「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a greening block strongly integrated with lawn roots and soil for growing plants, returning to natural soil by easily crushing in final treatment, and to provide a method for forming the same.例文帳に追加

芝の根と育成土壌とが強力に一体化され、最終処理の際には容易に破砕でき自然土に還元可能な緑化ブロック及びその成形方法を得ること。 - 特許庁

To provide an MOVPE growth apparatus capable of keeping mirror surface state without contaminating the surface condition of an epitaxial wafer after growing, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

成長後のエピタキシャルウェハの表面状態を汚さず鏡面に保つことを可能にしたＭＯＶＰＥ成長装置及び成長方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a fabrication method for growing a large amount of metallic nanowires on a substrate without carrying out a lithography process.例文帳に追加

本発明は、金属ナノ線を、リソグラフィー工程を行うことなく、工程中に基板上に多量に成長させ得る金属ナノ線の製造方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide a method for cultivating sweet potato, capable of growing seeding thereof from its single-leafed single node, also improving propagation rate and reducing the generation of round sweet potato as less as possible.例文帳に追加

本発明は、さつまいもを単葉単節から育苗でき、しかも増殖率を高め、丸イモの発生を極力少なくする方法の開発を課題とする。 - 特許庁

To provide a partial SOI substrate which can produce no void while eliminating the need for epitaxially growing a continuous part between an active layer and a bulk layer, and also to provide a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

活性層とバルク層との連続部分にエピタキシャル成長させる必要がなく、ボイドも発生しない部分ＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for easily producing an oxide single crystal by impressing an electric field and/or a magnetic field at the time of growing the crystal.例文帳に追加

結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ferroelectric thin film of high quality consisting of crystal grains with small and uniform sizes, with a MOCVD technique in a short period of time (with a high growth rate).例文帳に追加

結晶粒のサイズが小さくて均一な良質の強誘電体薄膜を、ＭＯＣＶＤ法を用いて短時間（高い成長速度）で成長することを可能にする。 - 特許庁

To provide a crystal growth method capable of growing a high-crystallinity and high-quality group III element nitride crystal without using any seed crystal.例文帳に追加

種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous processing method of sludge that is capable of being eco-friendly discharged or of utilizing it as a fertilizer or a cultivating soil for growing plants.例文帳に追加

ヘドロを、環境に優しく廃棄でき、又は植物育成のための肥料若しくは培土として利用することができるヘドロの工業的有利な処理方法を提供する。 - 特許庁

The layer 3 is formed by an epitaxially growing method on the substrate 2, comprising an n^--type semiconductor layer of orientation (100).例文帳に追加

ｎ^−型半導体層３は、半導体基板２上にエピタキシャル成長方法によって形成され、その面方位が（１００）面のｎ^−型の半導体層から構成されている。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor thin film having a flat interface and an upper surface, and to provide a semiconductor element that exhibits superior characteristics using the same.例文帳に追加

平坦な界面及び上面を有する半導体薄膜の成長方法を提供し、これを用いて優れた特性を発揮する半導体素子を提供する。 - 特許庁

To prevent tungsten from abnormally growing on a contact hole when the tungsten is deposited by a method for forming a tungsten plug in the contact hole through an adhesive layer.例文帳に追加

コンタクトホール内に密着層を介してタングステンプラグを形成する方法において、タングステンの堆積時に、コンタクトホール上にタングステンの異常成長が生じないようにする。 - 特許庁

SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR SELF-SUPPORTING SUBSTRATE AND TRANSISTOR, AND METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置 - 特許庁

To provide an improved method for growing a growth layer on a substrate where the thermal expansion coefficient and/or lattice constant of the layer is largely different from that of the substrate.例文帳に追加

基板上に、熱膨張係数及び／又は格子定数がその基板と大幅に相違する成長層を成長させるための改良された方法を提供すること。 - 特許庁

This is a manufacturing method of a foundation for epitaxially growing a highly crystalline oxide thin film on an amorphous silica glass and that of a Pt single crystal thin film.例文帳に追加

非晶質であるシリカガラス上に高結晶性の酸化物薄膜をエピタキシャル成長させるための下地及び電極となるPt単結晶薄膜の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes is carried out by disposing a metal thin wire 2 or a metal tape on a holding chip 1 and growing carbon nanotubes 5 on the metal thin wire or the metal tape by chemical vapor deposition.例文帳に追加

