「growing process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

From then on till the latter half of the seventh century, the name designating the country was still Wakoku or Wa, but in the process of remodeling its state and administrative apparatus on the ritsuryo system (a system of centralized government based on the ritsuryo code) by the Emperor Tenmu, there was growing national awareness about the avoidance of using Wa or Wakoku, so that before and after 701, a pair of Chinese characters, 日本, (meaning of 'the land from the sun-rise) came to be used. 例文帳に追加

その後、7世紀後半に至るまで国号の表記は倭国・倭のままであったが、天武天皇に始まる律令制建設の過程で、倭国・倭という表記を忌避する意識が再び高まり、701年前後に日本という表記が採用されることとなったと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method for manufacturing the nitride crystal of the group III element includes a process for growing the crystal by reacting the group III element, nitrogen and a dopant in a melt containing an alkali metal in an atmosphere of a gas containing the nitrogen-containing gas and the dopant.例文帳に追加

III族元素窒化物結晶の製造方法であって、窒素含有ガスおよびドーパントを含むガスの雰囲気中で、アルカリ金属を含む融液中において、III族元素と前記窒素と前記ドーパントとを反応させることにより結晶成長させる工程を含むIII族元素窒化物結晶の製造方法である。 - 特許庁

The invention provides a process for preparing pure squalene, comprising the steps of: (a) growing a yeast that produces a high yield of squalene during culture; and (b) purifying squalene from the yeast grown in step (a).例文帳に追加

本発明は、純粋なスクアレンを調製するためのプロセスを提供し、上記プロセスは、（ａ）培養の間に高収量でスクアレンを生産する酵母を増殖させる工程；および（ｂ）上記工程（ａ）において増殖させた酵母からスクアレンを精製する工程を包含する。 - 特許庁

To provide an electrical stimulator applying electrical stimulation to a biological cell or a biological tissue in a process for growing the biological cell or biological tissue and to provide a method for promoting or suppressing the growth of the biological cell or biological tissue using the stimulator.例文帳に追加

生体細胞又は生体組織の成長過程において、生体細胞又は生体組織に電気刺激を与えることのできる電気刺激装置、及びその装置を用いた生体細胞又は生体組織の成長促進又は抑制方法の提供。 - 特許庁

In a process for growing a first nitride compound semiconductor layer in which a nitride semiconductor substrate is doped with n-type impurities, the main surface of the nitride semiconductor substrate is partially heavily doped and the first semiconductor layer is grown.例文帳に追加

本発明では、窒化物半導体基板上にｎ型不純物をドーピングした第１の窒化物化合物半導体層を成長する工程において、窒化物半導体基板の主面を部分的に前記不純物で高濃度化した後に第１の半導体層を成長する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide powder having ≤0.1 ppm impurity content, free from causing extreme decrease of specific surface area under single crystal growing condition by sublimation process and having a particle diameter exhibiting stable sublimation rate.例文帳に追加

不純物含有量が０．１ｐｐｍ以下であり、昇華法による単結晶育成条件下で比表面積の大幅な減少を起こすことがない、安定した昇華速度を示す粒径を有する炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する - 特許庁

In the next process, an epitaxial growth layer 22 is formed by epitaxial-growing the Si layer on the surface of the Si layer 11a that has been exposed, and a source-drain region 23 is formed at an epitaxial growth layer 22.例文帳に追加

次いで、露出されたＳｉ層１１ａの表面上に、Ｓｉ層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層２２を形成するとともに、エピタキシャル成長層２２にソース・ドレイン領域２３を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

To provide a light emitting element formed on a gallium oxide substrate which is not affected by etching even with hydrogen gas used in a compound semiconductor growing process of the gallium oxide substrate, and which is superior in substrate planarity and transparency of the substrate; and to provide a manufacturing method of the element.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板の化合物半導体成長工程において使用する水素ガスによってもエッチング等の影響を受けず、基板平面性がよく、基板の透明性に優れたガリウム酸化物基板上に形成された発光素子、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

