「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of growing the semiconductor layer structure comprises a step for growing a first semiconductor layer 11 (11a, 11b, 11c) and a step for introducing hydrogen into the first semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。 - 特許庁

The method for growing the SiC layer comprises the steps of growing an InGaAs channel layer 104, then switching a carrier gas to a hydrogen containing the nitrogen of 20% from a hydrogen, and heating a board to 1,000°C.例文帳に追加

InGaAsチャネル層１０４を成長した後、AsH_3を供給したままで、キャリアガスを水素から20％の窒素を含む水素に切り換え、基板温度を1000℃まで昇温する。 - 特許庁

To provide a method for growing Sedum Kamtschaticum by which growth of weeds is prevented without trouble, and which is suitably utilized for mass production and prevents the weeds from growing even when the seeds of the weeds come by air.例文帳に追加

雑草の生育防止として、手間を要せず、大量生産に適した、雑草の種子の飛来があっても雑草が生えないキリンソウの育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a metal salt crystal where a crystal (single crystal) having a cubic shape is obtained and to provide the metal salt crystal obtained by the method for growing the metal salt crystal.例文帳に追加

立方的な形状をもつ結晶（単結晶）を得ることができる金属塩結晶の成長方法、及びその金属塩結晶の成長方法により得られる金属塩結晶を提供すること。 - 特許庁

In the method, at the time of growing crystals by vapor phase method, at least one pit 10p having a plurality of facets 12 is formed on the main growing plane 11 of the Al_xGa_1-xN crystals (0<x≤1) 10.例文帳に追加

気相法による結晶成長の際に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for growing a crystal of a protein, capable of growing (forming) a high-quality protein crystal large enough for use in a neutron diffraction method, with excellent reproducibility.例文帳に追加

中性子回折法に使用できる程度の大型の良質なタンパク質結晶を再現性よく成長（形成）させることが可能なタンパク質結晶成長装置、及びその方法を提案する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for growing an array of single-wall carbon nanotubes, especially an apparatus and method for growing an array of single-wall carbon nanotubes by a CVD process.例文帳に追加

本発明は、単層カーボンナノチューブ配列の成長装置及び単層カーボンナノチューブ配列の成長方法に関し、特にＣＶＤ方法でカーボンナノチューブ配列の成長装置及び成長方法に関する。 - 特許庁

A CVD oxide film 17 is formed on an opening 15 by using a vapor phase growing method, a reduced pressure TEOSCVD method or an ordinary pressure CVD method.例文帳に追加

気相成長法である減圧ＴＥＯＳＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いて開口１５上にＣＶＤ酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

To provide a single crystal growing method for growing a single crystal with high crystallinity by a vapor phase method on an SiC seed crystal, and to provide a group III nitride single crystal and an SiC single crystal obtained by using the method.例文帳に追加

気相法によりＳｉＣ種結晶上に結晶性のよい単結晶を成長させる単結晶成長方法、その方法により得られるＩＩＩ族窒化物単結晶およびＳｉＣ単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal having reduced dislocation density and a crystal axis orientation of [110] by a CZ method.例文帳に追加

転位密度を低減した、ＣＺ法による結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FLATTENING/CLEANING SURFACE OF CRYSTALLINE InP SUBSTRATE AND METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR DEVICE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY USING IT例文帳に追加

ＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法 - 特許庁

To provide a method for efficiently growing a high-purity nitride crystal with low oxygen concentration by means of an ammonothermal method.例文帳に追加

酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させる方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF GROWING SEMI-POLAR NITRIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

半極性窒化物単結晶薄膜の成長方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growing rate by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法により、高い成長速度で良質なＳｉＣ（ＳｉＣ）単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR GROWTH DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体素子の製造方法および有機金属化学気相成長装置 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND METHOD FOR MOUNTING SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF NITRIDE SINGLE CRYSTAL ON SILICON SUBSTRATE, NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

シリコン基板上の窒化物単結晶成長方法、これを用いた窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING OUTSIDE-CARBONIZED WOOD AND METHOD FOR GATHERING FISHES, GATHERING SHELLFISHES OR GROWING EDIBLE ALGAE WITH FISH BANK, ALGA COLLECTOR (HIBI)例文帳に追加

外炭木の製造方法及び外炭木による漁礁、藻類のひび、による集魚、集貝、食料藻の育成方法。 - 特許庁

To provide a composition and method for growing a polyphyletic metallic or metallic compound layer on a base material.例文帳に追加

基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させるための組成物と方法の提供。 - 特許庁

The MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method for growing the nitride semiconductor layer employing ammonium (NH_3) as a V-group material can be utilized.例文帳に追加

V族原料としてアンモニアNH_3を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。 - 特許庁

To provide a method for growing microorganisms producing high concentration omega-3 highly unsaturated fatty acids.例文帳に追加

高濃度オメガ三系高度不飽和脂肪酸を生成する微生物を生育する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing CNT (carbon nanotube) in a bundle shape with a high density.例文帳に追加

ＣＮＴを束状に、かつ高い密度で成長させることができるＣＮＴ成長方法の提供。 - 特許庁

METHOD FOR REMARKABLY ENHANCING EFFECT OF WEED-PROOF SHEET SUPPRESSING THICK GROWING OF WEED AND SUSTAINING THE EFFECT例文帳に追加

