「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the semiconductor device formed in a plurality of device regions on a substrate, comprising semiconductor layers, comprises a groove forming step for forming a groove on the substrate at the circumference of the device region, and a semiconductor growing step for growing a semiconductor layer in the device region.例文帳に追加

基板上の複数の半導体層からなるデバイス領域に形成される半導体装置の製造方法であって、デバイス領域の周囲の基板上に溝を形成する溝形成ステップと、デバイス領域に半導体層を成長させる半導体成長ステップとを有する。 - 特許庁

To provide a method for growing seeds by combining various effective treatments and selections for establishing and reinforcing a fixation to make the improvement of cultivation properties of their posterity as effective, since in addition to the selective growing of the seeds obtained from an inclusive mutation of the seeds, an environmental mutation has a property to transmit superiority to the posterity although its fixing rate is low.例文帳に追加

〔課題〕 種子の包含変異からの選拔育種に加えて、環境変異も、固定度は低いが、後代に優良性が伝わる性質があるから、いろいろ有効な処理と選拔を組合わせて、固定化を定着強化して、後代の栽培性の改良を有効にする。 - 特許庁

A method of growing the semiconductor includes a step of raising the temperature to about 1000°C which is a temperature capable of being evaporating oxygen and the moisture as an impurity in nitrogen in the reactor 2 polluted by impurities, a step of maintaining the temperature for 5 minutes and beginning to bur in the reactor 2, and thereafter growing the semiconductor crystal.例文帳に追加

不純物で汚染された反応炉２内を、窒素中の不純物である酸素や水分を蒸発しうる温度である成長温度１０００℃程度まで昇温し、その温度を５分間維持して反応炉２内を焼き出し、その後に半導体結晶の成長を行う。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor film, capable of forming the semiconductor film of a III-V group compound containing nitrogen (N) having few impurities and a good crystalline quality, and also to provide a device for purifying a nitrogen raw material, a device for growing the semiconductor film, a semiconductor laser, and an optical communication system.例文帳に追加

不純物が少なく結晶品質の良い窒素（Ｎ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜を作製することの可能な半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システムを提供する。 - 特許庁

THis method for producing the DAST crystals by generating nuclei in solution obtained by dissolving the DAST, growing the nuclei in the solution for forming the DAST crystals is provided by using a higher temperature as the growing temperature than that at the time of generating the nuclei.例文帳に追加

ＤＡＳＴ（４−ジメチルアミノ−Ｎ−メチル−４−スチルバゾリウムトシレート）を溶解した溶液中で核を発生させその核を当該溶液中で育成することによりＤＡＳＴ結晶を形成するＤＡＳＴ結晶の製造方法において、育成温度を核発生時よりも高い温度にする。 - 特許庁

To provide a method for growing a III-V compound semiconductor capable of improving the crystal quality of GaAs, when growing the III-V compound semiconductor containing gallium and indium as a group III element and containing arsenic and nitrogen as group V elements, and GaAs.例文帳に追加

III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共にＶ族元素としてヒ素及び窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体およびＧａＡｓを成長する際に、ＧａＡｓの結晶品質を向上可能なIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

The method of growing semiconductor crystal of group II-V element on a substrate is comprised of following steps: (a) a step for preprocessing the substrate; (b) a step for growing a semiconductor crystal of group II-VI element on the surface of the substrate on a polar surface of group II element.例文帳に追加

基板上にＩＩ−ＶＩ族の半導体結晶を成長させる方法であって、（ａ）基板表面に所定の前処理を行う工程と、（ｂ）前記基板の表面上にＩＩ−ＶＩ族の半導体結晶をＩＩ族原子の極性面で成長する工程とを含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the plate-like silicon by bringing a substrate having a growing plane into contact with silicon molten liquid to grow silicon on the substrate, the plate-like silicon having small fluctuation of quality is obtained by dividing the substrate having the growing plane of the plate-like silicon.例文帳に追加

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。 - 特許庁

AQUEOUS SOLUTION HAVING PROPERTY FOR FORMING CLATHRATE HYDRATE, CLATHRATE HYDRATE CONTAINING QUATERNARY AMMONIUM SALT AS GUEST COMPOUND, SLURRY OF THE CLATHRATE HYDRATE, METHOD FOR PRODUCING CLATHRATE HYDRATE, METHOD FOR INCREASING RATE OF GENERATING OR GROWING CLATHRATE HYDRATE, AND METHOD FOR PREVENTING OR REDUCING SUPERCOOLING PHENOMENON CAUSED WHEN GENERATING OR GROWING CLATHRATE HYDRATE例文帳に追加

