「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A plating method for forming a nucleus 9 in a through hole 4 of a circuit board 1 includes forming the nucleus 9 in the through hole 4 for electric conduction in the circuit board 1 by exposure and development using insulating photosensitizer 3, growing plating by the nucleus 9 and an inner wall of the through hole 4, and filling the through hole 4 with the plating.例文帳に追加

回路基板１の導電用貫通孔４に絶縁性感光剤３で核９を露光・現像して形成し、該核９と貫通孔４内壁によりメッキを成長させ、貫通孔4にメッキを充填する回路基板１の貫通孔４に核９を形成するメッキ方法。 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal of group III nitride, capable of doping impurities of a transition metal, and the like, to the crystal of group III nitride at a desired concentration in a controllable manner, the crystal of group III nitride, a device of the crystal of group III nitride and a light-emitting device.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶に対して、遷移金属等の不純物を所望の濃度で、制御性良くドーピングすることの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよび発光デバイスを提供する。 - 特許庁

The SiC single crystal is produced by a liquid phase growth method for epitaxially growing SiC on a substrate by bringing a seed crystal substrate into contact with an SiC solution in which a melt of an Si alloy held in a crucible is used as a solvent, wherein a sapphire crystal substrate is used as the seed crystal substrate.例文帳に追加

坩堝に収容されたＳｉ合金の融液を溶媒とするＳｉＣ溶液に種結晶基板を接触させて基板上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる液相成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、種結晶基板としてサファイア結晶基板を使用する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning substrate by which an edge cut width can be freely set, native oxide in a circuit forming region on the surface of the substrate can be prevented from growing and wiring materials of copper or the like adhered on the back side of the substrate can be surely removed.例文帳に追加

基板表面の回路形成部における自然酸化膜の成長を防止しつつ、基板の周縁部、更には裏面側に付着した銅等の配線材料を確実に除去でき、しかもエッジカット幅を自由に設定できるようにした基板洗浄方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The process of forming the void-containing layer includes a process of providing temperature distribution such that a high-temperature part and a low-temperature part repeatedly continue on the surface of the substrate for growth and growing the group III nitride-based compound semiconductor on the substrate for growth by a vapor growth method.例文帳に追加

空洞含有層を形成する工程は、成長用基板の表面に高温部と低温部が繰り返し連続するような温度分布を設けて、気相成長法により成長用基板上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる工程を含む。 - 特許庁

To solve such a problem that the sufficient amount of Al can not be included in quartz crystal in such a technique as to replace Si in crystal with Al by adding aluminum hydroxide or aluminum carbonate into an aqueous alkaline solution as an additive when implementing a hydrothermal synthesis method for growing artificial quartz.例文帳に追加

人工水晶を育成する水熱合成法を実施する際に、アルカリ水溶液に添加材として水酸化アルミニウムもしくは炭酸アルミニウムを加えることにより、結晶中のＳｉをＡｌに置換する手法では、水晶結晶中に充分な量のＡｌを含有させることができない。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor, especially a compound semiconductor formed on a GaAs substrate, which has proper crystallinity and a low resistivity, and to provide a compound semiconductor light-emitting device which has superior electrical and optical characteristics.例文帳に追加

本発明では、特にＧａＡｓ基板上に形成する化合物半導体において、結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体の成長方法及び電気的及び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method for depositing glass fine particles by laminating and growing glass fine particle deposit layers radially on a starting rod, it is characterized by putting a fluorine compound gas with a flammable gas, a supporting gas, and a glass raw material gas into the burner.例文帳に追加

出発ロッド上に層を重ねるように径方向にガラス微粒子堆積体を成長させていくガラス微粒子堆積方法において、バーナーに可燃性ガス、助燃性ガス、ガラス原料ガスとともにフッ素化合物ガスを投入することを特徴とする多孔質ガラス母材の製造方法。 - 特許庁

This method for expressing the phytase is provided by transforming the monocotyledonous host plant with an expressing structured material containing a DNA sequence encoding the phytase and functionary bonded with a regulating sequence capable of causing the phytase expression in the monocotyledonous host plant and growing the plant under a condition for expressing the DNA encoding phytase.例文帳に追加

単子葉植物宿主中でのフィターゼの発現を起こし得る調節配列に機能的に結合するフィターゼをコードするＤＮＡ配列を含む発現構築物で単子葉植物宿主をトランスホームし、該植物をフィターゼコードＤＮＡ配列が発現する条件下で生育させる。 - 特許庁

