「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The structure is manufactured by orienting and growing a plurality of carbon nanotubes, exposing a part of the obtained carbon nanotubes to a liquid and then drying in a chemical vapor deposition method (CVD) of carbon nanotubes in the presence of a metal catalyst.例文帳に追加

このような構造体は、金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長（ＣＶＤ）させる方法において、複数のカーボンナノチューブを配向成長させ、得られた複数のカーボンナノチューブの一部を液体にさらした後、乾燥させることにより、製造することができる。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a first process of heating a first semiconductor layer 12 of III nitride compound semiconductor in an atmosphere of gas containing nitrogen atoms, and a second process of growing a second semiconductor layer 13 of III nitride compound semiconductor in crystal.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体からなる第１の半導体層１２を、窒素原子を含む気体中で加熱する工程と、その後、第１の半導体層１２上に、III族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体層１３を結晶成長させる工程とを含む。 - 特許庁

This production comprises growing a silicon single crystal bar doped with nitrogen by a Czochralski method and working the grown single crystal bar into single crystal wafers.例文帳に追加

パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結結晶棒を育成し、該単結晶棒をウエーハに加工してパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハを製造することを特徴とするパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法。 - 特許庁

When carbon nanotubes are manufactured by a catalytic vapor-phase growth method comprising circulating a carbon source gas in a heating atmosphere and growing multi-walled carbon nanotubes from the surface of a catalyst being brought into contact with the carbon source gas, a mineral powder containing iron is used as the catalyst.例文帳に追加

加熱雰囲気内に炭素源ガスを流通し、前記炭素源ガスと接触する触媒の表面から多層のカーボンナノチューブを成長させる触媒気相成長法によってカーボンナノチューブを製造する際に、前記触媒として、鉄含有の鉱物粉末を用いることを特徴とする。 - 特許庁

This method for manufacturing the ZnO single crystal comprises mixing the zinc oxide which is a solute and molybdenum oxide which is a solvent, heating the mixture to melt, then maintaining the melt at a constant temperature or lowering the temperature and depositing and growing the fine crystals expressed by general formula ZnO on a seed crystal or a substrate.例文帳に追加

溶質である酸化亜鉛と、溶媒である酸化モリブデンを混合して加熱融解したのち、融液を定温に保つか若しくは降温させ、一般式ZnOで表される微結晶を種結晶上あるいは基板上に析出、成長させることを特徴とするZnO単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the single crystal expressed by the compositional formula: Ba_3TaGa_3Si_2O_14 comprises bringing up a crystal in a crystal orientation inclined at an angle of ≥74 and ≤90° from the [001] axis and growing the single crystal.例文帳に追加

組成式Ｂａ_３ ＴａＧａ_３ Ｓｉ_２ Ｏ_１４で示される単結晶を製造する方法であって、［００１］軸から７４度以上９０度以下の角度で傾いた結晶方位に結晶の育成を行い、単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 特許庁

This method for detecting snake growth of a single crystal is one for detecting the snake growth of crystal happening in the process of growing a single crystal 12 which comprises the steps of charging a silicon raw material into a crucible 1 to melt it, dipping a seed crystal 15 in the molten liquid and pulling it up while rotating.例文帳に追加

単結晶くねり成長検出方法は、坩堝１内にシリコン原料を充填して溶解し、その溶融液に種結晶１５を浸漬して回転させながら引上げて単結晶１２を成長させる際に生じる結晶くねり成長を検出する方法である。 - 特許庁

The process temperature of a process of growing a silicon epitaxial layer by a CVD method on the silicon crystal substrate doped with, for example, phosphorus and germanium together during the growth of silicon crystal is set within a range of 1,000 to 1,090°C (preferably, 1,050 to 1,080°C).例文帳に追加

シリコン結晶育成時に例えばリンとゲルマニウムが一緒に高濃度ドープされたシリコン結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層をＣＶＤ法で成長させるプロセスにおいて、そのプロセス温度を１０００〜１０９０℃の範囲内（より望ましくは、１０５０〜１０８０℃）の範囲内にする。 - 特許庁

