「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a growth apparatus and a growth method of a group III nitride crystal capable of stably growing a high quality group III nitride crystal.例文帳に追加

高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を安定して成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長装置および成長方法を提供する。 - 特許庁

It was grown extensively in Tottori Prefecture until the prosperous time at the beginning of the Showa period, but since it wasn't suitable for modern growing method due to its large ear height, it became distinct in the middle of the Showa period. 例文帳に追加

昭和初期の隆盛までは同県内で多く栽培されていたが、穂丈が高く、現代の農法にあわず、昭和時代中期になっていったん絶滅。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method for culturing trees growing up in a short period and attaining high-yielding, and easily forming fence and creating a tree body having an artificial tree form in garden trees.例文帳に追加

果樹においては早期に成園化と多収穫可能な、また植木においては垣根形成や人工的な樹形形成が容易な仕立て法の開発を課題とする。 - 特許庁

To provide a thin film growing method by which a thin film having sufficient adhesion with a substrate can more swiftly be produced at an increased film deposition rate and to provide a system therefor.例文帳に追加

基板との間に十分な密着力を持った薄膜を、成膜速度を上げて、より迅速に作製できるようにした薄膜成長方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal of a decomposition melting type or an inharmonious compositional substance of large-sized, uniform in composition and small in distortion in a high yield.例文帳に追加

大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method for a semiconductor manufacturing apparatus, capable of removing reaction products adhered to a constituent member thereof, which is not heated to a high temperature at crystal growing.例文帳に追加

結晶成長時に高温にならない構成部材に付着している反応生成物をも除去することが可能な半導体製造装置の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device for preventing remaining of a gap at an interface of thermal oxide films that are growing respectively from the upper and lower directions.例文帳に追加

上下方向からそれぞれ成長する熱酸化膜同士の界面において隙間の残存を防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing an SiC or GaN single crystal on a substrate of an electronic device, by which it is possible to realize good crystallinity at temperatures of ≤1,200°C.例文帳に追加

１２００℃以下の温度で良好な結晶性を得ることができる、電子素子の基板上へのＳｉＣ又はＧａＮ単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for growing the group III nitride crystal comprises steps of: preparing a first group III nitride crystal 10 having an alkali metal element concentration of <1.0×10^18 cm^-3; and growing a second group III nitride crystal 20 on a major surface 10 m of the first group III nitride crystal 10 by the HVPE method at an atmospheric temperature higher than 1,100°C.例文帳に追加

アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０^18ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The method for growing a gallium nitride crystal is a method for growing a gallium nitride crystal on the main surface of an aluminum nitride crystal by a hydride vapor phase growth process, wherein the main surface is the (0001) Al surface of aluminum nitride crystal and the growth temperature of gallium nitride crystal is higher than 1,100°C and lower than 1,400°C.例文帳に追加

本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 - 特許庁

In the method of producing a single crystal material by an edge-defined film-fed growth (EFG) method, the single crystal material having a flat plate form is produced by arranging a seed substrate 130 for crystal- growing in the vertical direction with respect to the longitudinal direction of a liquid pool 304 for growing the single crystal having the flat plate form and pulling up the seed.例文帳に追加

エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース（ＥＦＧ）法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる液だまり３０４の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板１３０を配置して引き上げることにより、平板形状の単結晶材を製造する。 - 特許庁

There is provided a method of growing the super rice C3Ghi with enhanced immunity including anti-atopy activation for selecting and growing an individual having high content of cyanidin 3-glucoside (C3G) by using the pedigree method of breeding after F_3 generation by artificially crossing the rice plant of a black rice line as a mother plant with a large grain rice plant No. 1 as a father plant.例文帳に追加

