「growing process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

During a process of growing a carbon nanotube from a substrate, a different element except carbon is introduced into its carbon structure.例文帳に追加

基板からカーボンナノチューブが成長する過程で、その炭素構造内に炭素以外の異元素を導入する。 - 特許庁

METHOD AND FURNACE FOR CHANGING MAINSTREAM DIRECTION OF PROCESS GAS AND VAPOR-GROWING ITS COMPONENT ONTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

プロセスガスの主流方向を変更して半導体基板上に成分を気相成長させる方法および炉 - 特許庁

To provide an epitaxial growing method, with which pattern matching is enabled in a photolithography process after the epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンのエピタキシャル成長後のフォトリソグラフィ工程でのパターン合わせが可能となる、エピタキシャル成長方法を得る。 - 特許庁

Subsequently, before growing a barrier layer, a growth interruption process is performed in order to turn both TMG and TMA off.例文帳に追加

次に、バリア層を成長させる前に、ＴＭＧ、ＴＭＡを共にオフとする成長中断工程を行う。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SUBSTRATE FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THEIR MANUFACTURING PROCESS例文帳に追加

半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法 - 特許庁

Through that process, the income levels in various East Asian countries are rising overall, with growing middle classes, etc.例文帳に追加

その過程の中で、中間層が拡大するなど、東アジア各国の所得水準は全体的に向上している。 - 経済産業省

OXY-CHALCOGENIDE BASED THIN FILM, METHOD FOR GROWING THE SAME, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM METHOD FOR GROWING THE SAME, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、オキシカルコゲナイド系薄膜、酸化物半導体薄膜の成長方法、酸化物半導体薄膜、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

A method of manufacturing a silicon wafer includes a process S11 of preparing a silicon substrate 11, a first epitaxial process S13 of growing an n-type epitaxial film 12 on the silicon substrate 11, and a second epitaxial process S14 of growing a second epitaxial film 13 in which the device is formed on the epitaxial film 12.例文帳に追加

シリコン基板１１を用意する工程Ｓ１１と、シリコン基板１１上にｎ型のエピタキシャル膜１２を成長させる第１のエピタキシャル工程Ｓ１３と、エピタキシャル膜１２上にデバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３を成長させる第２のエピタキシャル工程Ｓ１４とを備える。 - 特許庁

When the TFT substrate 1 is manufactured, a process of growing the IGZO film under a condition that oxygen is insufficient, a plasma process to the IGZO layer, or a baking process under nitrogen, is performed as a process of changing a threshold of the TFT 5.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。 - 特許庁

In the process, the bakufu acquired the right of appointing Shugo and Jito (military governors and estate stewards), growing into a government that could rank with the Imperial Court (the Kuge government). 例文帳に追加

その過程で守護・地頭補任権を獲得し、朝廷（公家政権）と並びうる政権へと成長した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Finally, both TMG and TMA are turned on, and a second growth process of growing the barrier layer (AlGaN layer) is performed.例文帳に追加

次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 - 特許庁

SUPPORTING APPARATUS FOR SUPPORTING GROWING SINGLE CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半導体材料から成る成長する単結晶を支持するための支持装置および単結晶を製作するための方法 - 特許庁

To provide a growing method of a single crystal which can be suitably used for enhancing controllability of seed diameter in a necking process and controllability of single crystal diameter during the drawing-up in a diameter increasing process and a diameter fixing process.例文帳に追加

絞り工程でシード直径の制御性を向上させ、また更に、増径工程、定径工程で引き上げ途中の単結晶径の制御性を向上させ得る単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

Then, a branched whiskers growing process for bringing an inert gas containing a very small amount of oxygen into contact with the surface of the substrate and a process for supporting the catalytic component on the branched whiskers are performed.例文帳に追加

基体表面に微量な酸素を含む不活性ガスを接触させる枝付ウィスカー成長工程と、該枝付ウィスカーに触媒成分を担持する工程、を行う。 - 特許庁

The method for cultivating leaf vegetables comprises a process of growing leaf vegetables so as to have a leaf length of ≤10 cm each and a process of harvesting a plurality of leaves of the leaf vegetables as a unit.例文帳に追加

葉物野菜を葉長１０ｃｍ以下になるまで生育する工程、及び、当該葉物野菜を複数の葉を一体として収穫する工程を備えるようにした。 - 特許庁

To provide a process for growing a nitride thin film on a substrate in which the direction of polarity of the nitride thin film can be controlled by low temperature process, and to provide a nitride thin film device.例文帳に追加