The method for culturing the plant of the aster family comprises culturing tissue fragments of the plant of the aster family on a solid medium containing a plant hormone in a bright place under a temperature condition of 12-22°C and growing the fragments by forming adventitious buds to regenerate the plant bodies comprising a plurality of the adventitious buds.例文帳に追加

キク科植物の組織片を、１２℃〜２２℃の温度条件で植物ホルモンを含んだ固体培地で明所下に培養して、不定芽を形成して伸長させることにより、複数の不定芽からなる植物体を再生させることを特徴とする、キク科植物の培養方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor for a solar cell includes: the steps for forming on the glass a large grain size polycrystalline silicon (Si) thin film subjected to orientation control to (110) and (111) by using a solid continuous wave laser excited by semiconductor (excited by diode), and directly growing the polycrystalline silicon Si layer while using the above Si film as a seed crystal.例文帳に追加

半導体励起（ダイオード励起）された固体連続波レーザーを利用して（１１０）と（１１１）に配向制御した大粒径多結晶シリコン（Ｓｉ）薄膜をガラス上に形成し、このＳｉ膜を種（シード）結晶として多結晶Ｓｉ層を直接成長する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an annealed wafer which can easily reduce DNN defects without changing conditions the crystal growing step or heat treating conditions of a heat treating process in a step of manufacturing the annealed wafer.例文帳に追加

アニールウエーハを製造する工程において、結晶成長工程の条件や熱処理プロセスの熱処理条件の変更を行うことなく、ＤＮＮ欠陥の発生を容易に低減することができるアニールウエーハの製造方法及びＤＮＮ欠陥の低減したアニールウエーハを提供する。 - 特許庁

A method for producing the carbon fiber by vapor phase growing comprises contacting a carbon source and/or a catalyst source with a sulfur source in a heating zone, wherein the curled carbon fiber is produced by setting a ratio of a mol number of sulfur atoms in the sulfur source to a mol number of metal atoms of the catalyst to be 2.0 or more.例文帳に追加

炭素源及び/または触媒源と硫黄源を加熱帯域において接触させる気相成長炭素繊維の製造方法において、硫黄源中の硫黄原子のモル数を触媒金属原子のモル数との比で２．０以上にする縮れ状炭素繊維の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the continuous wave semiconductor laser diode of the N (Al, Ga, In) material system comprises a step of continuously growing a primary cladding region 4, a primary light guide region 5, an active region 6, a secondary light guide region 7 and a secondary cladding region 8.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法は、第１のクラッド領域（４）、第１の光ガイド領域（５）、活性領域（６）、第２の光ガイド領域（７）および第２のクラッド領域（８）を連続して成長させるステップを包含する。 - 特許庁

To provide a flower pot which can easily be handled even by a growing method following an original plant natural providence that plants spread their roots in soil, and enables the especially simple formation and control of a potted plant having a high interior property to make all people to enjoy while exhibiting their individualities.例文帳に追加

土に根を張るという植物本来の自然の摂理に則った生育方法でも扱いが容易で、すべての人々が個性を発揮しながら楽しめるインテリア性の高い鉢植え植物を、殊に簡便に形成、管理できるようにするための鉢を提供する。 - 特許庁

A β-iron silicide crystal heterostructure is manufactured on a substrate by conducting a chemical vapor phase transportation method by setting up and sealing a polycrystalline iron silicide material, a transporting medium, a dopant material, and a substrate material composed of calcium fluoride, silicon, or iron at the crystal growing position of the substrate.例文帳に追加

多結晶鉄シリサイド原料物質、輸送媒体、ドーパント材料、および、基板材料としてフッ化カルシウム、シリコン、あるいは鉄を結晶成長位置に設置・封入して化学的気相輸送法を施すことによって、上記基板上にベータ鉄シリサイド結晶ヘテロ構造を作製する。 - 特許庁

To provide a metal refining method and apparatus, etc., by which the refining efficiency can be improved and the obtained refined metal weight is increased by preventing the metal crystallized under state of high solidified speed from being exfoliated from a cooling body after growing to some extent.例文帳に追加

凝固速度が大きな状態で晶出した金属がある程度成長した後に冷却体から剥離する事態を回避して、精製効率の向上を図ることができ、しかも得られる精製金属重量も大きな金属精製方法及び装置等を提供する。 - 特許庁