保持片１ 上に金属細線２ または金属テープを配し、金属細線または金属テープ上に化学蒸着法によりカーボンナノチューブ５ を成長させる。 - 特許庁

This method is characterized by spraying magnetic activated water on the scalp under warming and pressure, washing oil content or dandruff which fills poil foramen and giving irritation to hair roots to permit hair growing.例文帳に追加

磁気活性水を加温と加圧して頭皮に噴霧し、毛孔を塞いでいる油分やふけを洗浄し毛根に刺激を与え発毛可能にすることを特徴とする。 - 特許庁

The surface of a metallic glass alloy 1 includes an intermediate treatment layer 2 formed in a manner to grow roots from the metallic glass alloy 1 by the GIL (growing integration layers) method.例文帳に追加

金属ガラス合金１の表面に、ＧＩＬ法により、その金属ガラス合金１から根を生やした状態で形成された中間処理層２を有している。 - 特許庁

To provide a method for forming an SiC layer of good quality on a GaAs layer or the like by adopting nitrogen in 20% or more of a growing atmosphere.例文帳に追加

本発明の目的は、成長雰囲気の２０％以上を窒素とすることによって、良質なSiC層をGaAs層などの上に形成する方法を提供するものである。 - 特許庁

In this construction method for the greening of the roof floor, units, where a plurality of plant growing containers subjected to the settled planting of evergreen plants are planarly arranged/fixed in a dispersed manner, are disposed on the roof floor.例文帳に追加

常緑性植物を定植した複数の植物育成容器を平面状に分散配置・固定してなるユニットを、屋上に配列する屋上緑化工法。 - 特許庁

The method further includes growing an insulating layer formed over the silicon layer by consuming a portion of the silicon layer and the first type of dopant.例文帳に追加

本方法は、シリコン層および第１の種類のドーパントの一部分を消費することによって、シリコン層上に形成された絶縁層を成長させることをさらに含む。 - 特許庁

To be capable of growing a high quality and large crystal in an apparatus for crystal growth to obtain a gallium nitride single crystal by the sodium flux method.例文帳に追加

いわゆるナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を得るようにした結晶育成装置において、高品質で大きな結晶を育成できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor crystal where the high quality semiconductor crystal can be obtained with excellent reproducibility and to provide the semiconductor crystal having homogeneous dislocation density.例文帳に追加

高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device of simultaneously growing plural single crystals stably from one crucible using a crucible of same size as before or larger size than before.例文帳に追加

従来通りあるいはそれ以上の大きさのルツボを用いながら、１つのルツボから同時に複数の単結晶を安定して成長させる方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling up and growing a semiconductor single crystal containing no COP at a high productivity while solving problems occurring along with the increase in bore diameter of the crystal.例文帳に追加

結晶の大口径化に伴い発生する問題を解決しつつ、生産性高く、ＣＯＰの無い半導体単結晶を引き上げ成長させる方法を提供する。 - 特許庁

The method for planting on a greening base comprises growing plants 4' on a greening base 1 comprising a ceramic porous body 3 having continuous pores by using small amount of soil and/or clay 11.例文帳に追加

連続気孔を有したセラミック多孔体３よりなる緑化用基盤１に対し少量の土壌及び／又は粘土１１を用いて植物４を植栽する。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide single crystal 10 comprises growing a bulky silicon carbide single crystal 10 on a growth surface of a dislocation controlling seed crystal 1.例文帳に追加

転位制御種結晶１の成長面上に、バルク状の炭化ケイ素単結晶１０を成長させて炭化ケイ素単結晶１０を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III-V nitride-based semiconductor self-standing substrate having a prescribed off angle suitable for epitaxially growing a group III-V nitride-based semiconductor.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物系半導体のエピタキシャル成長に好適な所定のオフ角を有するIII−Ｖ族窒化物系半導体自立基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing and setting aquatic plants capable of setting the plants even in places where the setting of the plants have been impossible because of big waves and big flow velocities.例文帳に追加

