「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR IDENTIFYING AND SPECIFICALLY DETECTING SLOWLY GROWING MYCOBACTERIA USING CHARACTERISTIC BASE SEQUENCE PRESENT IN DNA GYRASE GENE例文帳に追加

ＤＮＡジャイレース遺伝子中に存在する特徴的な塩基配列を用いた遅発育性マイコバクテリアの同定法及び特異的検出法 - 特許庁

The nitride semiconductor crystal 2 is formed by an MOCVD method etc., and its growing surface grows on the non- or semi-polar surface.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。 - 特許庁

To provide a method capable of growing a carbon fiber with sufficient length and density without interposing a substrate film between a substrate and a catalyst film.例文帳に追加

基板と触媒膜との間に下地膜を介在させなくても、カーボンファイバを十分な長さと密度とで成長させることを可能とする。 - 特許庁

The method for growing a single silicon crystal further contains controlling the rotation rate of the crucible to ≤5 rotations/min and controlling the rotation rate of the single crystal to ≥13 rotations/min.例文帳に追加

(4)るつぼの回転速度を5回転／分以下、かつ単結晶の回転速度を13回転／分以上とする(1)のシリコン単結晶育成方法。 - 特許庁

To provide a method of growing a thin oxynitride film on a substrate by adding a high concentration nitrogen to an oxynitrid film using a water-vapor thermal-oxidation process.例文帳に追加

水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple device which promotes hair growing by imparting stimuli to the scalp by magnetic rollers rotated by an electric motor as a method of scalp massage.例文帳に追加

頭皮マッサージの方法として、電動モータで回転させた磁気ローラーで刺激を与え、育毛を促進させる簡便な装置を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL PROVIDED WITH RIGID SUPPORT INVOLVING CARBON DOPING, RESISTIVITY CONTROL AND TEMPERATURE GRADIENT CONTROL例文帳に追加

炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 - 特許庁

This method for producing the improved blueberry tree is provided by grafting a new head of the tree of the High bush family blueberry as a scion on a stock of a young tree of around 1 year of the Rabbit eye family blueberry, and growing.例文帳に追加

１年前後の若木のラビットアイ系ブルーベリー台木に、穂木としてハイブッシュ系ブルーベリーの新梢を接ぎ木して育成する。 - 特許庁

The method is characterized as suppressing the growth of silicon single-crystal particles, by dividing the production process to form a polycrystalline silicon film 204 into a growing process of a first polycrystalline silicon film 204a and a growing production process of a second polycrystalline silicon film 204b.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０４を形成する工程を第１の多結晶シリコン膜２０４ａの成長工程と第２の多結晶シリコン膜２０４ｂの成長工程とに分け、シリコン単結晶粒の成長を抑えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for composite bonding of a seed crystal for growing a SiC single crystal by a solution growth technique, whereby high growth speed can be achieved by preventing breaking and separation of the seed crystal when growing the SiC single crystal by the solution growth technique.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶を成長する際の種結晶の破壊・剥離を防止して高い成長速度を達成し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶の複合接着方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for growing a crystal and a method thereof, recovering a crystal from a state of oxygen deficiency by annealing after growing the crystal and preventing cracks in the crystal in the process of producing a single crystal to be used as a substrate of an optical device or the like.例文帳に追加

光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZnO oxide semiconductor with excellent crystallinity and for growing a ZnO oxide semiconductor layer of low remaining-carrier concentration and provide a semiconductor light-emitting device, such as light-emitting diode and laser diode, having superior light- emission efficiency.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体を結晶性よく成長し、残留キャリア濃度の低いＺｎＯ系酸化物半導体層を成長すると共に、発光効率の優れた発光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a group III-V compound semiconductor 1 includes a step of preparing a substrate 10 and a growing step of growing a p-type semiconductor layer 11 composed of the group III-V compound semiconductor 1 on the substrate 10.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１からなるｐ型半導体層１１を成長させる成長工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a golden crucible for single crystal growing which is not deformed even when it is used for growing a garnet single crystal by a liquid phase epitaxial (LPE) method.例文帳に追加

