特許庁

To provide a greening system, a greening method thereby and a corner bead having practicality and workability capable of being immediately introduced also to a large scaled execution and permanently growing plants to be used without taking time for the control.例文帳に追加

大規模な施工にも即導入可能な実用性と作業性を持ち、使用植物の永続的生育が、管理の手間をとらずに可能となる緑化システムとそれによる緑化方法、またそれに使用する見切り材を提供する。 - 特許庁

To provide a method as technology for measuring crop information of crops growing in a field using the pictures of the field taken from an oblique upper side without setting markers as datum points so as to simplify measuring procedures.例文帳に追加

測定手順を簡便にするため、基準点となるマーカを設置することなく斜め上方から撮影した圃場の画像を用いて圃場内に生育する作物の作物情報を測定することを技術的課題とする。 - 特許庁

To provide a method of supplying a treated object into a moving bed gasification furnace, and the moving bed gasification furnace capable of easily and properly gasifying the treated object in the moving bed gasification furnace while preventing generation and growing of bridge and blow-by of the treated object.例文帳に追加

容易に移動床ガス化炉内での被処理物のブリッヂ、吹き抜けの発生および成長を予防して適切なガス化を可能とする移動床ガス化炉への被処理物の供給方法および移動床ガス化炉を提供する。 - 特許庁

To provide a base material for growing a single crystal diamond which allows a single crystal diamond having a large area and good crystallinity to be grown and thereby allows a high-quality single crystal diamond substrate to be inexpensively produced, and to provide a method for producing the single crystal diamond substrate.例文帳に追加

大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for high-quality cultivation of vegetables and fruits, which provides plants with sufficient moisture stress, actualizes a high sucrose concentration, optimally regulates the sunlight environment of a growing period and improves a fruit thinning ratio.例文帳に追加

十分な水分ストレスを与えることができ、高糖度を実現でき、育成時期の日光環境を最適に調整でき、かつ、摘果率を向上させることができる野菜及び果実類の高品位栽培方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for suppressing germination of a plant solely suppressed in the germination of the plant and normally growing after the germination by paying attention to a function of peroxisome of the plant, and a new plant solely suppressed in germination.例文帳に追加

本発明は、植物のペルオキシソームの機能に着目して、植物の発芽のみが抑制され、発芽後は正常に生育することができる植物の発芽抑制方法、及び発芽のみが抑制された新規な植物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a highly flat epitaxial wafer, by which the epitaxial wafer high in flatness can be obtained and the rate of inferior products can be reduced without adding a new process and causing lowering of flatness after epitaxially growing.例文帳に追加

新たな工程を増やしたり、エピタキシャル成長後の平坦度の劣化を招来することなく、高平坦度を確保でき、製品不良を大きく減少させることが可能な高平坦度エピタキシャルウェーハの製造方法の提供。 - 特許庁

This method for controlling a root rot comprises application of an agrochemical liquid containing 1,3-chloro-N-(3-chloro-5-trifuloromethyl-2- pyridyl)-α,α,α-trifluoro-2,6-dinitro-p-toluidine using an irrigator in the growing period of deciduous trees.例文帳に追加

１．３−クロロ−N−(３−クロロ−５−トリフルオロメチル−２−ピリジル)−α,α,α−トリフルオロ-２,６-ジニトロ−ｐ−トルイジン含有薬液を、灌注器を用いて落葉樹の生育期に施用して紋羽病を防除する紋羽病防除方法。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a single crystal by utilizing an LEC method while controlling vapor pressure in which a high quality compound semiconductor single crystal free from twin and polycrystal can be grown.例文帳に追加

蒸気圧制御しながらＬＥＣ法を利用して結晶成長を行う単結晶成長装置であって、双晶や多結晶のない、高品質の化合物半導体単結晶を育成できる単結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal thin film in which a high quality single crystal thin film having a small dislocation density can readily be produced when growing a single crystal thin film having different quality of material on a single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板上に材質の異なる単結晶薄膜を成長させる場合に転位密度の小さな高品質の単結晶薄膜を容易に形成することができる単結晶薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a group III nitride crystal, by which the high quality, large size group III nitride single crystal can be obtained with a good reproducibility and to provide a device for producing the crystal, the group III nitride crystal and a semiconductor element.例文帳に追加

高品位かつ大型のIII族窒化物単結晶を再現性良く得ることの可能なIII族窒化物結晶の結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体素子を提供する。 - 特許庁

Further, in the method for production, the fibrous plant small pieces are added to the waste paper when kneading the waste paper into the state of the paper clay to thereby form pores 2 suitable for growing plants in the carbonized molded product 1.例文帳に追加

さらに、上記の製造方法において、古紙を紙粘土状に混練する際に、これに繊維質植物細片を加えることにより、炭化された成型体中に植物の成育に適合した気孔を形成せしめる。 - 特許庁