Before performing a lateral growth process, in order to prevent the growth of gallium nitride from a groove bottom from interfering with the lateral growth into at least one groove of the gallium nitride side wall of at least one pillar of growing, the sapphire bottom portion and the gallium nitride top portion are masked.例文帳に追加

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a single gate or multiple gate field plate using consecutive steps of depositing/growing a dielectric material, etching the dielectric material, and evaporating a metal on a surface of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセスの提供。 - 特許庁

In a process (1) for epitaxially growing silicon on a single crystal silicon substrate 1, a semiconductor is grown epitaxially on the single crystal silicon substrate 1 in an oxygen atmosphere while adding oxygen to such an extent as the single crystallinity of the single crystal silicon is not collapsed.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコンをエピタキシャル成長させる形成工程 において、酸素雰囲気中で単結晶シリコン基板１上に単結晶シリコンの単結晶性を崩さない程度の酸素を含有させつつ当該半導体をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To reduce the irregularity in the impurity concentration in the plane of a semiconductor wafer and to improve the flatness of the wafer by allowing impurities to be uniformly taken in the single crystal semiconductor in the process for growing the single crystal semiconductor by pulling it from a melt.例文帳に追加

融液から単結晶半導体を引上げ成長させる過程で、単結晶半導体に不純物が、より均一に取り込まれるようにすることで、半導体ウェーハの面内での不純物濃度ムラを小さくさせ、もってウェーハの平坦度を向上させる。 - 特許庁

To provide a laminating structure of a 3-group nitride semiconductor capable of realizing a flat surface, a controlled film thickness and the reduction of crystal defect by a one time crystal growing process with excellent reproducibility, and provide a manufacturing method thereof and a 3-group nitride semiconductor device.例文帳に追加

一回の結晶成長工程で、表面が平坦で、膜厚が制御され、再現性良く結晶欠陥の低減を実現できる３族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び３族窒化物半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a seeding tape which can simply hold seeds on the tape, can hold the many seeds at an accurate distance in the longitudinal direction, and effectively acts also in a process for germinating the seeds and then growing the crops.例文帳に追加

テープ上に種子を簡単に保持させることが可能で、多数の種子を長手方向に沿って正確に等間隔で保持させることができ、種子が発芽して作物が生育していく過程においても有効な働きをする播種用テープを提供する。 - 特許庁

The method for forming a crystalline semiconductor film includes steps of: forming a semiconductor film containing hydrogen on a substrate or an insulating film provided on the substrate; performing a plasma process applying surface wave plasma on the semiconductor film containing hydrogen to create crystal nuclei of the semiconductor; and forming a crystalline semiconductor film by growing the crystal nuclei.例文帳に追加

基板上、又は基板上に設けられた絶縁膜上に水素を含む半導体膜を形成し、該水素を含む半導体膜上に表面波プラズマによるプラズマ処理を行って半導体の結晶核を発生させ、該結晶核を成長させることで結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁

In the process for growing the semiconductor crystal, either a group II element or a group VI element is filled in excess compared to a stoichiometric ratio of the group II-VI compound of 1:1 in the sealed tube.例文帳に追加

ハロゲンを輸送媒体とする化学輸送法によって封管中でＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を育成する方法において、そのＩＩ−ＶＩ族化合物の化学量論的比率の１：１に比べてＩＩ族元素またはＶＩ族元素のいずれか一方を封管中に過剰に充填する。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN compound crystal, where crackings can be prevented from occurring in a GaN compound semiconductor crystal by removing a rare earth 13 (3B) perovskite crystal board by the use of a reduction treatment, before a cooling process is carried out.例文帳に追加

冷却工程の前に希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶基板を還元処理して除去することにより、ＧａＮ系化合物半導体結晶にクラックが発生するのを防止できるＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing sufficiently a monocrystal GaN substrate which is a growing substrate capable of obtaining a semiconductor layer of a good surface morphology or a monocrystal GaN substrate which can be suitably used as a semiconductor substrate, by reducing a defect in a polishing process and shortening a polishing time.例文帳に追加