雑草の繁茂を抑制する防草シートの効果を飛躍的に高め、その効果を持続させる方法。 - 特許庁

In the method for growing a crystal, the quartz crucible 1 is filled up with the melted precursor 3 which was melted beforehand.例文帳に追加

また、結晶成長方法では、石英坩堝１に、予め溶かした溶融原料３を充填する。 - 特許庁

To provide a method for growing group III nitride crystals using a cylindrical high-pressure vessel.例文帳に追加

円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING ORGANISM BY STERILIZATION AND ACTIVATION OF WATER AND TREATING APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

用水の殺菌と活性化により生物を生育する方法及び前記方法に使用される処理装置 - 特許庁

To provide a method for growing a uniform oxide layer on the 100 and 111 planes of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の１００及び１１１面上に均一な酸化物層を成長させる方法の提供。 - 特許庁

To provide low dislocation density silicon carbide (SiC), and to provide a method and apparatus for growing the same.例文帳に追加

低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

FORMULA FEED FOR GROWING CALF OF NURSING STAGE AND METHOD FOR IMPROVING GROWTH OF CALF BY FEEDING THE SAME例文帳に追加

ほ乳期子牛育成用配合飼料及びそれを給与して子牛の発育を改善する方法 - 特許庁

MATERIAL FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, AND LAMINATED MATERIAL例文帳に追加

窒化ガリウム結晶育成用材料、窒化ガリウム結晶の製造方法、窒化ガリウム結晶および積層体 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND例文帳に追加

結晶窒化ガリウムベースの化合物の成長方法及び窒化ガリウムベース化合物を含む半導体デバイス - 特許庁

To provide a crystal growth method for growing a uniform crystal on a substrate having unevenness.例文帳に追加

凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR THIN FILM OF PEROVSKITE-TYPE COMPLEX OXIDE (SUCH AS A3+2B+B5+O6, A2+2B3+B5+O6 AND A2+3B2+B5+2O 9), AND METHOD FOR GROWING THE OXIDE例文帳に追加

複合ペロブスカイト酸化物（例えばＡ３＋２Ｂ＋Ｂ５＋Ｏ６，Ａ２＋２Ｂ３＋Ｂ５＋Ｏ６，Ａ２＋３Ｂ２＋Ｂ５＋２Ｏ９等）の薄膜の原料とその成長法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING COMPOUND SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL GROWING VESSEL WITH HOLDING TOOL USED IN THE SAME例文帳に追加

化合物単結晶の製造方法およびそれに用いられる保持具付き単結晶成長用容器 - 特許庁

To provide a method of growing a high-quality single crystal layer of a PbTe compound semiconductor.例文帳に追加

高品位のＰｂＴｅ系化合物半導体の単結晶層を成長する方法を提供する。 - 特許庁

CEMENT PRODUCT ENABLING GROWTH OF PLANT AND METHOD FOR GROWING PLANT BY USE OF THE CEMENT PRODUCT例文帳に追加

植物の生育が可能なセメント製品及び該セメント製品を用いて植物を生育させる方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL DIAMOND AND METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL DIAMOND USING THE SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶ダイヤモンド成長用の基材およびこの基材を用いた単結晶ダイヤモンドの製造方法 - 特許庁

BUILDING OPENING STRUCTURE, ANTIMICROBIAL DEVICE FOR BUILDING OPENING, AND METHOD FOR PREVENTING MOLD FROM GROWING AT BUILDING OPENING例文帳に追加

建物開口部の構造、建物開口部用の抗菌装置、及び、建物開口部のカビ発生防止方法 - 特許庁

To provide a method for producing a plant-growing base material with a high pelletizing rate regarding soil grain.例文帳に追加

土粒子についての団粒化率の高い植物生育基盤材料の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a microorganism for forming a high-concentration omega-3-based highly unsaturated fatty acid.例文帳に追加

高濃度オメガ三系高度不飽和脂肪酸を生成する微生物を生育する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING POLYCRYSTALLINE SILICON AND SINGLE CRYSTAL SILICON, AND CATALYTIC CVD APPARATUS例文帳に追加

多結晶シリコン層の成長方法、単結晶シリコン層の成長方法および触媒ＣＶＤ装置 - 特許庁

NT-4 EXPRESSION INHIBITOR, HAIR GROWING TONIC CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING DAPHNE FACTOR F3例文帳に追加

ＮＴ−４発現阻害剤、該阻害剤を有する育毛養毛剤、並びにダフネファクターＦ３の製造方法 - 特許庁

To provide a method of growing a high-quality large-area ZnSe layer on a Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に高品質で大面積のＺｎＳｅ層を成長させる方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR PREPARATION OF TETRAPLOID OF PLANT OF GENUS EUCALYPTUS AND EUCALYPTUS TETRAPLOID HAVING EXCELLENT GROWING AND ROOTING ABILITY例文帳に追加

ユーカリ属４倍体の作成方法及び生長性かつ発根能力に優れたユーカリ属４倍体 - 特許庁

METHOD OF GROWING GERMANIUM EPITAXIAL FILM ON INSULATOR FOR USE IN FABRICATION OF CMOS INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

ＣＭＯＳ集積回路の製造に用いるゲルマニウム・エピタキシャル膜を絶縁体上で成長させる方法 - 特許庁