「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The composition having optimum neutral cellulase activity at 60°C and pH 7, comprises a cellulase which is isolated by a method comprising growing the genus Chrysosporium wild-type or mutant fungi by culturing them in a proper medium, and has a molecular weight of 25 kD, and a cellulase whose amino acid sequence is encoded by a nucleic acid sequence derived from the wild-type or mutant fungi.例文帳に追加

60℃の温度とpH7で最適な中性セルラーゼ活性を有する組成物は、適正な培地で培養でクリソスポリウム属の野生型又は変異体の菌類を成長させることを含む方法によって分離され、分子量25kDを有し、前記野生型又は変異体の菌類に由来する核酸配列によってアミノ酸配列がコードされたセルラーゼを有する。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for growing a silicon containing film of Si, SiGe or the like, not only immediately above a region where a semiconductor material of Si, SiGe or the like is exposed but also above a region where SiO_2, SiN or the like is exposed while extruding Si laterally.例文帳に追加

ＳｉまたはＳｉＧｅ等の半導体材料が露出している領域直上のみにＳｉやＳｉＧｅ等のシリコン含有膜を選択成長させるのではなく、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等が露出している領域上にもＳｉを横方向にせり出させて成長させる成膜工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing the fluoride single crystal, comprising growing the fluoride single crystal by cooling a melt, obtained by melting a particulate mixture of a particulate fluoride and a particulate scavenger, the average particle diameter df of the fluoride and the average particle diameter ds of the scavenger satisfy following expression: 0.05≤ds/df≤20.例文帳に追加

粒子状のフッ化物に粒子状のスカベンジャーを混合した粒子混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、フッ化物の平均粒径ｄｆ及びスカベンジャーの平均粒径ｄｓが下記式：０．０５≦ｄｓ／ｄｆ≦２０を満たす、フッ化物単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the cellulose electrode supporting the platinum nano-catalyst includes a first step for producing a plate-like cellulose sheet after the cellulose fiber is separated, a second step for growing the carbon nanotube on the produced cellulose sheet and a third step for supporting the platinum nano-catalyst on the cellulose sheet on which the carbon nanotube is grown.例文帳に追加

本発明の白金ナノ触媒が担持されたセルロース電極の製造方法 は、セルロース繊維を分離した後に板状のセルロース板を製造する第１段階と、製造されたセルロース板にカーボンナノチューブを成長させる第２段階と、カーボンナノチューブが成長したセルロース板に白金ナノ触媒を担持する第３段階とを含んでなる。 - 特許庁

To obtain a gene encoding a carrier protein specifically transporting iron without being inhibited by metals even in the presence of the metals such as cadmium, etc., and a plant transformed by the gene and growing healthily by absorbing the iron for its growth sufficiently even in the presence of the metals such as cadmium and reduced with the accumulated amount of cadmium, and also to provide a method for performing environment restoration by using such the transformed plant.例文帳に追加

カドミウム等の金属存在下においても、これらに阻害されることなく鉄を特異的に輸送可能な担体タンパク質をコードする遺伝子と、当該遺伝子により形質転換してカドミウム等の金属存在下においても生育に十分な鉄を吸収して健全に生育し、カドミウム蓄積量が低減された植物体を得る。 - 特許庁

The method of removing the substrate structure includes a step of forming a plurality of peeler-shape bodies on the substrate by a photolithography etching process; a step of growing a group-III nitride semiconductor layer on a plurality of peeler-bodies; a step of chemical-etching a plurality of peeler-bodies; and a step of separating the group-III nitride semiconductor layer from the substrate.例文帳に追加

本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 - 特許庁

As a p-type contact layer composed of AlGaN is grown by a MOVPE method as the uppermost layer of the lamination structure of a GaN series semiconductor to be formed on a substrate, ammonia and an inert gas with respect to the GaN semiconductor are introduced into a growing furnace so that a ratio of ammonia is set to 0 to 0.025, while a temperature of the p-type contact layer is dropped.例文帳に追加

