「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a single crystal of LiNb1-xTaxO3 (0≤x≤1) wherein a problem that use of the raw material with particle size of 200-400 μm tends to cause a crack in the growing single crystal is solved.例文帳に追加

２００〜４００μｍ程の粒径の供給原料を用いると結晶にクラックが発生しやすくなるということが問題となっており、本発明はこのような単結晶の育成中の供給原料に用いる粒径に関して不利、問題点を解決したＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The composition having optimum neutral cellulase activity at 60°C and pH 7, comprises a cellulase which is isolated by a method comprising growing the genus Chrysosporium wild-type or mutant fungi by culturing them in a proper medium, and has a molecular weight of 25 kD, and a cellulase whose amino acid sequence is encoded by a nucleic acid sequence derived from the wild-type or mutant fungi.例文帳に追加

60℃の温度とpH7で最適な中性セルラーゼ活性を有する組成物は、適正な培地で培養でクリソスポリウム属の野生型又は変異体の菌類を成長させることを含む方法によって分離され、分子量25kDを有し、前記野生型又は変異体の菌類に由来する核酸配列によってアミノ酸配列がコードされたセルラーゼを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor thin film is provided with a step for forming a single crystal region 2 which becomes a crystalline nucleus by locally melting and solidifying an amorphous silicon thin film 3, and a step for expanding the single crystal region 2 by growing a crystal so as to become reverse directions to each other about the center of the single crystal region 2.例文帳に追加

半導体薄膜を製造する方法は、アモルファスシリコン薄膜３を部分的に溶融固化させることにより、結晶核となる単結晶領域２を形成させるステップと、単結晶領域２を中心に互いに逆方向になるように結晶成長させて単結晶領域２を拡大させるステップと、を備える。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for growing a silicon containing film of Si, SiGe or the like, not only immediately above a region where a semiconductor material of Si, SiGe or the like is exposed but also above a region where SiO_2, SiN or the like is exposed while extruding Si laterally.例文帳に追加

ＳｉまたはＳｉＧｅ等の半導体材料が露出している領域直上のみにＳｉやＳｉＧｅ等のシリコン含有膜を選択成長させるのではなく、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等が露出している領域上にもＳｉを横方向にせり出させて成長させる成膜工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing the fluoride single crystal, comprising growing the fluoride single crystal by cooling a melt, obtained by melting a particulate mixture of a particulate fluoride and a particulate scavenger, the average particle diameter df of the fluoride and the average particle diameter ds of the scavenger satisfy following expression: 0.05≤ds/df≤20.例文帳に追加

粒子状のフッ化物に粒子状のスカベンジャーを混合した粒子混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、フッ化物の平均粒径ｄｆ及びスカベンジャーの平均粒径ｄｓが下記式：０．０５≦ｄｓ／ｄｆ≦２０を満たす、フッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

To obtain a gene encoding a carrier protein specifically transporting iron without being inhibited by metals even in the presence of the metals such as cadmium, etc., and a plant transformed by the gene and growing healthily by absorbing the iron for its growth sufficiently even in the presence of the metals such as cadmium and reduced with the accumulated amount of cadmium, and also to provide a method for performing environment restoration by using such the transformed plant.例文帳に追加

カドミウム等の金属存在下においても、これらに阻害されることなく鉄を特異的に輸送可能な担体タンパク質をコードする遺伝子と、当該遺伝子により形質転換してカドミウム等の金属存在下においても生育に十分な鉄を吸収して健全に生育し、カドミウム蓄積量が低減された植物体を得る。 - 特許庁

The method of removing the substrate structure includes a step of forming a plurality of peeler-shape bodies on the substrate by a photolithography etching process; a step of growing a group-III nitride semiconductor layer on a plurality of peeler-bodies; a step of chemical-etching a plurality of peeler-bodies; and a step of separating the group-III nitride semiconductor layer from the substrate.例文帳に追加

本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 - 特許庁

As a p-type contact layer composed of AlGaN is grown by a MOVPE method as the uppermost layer of the lamination structure of a GaN series semiconductor to be formed on a substrate, ammonia and an inert gas with respect to the GaN semiconductor are introduced into a growing furnace so that a ratio of ammonia is set to 0 to 0.025, while a temperature of the p-type contact layer is dropped.例文帳に追加

基板上に形成するＧａＮ系半導体の積層構造の最上層として、ＡｌＧａＮからなるｐ型コンタクト層をＭＯＶＰＥ法により成長した後、成長炉内にアンモニアと、ＧａＮ系半導体に対して不活性なガスとを、アンモニアの比率が０〜０．０２５となるように導入しながら、ｐ型コンタクト層の降温を行う。 - 特許庁