波浪の大きい場所や、流水速度が大きく、従来植栽が出来なかった場所でも植物の定植が可能な水生植物の成育、定植方法の提供。 - 特許庁

To provide a method by which a high quality compound semiconductor single crystal can be manufactured in a high yield by preventing polycrystallization at the time of growing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体単結晶の育成時の多結晶化を防止して、高品質の化合物半導体単結晶を高い収率で製造し得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing an AlN crystal whereby a large AlN crystal can be obtained, an AlN crystal substrate and a semiconductor device containing the AlN crystal substrate.例文帳に追加

大型のＡｌＮ結晶が得られるＡｌＮ結晶の成長方法、ＡｌＮ結晶基板およびＡｌＮ結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing crystals which enlarges the area of a crystal to be grown while maintaining crystallizing property satisfactory, a crystal substrate, and a semiconductor device.例文帳に追加

結晶性を良好に維持するとともに、成長させる結晶の面積を大きくする結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing compound semiconductor single crystal, capable of growing a single crystal furnished with orientation flat enabling crystal plane azimuth to be easily determined.例文帳に追加

結晶面方位の割り出しを簡易に行えるオリエンテーションフラットを備えた単結晶を育成できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a crystal growth control method for self-organizedly growing an array of quantum dot structure with a high position controllability and high size controllability on a substrate.例文帳に追加

基板上に量子ドット構造の配列を、高い位置制御性と高いサイズ制御性で、自己組織化的に成長させる結晶成長法制御法を提供すること。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal growth method capable of growing a silicon single crystal of a large weight attendant on diameter enlargement safely while avoiding its fall.例文帳に追加

大口径化に伴う大重量のシリコン単結晶を落下させることなく安全に育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst line chemical vapor phase growing apparatus and a regenerating method of a catalyst line capable of prolonging the life of the catalyst line and of enhancing productivity.例文帳に追加

触媒線の寿命を長期化し、生産性の向上を図ることができる触媒線化学気相成長装置および触媒線の再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride semiconductor, by which the nitride semiconductor having a good crystal state can be grown on a crystalline nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

結晶性の窒化物半導体基板上に、結晶状態の良好な窒化物半導体を成長させることが可能な窒化物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a gallium nitride single crystal for improving characteristics of various devices, by which a high quality gallium nitride single crystal almost free of crystal defects can be manufactured.例文帳に追加

各種デバイスの特性向上のため、結晶欠陥の少ない高品質の窒化ガリウム単結晶を作製可能な窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

Then, a buffer layer 3 made of a gallium nitride and a piezoelectric film 4 made of an aluminum nitride are deposited by an epitaxial growing method on a substrate 2 for formation made of a silicon carbide.例文帳に追加

次に、炭化シリコンからなる形成用基板２の上に窒化ガリウムからなるバッファ層３、窒化アルミニウムからなる圧電膜４をエピタキシャル成長法により堆積する。 - 特許庁

The epitaxial wafer is produced by growing an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer which is cut out from the single crystal pulled up by the above method.例文帳に追加

(2) 上記(1)の方法によって引上げられた単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面上に、エピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハである。 - 特許庁

The method for cultivating the animal feed plant includes adding the vegetable lactobacillus bacteria or both of the vegetable lactobacillus bacteria and the calcium to the growing vegetable.例文帳に追加

本願発明の動物飼料用植物栽培方法は、生育中の植物に、植物性乳酸菌又は、植物性乳酸菌及びカルシウムを付与する方法である。 - 特許庁

In the apparatus/method for manufacturing the crystal from a solution, it becomes possible to manufacture a thin film-like crystal by growing the crystal in a closed space 301.例文帳に追加

溶液からの結晶作製装置／方法において、密閉空間内３０１で結晶成長を行うことで薄膜状結晶を作製することが可能になる。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor single crystal, by which the compound semiconductor single crystal can be obtained with good reproducibility, and a device using the same.例文帳に追加

再現性よく化合物半導体単結晶を得ることができる化合物半導体単結晶の成長方法及びそれを用いた成長装置を提供する。 - 特許庁

To reuse a reaction vessel by preventing breakage of the reaction vessel, when growing a nitride crystal by ammonothermal method, and to obtain a high-quality crystal.例文帳に追加

アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られるようにすること。 - 特許庁

To provide a substrate capable of growing thereon a hexagonal semiconductor crystal among group 3 element nitride semiconductor crystals, and to provide its production method.例文帳に追加

基板上に３族窒化物半導体結晶のうち六方晶系の半導体結晶を成長させることが出来る基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