本発明の抗アトピー活性を有する免疫力増強スーパーＣ３ＧＨｉ稲の育種方法は、黒米系統の稲を母本に、大粒稲１号を父本にして人工交配し、Ｆ_３世代以後から系統育種法によってシアニジン３−グルコシド（Ｃ３Ｇ）含量の高い個体を選抜して育成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal, in which generation of micocracks elongating in a growing single crystal is suppressed by bonding a seed crystal and a graphite base for holding the seed crystal by using a metal carbide layer free from voids; and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same.例文帳に追加

種結晶と種結晶を保持する黒鉛台座とを空隙のない金属炭化物層を用いて結合させることにより、成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of growing the artificial quartz crystal manufactured by a hydrothermal method, the difference between the lattice constant of the quartz crystal to be grown and the lattice constant of a seed crystal is made small considering the growing environment by using the seed crystal containing impurity having a concentration expected in the artificial quartz crystal to be grown.例文帳に追加

上記の目的を達成する為に本発明は、水熱法で製造する人工水晶の育成方法において、育成する人工水晶に想定される濃度の不純物を含む種結晶を用いることで、育成環境を考慮して育成される水晶の格子定数と種結晶の格子定数との差を小さくする。 - 特許庁

To provide a method of flattening/cleaning the surface of a crystalline InP substrate by which the surface of a crystalline InP wafer can be cleaned in atomic order under a superhigh vacuum condition, and to provide a method of growing semiconductor device by molecular beam epitaxy using the method.例文帳に追加

超高真空下でＩｎＰ結晶ウェーハの表面を原子的なオーダーで清浄化するＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a layer capable of executing coating of an area larger than that in the conventional MWP-CVD method and free from the need of the restriction of the growing rate similarly to the case in an HF-CVD method and to provide a device therefor.例文帳に追加

従来のＭＷＰ-ＣＶＤ法よりも大きな面積の被覆を行うことができ、しかもＨＦ-ＣＶＤ法におけると同様に成長速度を制限する必要のない、層を堆積させる方法及び装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method allowing even a person not an expert to easily analyze inorganic components necessary for growth of lawn in a short time, a method for diagnosing excessive or insufficient organic components by use of this analyzing method, and a method for growing lawn by fertilization based on the diagnostic data.例文帳に追加

芝草の生育に必要な無機成分を、専門家でなくても容易に、短時間で分析できる方法と、この分析方法を用いて過不足する無機成分を診断する方法、および診断データに基づき施肥によって芝草を育成する方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device, having a multilayer surface including two or more semiconductor layers different in crystal growing conditions, comprises a temperature-lowering step 20a and a temperature-rising step 20c, after the temperature-lowering step in a crystal growth interrupted step 20 between a crystal growing step 10 of one semiconductor layer and a crystal growing step 12 of another semiconductor layer.例文帳に追加

結晶成長条件の異なる２以上の半導体層を含む多層構造からなる半導体デバイスの製造方法であって、一の半導体層の結晶成長工程１０と他の半導体層の結晶成長工程１２との間における結晶成長中断工程２０において、降温工程２０ａおよび前記降温工程後の昇温工程２０ｃを含む半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a mould-removing sheet capable of being easily adhered to a mould-growing surface such as a ceiling surface and the like and easily peeled off and hardy dangerous to human bodies and a method for removing fungi.例文帳に追加

天井面などのカビ生育面への貼着が容易であり、かつ剥離も容易に行うことができ、かつ人体に対する危険性も少ないカビ取りシート、その製造方法およびカビ取り方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a nitride single crystal by growing on a seed crystal 7 on a susceptor 8 by a sublimation method, the face of the susceptor 8 where the seed crystal 7 is to be stuck is inclined at 0.1 to 2.0° with respect to the horizontal plane.例文帳に追加

昇華法によりサセプター８上の種結晶７上に窒化物単結晶を成長させる製造において、サセプター８の種結晶７を貼り付ける面を、水平面に対して０．１〜２．０度傾斜させる。 - 特許庁

In this manufacturing method, a semiconductor area which is formed by a vapor-phase growing method before can be formed by a heat-treatment to simplify the manufacturing stages and lower the manufacturing cost.例文帳に追加