本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により単結晶を育成する際に使用する単結晶育成用ルツボに関し、ガーネット単結晶を育成する際に変形しない金製の単結晶育成用ルツボを提供することを目的としている。 - 特許庁

In the growing method of compound semiconductor substrate, a carbon-doped semiconductor layer 104 is formed on a GaAs substrate 101 wherein a plane orientation for growing of the semiconductor layer is a little inclined by 1.0° to 2.0° in the direction nearest to the plane (110) from the plane (100) of the GaAs substrate.例文帳に追加

半導体層を成長させる面方位をGaAs基板の(100)面から(110)面に最も近い方向に1.0°から2.0°微傾斜させたGaAs基板１０１上にカーボンドープする半導体層１０４を形成する化合物半導体基板の成長方法である。 - 特許庁

This method for controlling seedling infectious diseases generated in growing the seedlings of the rice plant is prevented by treating the seeds of the rice plant and/or seedling/growing soil with the rice plant seedling infectious disease-controlling agent containing Burkholderia cepacia AB10267 strain as an active ingredient.例文帳に追加

バークホルデリア・セパシア（Burkholderia cepacia）ＡＢ１０２６７株を有効成分とするイネ種子伝染性病害防除剤により、イネの種子および／または育苗土壌を処理することによって、イネの育苗時に発生する種子伝染性病害を防除する。 - 特許庁

In this method for growing the nitride semiconductor on the substrate, after growing a first nitride semiconductor on the substrate, ruggedness is formed, a decomposition surface is formed through heat treatment or electromagnetic wave irradiation, and a second nitride semiconductor is grown.例文帳に追加

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、基板上に第１の窒化物半導体を成長後、凹凸を形成し、熱処理、又は電磁波照射により分解面を形成し、第２の窒化物半導体を成長させる。 - 特許庁

The method for growing the carbon nanotube array includes a step for preparing a base material, a step for forming a catalyst on the base material, and a step for growing the carbon nanotube array on the base material at a prescribed temperature by introducing a reactive gas.例文帳に追加

本発明に係るカーボンナノチューブアレイの成長方法は、基材を準備する段階と、該基材に触媒を形成する段階と、反応ガスを導入して、所定の温度で前記基材にカーボンナノチューブアレイを成長させる段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a growing method of a group III nitride single crystal using a flux, by which the growing amount per unit time of the nitride single crystal can be increased and the variation of the quality or the film thickness of the single crystal can be suppressed.例文帳に追加

フラックスを用いたIII族窒化物単結晶の育成方法において、単位時間当たりの窒化物単結晶の育成量を増大させ、単結晶の品質や膜厚のバラツキを抑制するIII族窒化物単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

The method for screening the hair-developing or hair-growing promoter includes allowing a candidate medicament to act on a connective tissue sheath cell (DSc), and selecting the medicament accelerating the expression of CD36 of the cell as the hair-developing or hair-growing promoter.例文帳に追加

発毛又は育毛促進剤をスクリーニングする方法であって、候補薬剤を結合組織鞘細胞（DSc）に作用させ、前記細胞のCD36の発現を亢進させる薬剤を発毛又は育毛促進剤として選定することを特徴とする方法。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride crystal, comprising growing the group III nitride crystal from a mixed melt containing a flux and at least a group III metal and nitrogen by reacting the group III metal and nitrogen, at least one melt of the group III metal and the flux is filled in the interface for growing the group III nitride crystal.例文帳に追加

フラックスと少なくともIII族金属を含む混合融液と窒素とから、前記III族金属と前記窒素とを反応させて構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族窒化物を結晶成長させる界面に、III族金属またはフラックスの少なくとも１方の融液を充填する。 - 特許庁

The forming method of the carbon nanotube structure consisting of a carbon nanotube 3 and an insulating film covering the surface of the carbon nanotube comprises a first process for growing the carbon nanotube in a growing device and a second process for coating the surface of carbon nanotube with the insulating film before taking the carbon nanotube out of the growing device.例文帳に追加

