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growing methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2677件
To provide a method of growing a nitride semiconductor layer, and a nitride semiconductor substrate formed using the same.例文帳に追加
窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁
A second layer of a second conductivity type is formed in a recessed part of the mesa structure of the first layer by a liquid-phase growing method.例文帳に追加
第1の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第2導電型の第2の層を形成する。 - 特許庁
Layers which will be a top cell T are formed on a surface of a GaAs substrate 1 by the epitaxy growing method.例文帳に追加
GaAs基板1の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルTとなる各層が形成される。 - 特許庁
To provide a method for effectively removing a factor causing thin hair or baldness and permit hair growing.例文帳に追加
薄毛や禿の原因になっている要因を効果的に取り除き、発毛を可能にする方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for growing a high quality single crystal from which wafers free from defects of dislocation clusters can be obtained.例文帳に追加
転位クラスタ欠陥がないウエーハを採取できる、高品質な単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁
To grow a single crystal stable under a strong magnetic field in a single crystal-growing device by a FZ method.例文帳に追加
FZ法の単結晶育成装置において、強磁場下で安定した単結晶の育成を可能にする。 - 特許庁
(i) The kind of aquatic animals and plants to be bred/grown as well as the method of breeding/growth and the outline of the breeding/growing facility; 例文帳に追加
一 増殖すべき水産動植物の種類並びにその増殖の方法及び増殖施設の概要 - 日本法令外国語訳データベースシステム
To provide a method for inexpensively producing a BN crucible, which is used for growing a GaAs single crystal or the like.例文帳に追加
GaAs単結晶等の成長に使用されるBNるつぼを低コストで製造する方法の提供。 - 特許庁
To provide a device and method for growing a single crystal which facilitate the growth of a large-sized single crystal.例文帳に追加
大型の単結晶の育成を容易にする単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for growing a thin film single crystal capable of forming a thin film single crystal with a high quality.例文帳に追加
高品質の薄膜単結晶を形成することができる薄膜単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for growing or breeding livestock or fowl with deep seawater.例文帳に追加
海洋深層水を用いて、家畜、家禽の生育、繁殖を促進させる方法を提供しようとするものである。 - 特許庁
To provide a method for growing a gallium nitride single crystal into which oxygen can be incorporated as an n-type dopant.例文帳に追加
酸素をn型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁
METHOD FOR GROWING GROUP-III NITRIDE CRYSTAL, GROUP-III NITRIDE CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM例文帳に追加
III族窒化物の結晶成長方法及びIII族窒化物結晶及び半導体デバイス及びシステム - 特許庁
METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SYSTEM例文帳に追加
III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイスおよびシステム - 特許庁
In the method for manufacturing carbon nanotubes, a nanocarbon material is used as the seed source for growing carbon nanotubes.例文帳に追加
カーボンナノチューブの成長の種原料としてナノ炭素材料を用いるカーボンナノチューブの製造方法である。 - 特許庁
GAS PHASE GROWING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板 - 特許庁
To provide a method of growing carbon nanotube, particularly the carbon nanotube having a tip opening.例文帳に追加
本発明は、カーボンナノチューブの成長方法に関し、特に先端開口のカーボンナノチューブの成長方法に関する。 - 特許庁
To provide an epitaxial growing method, with which pattern matching is enabled in a photolithography process after the epitaxial growth of silicon.例文帳に追加
シリコンのエピタキシャル成長後のフォトリソグラフィ工程でのパターン合わせが可能となる、エピタキシャル成長方法を得る。 - 特許庁
To provide a method for easily and efficiently growing a group III nitride crystal having a low dislocation density.例文帳に追加
簡便に効率よく転位密度の低いIII族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁
GaNAs CRYSTAL, METHOD FOR GROWING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH例文帳に追加
GaNAs結晶の成長方法及びGaNAs結晶並びにGaNAs結晶を備えた半導体装置 - 特許庁
To provide a method for stably growing a large-diameter silicon carbide single crystal with few crystal defects.例文帳に追加
結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶を安定性よく成長させる方法を提供する。 - 特許庁
A single-crystal silicon bulk is manufactured by growing single-crystal silicon in [100]-direction by the CZ method.例文帳に追加
CZ法により、[100]方向に単結晶シリコンを成長させて、単結晶シリコンのバルクを作製する。 - 特許庁
SUBSTRATE FOR GROWING MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL FILM AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC GARNET SINGLE CRYSTAL FILM USING THE SAME例文帳に追加
磁性ガーネット単結晶膜育成用基板及びそれを用いた磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 - 特許庁
METHOD AND FURNACE FOR CHANGING MAINSTREAM DIRECTION OF PROCESS GAS AND VAPOR-GROWING ITS COMPONENT ONTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
プロセスガスの主流方向を変更して半導体基板上に成分を気相成長させる方法および炉 - 特許庁
To provide a method for growing a crystal, by which a compound semiconductor containing impurities in a constant concentration can be obtained.例文帳に追加
不純物濃度が一定な化合物半導体を得ることができる結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁
A method for reducing NO_x comprises growing the transgenic arboreous plant or its descendent in the atmosphere containing NO_x.例文帳に追加
また該トランスジェニック木本植物又はその子孫を、NO_Xを含有した大気下に生育させる、NO_Xの低減方法。 - 特許庁
To provide a method of selectively crystal-growing a silicon carbide thin film on a silicon carbide substrate.例文帳に追加
炭化珪素基板上に炭化珪素薄膜を選択的に結晶成長させるための方法を提供すること。 - 特許庁
SILICON CARBIDE RAW MATERIAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL USING THE SAME例文帳に追加
炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料及びそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE AND SUBSTRATE FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
III族窒化物半導体自立基板の製造方法及びIII族窒化物半導体層成長用基板 - 特許庁
To provide a method of manufacturing gallium nitride capable of growing a crystal at a low temperature and a low pressure.例文帳に追加
窒化ガリウムを、低温、低圧において結晶成長させることができる窒化ガリウムの製造方法を提供する。 - 特許庁
GROWING METHOD OF SEMICONDUCTOR LAYER, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁
SAPPHIRE SUBSTRATE, GROWING METHOD FOR NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
サファイア基板、窒化物系III−V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
GROWING METHOD OF III GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR, FILM THEREOF AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子 - 特許庁
CATALYST LINE CHEMICAL VAPOR PHASE GROWING APPARATUS AND REGENERATING METHOD OF CATALYST LINE IN SAME例文帳に追加
触媒線化学気相成長装置および触媒線化学気相成長装置における触媒線の再生方法 - 特許庁
To provide a producing method of 3 inch diameter 3C-SiC monocrystal membrane, for growing a crystal of silicon carbide(SiC).例文帳に追加
炭化珪素(SiC)の結晶成長に関し、3インチ径の3C−SiC単結晶薄膜を作製する方法。 - 特許庁
Dr. vacanti devised a method for growing human cartilage on a biodegradable earshaped scaffold.例文帳に追加
ヴァカンティ博士は 生分解性の耳の形をした土台に 人間の軟骨を成長させる方法を考案した - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
METHOD FOR PREVENTING EATEN DAMAGE TO FOLIAR BUD AND GROWING THE BUD IN SEAWEED VEGETATIVE PROPAGATION MEANS FOR CREATING SEAWEED BED OR SEA JUNGLE例文帳に追加
藻場海中林造成のための海藻栄養繁殖法における葉芽食害防止および増養殖法 - 特許庁
The method for growing the hair on the body surface of the dog or cat is characterized by applying an aqueous hair-growing agent containing an effective amount of a hair-growing ingredient and causing a quartz crystal oscillator frequency reduction of ≤1,000 hertz to the body surface of the dog or cat.例文帳に追加