In this vapor growing method, a gas which contains raw gas is introduced to a substrate 2 from an actually parallel gas inlet part 5, the gas, which does not contain raw gas, is introduced from the ventilating microscopic porous member 7 arranged on the wall of the reaction tube 1 counterposing in parallel to the substrate 2, and the contamination on the wall of the reaction tube is prevented.例文帳に追加

基板２に実質的に平行なガス導入部５から原料ガスを含むガスを導入し、基板と平行に対向する反応管１壁に配置された通気性を有する微多孔質部材から原料を含まないガスを導入することにより、反応管壁の汚染を防止する。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a silicon carbide by supplying a carbon and then heating the surface of the Si substrate to carbonize the surface, and a step for growing the silicon carbide by supplying the carbon and the silicon after carbonizing.例文帳に追加

炭素を供給しＳｉ基板表面を加熱することにより表面を炭化させて炭化珪素を形成する工程と、炭化後に炭素と珪素を供給して炭化珪素を成長させる工程からなり、前記Ｓｉのoffcut基板表面にはテラス５とステップ６が多数存在した。 - 特許庁

To provide a composition and method for controlling plant diseases, pests and weeds having a low environmental load and drug resistance risk, having excellent control activity against the plant diseases, pests, weeds and nematodes, and healthily growing plants to be protected from the plant diseases, pests, and weeds.例文帳に追加

環境負荷と薬剤抵抗性リスクが低く、植物病害、害虫、雑草、センチュウに対して優れた防除活性を有し、植物病害虫雑草より保護すべき植物を健全に生育させる植物病害虫雑草防除用の組成物及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for detecting Lactobacillus heterohiochii in Sake, relating to a conventional method using the ATP bioluminescence method, by the use of neither a special filter for catching the bacteria, special medium for growing the bacteria nor a special bioluminescence image analytic system, and by the use of a general-purpose luminometer with no need of any high-level skill, intuition and experience.例文帳に追加

ＡＴＰ生物発光法により火落菌を検出する方法の改良に係り、火落菌を捕捉するための特殊なフィルタ−、火落菌を増殖するための特殊な培地及び特殊な生物発光画像解析システム装置を利用することなく、しかも高度な熟練、勘及び経験を必要としない汎用型ルミノメ−タを用いて、非常に簡便に、酒類の火落菌を検出できる方法を提供する。 - 特許庁

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate.例文帳に追加

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。 - 特許庁

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁

In the method for fabricating the epitaxial substrate for a gallium nitride-based semiconductor optical element, a semiconductor layer 21 including a plurality of gallium nitride-based semiconductor films for the gallium nitride-based semiconductor optical element is grown by an organic metal vapor-deposition growing method on a substrate 19 disposed on a susceptor 13 in the flow channel 17 while heated using a heater 15, thereby fabricating the epitaxial substrate E1.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体光素子のためのエピタキシャル基板を作製する方法では、ヒータ１５を用いて加熱しながら、フローチャネル１７内のサセプタ１３上に配置された基板１９上に窒化ガリウム系半導体光素子のための複数の窒化ガリウム系半導体膜を含む半導体積層２１を有機金属気相成長法で成長してエピタキシャル基板Ｅ１を作製する。 - 特許庁

The method for growing a silicon single crystal is characterized in that, when a silicon single crystal is grown by Czochralski method by doping the crystal with carbon and a resistance controlling dopant, the shift amount in the resistivity caused by carbon doping is preliminarily calculated and a doping amount of the resistivity controlling dopant is controlled in accordance with the shift amount.例文帳に追加

シリコン単結晶の育成方法であって、チョクラルスキー法によって炭素及び抵抗調整用ドーパントをドーピングしてシリコン単結晶を育成する際に、炭素ドープに伴って発生する抵抗率のシフト量を予め計算し、前記抵抗調整用ドーパントのドープ量を前記シフト分に応じて調整することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。 - 特許庁

To provide a method for growing an Si-based crystal using the casting method where the crystal orientation of the Si-based crystal can be arbitrarily controlled, where a wafer obtained by cutting the Si-based crystal has a texture structure having a uniform shape orientation after specified etching and where a structure having a uniform shape orientation is simply and easily formed in the Si-based crystal.例文帳に追加

