「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Especially, an extremely planar nonpolar (a)-plane GaN film is grown by a halide vapor-phase growing method (HVPE).例文帳に追加

特に、極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。 - 特許庁

To provide a sintered compact which is suitable for growing plants and appropriate as a greening material and a method for producing the sintered compact.例文帳に追加

植物の生育に適しており、緑化材として好適な焼成体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing group III nitride crystals capable of improving the yield of Ga, and to provide GaN crystals obtained by the method.例文帳に追加

Ｇａの収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるＧａＮ結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal in the crystal orientation [110] having no dislocation, and to provide an evaluation method of judging presence or absence of dislocation.例文帳に追加

結晶方位［１１０］の無転位のシリコン単結晶を育成する方法および転位発生の有無を判定する評価方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR FILM, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及び窒化ガリウム系半導体電子デバイス - 特許庁

To provide a method for cultivating strawberry seedlings efficiently raising seedlings, using a very small quantity of culture soil so as to achieve cost reduction, and to provide a method for growing strawberries.例文帳に追加

極少量の培土を使用して効率良く育苗することができ、低コストを達成できるイチゴ苗の養成方法と、イチゴ栽培方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing an SiC crystal by a sublimation method, an atmospheric gas for growing the SiC crystal contains He.例文帳に追加

昇華法によりＳｉＣ結晶を製造する方法において、ＳｉＣ結晶を成長する雰囲気ガスがＨｅを含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a c-plane substrate of a group III nitride semiconductor in a shorter time than before, when it is grown by the Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of growing a crystal, which prevents reduction in crystallizability of the crystal and formation of a distortion modified layer due to a group V desorption or a group V substitution, in a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

Ｖ族脱離、あるいはＶ族置換に起因する結晶性の低下、歪変成層の形成を防ぐ結晶の成長方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for distinguishing the constitutions of increasing fallen hairs which is not elucidated yet, and a method for selecting hair growing agents appropriate for each of them and useful for the improvement of them.例文帳に追加

未だ解明されていない抜毛増体質の弁別と、そのそれぞれに適合する、改善に有効な育毛料選択法の提供。 - 特許庁

According to the method, by improving the typical ELO, it is possible to simplify the gallium nitride substrate and the method for preparing the substrate for growing gallium nitride and reduce process cost.例文帳に追加

これにより、既存のＥＬＯを改善して、窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム基板の製造工程の単純化及びコストダウンを実現できる。 - 特許庁

GAN-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING GAN-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF GROWING GAN-BASED SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

ＧａＮ系半導体光素子、ＧａＮ系半導体光素子を作製する方法、エピタキシャルウエハ及びＧａＮ系半導体膜を成長する方法 - 特許庁

To provide a material supply apparatus which improves efficiency of material supply when carrying out additional charge or recharge in a single crystal growing method based on a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶育成での追加チャージ又はリチャージ時に原料供給の効率化を実現できる原料供給装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a II-V compound semiconductor crystal by a chemical transportation method using a halogen as a transporting medium and which has high productivity.例文帳に追加

ハロゲンを輸送媒体とする化学輸送法によってII−VI族化合物半導体結晶を成長する方法であって、高い生産性を有するものである。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal ingot by a Czochralski method, by which a high quality silicon single crystal ingot can be produced with high productivity.例文帳に追加

高品質のシリコン単結晶インゴットを高生産性で製造することが可能な、チョクラルスキ法によるシリコン単結晶インゴット成長方法を提供する。 - 特許庁

SURFACE IMPROVEMENT METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND IMPROVED SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND GROWING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素基板の表面改良方法及びその改良された単結晶炭化ケイ素基板、並びに、単結晶炭化ケイ素成長方法 - 特許庁

By the manufacturing method, bulk or thin film single crystal can be stably and uniformly grown even when continuously growing the SiC single crystal by a temperature gradient method.例文帳に追加

温度勾配法でＳｉＣ単結晶を連続成長させても、安定して均一なバルクまたは薄膜単結晶を成長させることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a substrate for growing carbon nanotube which enables to grow carbon nanotubes at a low temperature, and a method for producing carbon nanotubes.例文帳に追加

低温でカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブ成長用基板の作製方法及びカーボンナノチューブの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon carbide single crystal in which the growth rate of the silicon carbide single crystal is high in comparison with that in a known solution growth method.例文帳に追加