The equipment for manufacturing polycrystal silicon, wherein reaction chambers 2 for precipitating and growing silicon by a chemical vapor phase precipitation method on a silicon core material 3 standing on an electrode so as to obtain polycrystal silicon rods 3, are arranged in a factory building, is characterized in that a quake-absorbing structure is applied to the polycrystal silicon rods in the reaction chambers 2.例文帳に追加

電極上に立設されたシリコン芯材３に、化学気相析出法によりシリコンを析出・成長させて多結晶シリコンロッド３を得るための反応容器２が工場建屋内に配設された多結晶シリコン製造設備において、反応容器２内の多結晶シリコンロッド３に対して免震構造が施されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an industrially valuable method for producing a metal fluoride single crystal where the crystal in which the falling of transmissivity by laser beam irradiation is suppressed, which has high laser resistance and which has high quality optical properties over the entire region from the upper region to the lower region of a growing crystal body having a large diameter and a long size is produced with high yield and in a large size.例文帳に追加

大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。 - 特許庁

The method includes: a melting step of heating a source material used for producing an oxide single crystal to obtain a melt 18; an impurity removing step of retaining the melt state to decrease impurities included in the melt; and a single crystal growing step of producing an oxide single crystal 1 from the melt 18 of the source material after the impurity removing step.例文帳に追加

酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method of this organic field-effect transistor includes processes of: growing a plurality of flake-like organic semiconductor single crystals 15a on a base 20; and transferring the plurality of flake-like organic semiconductor single-crystals 15a to a substrate 10 for a device provided with a gate insulation film 12 for a plurality of transistors, and electrodes 11, 13 and 14.例文帳に追加

本実施形態に係る有機電界効果トランジスタは、基台２０上に複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを成長させる工程と、複数のトランジスタ用のゲート絶縁膜１２及び電極１１，１３，１４を備えるデバイス用基板１０に、複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを転写する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a cesium removal method for effectively removing water-soluble cesium from various kinds of contamination water such as a waste liquid, domestic water, sea water, water for growing animals and plants, food processing water, and drinking water and also easily removing cesium even at standard home through the use of simple and inexpensive equipment, and also to provide a mineral water generator having a cesium removal function.例文帳に追加

廃液、あるいは生活用水、海水、動植物育成用水、食品加工用水または飲料水等各種汚染水から水溶性セシウムを効果的に除去できると共に、簡素かつ低廉な設備で一般家庭でも容易にセシウムを除去できるセシウムの除去方法およびセシウム除去機能を備えたミネラルウォーター生成器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal having a desired carrier concentration and fewer impurities without corroding a device for growing a crystal by accelerating a reaction of producing gallium hydride gas to contribute to improving a growth rate of the gallium nitride crystal and doping the gallium nitride crystal with oxygen as a n-dopant.例文帳に追加

水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をｎ型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the coil for a charged particle beam apparatus is characterized by forming a metal layer on a substrate for an electrode, then applying resist of 0.1 mm or thicker, removing the resist of the region on which the coil should be formed, by lithography, and growing metal on the region in which the resist has been removed, by electrocasting.例文帳に追加

荷電粒子線装置用のコイルの製造方法であり、基板上に電極用の金属層を形成し、その後、厚さが0.1mm以上のレジストを塗布し、コイルを形成すべき領域のレジストをリソグラフィーにより除去し、レジストが除去された領域に電鋳によって金属を成長させることを特徴とするコイルの製造方法である。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method of a nitride semiconductor, capable of suppressing a pit to be generated in a growing nitride semiconductor layer concerning the vapor deposition of the nitride semiconductor on a nonpolar surface, and allowing the surface roughness of a root mean square in the nitride semiconductor layer to be not more than 5nm in manufacturing a semiconductor device with high performance.例文帳に追加

無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを５ｎｍ以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an artificial quartz crystal having low line defect density in order to solve the extreme difficulty in growing the artificial quartz crystal having the decreased line defects as the generation of growth progresses in the current growth method of using a Y rod or Z plate as the seed quartz crystal.例文帳に追加

現状のＹ棒またはＺ板を種水晶として用いる育成法では、育成の世代が進むにつれて線状欠陥の少ない人工水晶を育成することは非常に困難である．本発明は上記課題を解決するためになされたものであって線状欠陥密度の低い人工水晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for producing the protein by the non-cellular protein synthetic system at the low temperatures is to transcript or translate a nucleic acid coding for the protein at the low temperatures in the non-cellular protein synthetic system containing the extract of the Pseudomonas organism or the extract of the Rhodococcus microorganism growing at the low temperatures.例文帳に追加