基板上に形成するＧａＮ系半導体の積層構造の最上層として、ＡｌＧａＮからなるｐ型コンタクト層をＭＯＶＰＥ法により成長した後、成長炉内にアンモニアと、ＧａＮ系半導体に対して不活性なガスとを、アンモニアの比率が０〜０．０２５となるように導入しながら、ｐ型コンタクト層の降温を行う。 - 特許庁

This method of manufacturing the thin sheet formed of a metallic or semiconductor material, etc., by bringing a substrate having a growth surface into contact with a melt of the above material and growing the material on the substrate is so constituted that the melt comes to the growth surface side of the thin sheet when viewed from the growth surface side of the thin sheet.例文帳に追加

成長面を有する基板を、金属材料もしくは半導体材料等の融液に接触させ、前記材料を基板に成長させることで、前記材料で形成された薄板を得る薄板製造方法において、基板の薄板成長面側から見たときに、融液が基板の薄板成長面側に向かって来るようにする。 - 特許庁

To provide a single crystal manufacturing apparatus which is capable of continuously and smoothly supplying raw material powder of always the same weight while growing a single crystal and is accordingly capable of manufacturing the large-sized single crystal having a homogenous composition and a desired diameter and a method of manufacturing the single crystal using the same.例文帳に追加

単結晶を育成しながら、常に同じ重量の原料粉末を溶解槽に連続的に円滑に供給することができ、これにより、均質な組成で、しかも目的とする所期の直径を有する大型の単結晶を製造することの可能な単結晶製造装置ならびにこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the zeolite film comprises subjecting a slurry containing seed crystals to crossflow filtration by an alumina porous supporter having 1 μm average pore diameter to make the porous supporter carry a seed crystal layer having 6 μm thickness in the interior of the pore or the surface of the supporter, and growing the seed crystal in the seed crystal layer by hydrothermal synthesis to provide the objective zeolite film having 7 μm thickness.例文帳に追加

種結晶を含有するスラリーを平均細孔径１μｍのアルミナ多孔質支持体でクロスフロー濾過して前記多孔質支持体の細孔内部あるいは表面に厚さ６μｍの種結晶層を担持して、前記種結晶層の種結晶を水熱合成により成長させて厚さ７μｍのゼオライト膜を製膜するゼオライト膜製膜方法。 - 特許庁

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。 - 特許庁

In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth.例文帳に追加

原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 - 特許庁

A method for manufacturing the coil for a charged particle beam apparatus is characterized by forming a metal layer on a substrate for an electrode, then applying resist of 0.1 mm or thicker, removing the resist of the region on which the coil should be formed, by lithography, and growing metal on the region in which the resist has been removed, by electrocasting.例文帳に追加

荷電粒子線装置用のコイルの製造方法であり、基板上に電極用の金属層を形成し、その後、厚さが0.1mm以上のレジストを塗布し、コイルを形成すべき領域のレジストをリソグラフィーにより除去し、レジストが除去された領域に電鋳によって金属を成長させることを特徴とするコイルの製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei.例文帳に追加

特定の対称性の高い結晶方位から１次元方向又は２次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method of a nitride semiconductor, capable of suppressing a pit to be generated in a growing nitride semiconductor layer concerning the vapor deposition of the nitride semiconductor on a nonpolar surface, and allowing the surface roughness of a root mean square in the nitride semiconductor layer to be not more than 5nm in manufacturing a semiconductor device with high performance.例文帳に追加

無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを５ｎｍ以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an artificial quartz crystal having low line defect density in order to solve the extreme difficulty in growing the artificial quartz crystal having the decreased line defects as the generation of growth progresses in the current growth method of using a Y rod or Z plate as the seed quartz crystal.例文帳に追加

現状のＹ棒またはＺ板を種水晶として用いる育成法では、育成の世代が進むにつれて線状欠陥の少ない人工水晶を育成することは非常に困難である．本発明は上記課題を解決するためになされたものであって線状欠陥密度の低い人工水晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for producing the protein by the non-cellular protein synthetic system at the low temperatures is to transcript or translate a nucleic acid coding for the protein at the low temperatures in the non-cellular protein synthetic system containing the extract of the Pseudomonas organism or the extract of the Rhodococcus microorganism growing at the low temperatures.例文帳に追加