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

The magnesium oxide film 1 is formed by growing magnesium oxide plate crystal 5 on the surface of the magnesium oxide thin film part 4 by the chemical gas phase deposition method (the CVD method) under an open atmosphere, on the surface of a base layer 3 formed by coating magnesium compound solution generating magnesium oxide by thermal decomposition on a surface of a base material 2 and heat-treating it.例文帳に追加

酸化マグネシウム膜１は、熱分解により酸化マグネシウムを生成するマグネシウム化合物の溶液を基材２の表面に塗布して熱処理することにより形成した下地層３の表面に、大気開放下での化学気相析出法（ＣＶＤ法）によって酸化マグネシウム薄膜部４の表面に酸化マグネシウム板状結晶５を成長させることにより形成される。 - 特許庁

A method of forming a nanostructure aggregate includes steps for transferring a nano-pattern from a porous anodized aluminum template to a mask material layer, and growing a nanostructure on an unreformed growth surface of a substrate in regions exposed through the nano-pattern formed in the mask material layer by a bottom-up growth method where the nanostructure is composed of nano-rings or nano-doughnuts.例文帳に追加

多孔質陽極酸化アルミニウムテンプレートからマスク材層にナノパターンを転写し、マスク材層のナノパターンを介して露出された領域において基板上にボトムアップ成長法によって基板の未改質成長面上に形成されたナノ構造体を成長させ、前記ナノ構造体が、ナノリング又はナノドーナツからなることを特徴とするナノ構造体集合体を製造する方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magneto-optical device, using magneto-optical effect, which can be integrated with a semiconductor optical device by forming a magnetic body particulate/semiconductor compound material and stacking the compound material on a semiconductor substrate by combining a crystal growing method, which has strong non-balance growth conditions and a heat treatment after the growth and the magnet-optical device.例文帳に追加

強い非平衡成長条件を有する結晶成長法と成長後の熱処理を組み合わせることにより、磁性体微粒子／半導体複合材料を形成し、この複合材料を半導体基板上に積層することにより、半導体光デバイスと集積化が可能な磁気光学効果を用いた磁気光学装置の製造方法及びその磁気光学装置を提供する。 - 特許庁

The production method of single-walled carbon nanotubes in which chirality is controlled is characterized by forming and growing single-walled carbon nanotubes by an alcohol chemical vapor deposition method while irradiating the carbon nanotubes with a free electron laser beam having a light absorption wavelength or a wavelength approximate to the light absorption wavelength which corresponds to the transition energy of the single walled carbon nanotubes having predetermined diameters, that is searched from Kataura plot.例文帳に追加

片浦プロットから求められた所定の直径の単層カーボンナノチューブの遷移エネルギーに対応する光吸収波長又はその近似の波長の自由電子レーザーを照射しながら、アルコール化学気相成長法によって単層カーボンナノチューブを生成、成長させることを特徴とするカイラリティの制御された単層カーボンナノチューブの製造法。 - 特許庁

To provide a method for producing brown algae by land culture which can achieve stable year-round production of the brown algae by growing from a planospore, and male and female gametophyte to an individual to be shipped, with a new method, is excellent in adjusting a standard, can use aquaculture effluent of other sea resources, and can effectively use a limited space.例文帳に追加

遊走子や雌雄配偶体から出荷対象個体までの育成を新しい手法で行うことにより、褐藻類を安定して周年生産することができ、かつ規格の調整にも優れるうえ、他の海洋資源の養殖廃水も活用することができ、限られたスペースを有効活用することができる陸上養殖褐藻類の生産方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a salt-tolerant gene for inositol production by preparing salt tolerant L-myoinositol-1-phosphate synthase gene, and to provide a method for resulting ability of growing model crop plants in the presence of salt by gene transfer of a salt-tolerant L-myoinositol-1-phosphate synthase without deteriorating photosynthetic function by its functional expression.例文帳に追加