低温条件下において無細胞タンパク質合成系によりタンパク質を製造する方法であって、低温で増殖可能なシュードモナス属微生物抽出液またはロドコッカス属微生物抽出液を含む無細胞タンパク質合成系中で低温条件下でタンパク質をコードする核酸の転写および翻訳を行なわせてタンパク質を製造する方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of growing the first electrode on the substrate, mixing the additive and the conductive high polymer to form a mixture, depositing the mixture on the first electrode to form the conductive high polymer layer, depositing the semiconductor layer on the conductive high polymer layer, and evaporating the second electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

その製造方法ステップには、第一電極を基板上に成長させ、添加物と導電性高分子を混合して混合物を形成、混合物を第一電極上に堆積し導電性高分子層を形成、半導体層を導電性高分子層上に堆積、第二電極を半導体層上で蒸着させるステップを含む。 - 特許庁

To produce a flexible water float at an extremely low cost by using plastic or a material made by foaming plastic that is discharged in volume as waste as a main material of a floating body, and to provide a multipurpose flexible water float capable of growing a plant thereon and finding a new method of using on the sea.例文帳に追加

浮力体の材料をプラスチック類または廃棄物として大量に排出されているプラスチック類を発泡したものを主原料に用いることで、極めて廉価に可撓性水上フロートを作成し、このフロート上で植物栽培や、その他新たに海上利用方法を開拓できる、多目的可撓性水上フロートを提案する。 - 特許庁

In this method, an element exhibiting the photorefractive effect is manufactured by growing a III-V compound semiconductor thin film containing As and a group V element on a (411) A-face GaAs substrate, under such a condition where the temperature of the substrate is maintained between 300°C and 700°C, and the V/III ratio is maintained between 5 and 10 and implanting ions into the thin film.例文帳に追加

（４１１）Ａ面のＧａＡｓ基板を用い、基板温度が３００〜７００℃、Ｖ／ＩＩＩ比が５以上且つ１０以下の条件下で、Ｖ族元素がＡｓであるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を成長させ、そのＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体薄膜にイオン注入を行ってフォトリフラクティブ効果を有する素子を製造する。 - 特許庁

When pulling and growing single crystal 4 from a silicon molten liquid 3 in a quartz crucible 1a by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible at a mass ratio against the silicon raw material of 0.5-35 ppm when the inner wall of the crucible is a synthesized quartz layer and of 1-70 ppm when that is a natural quartz layer.例文帳に追加

ＣＺ法により、石英坩堝１ａ内のシリコン溶融液３から単結晶４を引上げて成長させるに際し、石英坩堝内のシリコン原料に、ＢａＣＯ_3粉末を、坩堝の内壁が合成石英層である場合には、シリコン原料に対する質量比で０．５〜３５ｐｐｍ添加し、天然石英層である場合には１〜７０ｐｐｍ添加する。 - 特許庁

To provide a metal-coated polyimide composite can prevent electroplated copper from running around (reverse running) to a reverse face of a polyimide film, in an adhesive-less flexible laminate (in particular, a bilayer metalizing laminate), or can restrain effectively an edge part of the electroplated copper from growing abnormally in a polyimide film face; a manufacturing method for the composite; and a manufacturing device for the composite.例文帳に追加

無接着剤フレキシブルラミネート（特に、二層メタライジング積層体）における電気めっき銅のポリイミドフィルムの裏面への回り込み（裏回り）防止またはポリイミドフィルム面における電気めっき銅のエッジ部の異常成長を効果的に抑制できる金属被覆ポリイミド複合体、同複合体の製造方法及び同複合体の製造装置を提供する。 - 特許庁

After a GaN semiconductor crystal containing p-type impurities is grown by a vapor-phase growing method, a process is provided in which, at the crystal growth temperature, an atmosphere is changed to a cooling atmosphere containing ammonia by 0.1-30 vol.%, and the semiconductor crystal is cooled in the cooling atmosphere.例文帳に追加

気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体結晶を成長させた後、その結晶成長温度において、雰囲気を、アンモニアを０．１〜３０ｖｏｌ％の割合で含む冷却用雰囲気に切り替え、該冷却用雰囲気中において前記半導体結晶を冷却する工程を有するｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。 - 特許庁