包接水和物を生成する性質を有する水溶液、第四級アンモニウム塩をゲスト化合物とする包接水和物及び当該包接水和物のスラリ並びに、包接水和物の生成方法、包接水和物が生成又は成長する速度を増加させる方法及び包接水和物が生成又は成長する際に起こる過冷却現象を防止又は抑制する方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving adhesiveness between buried oxide films growing vertically in each cavity.例文帳に追加

空洞部内において上下方向からそれぞれ成長してくる埋め込み酸化膜同士の密着性を向上できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes, after the step of preparing the substrate 10 and before the step of growing a GaN crystal 20, a step of etching the principal plane 10m of the substrate 10.例文帳に追加

また、基板１０を準備する工程の後、ＧａＮ結晶２０を成長させる工程の前に、基板１０の主面１０ｍをエッチングする工程を、さらに備える。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal, by which the generation of extra nuclei is suppressed, and a large-sized, high quality group III nitride crystal can be manufactured.例文帳に追加

余分な核発生を抑え、大型かつ高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for growing a crystal capable of using a quartz crucible for a long term and improving the operational efficiency.例文帳に追加

石英坩堝のより長期的な使用を可能とし、しかも稼働効率の改善を図ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the light emitting element includes a step of forming the upper clad layer at a temperature higher than the growing temperature of the evaporation preventing layer.例文帳に追加

また、蒸発防止層の成長温度より高い温度で上部クラッド層を形成する工程を設けた化合物半導体発光素子の製造方法を提示する。 - 特許庁

To provide a device and a method for growing a GaN-based semiconductor crystal film having good quality by inexpensive and simple constitution.例文帳に追加

本発明は安価かつ簡単な構成で良質なＧａＮ系半導体結晶膜を成長させる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sheet type wafer cleaning device which prevents a trace of a streak of a water droplet from growing on a wafer after drying, and a semiconductor device.例文帳に追加

乾燥後のウェハ上に筋状の水滴の痕が発生するのを防ぐことができる枚葉型ウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

There are prepared a single crystal and a solid solution where rare earth elements Ce, Tb, Eu, and Lu are added by 0.5 to 1 mol % to α-Al_2 O_3 with a floating zone growing method.例文帳に追加

浮遊帯域成長法によりα−Ａｌ_２ Ｏ_３ に希土類元素、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｌｕを０．５〜１ｍｏｌ％添加した単結晶及び固溶体を作製した。 - 特許庁

To provide a method for improving an underwater environment, having excellent effects on preventing denudation of seashore and an occurrence of a red tide, creating algal fields or recuperating an alga-growing environment.例文帳に追加

磯焼けの防止、赤潮の発生防止、藻場の造成や海藻成育環境の修復などに優れた効果が得られる水中の環境改善方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing aquatic life from growing on a submerged structure by a convenient operation at a low cost without landing the submerged structure.例文帳に追加

水中構造物を陸揚げする必要がなく、操作が簡便であり、低コストで行うことができる水中構造物の水棲生物付着防止方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a forming method for a bismuth-based ferroelectric thin film, capable of inhibiting crystal from growing in a direction of c-axis without deteriorating origination properties in directions of a-axis and b-axis.例文帳に追加

ａ、ｂ軸方向への配向性を損なうことなく、ｃ軸方向への結晶の成長が抑制されたＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a technology for growing crystal of BIG in which the amount of lead contained in BIG can be reduced to 0.1 wt.%, in the LPE method employing lead as a flux component.例文帳に追加

鉛をフラックス成分とするＬＰＥ法において、ＢＩＧに含まれる鉛の量を０.１重量％に減らすことのできるＢＩＧの結晶育成技術。 - 特許庁

To provide a vertical vapor growth apparatus and a manufacturing method of a semiconductor element, capable of actualizing uniformity in crystal quality in crystals growing on a substrate surface.例文帳に追加

基板面に成長する結晶における結晶品質の均一化を実現し得る縦型の気相成長装置、及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for gelling a detergent such as a mold cleaner, a bleaching agent, a toilet detergent and a pipe cleaning agent at a target site such as a mold growing site and a stained site.例文帳に追加

本発明は、目的カビ発生個所や汚れ箇所でゲル化し、カビ取り剤、漂白剤、トイレ洗浄剤、パイプ洗浄剤等の洗剤のゲル化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which the semiconductor device having high quality is obtained by crystal-growing group-III nitride of high quality on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a nitride crystal that can reduce coloring caused by oxygen taken into the crystal in growing the nitride crystal by a flux method.例文帳に追加

窒化物結晶をフラックス法で育成する場合に、結晶の酸素取り込みによる着色を低減することが可能な窒化物結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial-growing CdTe-system semiconductor substrate that can grow a good-quality epitaxial crystal, and a CdTe-system semiconductor substrate.例文帳に追加

