「growing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a composition for controlling acarid growing during the breeding of insects and method for the same.例文帳に追加

昆虫飼育時に発生するダニ類を防除するための組成物及びその防除法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL AND USE OF THE SAME AS SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

六方晶系単結晶の成長方法及び同単結晶の半導体素子用基板としての利用 - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND MASK FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク - 特許庁

METHOD FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH, CRYSTAL GROWING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED BY USING THESE例文帳に追加

半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された半導体基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEED CRYSTAL FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体育成用の種結晶 - 特許庁

SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE INGOT例文帳に追加

炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 - 特許庁

SILICON EPITAXIAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND EPITAXIALLY GROWING SILICON MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法並びにエピタキシャル成長用シリコン単結晶基板 - 特許庁

P-TYPE II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, ITS GROWING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＩＩ—ＶＩ族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置 - 特許庁

To provide a method for growing a gallium nitride crystal by which a gallium nitride substrate having high quality can be produced.例文帳に追加

高品質の窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an article equipped with a hydrophilic laminated structure formable by a low temperature vapor phase growing method.例文帳に追加

低温の気相成長法で形成可能な親水性積層構造を備えた物品を提供する。 - 特許庁

In growing a gold plating by a plating method to form a bump electrode 106 on the pad electrode 103, ununiformity of growing of gold plating in the vertical direction can be absorbed by growing of the gold plating on the groove 110 in the vertical and the horizontal directions, and the surface of the gold plating, i.e. the surface of the bump electrode 106 is planarized, as the growing progresses.例文帳に追加

メッキ法により金メッキを成長してパッド電極103の上にバンプ電極106を形成する際には、金メッキの縦方向の成長の不均一が、溝110における金メッキの縦・横方向の成長により吸収され、成長が進むにつれて金メッキの表面、即ち、バンプ電極106の表面が平坦化する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a preparing process of preparing a substrate 10 having a concave portion 10r and a convex portion 10p; a first growing process of growing a first semiconductor 11 on the convex portion 10p; and a second growing process of growing a second semiconductor 13 in at least a lateral direction from the first semiconductor 11.例文帳に追加

この製造方法は、凹部１０ｒ及び凸部１０ｐを有する基板１０を準備する準備工程と、凸部１０ｐの上に第１半導体１１を成長させる第１成長工程と、第１半導体１１から少なくとも横方向に第２半導体１３を成長させる第２成長工程とを含む。 - 特許庁

To provide a lighting unit for growing farm crops which enables efficient light supplement by a combination of a light-emitting diode light source and a reflecting plate, to provide a lighting system for growing farm crops using the unit, and to provide a method for growing farm crops using the unit and the system.例文帳に追加

発光ダイオード光源と反射板を組み合わせた効率的な補光を可能とする農作物育成用照明ユニット、それを用いた農作物育成用照明システム及びこれらを用いた農作物育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hair grower excellent in hair-growing effect, having safety enough to withstand its own long-term use, and promoting the hair growth of mammals, to provide a composition for hair-growing use containing the hair grower, and to provide a hair-growing method.例文帳に追加

育毛養毛の効果に優れ、かつ長期にわたる使用に十分耐え得る安全性を備えた、哺乳類の育毛養毛を促進する育毛養毛剤、該育毛養毛剤を含む育毛養毛用組成物および育毛養毛方法を提供する。 - 特許庁

This invention realizes a GaN layer growing method capable of realizing a GaN layer growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and provides the semiconductor element having the growing GaN layer just above the Si substrate.例文帳に追加

本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。 - 特許庁

METHOD FOR SELECTIVELY GROWING GaN-BASED GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の選択成長方法、半導体発光素子の製造方法および画像表示装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method of preventing stress from building up in cultured fish, for example, sweetfish or salmon to obtain the fish having the body appearance and meat quality extremely near those of naturally growing fish by growing them through a special cultivation method and the fishing farm therefor.例文帳に追加