低温条件下において無細胞タンパク質合成系によりタンパク質を製造する方法であって、低温で増殖可能なシュードモナス属微生物抽出液またはロドコッカス属微生物抽出液を含む無細胞タンパク質合成系中で低温条件下でタンパク質をコードする核酸の転写および翻訳を行なわせてタンパク質を製造する方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of growing the first electrode on the substrate, mixing the additive and the conductive high polymer to form a mixture, depositing the mixture on the first electrode to form the conductive high polymer layer, depositing the semiconductor layer on the conductive high polymer layer, and evaporating the second electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

その製造方法ステップには、第一電極を基板上に成長させ、添加物と導電性高分子を混合して混合物を形成、混合物を第一電極上に堆積し導電性高分子層を形成、半導体層を導電性高分子層上に堆積、第二電極を半導体層上で蒸着させるステップを含む。 - 特許庁

To produce a flexible water float at an extremely low cost by using plastic or a material made by foaming plastic that is discharged in volume as waste as a main material of a floating body, and to provide a multipurpose flexible water float capable of growing a plant thereon and finding a new method of using on the sea.例文帳に追加

浮力体の材料をプラスチック類または廃棄物として大量に排出されているプラスチック類を発泡したものを主原料に用いることで、極めて廉価に可撓性水上フロートを作成し、このフロート上で植物栽培や、その他新たに海上利用方法を開拓できる、多目的可撓性水上フロートを提案する。 - 特許庁

In this method, an element exhibiting the photorefractive effect is manufactured by growing a III-V compound semiconductor thin film containing As and a group V element on a (411) A-face GaAs substrate, under such a condition where the temperature of the substrate is maintained between 300°C and 700°C, and the V/III ratio is maintained between 5 and 10 and implanting ions into the thin film.例文帳に追加

（４１１）Ａ面のＧａＡｓ基板を用い、基板温度が３００〜７００℃、Ｖ／ＩＩＩ比が５以上且つ１０以下の条件下で、Ｖ族元素がＡｓであるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜を成長させ、そのＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体薄膜にイオン注入を行ってフォトリフラクティブ効果を有する素子を製造する。 - 特許庁

When pulling and growing single crystal 4 from a silicon molten liquid 3 in a quartz crucible 1a by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible at a mass ratio against the silicon raw material of 0.5-35 ppm when the inner wall of the crucible is a synthesized quartz layer and of 1-70 ppm when that is a natural quartz layer.例文帳に追加

ＣＺ法により、石英坩堝１ａ内のシリコン溶融液３から単結晶４を引上げて成長させるに際し、石英坩堝内のシリコン原料に、ＢａＣＯ_3粉末を、坩堝の内壁が合成石英層である場合には、シリコン原料に対する質量比で０．５〜３５ｐｐｍ添加し、天然石英層である場合には１〜７０ｐｐｍ添加する。 - 特許庁

To provide a metal-coated polyimide composite can prevent electroplated copper from running around (reverse running) to a reverse face of a polyimide film, in an adhesive-less flexible laminate (in particular, a bilayer metalizing laminate), or can restrain effectively an edge part of the electroplated copper from growing abnormally in a polyimide film face; a manufacturing method for the composite; and a manufacturing device for the composite.例文帳に追加

無接着剤フレキシブルラミネート（特に、二層メタライジング積層体）における電気めっき銅のポリイミドフィルムの裏面への回り込み（裏回り）防止またはポリイミドフィルム面における電気めっき銅のエッジ部の異常成長を効果的に抑制できる金属被覆ポリイミド複合体、同複合体の製造方法及び同複合体の製造装置を提供する。 - 特許庁

After a GaN semiconductor crystal containing p-type impurities is grown by a vapor-phase growing method, a process is provided in which, at the crystal growth temperature, an atmosphere is changed to a cooling atmosphere containing ammonia by 0.1-30 vol.%, and the semiconductor crystal is cooled in the cooling atmosphere.例文帳に追加