塩耐性Ｌ−ミオ−イノシトール−１−ホスフェートシンターゼ遺伝子を作製し、イノシトール生産のための塩耐性遺伝子を得る方法、モデル作物植物において塩耐性Ｌ−ミオイノシトール−１−ホスフェートシンターゼを遺伝子移入して、その機能的発現によって光合成の機能が減退することなく塩の存在下で生育する能力をもたらす方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the solar cell has a process in which the power generation layer 102 is formed on the first surface of the polycrystalline semiconductor substrate 101, a pattern by a growth preventive film 103 is formed on the surface of the layer 102, and a texture structure is formed by selectively growing a semiconductor layer 105 on the surface of the layer 102 in an epitaxial manner by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

多結晶半導体基板１０１の第一の表面に発電層１０２を形成し、該発電層１０２表面上に成長阻止膜１０３によるパターンを形成し、該発電層１０２表面上に液相成長法にて半導体層１０５を選択的にエピタキシャル成長することによりテクスチャ構造を形成する工程を有する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

This method, which is a water treatment method using an aquatic plant, is characterized by comprising growing the aquatic plant in water to be treated, the water containing hardly degradable organic matters, under light irradiation, and, in the presence of ferrous or ferric ion, conducting the biological Fenton reaction between the water and hydrogen peroxide existing in the aquatic plant body to thereby oxidize and degrade the hardly degradable organic matters.例文帳に追加

本発明は、難分解性有機物を含有する被処理水中に水生植物を光照射下に生育させ、この被処理水に二価または三価の鉄イオンの存在下に、水生植物の生体内に存在する過酸化水素と生物学的フェントン反応を行なわせ、難分解性有機物を酸化分解することを特徴とする、水生植物を用いた水処理方法である。 - 特許庁

The method of producing the carbon nanotube is carried out by forming a prescribed pattern structure comprising a metallic based catalyst for forming carbon nanotube on the surface of a sapphire single crystalline substrate having R-plane as a crystal face of the surface and orienting and growing the carbon nanotube from the pattern structure by a CVD method in a direction opposed at 180° to the positive c-axis projecting direction on the R-plane.例文帳に追加

表面の結晶面がＲ面であるサファイア単結晶基板の表面に、カーボンナノチューブ生成用金属系触媒からなる所定のパターン構造を形成し、ＣＶＤ法により前記パターン構造から前記Ｒ面における正のｃ軸投影方向の１８０°反対方向を主体にカーボンナノチューブを配向成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

The method for producing an anti-HIV-1 agent-screening system includes suppression of cell proliferation by culturing M-CSF dependently growing macrophage-based cells expressing an M-CSF receptor and an Nef-ER fused protein in which HIV-1 Nefprotein is fused with an estrogen receptor hormone binding domain in the presence of an estrogen derivative and M-CSF.例文帳に追加

M-CSF受容体、及びHIV-1 Nef蛋白質とエストロゲン受容体のホルモン結合領域を融合させたNef-ER融合蛋白質を発現し、M-CSF依存性に増殖するマクロファージ系細胞を、エストロゲン誘導体及びM-CSFの存在下で培養して、細胞増殖を抑制させることを含む、抗HIV-1薬剤のスクリーニング系の製造方法。 - 特許庁

In the control method of magnetic anisotropy, a heterostructure is prepared on a single crystal ferroelectric layer by epitaxially growing a ferromagnetic layer, and the magnetic anisotropy of the ferromagnetic is changed by a distortion occurring on the junction interface of the ferroelectric layer and the ferromagnetic layer by applying a voltage to the ferroelectric layer.例文帳に追加

単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 - 特許庁

In this method, the vegetation mat containing vegetation base soil optimum for growing plants and seeds of waterside plants is secured, from the earth and rubber sheet side, to the bare slope in the water level fluctuating area along the lake shore line and the small reservoirs covered with rubber sheet to prevent erosion and promote the regeneration of natural scenery.例文帳に追加

湖沼岸線の水位変動域の裸地法面やゴムシートで覆われた溜池等に植物の生育に最適な植生基盤土と水際植物の種子を内封した植生マット体を地山及びゴムシート側から植生マット体を固定し、浸食防止と自然景観の再生促進を可能とする水辺緑化工法。 - 特許庁

In the method of producing ZnTe-based compound semiconductor single crystals of ZnTe or the ternary or higher ones comprising ZnTe, prescribed amounts of one or more kinds of elements selected from 3d transition elements are added as impurities making an energy level at a position near the center of an energy gap in the process of growing the crystals.例文帳に追加