カーボンナノチューブ３と、前記カーボンナノチューブの表面を被覆する絶縁膜とからなるカーボンナノチューブ構造体の形成方法において、前記カーボンナノチューブを成長装置内で成長する第１の工程と、前記カーボンナノチューブを前記成長装置から取り出す前に、前記カーボンナノチューブの表面を絶縁膜で被覆する第２の工程とからなる。 - 特許庁

In the simulation method of simulating a processing form of a substance surface, using an algorithm of repeating the steps of calculating the surface growing rate and skipping the calculation of the surface growing rate, the surface growing rate is calculated at the step of passing the substance surface across the substance interface.例文帳に追加

物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、表面成長速度の計算を行うステップと、前記表面成長速度の計算をスキップするステップと、を繰り返すアルゴリズムを用い、物質界面を前記物質表面が横切ったステップに、前記表面成長速度を計算することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。 - 特許庁

To provide a substrate which can reduce a thickness distribution of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, a ratio distribution of mixed crystals, and a concentration distribution of impurities in a semiconductor or the like by reducing the distribution of the growing temperature within the growing surface of the substrate, and a method for growing a gallium nitride-based compound semiconductor using the substrate.例文帳に追加

基板の成長面の面内における成長温度の分布を小さくすることによって窒化ガリウム系化合物半導体層の厚み分布、混晶組成比の分布、半導体不純物濃度の分布などを低減することのできる基板、及びその基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for growing the marine organism includes a step for fixing the marine organism 1 to the body 2 of the marine organism-growing tool by utilizing a fixing tool, a step for growing the marine organism 1 until the fixed state of the marine organism 1 is formed, and a step for removing the fixing tool and inserting the inserting part 3 to a proper site in the sea.例文帳に追加

また、この発明の海洋生物の育成方法は、前記海洋生物育成具の本体２に、固定具を利用して海洋生物１を固定する段階、海洋生物１を本体２に付着した状態になるまで成長させる段階、固定具を取り外し、海中において適宜箇所に差し込み部３を差し込む段階を備えたものとしている。 - 特許庁

To provide a method for sufficiently growing mushroom basidiocarp by favorably irradiating it with illumination, and to provide a facility enabling the method to be favorably realized.例文帳に追加

照明を好適に当てて十分な生育を行えるきのこ子実体の生育方法と、きのこ子実体の生育方法を好適に実現し得るきのこ子実体の生育設備を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently planting a slope surface, etc., by making good use of fallen seeds of plants growing in a local area targeted for planting in order not to disturb a flora on the periphery of the area where the method takes place.例文帳に追加

施工域周辺の植物相を混乱させないように、現地植生の落下種子を活用して、法面などを効率的に緑化できる工法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a ferroelectric film of PZT, PLZT, or the like, which is capable of forming the dielectric film having a uniform distribution through its surface through a vapor growth method.例文帳に追加

ＰＺＴ、ＰＬＺＴなどの強誘電体膜を成長するための成膜方法に関し、気相成長法により面内分布が均一な誘電体膜を形成すること。 - 特許庁

To provide a device and method for manufacturing an SiC single crystal by a solution method capable of growing the SiC single crystal without causing cracks, peeling or dropping even when a large diameter seed crystal is used.例文帳に追加

大径の種結晶でも割れや剥離・脱落を発生させずに結晶成長を可能とした溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a growing method of a nitride single crystal capable of making the film thickness of the single crystal formed on a substrate uniform for the whole surfaces of the seed crystal by a flux method.例文帳に追加

フラックス法により、基板上に生成する単結晶の膜厚を種結晶全面に対して均一化することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a culture method for effectively obtaining high polysaccharide and triterpene contents by modeling the growing environment of wild Antrodia cinnamomea; and to provide a method by which the mass production is facilitated.例文帳に追加