This growth method possesses a process of selectively forming a first surface 1 on the surface of a first nitride semiconductor 1 and a second surface 2 larger in the growth speed of a nitride semiconductor than that first surface, and a process of growing the a second nitride semiconductor 12 on the first surface 1 and the second surface of the first nitride semiconductor 1.例文帳に追加

第１の窒化物半導体１１表面に、選択的に第１の表面１と、該第１の表面１よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第２の表面２とを形成する工程と、該工程の後、第１の窒化物半導体１１の第１の表面１及び第２の表面２に第２の窒化物半導体１２を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

In a liquid phase epitaxial method of growing a bismuth-substituted iron garnet single crystal on a nonmagnetic garnet single crystal substrate, a bismuth-substituted iron garnet single crystal grown from a melt containing Ca added therein is thermally treated in a short time period in an atmosphere of a mixture of a nitrogen gas and 3-20 vol% of hydrogen gas.例文帳に追加

非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素３〜２０ｖｏｌ％の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる - 特許庁

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown.例文帳に追加

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ１００μｍ以下のＧａＮ系結晶薄膜（特にＧａＮ結晶薄膜）１を、基板２上に接合し、該薄膜の一方の面１ｂをＧａＮ系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にＧａＮ系結晶を成長させる。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

To provide a mulching method for preventing water in the planting soil for tree from evaporating, supplying the water to the planted tree by forming dewfall on the surface of a mulching material, supplying nutrient elements required for growing the tree while preventing the damage caused by fertilizer at the time of transplantation by gradually leaching an organic material and the fertilizer components from the surface of the soil, and heightening the fertility of the planting soil.例文帳に追加

樹木の植栽土壌中の水分の蒸発を抑制し且つマルチング材表面で結露を発生させて植栽樹木に水分を供給し、且つ土壌表面から緩やかに有機物や肥料成分を溶脱させて定植時の肥料焼けを防ぎながら樹木の成育に必要な養分を供給すると共に植栽土壌の肥沃度を高めるマルチング方法の提供。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第１のシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長する工程と、該ＳｉＧｅ層の表面と第２のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第２のウェーハと結合された該第１のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するＳｉ層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

This marine alga growth-promoting method comprises dissolving for growing marine algae living in natural seawater, an additive which contains at least chitin oligomer or chitosan oligomer in the natural seawater followed by mixing, and adopting a technical means which brings the concentration of the additive in the mixed liquid to 0.05-50 μg/ml.例文帳に追加

天然海水中に生息する海藻類を生長せしめるにあたり、キチンオリゴマーまたはキトサンオリゴマーを少なくとも含有してなる添加剤を前記天然海水中に溶解して混合せしめ、この混合液中における添加剤の濃度を０．０５〜５０μｇ／ｍｌにするという技術的手段を採用したことによって、海藻類の生長促進方法を完成させた。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: growing a first GaN layer 18 on an SiC substrate 10; and forming a second GaN layer 20, grown under a condition that a ratio of a lateral growth speed to a longitudinal growth speed is smaller than that in the growth of the first GaN layer 18, on the first GaN layer 18.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The method for eliminating the catalyst residue (2) existing on a surface of a solid structure (3) made from a first material and obtained by catalytic growth comprises the following steps of: catalytically growing a solid structure (4) made from a second material from the catalyst residue (2); and selectively eliminating the solid structure (4) made from the second material.例文帳に追加

触媒成長によって得られた、第１材料で作られたソリッド構造体（３）の表面上に存在する触媒残渣（２）を取り除くこの方法は、以下の段階：第２材料で作られたソリッド構造体（４）を前記触媒残渣（２）から触媒成長させる段階と、前記第２材料で作られたソリッド構造体（４）を選択的に取り除く段階と、を含む。 - 特許庁

This method for increasing the production of secondary metabolite in plants comprises performing for plant bodies which have passed a seedling growing period, control of at least one kind of element selected from photosynthesis light quantum flux density, carbon dioxide concentration, light wave length, light period, temperature, humidity and nutrient quantity as elements influencing growth of Saint-John's-wort and Glycyrrhiza family plant.例文帳に追加

植物における二次代謝物の産生を増大せしめる方法であって、植物が、セイヨウオトギリソウ、Glycyrrhiza属である植物の生育に影響する要素である光合成光子量密度、二酸化炭素の濃度、光の波長、明期、温度、湿度および栄養分の量からの少なくとも１種の要素の制御を、成苗期を経過した植物体に対して行うことを含む、前記方法。 - 特許庁