ＺｎＴｅあるいはＺｎＴｅを含む三元以上のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法において、エネルギーギャップの中心に近い位置にエネルギーレベルを作る不純物として、３ｄ遷移元素の何れか一種類以上の元素を所定量だけ結晶育成中に添加するようにした。 - 特許庁

A non-doped ZnO single crystal or a ZnO single crystal doped with a group III element or a lanthanoid element is produced by a liquid phase epitaxial growth method comprising mixing ZnO being a solute and a solvent, then melting the resulting mixture, and growing a ZnO single crystal by bringing a substrate into direct contact with the obtained melt.例文帳に追加

溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることによりＺｎＯ単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、ノンドープＺｎＯ単結晶やＩＩＩ族元素やランタノイド元素をドープしたＺｎＯ単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a method for processing laver for exterminating miscellaneous algae such as diatoms and green laver growing on or mixing with cultured laver, effectively and efficiently controlling or protecting each disease injury such as needle bacterial disease caused by pathogenic bacteria and minimizing load on marine environment, and to obtain a laver processing agent.例文帳に追加

養殖海苔に着生または混生するケイ藻類、アオノリ類等の雑藻駆除、及びスミノリ症等、病原菌によって引き起こされる各種病害を効果的、効率的に防除若しくは予防し、かつ、海洋環境に対する負荷のできるだけ少ない海苔処理方法、海苔処理剤を提供する。 - 特許庁

(2) The single crystal pulling device for growing a single crystal 10 by the CZ method from a melt 5 in the crucible 2 is equipped with a heater 1 incorporated therein which is concentrically disposed outside the crucible 2, and heats the raw material supplied into the crucible 2 and retaining the material in a melt state.例文帳に追加

（２）ルツボ２の外側に同心円状に配置され、ルツボ２内に供給される原料を加熱して溶融状態に保持するためのヒーター１を備え、ルツボ２内の溶融液５からＣＺ法により単結晶１０を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーター１が組み込まれている引上げ装置である。 - 特許庁

According to the semiconductor laser manufacturing method, by forming a first film-forming step of selectively growing semiconductor layers to form a ridge 110 of the semiconductor laser on a ridge forming region A, formed by a first mask layer forming step, the ridge 110 can be formed with high accuracy.例文帳に追加

本発明による半導体レーザの製造法によれば、第１マスク層形成工程において形成されたリッジ形成領域Ａに、第１成膜工程において各半導体層を選択成長することで半導体レーザのリッジ部１１０を形成するため、リッジ部１１０を高い寸法精度で形成することができる。 - 特許庁

The method of forming the post structure comprises the steps of: forming unit patters 20 on a substrate 10 using a first material; growing a second wet-etchable material on the substrate that is formed with the unit patterns; and wet-etching the substrate where the second material is grown.例文帳に追加

基板１０に第１物質を用いて単位パターン２０を形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長された基板を湿式エッチングする段階と；を含んで柱構造の形成方法を構成する。 - 特許庁

The device for manufacturing semiconductor single crystal 50 is making pull up, grow, and manufacture a semiconductor single crystal 3 from a molten liquid of a row material by Czochralski method, while heating the molten liquid of the row material 4 in the crucible 12 with the heater 7 arranged around the crucible 12 in a main body of growing furnace 1.例文帳に追加

半導体単結晶の製造装置５０は、育成炉本体１内においてルツボ１２の周囲に配置された加熱ヒータ７により該ルツボ１２内の原料融液４を加熱しつつ、該原料融液４からチョクラルスキー法により半導体単結晶３を引上育成・製造するためのものである。 - 特許庁

A ridge-type semiconductor laser device manufacturing method comprises the steps of sequentially growing a cladding layer and an active layer on a substrate; and forming a ridge-shaped layer on the active layer, which consists of a conductive region forming a ridge portion and high-resistance regions, disposed on both sides of the conductive region.例文帳に追加

基板上にクラッド層、活性層を順次成長させる工程と、上記活性層上にリッジ部を構成する導電領域とこの導電領域の両側の高抵抗領域からなるリッジ型層を形成する工程と、からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザの製造方法にある。 - 特許庁