In the method for producing the graphene growing the graphene by heating a transition metal single crystal thin film epitaxially grown on a single crystal substrate and by supplying carbon on the surface of the transition metal, A Mica (100) or a YSZ (111) is used as the single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。 - 特許庁

This maintenance-free greening method comprises fixing carbon dioxide absorbed from the earth as carbon through carbonizing early growing bamboo and burying the carbonized bamboo charcoal in the underground as the greening material so as to increase water holding property and air permeability in the ground and bring an effective result on plant growth.例文帳に追加

生育の早い竹を炭化することによって地球上から吸収した二酸化炭素を炭素として固定し、炭化された竹炭をメンテナンスフリーの緑化資材として地下に埋設されることにより、地中の保水性と通気性を高め植物の成育に有効な効果をあげることができる。 - 特許庁

To provide a production method for semiconductor device with which the number of processes is reduced by using an amphoteric, the quantity of an expensive solvent to be used can be reduced, and a liquid phase epitaxial growing layer is formed so that the light emitting element of high light emitting efficiency can be formed from a shallow dispersion layer.例文帳に追加

両性不純物を用いて工程数を削減し、高価な溶媒の使用量を削減できると共に、浅い拡散層による発光効率の高い発光素子を形成し得る液相エピタキシャル成長層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system and vapor phase growth method that can control silicon from being transferred to the backside of a wafer, when vapor-growing a thin film on a wafer, in a barrel vapor-phase reaction system, and producing high-quality and high-yield epitaxial wafers.例文帳に追加

バレル型気相反応装置において、ウェーハ上に薄膜を気相成長させる場合に、ウェーハ裏面へのシリコン転写を抑制することができ、高品質で、歩留まりが高いエピタキシャルウェーハを生産することができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the superjunction semiconductor element comprises the step of epitaxially growing a high specific resistance layer 32 having high resistance than that of a low resistance layer 31, and the step of irradiating the epitaxially grown layer 32 with boron and phosphorus ion beams repeatedly in the same chamber.例文帳に追加

低抵抗層３１の表面に、低抵抗層３１よりも抵抗の大きい高比抵抗層３２をエピタキシャル成長させる工程と、エピタキシャル成長させた高比抵抗層３２にボロンおよびリンのイオンビーム照射をおこなう工程とを、同一チャンバー内で繰り返し交互におこなう。 - 特許庁

To grow a group III nitride crystal having a practical crystal size by preventing the group III nitride crystal from sinking in a mixed melt even when the crystal grows to a large size in a method for growing the group III nitride crystal by floating the group III nitride crystal on the surface of the mixed melt.例文帳に追加

III族窒化物結晶を混合融液の表面に浮かせて成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物結晶が大きく成長しても混合融液中に沈まないようにして、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を成長させる。 - 特許庁

With this method, the gas adsorbed or included in the material is easily removed, the excess gas included in the melt solution is reduced, and the minute foam to be included in the crystal during the growing of the single crystal is reduced, thus pits and micro bubbles caused by the minute foam are drastically reduced.例文帳に追加

これにより原料に吸着または内包しているガスが容易に排除でき、融液中に含まれる過剰なガスが減少し、単結晶育成時に結晶内に取り込まれる微小な気泡が少なくなり、微小な気泡を起因とするピットやマイクロバブルが大幅に減少する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large-size KTN crystal low in cost and excellent in product quality by selecting a material used in the inside of a crystal growing furnace, which is exposed to a high-temperature potassium vapor for a long period of time in order to manufacture the non-conventional large-size crystal industrially.例文帳に追加

従来にない大型結晶を工業的に製作するため、長時間に亘って高温かつカリウム蒸気に晒される結晶育成炉内部の材質を選定し、安価で品質の高い大型ＫＴＮ結晶を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for extracting the viscous liquid is characterized by putting a culturing rope attached with immature brown algae in a prescribed culturing aquarium on the land, growing until becoming a prescribed adult body, then pulling up the brown algae once to the out of the aquarium, cutting or hurting the tip end of its leaf like part and collecting the viscous liquid therefrom.例文帳に追加

褐藻類の幼体を着生させた養殖ロープを、所定の陸上栽培水槽に入れ、所定の成体になるまで育成した後、一時褐藻類を水槽外に引き上げて、その葉状部の先端を切断あるいは傷付け、ここから粘液を採取する。 - 特許庁