良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用のＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法及びＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide the growth method of a Group-III nitride semiconductor capable of growing the crystal of the Group-III nitride semiconductor having a comparatively small film thickness and an excellent crystallizability.例文帳に追加

比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal by which a group III nitride crystal having a uniform thickness within a crystal growth plane is grown.例文帳に追加

結晶成長面内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal for growing a silicon single crystal having oxygen concentration as low as not more than 8×10^17 atoms/cm^3.例文帳に追加

８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有するシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal, for growing a silicon single crystal having oxygen concentration as low as not more than 8×10^17 atoms/cm^3.例文帳に追加

８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for providing plant growing information enabling even an ordinary person who lacks plant raising knowledge to obtain a desired growth result without fail.例文帳に追加

植物育成の知識が不足している一般人にとっても希望する育成結果が失敗なく得られる植物育成情報の提供方法を提供することにある。 - 特許庁

The method for immobilizing the metallic nanoparticles has a first step of sticking metal nuclei onto a substrate surface and a second step of growing the nuclei sticking to the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面上に金属の核種を付着させる第１のステップと、前記基板表面上に付着した核種を成長させる第２のステップとを備える。 - 特許庁

To provide a crystal growing device capable of controlling the evaporation speed of a solvent in the crystallization of protein due to a vapor diffusion method even if the kind or concentration of a precipitating medium is not changed.例文帳に追加

蒸気拡散法による蛋白質の結晶化において、沈殿剤の種類や濃度を変えなくても、溶媒の蒸発速度を制御できる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a crucible for growth of a crystal and a method for growing a crystal to improve crystal quality, improve a yield, and improve a crystal growth rate.例文帳に追加

結晶品質の向上、歩留り向上および結晶成長速度の改善を図ることができる結晶成長用ルツボおよび結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

The method includes providing a nickel aluminide intermetallic overlay coating on a superalloy substrate 22 and growing a controlled aluminum oxide on the overlay coating.例文帳に追加

超合金基材２２上にニッケルアルミナイド金属間化合物オーバレイ皮膜を形成する段階と、オーバレイ皮膜上に制御した酸化アルミニウムを成長させる段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method for efficiently purifying water, especially water in which sphagnum and algae are growing, without using a chemical substance, such as chlorine, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

水、特に水苔や藻が発生している水を塩素等の化学物質を使用することなく効率よく除去する方法、及びその装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for cultivating mushrooms by which the mushrooms growing upward from a plurality of cultivation bottles arranged and stored in a container are grown upward straightly.例文帳に追加

コンテナ内に並べて収容した複数本の各きのこ栽培瓶の上方に伸長するきのこを上方に向けて真っ直ぐに生育させるきのこ栽培方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor layer having a uniform composition and a uniform thickness to an epitaxial film by heating a substrate at a uniform temperature, and to provide a growth device.例文帳に追加

基板を均一な温度に加熱することにより均一な組成と厚さの化合物半導体層をエピタキシャル膜を成長させる方法及び装置を得ることにある。 - 特許庁

To simply suppress solidification of silicon easily generated from the inner wall of a quartz crucible in pull-up growing of a silicon single crystal by MCZ method using a cusp magnetic field.例文帳に追加

カスプ磁場を用いたＭＣＺ法によるシリコン単結晶の引き上げ育成において、石英ルツボの内壁から発生し易いシリコン固化を簡便に抑制する。 - 特許庁

To provide a method for producing polycrystalline silicon which increases the thickness of a silicon rod with preventing meltdown of the silicon rod and maintaining a high growing rate and a high yield under the conditions of a high pressure state and supplying a large amount of the raw material.例文帳に追加

高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。 - 特許庁

Or, the method for planting capable of suppressing the plant growth is provided by sowing or transplanting a plant capable of growing in the above plant growth suppressing ground.例文帳に追加

また、上述の植物生育抑制地盤で生育可能な植物を播種もしくは植え付けることにより、植物の生育を抑制する植栽方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a bulk acoustic wave device comprising providing a growth substrate and growing a Group-III nitride epitaxial layer on the growth substrate.例文帳に追加

成長基板を設けるステップと、成長基板上にＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル層を成長させるステップを有するバルク音響波デバイスの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that can increase a growing rate of an epitaxial layer without greatly increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を大幅に増加させることなしに、エピタキシャル層の成長レートを早くすることができる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nano-carbon material composite substrate capable of favorably patterning and growing a nano-carbon material on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板にナノ炭素材料を好適にパターニングして成長させること出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal by which a silicon single crystal having a stable quality can be grown by suppressing the oxygen concentration from becoming high at an upper part of a straight body part.例文帳に追加

直胴部の上部の高酸素化を抑制し、安定した品質のシリコン単結晶を育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