気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体結晶を成長させた後、その結晶成長温度において、雰囲気を、アンモニアを０．１〜３０ｖｏｌ％の割合で含む冷却用雰囲気に切り替え、該冷却用雰囲気中において前記半導体結晶を冷却する工程を有するｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。 - 特許庁

This growth method possesses a process of selectively forming a first surface 1 on the surface of a first nitride semiconductor 1 and a second surface 2 larger in the growth speed of a nitride semiconductor than that first surface, and a process of growing the a second nitride semiconductor 12 on the first surface 1 and the second surface of the first nitride semiconductor 1.例文帳に追加

第１の窒化物半導体１１表面に、選択的に第１の表面１と、該第１の表面１よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第２の表面２とを形成する工程と、該工程の後、第１の窒化物半導体１１の第１の表面１及び第２の表面２に第２の窒化物半導体１２を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the cubic phosphor powder includes: a phosphor growth step of growing a monocrystalline phosphor which emits a wavelength conversion light when excited with a predetermined excitation light; and a division step of mechanically dividing the grown monocrystalline phosphor into the cubic phosphor powder.例文帳に追加

蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal having a practical size for manufacturing a high performance light-emitting diode, an LD or the like without complicating a process, using an expensive reactor, and making the crystal size small; and to provide a method and an apparatus capable of growing such a group III nitride crystal.例文帳に追加

工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal substrate that has high quality essential to growing a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal by liquid-phase epitaxial growth, has lattice constant and thermal expansion coefficient values close to those of a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film and has a composition formula that can be grown by the industrially advantageous CZ method.例文帳に追加

ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: growing a first GaN layer 18 on an SiC substrate 10; and forming a second GaN layer 20, grown under a condition that a ratio of a lateral growth speed to a longitudinal growth speed is smaller than that in the growth of the first GaN layer 18, on the first GaN layer 18.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal having a practical size for fabricating devices such as high-performance light-emitting diodes or LDs, without complicating processes, without using an expensive reaction vessel and without decreasing the size of the crystal, and to provide a method and an apparatus for growing a crystal enabling to grow the group III nitride crystal.例文帳に追加

工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

The method for joining a metal to a carbon nanotube includes the steps of: growing a carbon nanotube; introducing a sulfur atom into a defect of the carbon nanotube having been grown; and joining at least one metal selected from among Au, Ag, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir, Hg, Si, Ga and As, or an alloy of the metals to the carbon nanotube via the sulfur atom.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｇａ及びＡｓの中から選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling device and a method for producing a silicon single crystal using the pulling device, which prevents variation in addition amount of a dopant due to sublimation of the dopant during addition or flipping on a liquid surface of a silicon melt, prevents blow-off of the silicon melt upon blowing a gas to the silicon melt, and allows addition of a dopant even during growing a silicon single crystal.例文帳に追加

ドーパントの添加途中での昇華やシリコン融液の液面上での飛び跳ねによるドーパントの添加具合のばらつき及びガスをシリコン融液に吹き付けた際のシリコン融液の吹き飛びを防止し、かつ、シリコン単結晶の育成中であってもドーパントを添加することが可能なシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a housing tray for mushroom culturing bottles with which arrangement of culturing bottles in the housing tray for mushroom culturing bottles is made appropriate according to respective culture processes in artificial culture of mushroom in a bottle so as to efficiently perform temperature management and for growing mushroom fruit bodies not provided with guide bodies respectively into preferable shapes; and to provide a method for culturing mushroom using the tray.例文帳に追加

茸の人工瓶栽培において、茸の栽培瓶用収容トレイ内における栽培瓶の配列を各栽培工程で適正化することで、温度管理を効率的に行うとともに、ガイド体を装着しない茸の子実体を好適な形状に育成させることが可能な栽培瓶用収容トレイと、これを用いた茸の栽培方法を提供する。 - 特許庁