研磨工程における不良を低減し、研磨時間を短縮して、表面モフォロジーが良好な半導体層が得られる成長用基板である単結晶ＧａＮ基板又は半導体基板として好適に用いることができる単結晶ＧａＮ基板を効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for cultivating red-color amaranthus comprises: bringing the amaranthus into contact with aqueous solution containing an effective dosage of metal salt in the process of growing the amaranthus to cultivate it; and reducing chlorophyll to relatively increase the content of betacyanine.例文帳に追加

本発明のアマランサスの栽培方法は、アマランサスの生育過程において有効量の金属塩を含む水溶液と接触させて栽培し、クロロフィルを減少させ相対的にベタシアニン含有量を増加させたことを特徴とする水耕栽培方法である。 - 特許庁

The method of producing group 13 metal nitride crystal comprises a process of growing the group 13 metal nitride crystal on a seed in a solution including nitrogen element and the group 13 metal element in a molten salt, wherein a principal plane of the seed is a semipolar surface.例文帳に追加

溶融塩中に窒素元素と第１３族金属元素とを含む溶液において、シード上に第１３族金属窒化物結晶を成長させる第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、該シードの主面が半極性面である第１３族金属窒化物結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a raw material for an aluminum nitride single crystal and a method for producing the raw material, showing a stable sublimation rate of the raw material for a long time even in a long-term growing process and producing an aluminum nitride single crystal having stable quality.例文帳に追加

長時間の成長でも原料の昇華速度が長時間に亘り安定しており、安定した品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶用原料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fixing a silicon carbide seed crystal and a method for producing a silicon carbide single crystal, for producing a high-quality silicon carbide single crystal free of penetration defects in the process of growing a single crystal of silicon carbide on a silicon carbide seed crystal by supplying a sublimated gas of a silicon carbide raw material.例文帳に追加

炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique concerning a method for successfully cleaning the inside of an air suction pipe that sucks gas from a processing chamber by use of a vacuum pump, with respect to a cleaning method for a film forming device or a crystal growing device carrying out a process under a reduced pressure.例文帳に追加

減圧下で処理を行う成膜装置又は結晶成長装置のクリーニング方法に係り、処理室から真空ポンプによりガスを吸気する吸気配管内のクリーニングを良好に行うようにしたクリーニング方法に関する技術である。 - 特許庁

To provide resin particles for a light-diffusing film having a low refractive index and excellent monodispersion property, by growing seed particles into a desired range of particle diameter without using an additive (a swelling assistance or the like) that requires a recovery process.例文帳に追加

回収工程が必要となるような添加剤（膨潤助剤等）を用いないでシード粒子を所望の粒子径の範囲に成長させることにより、低屈折率で、単分散性に優れる光拡散フィルム用樹脂粒子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which when the same kind of a semiconductor material as that of a semiconductor layer is used as a substrate for growing the semiconductor layer making up a semiconductor element structure, allow a recognizable alignment mark to be formed at the time of a light exposure process following the growth of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体素子構造を構成する半導体層の成長用基板として、該半導体層と同種の半導体材料を用いる場合に、半導体層を成長した後の露光時に認識可能なアライメントマークを形成できるようにする。 - 特許庁

The method of manufacturing a group III nitride film includes a process of growing a nonpolar group III nitride film on a growth surface of the substrate, wherein the growth surface of the substrate is not nonpolar and a flat mirror surface is formed on an upper surface of the nonpolar group III nitride film.例文帳に追加

III 族窒化膜を製造する方法であって、基板の成長面上に無極性III 族窒化膜を成長させる工程を含み、前記基板の前記成長面は無極性ではなく、前記無極性III 族窒化膜の上面には平坦な鏡面を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing process for butt-joint-integrating the InGaAlAs-based waveguide on the InP substrate, an InGaAsP layer is formed on InP which becomes a substrate for growing the InGaAlAs-based waveguide, when a temperature is raised to the vicinity of 700°C being a growth temperature of InGaAlAs.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路をバットジョイント集積する製造プロセスにおいて、ＩｎＧａＡｌＡｓの成長温度である７００℃前後に昇温する際に、ＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路を成長する下地となるＩｎＰの上にＩｎＧａＡｓＰ層が形成されている構成とする。 - 特許庁

