「inp-based semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a large current gain of an InP-based HBT having a base layer of a GaAsSb-based compound semiconductor.例文帳に追加

ＧａＡｓＳｂ系の化合物半導体のベース層を有するＩｎＰ系ＨＢＴで、大きな電流利得が得られるようにする。 - 特許庁

More specifically, the conversion device 3 comprises a GaAs-based semiconductor element, InP-based semiconductor element, SiC semiconductor element or GaN-based semiconductor element, or a combination of those semiconductor elements.例文帳に追加

より具体的には、変換装置３がＧａＡｓ系半導体素子、ＩｎＰ系半導体素子、ＳｉＣ半導体素子若しくはＧａＮ系半導体素子またはこれら半導体素子の組み合わせを備えてなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical waveguide having light enclosing structure based on an Al oxide layer on an InP substrate.例文帳に追加

Ａｌ酸化層による光閉じ込め構造をＩｎＰ基板上に有する半導体光導波路を提供する。 - 特許庁

To realize a MIS compound semiconductor device that uses an InP-based compound semiconductor and have good characteristics by making a gate insulating film having excellent MIS interface characteristics to be formed in a short time at a low process temperature.例文帳に追加

ＭＩＳ界面特性の優れたゲート絶縁膜を低いプロセス温度でより短時間で形成できるようにし、ＩｎＰ系化合物半導体を用いた特性のよいＭＩＳ型デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

To further improve off-breakdown voltage without sacrificing high-frequency characteristics in an InP-based HBT having a base layer composed of a GaAsSb-based compound semiconductor.例文帳に追加

ＧａＡｓＳｂ系の化合物半導体のベース層を有するＩｎＰ系ＨＢＴにおいて、高周波特性を犠牲にすることなく、さらにオフ耐圧を向上させる。 - 特許庁

The spikes of the present invention can be used to stop dopant diffusion out of a doped layer, in a variety of III-V semiconductor structures, such as InP-based PIN devices.例文帳に追加

本発明のスパイクを用いて、ＩｎＰをベースにしたＰＩＮデバイス等、様々なＩＩＩ−Ｖ族半導体構造におけるドープ層からドーパントが拡散するのを妨げることができる。 - 特許庁

To reduce a defect (for instance, displacement) of a metamorphic substrate growing an InP-based semiconductor device by using a compression strain layer and a tensile strain layer.例文帳に追加

圧縮歪層と引張歪層とを利用して、ＩｎＰ系半導体デバイスを成長させるメタモルフィック基板の欠陥（例えば転位）の低減を可能にする。 - 特許庁

The MIS compound semiconductor device is manufactured by forming an AlN film (gate insulating film) 103 composed of a nitride of a group III element on a substrate 101 provided with an epitaxial layer (semiconductor layer) 102 composed of an InP-based compound semiconductor by the ECR sputtering method.例文帳に追加

ＩｎＰ系の化合物半導体からなる半導体層エピタキシャル層（半導体層）１０２を備えた基板１０１の上に、ＥＣＲスパッタ法により、ＩＩＩ族元素の窒化物であるＡｌＮ膜（ゲート絶縁膜）１０３を形成することで、ＭＩＳ型化合物半導体装置を製造する。 - 特許庁

Thereby, the waveguide type Faraday rotation element 10 can be manufactured by using an InP based semiconductor material, a region where light transmitted in the waveguide overlaps with a layer containing Mn is increased and interaction of light and Mn can be heightened.例文帳に追加

これにより、導波路型ファラデー回転素子１０をＩｎＰ系の半導体材料を用いて製造することができるとともに、導波路内を伝播する光がＭｎを含んだ層とオーバーラップする領域が増加し、光とＭｎとの相互作用が高められる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which, in the case where an InP-based device is formed with a sacrificial layer in between, is capable of obtaining better device characteristics than those in the case where an AlAs single layer is used as the sacrificial layer, and which avoids the risk that the device layer is etched during etching of the sacrificial layer.例文帳に追加

犠牲層を介してＩｎＰ系のデバイスを形成したときに、犠牲層としてＡｌＡｓ単層を用いたときのデバイス特性よりも良好なデバイス特性を得ることができ、かつ、犠牲層をエッチングする際に、デバイス層もエッチングされてしまう虞のない半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

This method includes the steps for: forming an etching mask extending in a predetermined direction on a second semiconductor region 30 of a substrate product 10A having first and second semiconductor regions 20, 30 including an InP based compound semiconductor; forming a stripe mesa structure 40 by performing dry etching using an etching mask, and then performing wet etching; forming an insulation film 42; and forming an electrode 50 by the lift-off method.例文帳に追加

この方法は、ＩｎＰ系化合物半導体を含む第１及び第２の半導体領域２０，３０を有する基板生産物１０Ａの第２の半導体領域３０上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造４０を形成する工程と、絶縁膜４２を形成する工程と、リフトオフ法により電極５０を形成する工程とを備える。 - 特許庁