公知の溶液成長法に比べて炭化珪素単結晶の成長速度の大きい炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor, which is capable of growing a GaN layer of film whose quality is equivalent to or higher than 2-stage growing method on a sapphire substrate and capable of obtaining also a high productive efficiency as well as growth stability.例文帳に追加

２段階成長法と同等以上の膜質のＧａＮ層をサファイア基板上に成長させることができると共に、高い生産効率及び成長安定性を得ることのできる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a silicon single crystal by Czochralski method, the silicon single crystal is pulled in a tail growing step by controlling the furnace inner pressure of a pulling device to be in the range from 0.5 to 0.8 times as the pressure when a step of growing a straight body portion is finished.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、テール部育成工程における引き上げ装置の炉内圧を直胴部育成工程終了時の０．５から０．８倍の範囲に下げてシリコン単結晶の引き上げを行う。 - 特許庁

To provide a method for growing a nitride single crystal, by which unevenness in a growing state of the nitride single crystal and an increase of defective products resulting from a difference in temperature within a furnace can be prevented in growth of a nitride single crystal within a furnace by a flux method.例文帳に追加

フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

In the method of growing oxide single crystals such as lithium niobate and lithium tantalate using a Czochralski method, the ratio (d/D) of the diameter (d) of a body part 3 of a crystal grown and the inside diameter (D) of a crucible 5 is made 0.8-0.9 and the growing is performed.例文帳に追加

チョクラルスキー法を用いてニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム等の酸化物単結晶を育成する方法において、育成される結晶の直胴部３の直径ｄと坩堝５の内径Ｄの比ｄ／Ｄを０．８〜０．９として育成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal by growing good quality single crystal ingot with good reproducibility while inhibiting local and accidental pyrolysis-recrystallization in seed crystals from developing, in growing crystals by a liquid encapsulated Czochralski method (LEC method).例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method enabling to grow a transparent single crystal when growing a single crystal next time, the method including recovering the reaction vessel, after growing a single crystal in a state of housing molten liquid containing sodium in a reaction vessel comprising alumina, yttria, or yttrium aluminum garnet by the flux method.例文帳に追加

アルミナ、イットリアまたはイットリウム・アルミニウム・ガーネットからなる反応容器内にナトリウムを含む融液を収容した状態でフラックス法によって単結晶を育成した後に、反応容器を再生し、次の単結晶育成時に透明な単結晶を育成できる方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process of growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen on a substrate by an MBE method and a process of growing the group III-V compound semiconductor layer including phosphor on the nitrogen-containing semiconductor layer by a chloride vapor growth method.例文帳に追加

基板上に、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、ＭＢＥ法により成長する工程と、その窒素含有半導体層上に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、塩化物気相成長法により成長する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a substrate for growing a GaN- based crystal, which substrate has a mask layer having a prescribed composition ration and being suppressed in mixing of impurities and to provide the substrate for growing the GaN-based crystal, which is produced by the above method and is useful in a selective growth method.例文帳に追加

意図した組成比であってかつ不純物の混入が抑制されたマスク層を有するＧａＮ系結晶成長用基板の製造方法を提供し、また該製造方法によって選択成長法のためのＧａＮ系結晶成長用基板を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor growing method, where a nitride III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is formed on a substrate, such as a sapphire substrate formed of a material different from that of the compound semiconductor using a growing mask, a growing mask 4 which contains at least a pattern that is threefold or sixfold symmetrical is used as the growing mask.例文帳に追加

成長マスクを用いてＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板、例えばサファイア基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、成長マスクとして、３回対称または６回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスク４を用いる。 - 特許庁

This method includes step for: forming an amorphous carbon layer 102 on a graphite substrate 101; growing a c-axis orientation film 103 of AlN by a MOCVD method on the amorphous carbon layer; forming a low-temperature growing buffer layer 104 formed of GaN on the c-axis orientation AlN; and forming a GaN layer 105 on the low-temperature growing GaN buffer layer.例文帳に追加

グラファイト基板１０１上にアモルファスカーボン層１０２を設け、該アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜１０３を成長させた後、該ｃ軸配向ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層１０４を形成し、該低温成長ＧａＮバッファ層上にＧａＮ層１０５を形成する。 - 特許庁