特殊な養殖方法によりみかけも肉質も極く自然に近いものにすることができるようにした鮎等の養殖魚のストレス蓄積防止方法並びにその養魚場を提供すること。 - 特許庁

In the GaN layer growing method using a CVD method to grow a GaN layer just above the Si substrate, the GaN layer is grown in ≤100 Torr growing pressure.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いてＳｉ基板直上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長方法において、１００Ｔｏｒｒ以下の成長圧力においてＧａＮ層を成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The method of laterally growing GaN with In doping aims to form a GaN layer in a shorter period by increasing the lateral growth rate of GaN with In doping during laterally growing GaN by the LEO method.例文帳に追加

本発明によると、ＬＥＯ法を用いたＧａＮの側面成長時Ｉｎを共にドーピングしてＧａＮの側面成長速度を増加させることにより、素子製作時間を短縮しその生産性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for activating the surface of a catalytic metal or an alloy for growing a CNT (carbon nonatube) and a method for growing the CNT efficiently even on a substrate on which the CNT is hardly grown.例文帳に追加

ＣＮＴ成長用触媒金属又は合金の表面を活性化する方法及びＣＮＴが成長し難い基板であっても、ＣＮＴを効率的に成長させることができる方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of forming quantum thin lines of various sizes on a single semiconductor substrate by growing an epitaxial layer in triangular structure having a variety of sizes on the semiconductor substrate by using a selective epitaxial growing method.例文帳に追加

選択的エピタキシャル成長法を利用して、半導体基板に多様な大きさを有する三角形構造のエピタキシャル層を成長させることで、単一半導体基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal which is capable of growing a silicon single crystal which contains a region wherein dislocation clusters are produced and is reduced in the density of the LPD (light point defect) having a size of 0.09 μm or more.例文帳に追加

転位クラスター発生領域を含み、０．０９μｍ以上のＬＰＤ密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of controlling the diameter of a single crystal in which it is possible to accurately measure the diameter of a growing single crystal when performing the diameter controlling in the growing of a single crystal.例文帳に追加

単結晶の育成で直径制御を行う際に、育成中の単結晶の直径を正確に計測することができる単結晶直径の制御方法を提供する。 - 特許庁

A method of growing a nitride semiconductor layer includes: preparing a substrate; forming nitride semiconductor dots on the substrate: and growing a nitride semiconductor layer on the nitride semiconductor dots.例文帳に追加

基板を準備し、該基板上に窒化物半導体ドットを形成し、窒化物半導体ドット上に窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の成長方法である。 - 特許庁

To provide a planter sufficiently demonstrating the water-retaining ability and water supplying ability of a water-retaining agent for growing plants, and to provide a method for growing plants using the planter.例文帳に追加

保水剤の植物を生育するための保水能力と給水能力を十分発揮できるプランターおよび該プランターを用いて植物を生育させる方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for restoring the growing power of a tree by increasing the water retention and drainage in the soil in the vicinity of the roots of the tree and maintaining good soil conditions for growing the tree.例文帳に追加

樹木の根系部近傍の土壌の保水性，排水性を高めて樹木の育成に良好な土壌状態を維持する樹勢回復方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a liquid phase growing device and a liquid phase growing method using the same, with which epitaxial layers can be formed in the same lot, while reducing dispersion of impurity concentration.例文帳に追加

同一ロット内において不純物濃度のばらつきの少ないエピタキシャル層が形成できる液相成長装置及びそれを使用した液相成長方法を提供する。 - 特許庁

To readily enlarge the diameter of a growing single crystal by suppressing the obstruction of the growth by a polycrystal when growing the single crystal of silicon carbide or the like by a sublimation recrystallization method.例文帳に追加

昇華再結晶法により炭化珪素等の単結晶を成長させるにあたり、多結晶による成長阻害を抑制して、簡便に、成長する単結晶の口径拡大を図る。 - 特許庁

The substrate 2 is obtained by a manufacturing method including a step of nitriding the semiconductor growing surface of the substrate 2 in a device which is different from the device used for growing a nitride semiconductor.例文帳に追加