The colloidal silica can be produced through the steps of preparing an aqueous solution of activated silicic acid by bringing an aqueous solution of an alkali silicate into contact with a cation exchange resin; adding a compound as a potassium ion source and an alkali agent to the aqueous solution of activated silicic acid to make the solution alkaline; forming silica particles by heating; and growing the silica particles by a buildup method.例文帳に追加

これは、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させて、活性珪酸水溶液を調製した後、この活性珪酸水溶液にカリウムイオンのイオンの供給源となる化合物およびアルカリ剤を添加し、アルカリ性とした後、加熱してシリカ粒子を形成させ、続いてビルドアップの手法でシリカ粒子を成長させる工程を有することにより製造することができる。 - 特許庁

The method for eliminating the catalyst residue (2) existing on a surface of a solid structure (3) made from a first material and obtained by catalytic growth comprises the following steps of: catalytically growing a solid structure (4) made from a second material from the catalyst residue (2); and selectively eliminating the solid structure (4) made from the second material.例文帳に追加

触媒成長によって得られた、第１材料で作られたソリッド構造体（３）の表面上に存在する触媒残渣（２）を取り除くこの方法は、以下の段階：第２材料で作られたソリッド構造体（４）を前記触媒残渣（２）から触媒成長させる段階と、前記第２材料で作られたソリッド構造体（４）を選択的に取り除く段階と、を含む。 - 特許庁

For a semiconductor 1, a GaAs substrate 2 is set at a susceptor of MOCVD method, while the GaAs substrate 2 is heated under control, TMA, etc., as III group material, AsH3 as As material, DMHy(dimethyl hydrazine) of an organic nitride compound, etc., as nitrogen material, are supplied into a reaction chamber at the same time for growing with hydrogen as carrier gas.例文帳に追加

半導体１は、ＭＯＣＶＤ法のサセプターにＧａＡｓ基板２をセットし、ＧａＡｓ基板２を加熱制御しつつ、III 族原料としてＴＭＡ等を、Ａｓ原料としてＡｓＨ_3 を、窒素原料として有機系窒素化合物であるＤＭＨｙ等を、キャリアガスとして水素を使用して、これらの原料ガスとキャリアガスを同時に反応室内に供給して成長させる。 - 特許庁

In growing the silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, one or ≥2 kinds of the gases selected from hydride of silicon, hydride of carbon or hydride containing silicon and carbon are incorporated into atmosphere inert gas and the silicon carbide single crystal is grown, by which the silicon carbide single crystal ingot having high quality is obtained.例文帳に追加

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、雰囲気不活性ガス中に珪素の水素化物、炭素の水素化物又は珪素及び炭素を含む水素化物から選ばれる１種又は２種以上のガスを含有させ、炭化珪素単結晶を成長させることにより高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。 - 特許庁

The method includes the following steps: a step where an iron nitrogen gas is produced by reacting an iron halide gas vaporized from an iron halide, a thin film raw material 51, and a nitrogen source gas 7 containing nitrogen; and a step where an epitaxial film 63 of iron nitride is formed on a substrate 61 by epitaxially growing the above iron nitride gas adsorbed under the atmospheric pressure on the substrate 61.例文帳に追加

薄膜原料５１であるハロゲン化鉄を気化させたハロゲン化鉄ガスと窒素を含有した窒素源ガス７とを反応させて窒化鉄ガスを生成するステップと、この窒化鉄ガスを大気圧中で基板６１上に吸着させてエピタキシャル成長させることによって、窒化鉄のエピタキシャル膜６３を基板６１上に生成するステップとを含んでなる方法である。 - 特許庁

To provide a coating composition for forming a construction such as a shore protection wall, river bed, dam, block and fish shelter enabling the growth of aquatic plants on the surface in a short time after installation and having a function to protect the construction, a method for forming a coating film by using the coating composition and a construction having a coating layer having aquatic plant growing function.例文帳に追加

