「growing process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PROCESS FOR GROWING GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の育成方法 - 特許庁

SYSTEM FOR ANALYZING THERMAL STRESS IN SINGLE CRYSTAL GROWING PROCESS例文帳に追加

単結晶育成過程の熱応力解析システム - 特許庁

PROCESS FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIALLY AND PROCESS FOR FABRICATING LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体の結晶成長方法および発光素子の製造方法 - 特許庁

The atmospheric pressure in the process for growing the first crystal 11 is lower than the atmospheric pressure in the process for growing the second crystal 12.例文帳に追加

第１の結晶１１を成長する工程の雰囲気圧力は、第２の結晶１２を成長する工程の雰囲気圧力よりも低い。 - 特許庁

the organic process of growing older and showing the effects of increasing age 例文帳に追加

年を取って加齢による影響が表れる、生物の成長過程 - 日本語WordNet

the process in some plants of parts growing together that are usually separate (such as petals) 例文帳に追加

通常別々である部分が共に成長する植物の過程（花弁など） - 日本語WordNet

PROCESS FOR GROWING WURTZITE III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ウルツ鉱型ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法 - 特許庁

PROCESS FOR GROWING NITRIDE THIN FILM ON SUBSTRATE AND NITRIDE THIN FILM DEVICE例文帳に追加

基板上への窒化物薄膜の成長方法及び窒化物薄膜装置 - 特許庁

CRYSTALLIZATION APPARATUS USING EMBEDDED PURIFICATION CHAMBER AND CRYSTAL-GROWING PROCESS例文帳に追加

埋込み精製チャンバを使用する結晶形成装置と結晶成長工程 - 特許庁

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成する。 - 特許庁

CHILD INFORMATION MANAGEMENT APPARATUS WITH GROWING PROCESS GRAPH DISPLAY例文帳に追加

成長過程グラフ表示機能付き生体情報管理装置 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor substrate has a growing process (S1) and a cutting process (S2).例文帳に追加

この発明に係る半導体基板の製造方法は、成長工程（Ｓ１）と、切断工程（Ｓ２）とを備える。 - 特許庁

Also either a pull-up process or a pull-down process from the melt is employed for growing the single crystal.例文帳に追加

また、単結晶の育成には、融液からの引き上げ法または引き下げ法を用いる。 - 特許庁

The method for growing a GaN-based compound semiconductor includes: a process for growing a column-like crystal layer 11 on a sapphire substrate 10; a process for growing a buffer layer 12 on the column-like crystal layer 11; and a process for growing a GaN-based compound crystal 13 on the buffer layer 12.例文帳に追加

サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a preparing process of preparing a substrate 10 having a concave portion 10r and a convex portion 10p; a first growing process of growing a first semiconductor 11 on the convex portion 10p; and a second growing process of growing a second semiconductor 13 in at least a lateral direction from the first semiconductor 11.例文帳に追加

この製造方法は、凹部１０ｒ及び凸部１０ｐを有する基板１０を準備する準備工程と、凸部１０ｐの上に第１半導体１１を成長させる第１成長工程と、第１半導体１１から少なくとも横方向に第２半導体１３を成長させる第２成長工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor wafer includes an Si-layer formation process, an Si-layer sealing process, a heating process, and a growing process.例文帳に追加

半導体ウエハの製造方法は、Ｓｉ層形成工程と、Ｓｉ層密閉工程と、加熱工程と、成長工程とを含む。 - 特許庁

healing process involving the growing together of the edges of a wound or the growing together of broken bones 例文帳に追加

外傷の縁を共に生育するあるいは骨折した骨を共に生育させることを伴う治療プロセス - 日本語WordNet

To provide a crystal growing method in which a plurality of compound semiconductors having uniform thickness can be grown in a single process by a liquid growing method.例文帳に追加

溶液成長法により一回の工程で均一厚の化合物半導体単結晶を複数成長可能な結晶成長技術を提供する。 - 特許庁

A shape display data generation device 30 generates the display data showing the shape of an area which is obtained in an area growing process (or from the area growing result).例文帳に追加

形状表示データ生成装置３０は、領域成長の過程（又はその結果）で得られる領域の形状を示す表示用データを生成する。 - 特許庁

Based on an actualized protrusion generating region 46, the growing conditions in the succeeding growing process are regulated in feedback.例文帳に追加

顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件をフィードバック調整する。 - 特許庁

To provide a paddy field-cultivating and weeding machine with rotary blades, capable of removing weeds growing in the paddy field in the growing process of rice.例文帳に追加

稲の生育の過程でその水田中に生える雑草を取り除くとする、回転歯付き水田中耕除草機を提供する。 - 特許庁

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1.例文帳に追加

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。 - 特許庁

Plants also absorb heavy metals other than nitrogen, phosphorus or the like in water in a growing process thereof.例文帳に追加

植物はその成長過程で水中のチッ素、リンなどの他に重金属類をも吸収する。 - 特許庁

PROCESS OF PRODUCING CARBON NANOTUBE AND BASE MATERIAL FOR GROWING CARBON NANOTUBE例文帳に追加

カーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブ成長用基材 - 特許庁

PROCESS FOR GROWING MICROORGANISM CONTAINING HIGH CONCENTRATION OF OMEGA-3 HIGHLY UNSATURATED FATTY ACID例文帳に追加

高濃度オメガ三系高度不飽和脂肪酸を含有する微生物を生育する方法 - 特許庁

To effectively utilize a charge replenishment rod in a Czochralski silicon crystal growing process.例文帳に追加

