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MOCとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 《略語》master operational controller(主操作用調整装置)
「MOC」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
The champion team will receive the champion's tiara from the league's new official sponsor, MOC Corporation.発音を聞く 例文帳に追加
優勝チームはリーグの新しい公式スポンサー,株式会社モックからチャンピオンズ・ティアラを受け取る予定だ。 - 浜島書店 Catch a Wave
All cathodes of organic light emitting diodes of each pixel are connected together in one and connected to a transistor (Moc) of the display panel.例文帳に追加
また、各画素中の有機発光ダイオードの全ての陰極は一つに接続され、ディスプレイパネルの外のトランジスタ(Moc)に接続する。 - 特許庁
The thin film preferably has a composition including TaC, NbC, MoC, WC, CrC, GaN, AlN, or BN.例文帳に追加
この薄膜は、TaC、NbC、MoC、WC、CrC、GaN、AlNまたはBNを含む組成を有する態様が好ましい。 - 特許庁
The each rodlike ceramic regenerative body is preferably formed into a rodlike or tube body constituted of any of alumina (Al_2O_3), silicon carbide (SiC) and molybdenum carbide (MoC).例文帳に追加
前記セラミックス製の棒状蓄熱体が、アルミナ(A1_2O_3)、炭化珪素(SiC)、炭化モリブデン(MoC)のいずれかにより構成された棒体または管体とすることが好ましい。 - 特許庁
To solve the problem of reverse transfer of toner cleaned from a fuser cleaning web to a fuser roll, which induces a mark on a copy (MOC: Marks On Copy).例文帳に追加
溶着器クリーニングウエブから溶着器ロールへのクリーニングされたトナーの逆転写が起こり、それによってコピー上のマーク(MOC:Marks On Copy)を引き起こす。 - 特許庁
This steel has the above components and carbon content in a carbide composed of one or more kinds from among MoC, TiC, NbC and VC, newly precipitated by holding at 650 - 700°C for 10 - 30 min.例文帳に追加
上記成分組成を有し、650〜700℃に10〜30分保持することにより新たに析出するMoC、及びTiC,NbC、VCの1種以上からなる炭化物中の炭素量が特定量となる鋼。 - 特許庁
This will repel the negative toner at the entrance to the fuser nip 13 and prevent the toner 17 from transferring to the fuser roll 2 at the entrance of the fuser nip 13 and preclude the formation of NVO and consequently prevent MOC.例文帳に追加
これにより、溶着器間隙13への入口で負のトナーを駆逐し、溶着器間隙13の入口でトナー17が溶着器ロール2に転写されることを防ぎ、NVOの形成を妨げて、結果としてMOCを防ぐ。 - 特許庁
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On the other hand, in the peripheral circuit region (recess part), an MOC transistor is element-separated by a locus 6, and lead-out wiring 41, 42 are installed on the inter-layer insulating layer 21 for a gate electrode 17, a source and a drain 18.例文帳に追加
一方、周辺回路領域(凹部)においては、MOSトランジスタがロコス6で素子分離され、ゲート電極17及びソース及びドレイン18に対して、層間絶縁層21上に引き出し配線41,40が設けられている。 - 特許庁
A body controller A1 is provided with: a main controller MC; a motor controller MOC; first to fourth motor control circuits 51 to 54; a servo amplifier 10; an encoder receiving circuit 60; and a body-side connection connector 40.例文帳に追加
本体コントローラA1は、主制御装置MCと、モータ制御装置MOCと、第1〜第4モータ制御回路51〜54と、サーボアンプ10と、エンコーダ受信回路60と、本体側接続コネクタ40とを備えている。 - 特許庁
The body-side connection connector 40 and the additional-side connection connector 41 are connected, and each of the motor control circuits 55, 56 of the add-on controller A2 is electrically connected to the motor controller MOC.例文帳に追加
そして、本体側接続コネクタ40と追加側接続コネクタ41が接続されて、追加コントローラA2の各モータ制御回路55,56がモータ制御装置MOCと電気的に接続されている。 - 特許庁
A mask having a zigzaged shape window or a striped window is formed on a GaAs(111) substrate, a GaN buffer layer is formed at a low temperature by HVPE method or MOC method, a GaN epitaxial layer is formed thick at a high temperature by the HVPE method, and the GaAs substrate is removed.例文帳に追加
GaAs(111)基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、HVPE法またはMOC法により低温でGaNバッファ層を形成し、HVPE法により高温でGaNエピタキシャル層を厚く形成し、GaAs基板を除去する。 - 特許庁
A free-standing film is obtained by purifying a raw material gas to fully eliminate water or oxygen, adding water or oxygen in a desired amount to HCL, NH_3 or hydrogen gas as the raw material gas, and epitaxially growing GaN on a GaAs substrate by HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy) or MOC (Metallorganic Chloride Vapor Phase Epitaxy) method.例文帳に追加
原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、HCl、NH_3あるいは水素ガスに含ませて、HVPE法あるいはMOC法でGaAs基板の上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaAs基板を除去し自立膜を得る。 - 特許庁
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※この記事は「北里大学医療衛生学部 医療情報学研究室」ホームページ内の「医学用語集」(2001.06.10. 改訂)の情報を転載しております。 |
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