設置後短期間で表面に水生植物の繁殖が可能であり、しかも構造体の保護機能を有する護岸壁、川床、堰堤、ブロック、漁礁等の構造体を形成するための塗料用組成物、該塗料用組成物を使用した塗膜形成方法、並びに水生植物増殖性能を有する塗膜層を有する構造体を提供する。 - 特許庁

The boron nitride nanotube including the cobalt nanowire is manufactured by using a cobalt-made wafer as a substrate and by growing a cobalt-containing carbon nanotube on the substrate by a plasma CVD method using a mixture of a nitrogen gas, a hydrogen gas, and a methane gas, followed by the substitution reaction between the carbon nanotube powder and boron oxide in a nitrogen gas flow at 1,700-2,500K.例文帳に追加

コバルト製のウエハーを基板として用い、窒素ガス、水素ガスおよびメタンガスの混合物のプラズマＣＶＤ法により、コバルト含有カーボンナノチューブを基板上に成長させ、次いでこのカーボンナノチューブの粉末と酸化ホウ素を窒素気流中で１７００Ｋから２５００Ｋの温度で置換反応させることにより、コバルトのナノワイヤーを包含した窒化ホウ素ナノチューブを製造する。 - 特許庁

To provide a weaning food having well-balanced nutrients necessary in growing stage and suitable for the babies and infants suffered with food allergy by using a material having low allergenicity without using eggs, milk and soybean having high allergenicity and provide a method for the mass- production of a weaning food having excellent taste, flavor and palatability and effective for preventing the crisis of food allergy at a low cost.例文帳に追加

アレルゲンの高い卵、牛乳、大豆を使用せずアレルゲン性の低い素材を使用することにより、成長期に必要な栄養のバランスに優れ、食物アレルギーの乳幼児に適した離乳食の提供、及び風味、食味や食感に優れるとともに、食物アレルギーの発症を防ぎ経済性、量産性に優れる離乳食の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for increasing the production of secondary metabolite in plants comprises performing for plant bodies which have passed a seedling growing period, control of at least one kind of element selected from photosynthesis light quantum flux density, carbon dioxide concentration, light wave length, light period, temperature, humidity and nutrient quantity as elements influencing growth of Saint-John's-wort and Glycyrrhiza family plant.例文帳に追加

植物における二次代謝物の産生を増大せしめる方法であって、植物が、セイヨウオトギリソウ、Glycyrrhiza属である植物の生育に影響する要素である光合成光子量密度、二酸化炭素の濃度、光の波長、明期、温度、湿度および栄養分の量からの少なくとも１種の要素の制御を、成苗期を経過した植物体に対して行うことを含む、前記方法。 - 特許庁

In the ceramic film depositing method for growing a film on a substrate by spraying aerosol containing ceramic powder on the substrate to collide the ceramic powder on the substrate, the ceramic film is deposited by using the highly crystalline ceramic powder in which the half-width of the highest intensity diffraction ray peak of the X-ray diffraction ray when C-Kα ray is used is below 0.3°.例文帳に追加

セラミックス粉体を含むエアロゾルを基板に吹き付け、セラミックス粉体を基板に衝突させることによって基板上に膜を成長させるためのセラミックス膜の形成方法において、Ｃｕ−Ｋα線を使用したときのＸ線回折線の最強度回折線ピークの半値幅が０．３°未満である結晶性の高いセラミックス粉体を用いてセラミックス膜の形成を行う。 - 特許庁

The method for producing a ceramic powder having a perovskite structure includes: a step of forming a seed crystal by mixing a compound of an element corresponding to the A site and a compound of an element corresponding to the B site, in the perovskite structure of ABO_3, with supercritical water by a continuous system; and a step of growing crystal grains by mixing the seed crystal by a batch system.例文帳に追加

本発明によるペロブスカイト構造を有するセラミック粉末の製造方法は、ＡＢＯ_３のペロブスカイト構造において、上記Ａサイトに該当する元素の化合物と上記Ｂサイトに該当する元素の化合物を超臨界水と連続式で混合してシード結晶を形成する段階と、上記シード結晶を配置式で混合して粒成長させる段階と、を含む。 - 特許庁