In the ceramic film depositing method for growing a film on a substrate by spraying aerosol containing ceramic powder on the substrate to collide the ceramic powder on the substrate, the ceramic film is deposited by using the highly crystalline ceramic powder in which the half-width of the highest intensity diffraction ray peak of the X-ray diffraction ray when C-Kα ray is used is below 0.3°.例文帳に追加

セラミックス粉体を含むエアロゾルを基板に吹き付け、セラミックス粉体を基板に衝突させることによって基板上に膜を成長させるためのセラミックス膜の形成方法において、Ｃｕ−Ｋα線を使用したときのＸ線回折線の最強度回折線ピークの半値幅が０．３°未満である結晶性の高いセラミックス粉体を用いてセラミックス膜の形成を行う。 - 特許庁

The method for producing a ceramic powder having a perovskite structure includes: a step of forming a seed crystal by mixing a compound of an element corresponding to the A site and a compound of an element corresponding to the B site, in the perovskite structure of ABO_3, with supercritical water by a continuous system; and a step of growing crystal grains by mixing the seed crystal by a batch system.例文帳に追加

本発明によるペロブスカイト構造を有するセラミック粉末の製造方法は、ＡＢＯ_３のペロブスカイト構造において、上記Ａサイトに該当する元素の化合物と上記Ｂサイトに該当する元素の化合物を超臨界水と連続式で混合してシード結晶を形成する段階と、上記シード結晶を配置式で混合して粒成長させる段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a shellfish culture tank which uses a circulation culture tank having participation plates disposed in the water tank to control the directions of water flows and the quantities of the water flows, thereby easily transferring water in a culture tank, stabilizing the quality of the water, and well growing the shellfishes in a proper environment, and to provide a shellfish culture method using the shellfish culture circulation tank.例文帳に追加

水槽内に仕切板を設けた循環式の養殖槽を使用して、水流の方向および水流量に規則性を持たせて養殖槽内の水を移動させやすく、水質を安定なものとするとともに、貝類を好適な環境で良好に成育させることができる、貝類養殖槽及びこれを用いた貝類養殖方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composite filter cleaning a harmful substance discharged from a diesel engine and an incineration furnace of a factory, nitrogen oxide, carbon dioxide and a harmful substance contained in an exhaust gas by an exhaust gas cleaner combined with a composite filter and growing/converting carbon dioxide to calcium carbonate powder, and a recycle utilization method as a resource material.例文帳に追加

ディーゼルエンジンや工場の焼却炉などから排出される有害物質、窒素酸化物及び窒素酸化物、炭酸ガスを複合フィルターを組み合わせた排気ガス清浄機により排気ガス中に含まれた有害物質を清浄化すると共に二酸化炭素を炭酸カルシュウム粉末に育成変換させる複合フィルターの発明と同時に資源材としてのリサイクル利用方法とを提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises: a first step of growing a layer constituting the second semiconductor layer on the first semiconductor layer; a second step of ion-injecting a first-conductivity-type impurity into the entire surface of the layer; and a third step of selectively ion-injecting a second-conductivity-type impurity into portions to be the second semiconductor regions of the layer.例文帳に追加

そして、その製造方法は、前記第１半導体層の上に前記第２半導体層を構成する層を成長する第１の工程と、前記層の全面に第１導電形の不純物をイオン注入する第２の工程と、前記層の前記第２半導体領域となる部分に第２導電形の不純物を選択的にイオン注入する第３の工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal having a practical size for manufacturing a high performance light-emitting diode, an LD or the like without complicating a process, using an expensive reactor, and making the crystal size small; and to provide a method and an apparatus capable of growing such a group III nitride crystal.例文帳に追加

工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal substrate that has high quality essential to growing a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal by liquid-phase epitaxial growth, has lattice constant and thermal expansion coefficient values close to those of a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film and has a composition formula that can be grown by the industrially advantageous CZ method.例文帳に追加

ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal having a practical size for fabricating devices such as high-performance light-emitting diodes or LDs, without complicating processes, without using an expensive reaction vessel and without decreasing the size of the crystal, and to provide a method and an apparatus for growing a crystal enabling to grow the group III nitride crystal.例文帳に追加

工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

The method for joining a metal to a carbon nanotube includes the steps of: growing a carbon nanotube; introducing a sulfur atom into a defect of the carbon nanotube having been grown; and joining at least one metal selected from among Au, Ag, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir, Hg, Si, Ga and As, or an alloy of the metals to the carbon nanotube via the sulfur atom.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｇａ及びＡｓの中から選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。 - 特許庁