この製造方法によれば、従来は気相成長法を用いて形成されていた半導体領域を、加熱処理によって形成することができ、製造工程が簡単化されて製造コストの低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal having a large diameter of 150 mm or more by an LEC method where the solid-liquid boundary surface of a growing crystal has an optimum shape and polycrystallization is prevented.例文帳に追加

ＬＥＣ法により結晶径１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止することにある。 - 特許庁

To provide a method for arranged vapor deposition of metal nanoparticles and a method for growing carbon nanotubes using metal nanoparticles, wherein metal nanoparticles having no inclusion of impurities are placed in a uniform particle size at a desired position.例文帳に追加

金属ナノ粒子の配列蒸着方法及び金属ナノ粒子を用いたカーボンナノチューブの成長方法に関し、不純物の混入のない金属ナノ粒子を粒径を揃えて且つ任意の位置に配置する。 - 特許庁

To provide a method of forming a nanohole for CNT growth capable of growing CNT on a surface of the hole bottom even if the hole size is small, a substrate for CNT growth and method for CNT growth.例文帳に追加

ホールサイズが小さい場合でも、ホール底部の表面にＣＮＴを成長せしめることができるＣＮＴ成長用微細ホール形成方法、ＣＮＴ成長用基板及びＣＮＴ成長方法の提供。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for cassette read processing that can realize handling property for the best image read for a cassette containing a recording medium made of columnar crystal grown by a vapor-phase growing method.例文帳に追加

気相成長法により成長した柱状結晶からなる記録媒体を収容するカセッテに最適な画像読取の取扱性を実現できるカセッテ読取処理装置及びカセッテ読取処理方法を提供する。 - 特許庁

In a method for producing a manganese zinc ferrite single crystal by a Bridgman method, a sintered compact raw material having an outer diameter nearly equal to the inner diameter of a crucible for growing the crystal is filled in the crucible as the raw material of the ferrite single crystal.例文帳に追加

ブリッジマン法によるマンガン亜鉛フェライト単結晶の製造方法において、フェライト単結晶の原料として、結晶育成ルツボの内径とほぼ同じ外径を持つ焼結体原料をルツボに充填する。 - 特許庁

To provide a method for producing a soil conditioner that comprises mineral-rich, natural weathered hermatypic coral grains derived from natural materials and is excellent in enhancement of growth of plants and agricultural crops, and to provide a method for growing rice.例文帳に追加

天然素材由来でミネラルが豊富な天然風化造礁サンゴ粒を含有し、植物及び農作物の発育の促進に優れた土壌改良剤の製造方法並びに稲の生育方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a zinc oxide single crystal, by which a high purity and high quality zinc oxide single crystal is stably grown with satisfactory reproducibility, and to provide a zinc oxide raw material to be applied in the method.例文帳に追加

高純度で高品質な酸化亜鉛単結晶を再現性よく安定して成長させることができる酸化亜鉛単結晶の成長方法とこの方法に適用する酸化亜鉛原料を提供する。 - 特許庁

The method for growing the n-type silicon single crystal of P-dope by CZ method is characterized by using a raw material melt having at least one of Ga, In or Al initially added as the secondary dopant to P as a main dopant.例文帳に追加

ＣＺ法によりＰドープのｎ型シリコン単結晶を育成する際に、主ドーパントであるＰに対する副ドーパントとしてＧａ、Ｉｎ又はＡｌの少なくとも１種を初期添加した原料融液を使用する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing long high-quality single crystal SiC, having a large diameter and a fast growing speed while suppressing defects such as a micropipe, and to provide a manufacturing device that can be suitably used for the above method.例文帳に追加

成長速度が速く、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣの製造方法及び製造方法に好適に使用可能な製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method of III-V compound semicon ductor, which makes vapor phase growth method of a semiconductor crystal layer closer to the lattice constant of an InP substrate more than that for one with GaAs substrate on the GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ基板の格子定数よりもＩｎＰ基板の格子定数に近い半導体結晶層を気相成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長法をを提供する。 - 特許庁