At growing a group III-V compound semiconductor crystal whose V group elements contain phosphate by an MOVPE method, gas other than hydrogen which is chemically stable at a standard condition of 0°C and one atmospheric pressure, for example, the mixed gas of nitride or rare gas and gas made of phosphate raw materials and group III raw materials is made to flow as carrier gas.例文帳に追加

Ｖ族元素にリンを含むIII−Ｖ族化合物半導体結晶をＭＯＶＰＥ法で成長する際、０℃、１気圧の標準状態で化学的に安定な水素以外のガス、例えば窒素や希ガスと、リン原料及びIII族原料のガスとの混合ガスをキャリアガスとして流す。 - 特許庁

Further, by applying the reducing water to a general rock, the preparation of a functional rock having both of the low radioactivity and high-rate growing light (far infrared rays 4-14μ) radiation rate has become possible, and by the method of firing pottery and porcelain, the preparation of a similar functional artificial ore has also become possible.例文帳に追加

更に一般岩石に塗布して低放射能と高率育成光線（遠赤外線４μ〜１４μ）放射率を合わせ持つ機能性岩石を作成することが出来る様にもなったし陶磁器を焼き上げる方法で同様の機能性人工鉱石を作成する事も出来る様になった。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oriented sintered compact whose average crystal grain diameter is 20 μm or smaller and grain width is 0.4 or less times the grain diameter or an oriented sintered compact whose average crystal grain diameter is 20 μm or larger and grain width is 0.5 or more times the grain diameter without growing plate seed crystals.例文帳に追加

板状の種結晶粒成長させることなく、平均結晶粒径が２０μｍ以下で、粒子幅が粒径の０．４倍以下の配向性焼結体、または、平均結晶粒径が２０μｍ以上で粒子幅が粒径の０．５倍以上の配向性焼結体の製造をも可能とする。 - 特許庁

The gas barrier laminated film is constituted by providing a vapor deposition film 2 of an inorganic oxide on a base material 1 by a physical vapor phase growing method, and providing a gas barrier coating film 3 on the vapor deposition film 2 and characterized in that the specific gravity of the coating film 3 is 1.8-2.8 (g/cm^3).例文帳に追加

基材１上に化学気相成長法により無機酸化物の蒸着膜２を設け、その上にガスバリア性塗布膜３を設けてなるガスバリア性積層フィルムであって、塗布膜３の比重が、１.８〜２.８（ｃｍ^3／ｇ）の範囲にあるガスバリア性積層フィルム。 - 特許庁

This method for discriminating the bacteria by their biochemical properties is provided by culturing a specimen to be tested, making a colony growing on a medium in contact with a substrate substance, holding them under an atmosphere of ≥40°C temperature and detecting the signals derived from substances generated from the above substrate substance by the enzymatic activity of the bacteria.例文帳に追加

生化学的性状による細菌の鑑別において、被検試料を培養して培地上に発育した孤立集落を基質物質と接触させ、４０℃以上の雰囲気に保持し、細菌が有する酵素活性により前記基質物質から生成した物質由来のシグナルを検出する。 - 特許庁

This method for growing healthy Allium seedling is to grow the Allium seedlings after treating the soil of a seedling bed, seeds of Allium or foliages of the 1st-3rd leaf stage seedlings of Allium with 3-oxid-5-oxo-4-propinylcyclo-hex-3-enecarboxylic acid or its salt.例文帳に追加

３−オキシド−５−オキソ−４−プロピニルシクロ−ヘキシ−３−エンカルボキシリック アッシド若しくはその塩をネギ類の苗床の土壌、ネギ類の種子又は１〜３葉期のネギ類苗の茎葉部に処理してネギ類苗を育成することを特徴とするネギ類における健苗の育成方法。 - 特許庁

To provide a method of testing whiskers in a tinning film where the testing of whiskers is performed for a short period through, regarding the testing of the growing conditions of whiskers for securing the reliability of a tinned electronic component or the like, an extremely long period in the range from a half year to two years (in the case it is long) has been taken heretofore.例文帳に追加

錫めっきを施した電子部品などの信頼性を確保するためにウイスカの成長状態を検査するには、従来は半年から長い場合は２年間の非常に長い時間がかかっていたが、錫ウイスカを短期間で行う錫めっき皮膜のウイスカ検査方法を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal is grown by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method comprising growing a compound semiconductor crystal by simultaneously supplying hydrogen chloride gas blown onto heated metallic silicon (Si pool 7) and a hydrocarbon gas on a heated silicon carbide substrate 5 to subject the reactants to a thermal decomposition reaction.例文帳に追加