また、このサファイア基板2は、窒化物半導体を成長させる装置とは別の装置内で前記半導体成長面の表面部を窒化する工程を含む製造方法により得られる。 - 特許庁

To provide a method capable of growing a GaN semiconductor layer of high quality at a high speed through a hydride vapor growth method.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法により、良質なＧａＮ系半導体層を高速で成長させることのできる方法を提供する。 - 特許庁

PHOTORESIST PATTERNING METHOD, MASK PATTERNING METHOD, PROCESS FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

フォトレジストパターン形成方法、マスクパターン形成方法、半導体結晶の成長方法、半導体基板の製造方法、および半導体基板 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD, BULK PRE-CRYSTAL FOR GROWING BULK SINGLE CRYSTAL AND PREPARATION METHOD OF THE BULK PRE-CRYSTAL例文帳に追加

結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE SINGLE CRYSTAL ON SILICON SUBSTRATE , NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT USING IT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリコン基板上における窒化物単結晶の成長方法、これを利用した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE, SUBSTRATE FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL GROWING AND METHOD OF HEAT TREATMENT OF SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法 - 特許庁

METHOD OF SEPARATING FILM WITH WIDE AREA AND LOW DEFECT DENSITY FOR GROWING LED AND LASER DIODE, AND A METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＬＥＤ及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To provide a method for reducing the lattice defects on an n-type nitride semiconductor layer and growing an n-type nitride semiconductor at the time of growing it on the surface of a substrate for which lattice coherence is not obtained by a vapor growth method such as MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供する。 - 特許庁

In measuring the growing state of water grasses growing thick in water, at least an ultrasonic measuring method which is a remote-noninvasive measuring method and a laser excited emission detection method are combined and used.例文帳に追加

水中に繁茂する水草類の生育状況を計測するに際し、少くとも遠隔的・非侵襲的計測法である超音波計測法とレーザー励起発光検出法を組合せて用いることにより、水草類の生育状況を計測可能とする。 - 特許庁

The method for growing the plant comprises applying periodic stimulation by magnetic force or electricity to the plant.例文帳に追加

植物に、磁力又は電気による周期的な刺激を付与することを特徴とする植物の育成方法。 - 特許庁

To provide a method for transducing a gene into a dicotyledon, such as Hibiscus cannabinus, growing as a plant body.例文帳に追加

植物体として生長させられるケナフなど双子葉植物への遺伝子導入方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR SCREENING HAIR-DEVELOPING OR HAIR-GROWING PROMOTER USING EXPRESSION OF CD36 OF CONNECTIVE TISSUE SHEATH CELL AS INDEX例文帳に追加

結合組織鞘細胞のＣＤ３６発現を指標とする発毛又は育毛促進剤をスクリーニングする方法 - 特許庁

To provide a method of growing up a GaN crystal without generating any break and/or any crack in a substrate.例文帳に追加

基板に割れおよび／またはクラックを発生させること無くＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND BASE SUBSTRATE FOR GROWING GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

単結晶窒化ガリウム基板、単結晶窒化ガリウム基板の製造方法および窒化ガリウム成長用下地基板 - 特許庁

CATALYST CARRYING SUBSTRATE, METHOD FOR GROWING CARBON NANOTUBE BY USING THE SAME, AND TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBE例文帳に追加

触媒担持基板およびそれを用いたカーボンナノチューブの成長方法ならびにカーボンナノチューブを用いたトランジスタ - 特許庁

METHOD FOR EPITAXIALLY GROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長法、および窒化ガリウム系化合物半導体を備えた電子デバイス - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a thin film on a substrate by an ALD process.例文帳に追加

ＡＬＤプロセスによって基板上に薄膜を成長させるための方法および装置を提供すること。 - 特許庁