チョクラルスキーシリコン結晶成長法において、装入物補充ロッドを効率的に利用する。 - 特許庁

PROCESS FOR GROWING GaNP CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GaNP CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮＰ結晶の成長方法及びＧａＮＰ結晶を備えた半導体装置 - 特許庁

To form a semiconductor layer which is thicker than in a conventional manner with one time epitaxial growing process.例文帳に追加

１回のエピタキシャル成長工程で従来よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁

SELECTIVELY GROWING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR WITH GROUP III NITRIDE AS BASE例文帳に追加

第ＩＩＩ族の窒化物をベースとする半導体に対する選択的成長プロセス - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SUPPRESSING PIT IN GROWING PROCESS OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体結晶の成長過程におけるピット抑制方法およびピット抑制装置 - 特許庁

SOIL CONDITIONER USING CALCINED FINE SHELL POWDER AND PLANT-GROWING MICROORGANISM AND ITS MANUFACTURE PROCESS例文帳に追加

焼成貝殻微細粉末と植物育成微生物利用の土壌改良剤と製造方法 - 特許庁

ROBOT PET-GROWING GAME PROCESS CONNECTING ON-LINE AND OFF-LINE COMMUNICATIONS例文帳に追加

オンラインとオフラインを連繋したロボット愛玩動物の育成ゲーム方法 - 特許庁

CRYSTAL GROWING METHOD, AND DEVICE USING TEMPERATURE-CONTROLLED PROCESS GAS例文帳に追加

温度制御されたプロセスガスを用いた結晶成長法及び結晶成長装置 - 特許庁

To provide a process for promoting bone modeling and chondrocyte functioning in growing canines.例文帳に追加

発育中のイヌにおいて骨造形及び軟骨細胞機能を向上するプロセスを提供すること。 - 特許庁

To provide a process for growing microorganisms forming high concentrations of omega-3 highly unsaturated fatty acids.例文帳に追加

高濃度オメガ三系高度不飽和脂肪酸を生成する微生物を生育する方法を提供する。 - 特許庁

DEVICE FOR MONITORING LIQUID LEVEL POSITION OF MELT IN PROCESS FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

シリコン単結晶の育成プロセスにおける融液の液面位置監視装置 - 特許庁

To provide a process for growing a GaAs semiconducting single crystal with a high yield of the single crystal.例文帳に追加

単結晶の収率の高いＧａＡｓ半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the blocking layer 7 made of GaAs_1-aP_a (0.5≤a≤0.9) is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にＧａＡｓ_１−ａＰ_ａ（０．５≦ａ≦０．９）よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

PHOTORESIST PATTERNING METHOD, MASK PATTERNING METHOD, PROCESS FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

フォトレジストパターン形成方法、マスクパターン形成方法、半導体結晶の成長方法、半導体基板の製造方法、および半導体基板 - 特許庁

The process S3 includes a process of raising temperature to the lower limit in a predetermined temperature range at a temperature raising rate without growing a crystal nucleus.例文帳に追加

工程Ｓ３は、結晶核が成長しない昇温レートにて所定の温度範囲の下限まで昇温する工程を含む。 - 特許庁

The purpose is realized by approximately combine a conventional semiconductor device process and a nanocarbon growing process.例文帳に追加

従来の半導体デバイスプロセスとナノカーボン成長プロセスとを適切に組合わせることにより達成した。 - 特許庁

The method for growing the carbon nanotubes includes a process for growing carbon nanotubes by allowing catalytic fine particles, subjected to a heat treatment in an oxidizing atmosphere, to exist in a gaseous atmosphere containing carbon for growing the carbon nanotubes, without exposing the catalytic fine particles to atmosphere.例文帳に追加

カーボンナノチューブの成長方法は、酸化性雰囲気中において加熱処理して得られる触媒微粒子を、大気に曝すことなくカーボンナノチューブ成長用炭素含有ガス雰囲気中に存在させてカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method is characterized as suppressing the growth of silicon single-crystal particles, by dividing the production process to form a polycrystalline silicon film 204 into a growing process of a first polycrystalline silicon film 204a and a growing production process of a second polycrystalline silicon film 204b.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０４を形成する工程を第１の多結晶シリコン膜２０４ａの成長工程と第２の多結晶シリコン膜２０４ｂの成長工程とに分け、シリコン単結晶粒の成長を抑えたことを特徴とする。 - 特許庁

In a method for growing CNT wherein a substrate having a layer of a catalyst metal oxide is used as a catalyst layer for growing CNT and CNT is grown on the substrate by supplying a process gas for growing CNT to the substrate, the catalyst metal oxide is reduced by the process gas and CNT is grown on the catalyst metal during the CNT growth process.例文帳に追加

ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。 - 特許庁

When the TFT substrate 1 is manufactured, a process of growing the IGZO film under a condition that oxygen is insufficient, a plasma process to the IGZO layer, or a baking process under nitrogen, is performed as a process of changing a threshold of the TFT 5.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。 - 特許庁