The method for producing a Group III nitride-based compound semiconductor by the flux process includes: preparing a melt by melting at least a Group III element by use of a flux; supplying a nitrogen-containing gas to the melt; and growing a semiconductor crystal consisting of a Group III nitride-based compound semiconductor on a seed crystal from the melt.例文帳に追加

少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。 - 特許庁

An molten pool in arc welding is continuously photographed with a video camera; a difference is extracted from the picture data of a plurality of frames time sequentially before and after; and, by adding this difference, the contour of the molten pool in a growing process is detected from the picture data of the photographed arc weld zones.例文帳に追加

アーク溶接における溶融池をビデオカメラにて連続的に撮影し、時系列的に前後する複数のフレームの画像データから差分を抽出し、この差分を加算することにより、アーク溶接部を撮影した画像データから成長過程にある溶融池の輪郭を検出する。 - 特許庁

The single crystal is produced by growing a starting rod based on XB_2 (wherein X is at least either Ti or Zr) and containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 into a crystal rod by the floating zone process.例文帳に追加

ＸＢ_２（ＸはＴｉ若しくはＺｒの少なくとも一種を含む）を主成分として、０．０５〜３重量％のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含む原料棒をフローティングゾーン法により結晶棒に育成することにより、単結晶を製造する。 - 特許庁

For example, methods includes the steps of fertilizing pooled male-female gametes derived from different species, growing it up to be a reproducibly survival organism, preparing an organism library of various multicellular organisms by repeating the mating process, and selecting an organism having a desired trait or property.例文帳に追加

例えば、異なる種由来のプールした雄性・雌性配偶子を授精し、生殖的に生存可能な生物へと成長させ、これを繰返し交配して多様な多細胞生物の生物ライブラリーを作製し、所望の形質または特性の生物を選択する工程を包含する方法。 - 特許庁

In the production method of the silicon carbide single crystal, including a process for growing the silicon carbide single crystal ingot on a seed crystal, when the concentration of impurity in an atmospheric gas is changed during growth of the silicon carbide single crystal, temperature is controlled so that the growth temperature becomes constant.例文帳に追加

種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶成長中に雰囲気ガス中の不純物濃度を変化させる際に、成長温度が一定になるように温度制御する。 - 特許庁

Further, in the process for growing the group III nitride crystal 20, the ground substrate 10 is arranged so that the inclination angle ϕ of the main plane 10m of the ground substrate 10 to the surface 17m of the solution 17 satisfies following relation: θ≤ϕ≤θ+26.5°.例文帳に追加

また、ＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程において、溶液１７の表面１７ｍに対する下地基板１０の主面１０ｍの傾斜角φがθ≦φ≦θ＋２６．５°の範囲となるように下地基板１０が配置されている。 - 特許庁

To provide a food of Agaricus mushroom mycelium mass capable of uniformly growing a large amount of Agaricus mushroom mycelia in a culture medium in a short period, readily carrying out process for producing mycelium mass food and transportation of the product and efficiently taking active ingredients of Agaricus mushroom mycelia.例文帳に追加

短期間で大量のアガリクス茸菌糸を培地内にまんべんなく蔓在生育させるとともに、菌糸塊食品製品化のプロセスと製品の運搬が容易であって、アガリクス茸菌糸の有効成分を効率よく摂取することが可能なアガリクス茸菌糸塊食品を提供する。 - 特許庁

To provide a jellyfish-catching, processing, and recovering system which can efficiently catch, process, recover, and exterminate Echizen jellyfish massively growing in Japan Sea, flow in ocean currents, fill up sea areas, and move northward, from summer to autumn, and can give large effects.例文帳に追加

夏から秋にかけて、日本海に大量発生を行い海流に乗って海域を埋め尽くし、北上する越前クラゲを捕獲処理回収駆除が効率よく行えて、大きな効果が出るクラゲ捕獲処理回収システムの提供を行う。 - 特許庁