低温プロセスで窒化物薄膜の極性方向を制御することができる基板上への窒化物薄膜の成長方法及び窒化物薄膜装置を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor 14 is made to start growing from the exposed region (region B) of the substrate which is provided in the first process and serves as a starting point (third process).例文帳に追加

基板１０上に、第１工程において露出していた基板部分（領域Ｂ）を成長起点として窒化物半導体１４を成長させる（第３工程）。 - 特許庁

Also, the growth under a humidifying condition within 110 to 120% relative humidity range as a first half period of a growing process, and the growth under a humidifying condition within 90 to 105% relative humidity range as a second half period of the growing process are exemplified.例文帳に追加

また更に、前期生育工程として相対湿度１１０〜１２０％の範囲内の加湿条件下での生育、後期生育工程として相対湿度９０〜１０５％の範囲内の加湿条件下での生育を行うことが例示される。 - 特許庁

In a method for growing CNT wherein a substrate having a layer of a catalyst metal oxide is used as a catalyst layer for growing CNT and CNT is grown on the substrate by supplying a process gas for growing CNT to the substrate, the catalyst metal oxide is reduced by the process gas and CNT is grown on the catalyst metal during the CNT growth process.例文帳に追加

ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process.例文帳に追加

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The reproducing method of the first substrate includes a process for homoepitaxially growing the first substrate whose surface is processed.例文帳に追加

また、さらに、表面処理がされた第１の基板をホモエピタキシャル成長させる工程とを含む第１の基板の再生方法。 - 特許庁

To obtain a herbicide for lawn useful for controlling weeds causing a problem in a process of growing a lawn with keeping its beautiful view.例文帳に追加

本発明は、Ｎ’−（４−ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌｕｒｅａを有効成分として含有する芝生用除草剤を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal in which a large crystal can be grown by a liquid phase process.例文帳に追加

液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell having a trench and an epitaxial growing layer, taking into consideration an adjustment allowable error which enhances a manufacture process.例文帳に追加

製造プロセスを高める調整許容誤差を考慮した、トレンチとエピタキシャル成長層とを有するメモリセルを提供する。 - 特許庁

an evaluation of the size and shape of the nucleus in tumor cells and the percentage of tumor cells that are in the process of dividing or growing. 例文帳に追加

腫瘍細胞中の核の大きさや形状と、分裂ないし増殖中の腫瘍細胞の割合などを評価したもの。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

To improve entertaining capability of a robot by realizing a voice recognition process that changes in accordance with the growing state of the robot.例文帳に追加

ロボットの成長の状態にあわせて変化する音声認識処理を実現して、ロボットのエンタテイメント性の向上を図る - 特許庁

In this process, it becomes clear there was a growing trend that auto manufacturers did not procure all auto parts from affiliated manufacturers.例文帳に追加

この過程で、自動車メーカーが系列のメーカーから全ての部品を調達しない傾向が強まったことが明らかになっている。 - 経済産業省

To provide a plant-based compost for growing a farm product capable of processing it without damaging its proper taste and flavor and without using a sterilizing process, and a method for growing a farm product using the compost.例文帳に追加

消毒工程を設けずに野菜本来の味や風味を損なうことなく加工できる作物を栽培するための植物系堆肥と、これを使用する作物の栽培技術を提供することにある。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for growing an array of single-wall carbon nanotubes, especially an apparatus and method for growing an array of single-wall carbon nanotubes by a CVD process.例文帳に追加

本発明は、単層カーボンナノチューブ配列の成長装置及び単層カーボンナノチューブ配列の成長方法に関し、特にＣＶＤ方法でカーボンナノチューブ配列の成長装置及び成長方法に関する。 - 特許庁

A method of manufacturing a ZnO-based semiconductor device includes a process (a) of preparing a substrate; a process (b) of growing a well layer made of a ZnO-based compound semiconductor above the substrate; and a process (c) of growing a barrier layer made of a ZnO-based compound semiconductor above the substrate, while supplying sulfur S as a surfactant.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる井戸層を成長する工程と、（ｃ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる障壁層を、サーファクタントとしてＳを供給しながら成長する工程とを有する。 - 特許庁

The forming method of the carbon nanotube structure consisting of a carbon nanotube 3 and an insulating film covering the surface of the carbon nanotube comprises a first process for growing the carbon nanotube in a growing device and a second process for coating the surface of carbon nanotube with the insulating film before taking the carbon nanotube out of the growing device.例文帳に追加