有効量の発毛・育毛成分を含有し、かつ水晶振動子の振動数の減少が1000ヘルツ以下である水性発毛・育毛剤を、イヌまたはネコの体表に施用することを特徴とするイヌまたはネコ体表の発毛・育毛方法。 - 特許庁
To provide a plant carrying container and plant cultivation method utilizing a container used for packing for the carrying a plant growing on a growing site and still in the middle of growing and enjoy the cultivation of the plant continuously in homes in general.例文帳に追加
生産地において生育させたその生育途中の植物を、運搬用梱包に使用した容器を利用して、一般家庭等において引き続きこの植物を栽培して楽しむことができる植物運搬用容器および植物栽培方法を提供する。 - 特許庁
To provide a hair growing tonic that excels in hair growth and restoration efficacy and has safety ensuring satisfactory availability for long-term use, being capable of promoting the hair growth and restoration of mammals; a hair growing tonic composition containing the hair growing tonic; and a method of hair growth and restoration.例文帳に追加
育毛養毛の効果に優れ、かつ長期にわたる使用に十分耐え得る安全性を備えた、哺乳類の育毛養毛を促進する育毛養毛剤、該育毛養毛剤を含む育毛養毛用組成物および育毛養毛方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for easily producing a plant growing carbide board given by using waste consisting mainly of domestic animal's excrement as a starting raw material, enough containing nutritive components for growing a plant, and therefore suitable for growing the plant, without polluting of the environment, etc.例文帳に追加
家畜排泄物を主体とする廃棄物を出発原料として、植物育成用栄養成分を十分含むなど、植物育成用に好適にして、環境などを汚染したりすることもない植物育成用炭化物ボードを容易に製造する。 - 特許庁
This method comprises: the low temperature high doped layer growing step of doping the dopant while growing a thin film at a specific first temperature; the annealing step of discontinuing the growth of the thin film to anneal the thin film at a predetermined second temperature higher than the first temperature; and the high temperature low doped layer growing step of growing the thin film at the second temperature.例文帳に追加
所定の第1温度において薄膜を成長させながらドーパントをドーピングする低温高ドープ層成長ステップと、薄膜の成長を中断し前記第1温度より高い所定の第2温度において薄膜をアニール処理するアニール処理ステップと、前記第2温度において薄膜を成長させる高温低ドープ層成長ステップとを含む。 - 特許庁
The method for producing a gallium nitride single crystal (comprises thickly growing gallium nitride by a hydride vapor phase epitaxy(HVPE) growing method on a sapphire substrate having fine asperities of which the projecting part size is ≥30 nm and ≤200 nm, and peeling the same from the sapphire substrate.例文帳に追加
凸部の大きさが30ナノメーター以上、200ナノメーター以下の微細な凹凸を有するサファイア基板上に、HVPE成長法で窒化ガリウムを厚く成長させ、サファイア基板から剥離する窒化ガリウム単結晶製造方法。 - 特許庁
CONTROL PLATE FOR GROWING ARTIFICIAL CRYSTAL, METHOD OF MANUFACTURING ARTIFICIAL CRYSTAL USING THE CONTROL PLATE AND ARTIFICIAL CRYSTAL BY THE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
人工水晶育成用制御板及び当該制御板を用いた人工水晶の製造方法及び当該製造方法による人工水晶 - 特許庁
To provide a method for growing a silicon carbide single crystal, which is based on a solution method and by which morphology of the surface of a crystal growth layer can be improved.例文帳に追加
溶液法による結晶成長層表面のモフォロジーの向上を実現する炭化珪素単結晶の成長法を提供する。 - 特許庁
COATED GRANULAR FERTILIZER, SEEDBED COMPOSITION FOR PLANT CULTIVATION USING THE FERTILIZER, GROWING METHOD OF SEEDING USING THE COMPOSITION, CULTIVATION METHOD OF PLANT例文帳に追加
被覆粒状肥料、該肥料を用いた植物栽培用苗床組成物、該組成物を用いた苗の育成方法、および植物の栽培方法 - 特許庁
SURFACE TREATMENT METHOD FOR SUBSTRATE, SUBSTRATE, METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ELECTRONIC ELEMENT例文帳に追加
基板の表面処理方法、基板、窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子及び電子素子 - 特許庁
GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWN BY THE METHOD AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
化合物半導体結晶の成長方法および当該成長方法で成長させた化合物半導体結晶ならびに化合物半導体装置 - 特許庁
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| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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