To provide a plant growth analyzer with which growth information on respective plant samples can be obtained individually and at an always fixed position/angle while simultaneously cultivating a lot of plant samples in order to analyze the change in growing process taking account of long lapsed time of plants.例文帳に追加

長期間にわたる植物の時間経過をふまえた生育過程の変化を解析するために、多数の植物試料を同時に栽培しながら、個々の植物試料をそれぞれ単独で、かつ常に一定の位置・アングルで生育情報を取得する植物生育解析装置を提供する。 - 特許庁

A process for providing the projecting sections on the film surface of the first electrode 21 includes a step of growing at least the surface of a first conductive film, in such a way that the surface is replaced with a second conductive film substantially containing no silicon.例文帳に追加

前記第１の電極にその膜面に突起を設ける工程は、所望形状に形成された第１の導体膜の少なくとも表面が実質的にシリコンを含有しない第２の導体膜に置換成長させられる工程を含んいる。 - 特許庁

Growing of the protective film 2 is relatively accelerated at a recessed part 1A than a protruding part 1B of the rare earth magnet element 1, and the growth process of the protective film 2 is so controlled that the film becomes almost flat as a whole, so that surface roughness of the protective film 2 becomes 0.4 μm or less.例文帳に追加

希土類磁石素体１の凸部１Ｂよりも凹部１Ａにおいて相対的に保護膜２の成長が促進され、全体としてほぼ平坦となるように保護膜２の成長過程が制御されるため、保護膜２の表面粗さが０．４μｍ以下となる。 - 特許庁

The method includes a process of selectively epitaxial-growing a single crystal Si strip on the surface of the sidewall of a single-crystal SiGe layer and the SiGe layer is attached to a support platform (generally, an insulator on a Si substrate) and the Si strip is also attached to the support platform.例文帳に追加

該方法は、単結晶ＳｉＧｅ層の側壁表面に単結晶Ｓｉストリップを選択的なエピタキシャル成長させる工程を含み、前記ＳｉＧｅ層は支持基板（一般にＳｉ基板上の絶縁体）に接着され、かつ前記Ｓｉストリップもまた支持基板に接着される。 - 特許庁

A silicon single crystal having such a property that the oxidation-induced stacking faults generated during high temperature oxidation treatment is ≤1×10^2/cm^2 is obtained by cooling a silicon single crystal at a cooling speed of ≥3.0°C/min within a temperature range of 1,100-900°C after pulling, in a process for pulling and growing the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０^2／ｃｍ^2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。 - 特許庁

A continuous film-forming process for supplying the insulating substrate 70, where the gate electrode is formed to the reaction room 12 of a film forming device, forming a gate oxide film with a chemical vapor phase growing method, and forming a semiconductor thin film by overlapping it on the gate oxide in the same reaction room 12 is executed.例文帳に追加

ゲート電極を形成した絶縁基板７０を成膜装置の反応室１２に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し、更に同一の反応室１２内でゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程を行なう。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

An organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is then used as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an annealed wafer which can easily reduce DNN defects without changing conditions the crystal growing step or heat treating conditions of a heat treating process in a step of manufacturing the annealed wafer.例文帳に追加

アニールウエーハを製造する工程において、結晶成長工程の条件や熱処理プロセスの熱処理条件の変更を行うことなく、ＤＮＮ欠陥の発生を容易に低減することができるアニールウエーハの製造方法及びＤＮＮ欠陥の低減したアニールウエーハを提供する。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device which forms a wiring layer or a bump by growing a metallic plating film on the surface of a semiconductor substrate by plating method, the semiconductor device is made, with the crystal grains of the metallic plating film oriented in the direction of (200) in the above plating process.例文帳に追加

半導体基板表面にメッキ法で金属メッキ膜を成膜し配線層あるいはバンプを形成する半導体装置の製造工程において、上記メッキ工程で金属メッキ膜の結晶粒を（２００）方向に配向して形成する。 - 特許庁