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。 - 特許庁

To provide a system for growing and controlling experimental organisms, which can accurately identify, observe, control and grow the various experimental organisms at a relatively low control cost, and to provide a method for growing and controlling experimental organisms.例文帳に追加

比較的低廉な管理コストのもとで各種の実験用生物を正確に個体識別して観察・管理しながら育成できる実験用生物育成管理システムおよび同育成管理方法の提供。 - 特許庁

This greening method for growing plants on a vegetated surface 4 includes laying the vegetation mats 1 and 1' set with the chewing inhibitor 6 in a condition of leaving a plant growing space 7, on the vegetated surface 4.例文帳に追加

植生対象面４に植物を生育させる緑化方法において、植物生育空間７を残した状態で咀嚼阻害物６を設けた植生マット１，１’を、植生対象面４に敷設する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises utilizing a particle having a plurality of crystal faces as a seed, depositing a crystal growing material having a lattice constant difference in a given range on it, and growing a nanowire on at least one of the crystal faces.例文帳に追加

複数の結晶面を有する粒子をシードとして利用し、所定範囲内の格子定数差を有する結晶成長物質を蒸着して、前記結晶面のうち少なくとも一つにナノワイヤーを成長させる。 - 特許庁

Provided is the method for growing the plant, characterized by growing the plant in a green house whose inner atmosphere is an atmosphere where a powdery photocatalyst and powdery apatite coexist in air.例文帳に追加

本発明では、植物育成方法において、ハウスの内部の雰囲気を空気中に粉末状の光触媒と粉末状のアパタイトとが混在した雰囲気にして、ハウスの内部で植物を育成することにした。 - 特許庁

In the method, the vegetable lactobacillus bacteria or both of the vegetable lactobacillus bacteria and the calcium may be sprayed on the leaf surfaces of the growing plant so as to be fixed to the leaf surfaces, or may fall in culture soil so as to be absorbed in the growing plant.例文帳に追加

植物性乳酸菌又は、植物性乳酸菌及びカルシウムを、生育中の植物に葉面散布して葉面に定着させ又は、培土に含ませて生育中の植物に吸収させることもできる。 - 特許庁

The method of growing the silicon single crystal comprises adjusting the rotation speed of a seed crystal to 0 to 8 rpm after growing the constant diameter part of the silicon single crystal, and then cutting the silicon single crystal off from the melt in the dislocation-free state.例文帳に追加

シリコン単結晶の定径部の成長が終了した後、種結晶の回転速度を０〜８ｒｐｍとして、単結晶を無転位状態で融液から切り離すシリコン単結晶の成長方法。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a group III nitride crystal which is grown under practical crystal growing conditions, the group III nitride crystal and a semiconductor device.例文帳に追加

実用的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とするIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride semiconductor crystal, by which the growth speed of the group III nitride semiconductor crystal is improved, and to provide an apparatus for growing a group III nitride semiconductor crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a production method for a nitride semiconductor which realizes a homogeneous doping concentration in a wafer plane in growing an n-type nitride semiconductor even when the distribution of growing rate is present in the wafer plane.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体を成長する際に、ウェハ面内に成長速度の分布が存在する場合においても、ウェハ面内で均一なドーピング濃度を実現する窒化物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a noble metal crucible for growing a single crystal, which is used for growing a magnetic garnet single crystal by utilizing a LPE (Liquid-Phase Epitaxial) method and by which a good quality single crystal film can be obtained.例文帳に追加

ＬＰＥ法を用いて磁性ガーネット単結晶を育成する際に使用される貴金属製の単結晶育成用ルツボに関し、品質の良好な単結晶膜が得られる単結晶育成用ルツボを提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a large crystal of group III nitride by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method using a group III nitride crystal substrate obtained by a solution method.例文帳に追加

溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystal substrate which is more excellent in mass productivity than the conventional method by increasing the growing speed of the gallium nitride single crystal by MOCVD method.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法による窒化ガリウム単結晶の成長速度を高め、従来より量産性に優れた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for growing a plant of the family Equisetaceae most suitable for greening a slope of a lake for a dam or the bottom of a lake or the waterside.例文帳に追加

ダム湖法面又は湖底若しくは水際の緑化に最も適したトクサ科植物の増殖法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing an indium nitride-containing semiconductor layer which is excellent in its crystallinity, and electric and optical characteristics, etc.例文帳に追加

結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたＩｎＮを含む半導体層を成膜する方法を提供する。 - 特許庁