加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 - 特許庁

To provide a method for growing a low-resistance p-type nitride semiconductor without reducing the crystal quality of an active layer, and without requiring activation treatment, such as annealing treatment, even if the In molar fraction of InGaN that is the active layer is high.例文帳に追加

活性層であるＩｎＧａＮのＩｎモル分率が高い場合でも、その上に、活性層の結晶品質を低下させることなく、かつアニーリング処理等の活性化処理を必要とすることなく、低抵抗のｐ型窒化物半導体を成長させることができる方法を提供する。 - 特許庁

By using the obtained 4H type single crystal silicon carbide as a growth substrate and growing a single crystal silicon carbide thin film by a vapor phase epitaxial growth method on the substrate, a high voltage-resistant and environment-resistant electronic device having excellent electric characteristics can be fabricated.例文帳に追加

このような４Ｈ型単結晶炭化珪素を成長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法により、この基板上に単結晶炭化珪素薄膜を成長させれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイスを製作することができる。 - 特許庁

To provide a device for producing a single crystal, for example, for producing a SiC single crystal by a sublimation method, the device capable of suppressing degradation of a heat insulating material during growing a single crystal, increasing reproducibility of the temperature distribution in a crucible and suppressing increase in the production cost.例文帳に追加

たとえば、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造において、単結晶の成長途中での断熱材の劣化を抑制すると共に、坩堝内の温度分布の再現性を高め、さらに製造コストの上昇を抑えることが可能な単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

The method is carried out by using, as a seed crystal 18, a template substrate composed of a sapphire substrate 100 and a GaN layer 101 formed on the sapphire substrate 100, and growing a GaN crystal 102 on the GaN layer 101 at a growth rate of 15 μm/h or more.例文帳に追加

種結晶１８として、サファイア基板１００と、サファイア基板１００上に形成されたＧａＮ層１０１と、によって構成されたテンプレート基板を用い、ＧａＮ層１０１上に１５μｍ／ｈ以上の成長速度でＧａＮ結晶１０２を成長させた。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a single crystal that enhances tightness of a crucible to be used for crystal growing to prevent a raw material gas from leaking and to attain a sufficient vacuum in the crucible, in manufacturing the single crystal such as a SiC single crystal by sublimation.例文帳に追加

昇華法によるＳｉＣ単結晶等の単結晶の製造において、結晶成長に用いる坩堝の気密性を高めて材料ガスの漏れを防止し、且つ、坩堝内の充分な真空引きを可能にする単結晶の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fruit or vegetable hydroponic method for growing fruits or vegetables in a potassium-containing culture solution, which gives less influence on quality so as to decrease the rate of potassium content of fruits or vegetables.例文帳に追加

カリウムを含有した培養液によって果実又は野菜を養液栽培する果実又は野菜の養液栽培方法において、品質に与える影響を少なくして、果実又は野菜のカリウム含有率を低下させる果実又は野菜の養液栽培方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium oxide single crystal, by which a gallium oxide single oxide having a larger size is mass-produced efficiently by a batch production system comprising bringing a seed crystal into contact with a melt and growing a crystal by using an existing growth furnace without remodeling the furnace.例文帳に追加

既存の育成炉を改造することなく用いて、融液に種結晶を接触させて結晶成長させるバッチ生産方式により、より大きいサイズの酸化ガリウム単結晶を効率良く量産できる酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for growing single-wall carbon nanotubes involves preparing a catalyst comprising catalytic metals, such as iron and molybdenum, and magnesium oxide support material and bringing the catalyst into contact with a gaseous carbon-containing feedstock at a sufficient temperature and for a sufficient contact time to make single-wall carbon nanotubes.例文帳に追加

鉄及びモリブデンなどの触媒性金属、及び酸化マグネシウム担体材料を含む触媒を調製すること、及び単一層カーボンナノチューブを製造するための十分な温度かつ十分な接触時間で、前記触媒と気体状炭素含有供給原料を接触させることを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having high characteristics by using a group III nitride crystal substrate having a surface polished in predetermined conditions and epitaxially growing a semiconductor layer having a high crystal quality on the group III nitride crystal substrate.例文帳に追加

表面が所定の条件でポリシングされたＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いて、そのＩＩＩ族窒化物結晶基板上に結晶品質の高い半導体層をエピタキシャル成長させることにより、特性の高い半導体デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A method for promoting the secretion of a target peptide, such as type III antigen, includes expressing a recombinant Orf11/GrlA polypeptide to A/E pathogens including the recombinant Orf11/GrlA, and growing the A/E pathogens under conditions that favor the target polypeptide secretion.例文帳に追加