野生の樟芝の生育環境に似せて、高い多糖類およびトリテルペン含量を効果的に得る培養方法、および容易に大量製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

It is possible to grow the group III nitride crystal by using a part of the group III nitride crystal obtained by the growing method as the seed crystal and applying the HVPE method.例文帳に追加

ここで、上記成長方法により得られたＩＩＩ族窒化物結晶の一部を種結晶として用いて、ＨＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることもできる。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal, by which macro defects in an SiC single crystal obtained from a Si-Cr-C solution by a solution method, can be reduced.例文帳に追加

溶液法によるＳｉ−Ｃｒ−Ｃ溶液からのＳｉＣ単結晶中のマクロ的な欠陥を低減することが可能である炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises heating silica and carbon at a temperature of ≥1,700°C and epitaxially growing a single crystal silicon carbide film 7 on a seed crystal 6 comprising single crystal silicon carbide by a vapor phase method.例文帳に追加

シリカおよびカーボンを１７００℃以上の温度で加熱し、単結晶炭化珪素からなる種結晶６上に気相法によって単結晶炭化珪素膜７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film which can enhance the quality and productivity not depending upon a reaction furnace capacity, in a method for growing the thin film controlling an atomic layer (hereinafter referred to as the ALD).例文帳に追加

原子層制御薄膜成長法（以下ＡＬＤ）に於いて、反応炉容量に依らず品質及び生産性を向上することができる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a precursory raw material mixture useful for CVD and ALD, to provide a method for growing a film by using the same and to provide a method for forming an electronic device having the same film incorporated therein.例文帳に追加

ＣＶＤ及びＡＬＤに有用な前駆原料混合物、これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込む電子素子を形成する方法の提供。 - 特許庁

To provide a seeding-planting appreciating method and a planting base used for the method for appreciating the shape of roots and stems of plants growing in a vegetation member, from the back face of the planting base.例文帳に追加

植生部材中で生長した植物の根や茎の形状を植栽基盤の背面から観賞する緑化観賞法及びこれに用いる植栽基盤を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer cut out from the silicon single crystal which is produced by the above production method.例文帳に追加

(3) 上記(1)、(2)の方法によって製造されたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面上に、エピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of recovering a quartz crucible from a carbon crucible without breaking the quartz crucible so as to reuse it and a device for growing a single crystal, which is capable of realizing the method mentioned above.例文帳に追加

石英るつぼを再使用するため、破損させることなくカーボンるつぼから回収する方法およびその方法を実現するための単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a long single crystal free of dislocations can be grown in a method for growing a silicon single crystal using a continuous charge CZ process (Czochralski process).例文帳に追加

連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming the metal film, the polyimide surface is treated with a strong alkali to open an imide ring, and then the metal film is laminated on the surface by the vapor phase growing method.例文帳に追加

金属膜形成方法は、ポリイミドの表面を強アルカリで処理して、イミド環を開環させたのち、当該表面に、気相成長法によって金属膜を積層、形成する。 - 特許庁

To grow a ZnSe single crystal having a good quality and a large size until the single crystal becomes very thick, in a method of growing the ZnSe single crystal by a chemical transport method using iodine as a transport medium.例文帳に追加

ヨウ素を輸送媒体とする化学輸送法によるＺｎＳｅ単結晶育成法において、良質で大口径のＺｎＳｅ単結晶を大きな厚さまで育成する。 - 特許庁

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method.例文帳に追加

気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_2 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。 - 特許庁

The method for manufacturing the p-type nitride compound semiconductor comprises the steps of growing the p-type nitride layer 4, grown by vapor phase growth method such as MOVPE method, and then cooling the layer 4 in an atmosphere of rare gas which does not contain hydrogenated gas, such as ammonia or the like, and which contains hydrogen.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法等の気相成長法によりｐ型窒化物層４を成長させた後、アンモンニア等の水素化物ガスを含まず、かつ、水素を含む希ガスの雰囲気内において冷却を行う。 - 特許庁