To provide a method, with which a surface defect generated in an epitaxially grown crystal can be reduced, in a production method for compound single crystal for epitaxially growing a compound single crystal layer different from a substrate.例文帳に追加

基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、エピタキシャル成長させた結晶内に生じる面欠陥を低減し得る方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon melt, by which production of microdefects in a silicon single crystal caused by bubbles due to inert gas can be prevented, and to provide a method for growing a silicon single crystal.例文帳に追加

不活性ガスに基づく気泡に起因してシリコン単結晶中に微小欠陥が発生するのを防止することができるシリコン融液の形成方法およびシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride crystal, with which reuse of a reaction vessel is made possible by preventing breakage of the reaction vessel, and with which a high-quality crystal is obtained, in growing the nitride crystal with an ammonothermal method.例文帳に追加

アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られる窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing carbon nanotubes in a horizontal and prescribed direction against a substrate without adding an external field, a method for forming wiring using the same, and wiring.例文帳に追加

外場を加えることなく、基板に対し水平方向であってかつ所定の方向にナノチューブを成長させる方法を提供し、さらにこの方法を利用した配線形成方法及び配線を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride semiconductor crystal capable of suppressing the generation of miscellaneous crystals in growing GaN crystal by a Na flux method and an apparatus for producing a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成において、雑晶の発生を抑制することができるIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a single crystal with stable quality without lowering the product yield when a silicon single crystal is made to grow by a continuous charging type of the HMCZ method.例文帳に追加

連続チャージ方式のＨＭＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、製品歩留りを低下させることなく、安定した品質の単結晶を育成することができる単結晶育成方法を提供する。 - 特許庁

The method includes an example method including growing a first layer 20 of oxide on first and second facets 16a, 12a, with the first facet 16a having a faster oxide growth rate.例文帳に追加

第１のファセット１６ａ及び第２のファセット１２ａ上に酸化物の第１の層２０を成長させる段階を含み、第１のファセット１６ａがより速い酸化物成長速度を有する例示的方法を含む。 - 特許庁

In the method for producing the Ga-doped silicon single crystal by a Czochralski method, the Ga-doped silicon single crystal is produced by growing the single crystal by adding a Ga-compound being solid at the ordinary temperature.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりＧａ（ガリウム）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、常温で固体であるＧａ化合物を添加して単結晶の成長を行うＧａドープシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

In this method for producing a silicon single crystal ingot by applying a Czochralski method, the silicon single crystal ingot is produced by growing a silicon single crystal under an atmosphere obtained by mixing an inert gas with gaseous ammonia and a gaseous hydrocarbon.例文帳に追加

チョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶インゴットの製造方法において、不活性ガスにアンモニアガスおよび炭化水素ガスを混合した雰囲気でシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal in which development of microscopic defects extending in a grown single crystal are inhibited, and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same.例文帳に追加

成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, INTEGRATED LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, METHOD OF GROWING NITRIDE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SUBSTRATE FOR GROWING NTRIDE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, LUMINOUS-SOURCE CELL UNIT, BACKLIGHT, LIGHTING DEVICE AND DISPLAY FOR LIGHT-EMITTING DIODE, ELECTRONIC APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device having superior light emission characteristics, the method being capable of forming a buffer layer on a substrate using a reactive sputter method and growing a group III nitride semiconductor superior in crystallinity thereon.例文帳に追加

基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A greening method comprises growing moss on the surfaces of the granular bodies having fine pores at a rice field, storing the moss-applied granular bodies, carrying the granular bodies to a place necessary to be greened, and dispersing the granular bodies to green the place.例文帳に追加

穂場にて細孔を有する粒状体の表面にコケを育成させ、当該コケ付き粒状体を保管し、緑化を必要とする場所に運搬撒くことで緑化する。 - 特許庁