カーボンナノチューブ３と、前記カーボンナノチューブの表面を被覆する絶縁膜とからなるカーボンナノチューブ構造体の形成方法において、前記カーボンナノチューブを成長装置内で成長する第１の工程と、前記カーボンナノチューブを前記成長装置から取り出す前に、前記カーボンナノチューブの表面を絶縁膜で被覆する第２の工程とからなる。 - 特許庁

The method for growing the carbon nanotubes includes a process for growing carbon nanotubes by allowing catalytic fine particles, subjected to a heat treatment in an oxidizing atmosphere, to exist in a gaseous atmosphere containing carbon for growing the carbon nanotubes, without exposing the catalytic fine particles to atmosphere.例文帳に追加

カーボンナノチューブの成長方法は、酸化性雰囲気中において加熱処理して得られる触媒微粒子を、大気に曝すことなくカーボンナノチューブ成長用炭素含有ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The environmental condition of CO_2 high concentration is explained with examples that CO_2 concentration of the sprouting process is ≥2,500 ppm, and CO_2 concentration of the carpophore growing process is ≥5,000 ppm.例文帳に追加

ＣＯ_２高濃度の環境条件下とは、芽出し工程のＣＯ_２濃度は２５００ｐｐｍ以上、子実体の生育工程のＣＯ_２濃度は５０００ｐｐｍ以上が例示される。 - 特許庁

This method comprises a process for epitaxially growing a silicon film on one main face of a single-crystal silicon substrate and a process for carrying out heat treatment in an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

単結晶シリコン基板の一主面上に対してシリコン膜をエピタキシャル成長する工程と、酸化性雰囲気での熱処理を行う工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method by which a long single crystal free of dislocations can be grown in a method for growing a silicon single crystal using a continuous charge CZ process (Czochralski process).例文帳に追加

連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a Group III nitride crystal in a liquid phase process wherein the dislocation does not increase when the crystal being grown.例文帳に追加

液相法において結晶成長中に転位が増殖しないＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To suppress occurrence of ZnO fine powder from a raw material when growing a single crystal of ZnO through a hydrothermal synthesis process.例文帳に追加

水熱合成法によりＺｎＯ単結晶を育成する際に、原料からＺｎＯの微粉末が発生しないようにすること。 - 特許庁

To provide a method for reutilizing a substrate after CNT peeling process as a substrate for growing CNT in a short period of time and at a low cost.例文帳に追加

ＣＮＴ剥離工程後の基板を少ない時間と安い費用でＣＮＴ成長用基板として再利用可能にすること。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a compound semiconductor layer on a substrate having a lattice constant difference in ordinary process conditions.例文帳に追加

格子定数差のある基板上に化合物半導体層を通常のプロセス条件でエピタキシャル成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing carbon nanotubes which can obtain long and vertically oriented single-wall carbon nanotube by a simple process.例文帳に追加

簡単な方法によって、長く、かつ、垂直に配向した単層カーボンナノチューブを得ることができるカーボンナノチューブの成長方法の提供。 - 特許庁

To provide an owner farm system, with which the growing process of plants can be known and the safe crops of high quality can be harvested without making hands dirty.例文帳に追加

植物の成長していく過程がわかり、安全で良品質な作物を手を汚す事無く収穫するオーナー農園システム。 - 特許庁

To provide a method for selectively and epitaxially growing a substance containing silicon on the surface of a substrate contained in a process chamber.例文帳に追加

プロセスチャンバ内に含む基板表面上にシリコン含有物質を選択的に且つエピタキシャル的に形成する方法が提供される。 - 特許庁

To provide an epitaxial growing process of a compound semiconductor capable of producing a compound semiconductor crystal having a good crystal quality.例文帳に追加

良好な結晶品質の化合物半導体結晶を得ることができる化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a trench aperture part from being closed, by preventing polycrystal from growing in a process for embedding trenches by epitaxial growth.例文帳に追加

トレンチをエピタキシャル成長によって埋め込む工程で、多結晶が生成しないようにして、トレンチ開口部を塞がないようにする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process of growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen on a substrate by an MBE method and a process of growing the group III-V compound semiconductor layer including phosphor on the nitrogen-containing semiconductor layer by a chloride vapor growth method.例文帳に追加

基板上に、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、ＭＢＥ法により成長する工程と、その窒素含有半導体層上に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、塩化物気相成長法により成長する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