組換えＯｒｆ１１／ＧｒｌＡ核酸を含むＡ／Ｅ病原菌に、該組換えＯｒｆ１１／ＧｒｌＡポリペプチドを発現させ、目的のポリペプチド分泌に好ましい条件下でＡ／Ｅ病原菌を成長させて、ＩＩＩ型抗原等、目的のポリペプチドの分泌を促進させる方法。 - 特許庁

The method of producing group 13 metal nitride crystal comprises a process of growing the group 13 metal nitride crystal on a seed in a solution including nitrogen element and the group 13 metal element in a molten salt, wherein a principal plane of the seed is a semipolar surface.例文帳に追加

溶融塩中に窒素元素と第１３族金属元素とを含む溶液において、シード上に第１３族金属窒化物結晶を成長させる第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、該シードの主面が半極性面である第１３族金属窒化物結晶の製造方法。 - 特許庁

The method for expressing the phytase is provided by transforming a host plant with an expression construct containing a DNA sequence encoding the phytase and functionary bonded with a regulatory sequence capable of causing the phytase expression in the host plant and growing the plant under a condition for expressing the DNA encoding phytase.例文帳に追加

植物宿主中でのフィターゼの発現を起こし得る調節配列に機能的に結合するフィターゼをコードするＤＮＡ配列を含む発現構築物で植物宿主をトランスホームし、該植物をフィターゼコードＤＮＡ配列が発現する条件下で生育させる。 - 特許庁

The production method of the present invention comprises a first step of separating a cellulose fiber to produce a catalyst support, a second step of growing a carbon nanotube on the produced catalyst support, and a third step of allowing a nano metal catalyst to be supported on the catalyst support with the grown carbon nanotube.例文帳に追加

本発明は、セルロース繊維を分離して触媒支持体を製造する第１段階と、製造された触媒支持体に炭素ナノチューブを成長させる第２段階と、炭素ナノチューブが成長した触媒支持体にナノ金属触媒を担持する第３段階とを含んでなる。 - 特許庁

To provide a sterilization method that sterilizes putrefactive bacteria to cause putrefaction in cultivation of sprout vegetable, completely sterilizes food poisoning bacteria such as pathogenic Escherichia coli O157, Salmonella, Listeria etc., and produces a sprout vegetable seed for growing a sprout vegetable eatable without anxiety.例文帳に追加

芽もの野菜の栽培で腐食を起こす腐敗菌を殺菌するとともに、病原性大腸菌Ｏ１５７，サルモネラ、リステリアなどの食中毒菌をも完全に除菌して、安心して生食が可能な芽もの野菜を育成できる芽もの野菜種子が得られる殺菌方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laminate structure having a group III nitride semiconductor layer, having a growing main plane other than a c-face and less crystal defect, and to provide a manufacturing method therefor and a nitride semiconductor apparatus, equipped with such a nitride-gallium semiconductor laminate structure.例文帳に追加

ｃ面以外の成長主面を持ち、かつ結晶欠陥が少ないIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体積層構造およびその製造方法、ならびにそのような窒化ガリウム半導体積層構造を備えた窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。 - 特許庁

Thus, the compound semiconductor thin film growing in a gas-phase epitaxy method such as MOCVD or HVPE is irradiated with the absorption-wavelength electromagnetic waves to lower the specific resistance of the compound semiconductor thin film or incidentally lower property contact resistivity between a compound semiconductor and the electrode.例文帳に追加

これにより、MOCVDやHVPEなどの気相エピタキシ法で成長した化合物半導体薄膜の吸収波長の電磁波を照射して化合物半導体薄膜の固有抵抗を低下させたり、付随的に化合物半導体と電極との特性接触抵抗率を低下させる。 - 特許庁

The manufacturing method of the zeolite membrane comprises impregnating the porous material in aluminosilicate gel after carrying or depositing zeolite seed crystal such as A type zeolite, Y type zeolite and the like to the porous material made of a metal and growing the zeolite seed crystal by the hydrothermal reaction to form the zeolite membrane.例文帳に追加

金属製多孔体にＡ型ゼオライトやＹ型ゼオライトなどのゼオライト種晶を担持もしくは付着させた後、前記多孔体をアルミノシリケートゲル中に浸漬し、水熱反応によって前記ゼオライト種晶を成長させてゼオライト膜を生成させるゼオライト膜製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor.例文帳に追加

Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