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inprintを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 17



例文

MOLD FOR INPRINT AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

インプリント用モールドおよびパターン形成方法 - 特許庁

STAMPER FOR OPTICAL INPRINT, AND MANUFACTURING METHOD FOR LIGHT EMITTING DEVICE AND USING SAME STAMPER例文帳に追加

光インプリント用スタンパおよびそれを用いた発光装置の製造方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REDUCING INPRINT IN FERROELECTRIC DEVICE USING DEPOLING TECHNIQUE例文帳に追加

消分極技術を用いた、強誘電体素子におけるインプリントを減少させる方法及び装置 - 特許庁

To provide a nano inprint composition which can give excellent inprint property, substrate adhesiveness, heat resistance, elastic recovery factor and voltage characteristics.例文帳に追加

優れたインプリント性、基板密着性、耐熱性、弾性回復率および電圧特性を提供可能な、ナノインプリント用組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

To form a metallic film on a base, and to require an etching process in order to form a circuit pattern by using an inprint technology or a photolithography technology.例文帳に追加

インプリント技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを形成するためには、下地に金属膜を形成し、さらにエッチング工程を必要とする。 - 特許庁


例文

To provide a production method of excellent productivity for a micro-fine resin structure, can restrain a transfer pattern from being damaged, when transferring micro-fine structure from a resin mold by a nano-inprint method.例文帳に追加

樹脂製モールドからナノインプリント法により微細構造を転写する際に、転写パターンへの損傷を抑制し、生産性に優れた微細構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The inprint of the ferroelectric capacitors in the ROM area is advanced by the baking process, and the read-out margin being the difference in residual polarized values of the ferroelectric capacitances is increased.例文帳に追加

ベーク処理によりROM領域の強誘電体キャパシタ対のインプリントが進み、強誘電体キャパシタ対の残留分極値の差である読み出しマージンは大きくなる。 - 特許庁

In a manufacturing process, nano inprint lithography is used as new microfabrication technology, in place of photolithography which has been used conventionally for manufacturing the color filter.例文帳に追加

製作工程では、従来カラーフィルタの製作に使われているフォトリソグラフィに替わり、新しい微細加工技術としてナノインプリントリソグラフィを用いる。 - 特許庁

To reduce or eliminate the inprint effect of ferroelectric devices such as capacitive elements and memory cells without exposing the devices to a too high temperature and ultraviolet light or without conducting a post-annealing process.例文帳に追加

強誘電体素子を過大な温度にさらしたり、紫外光にさらしたり、あるいはポストアニーリング処理を行ったりすることなく、容量素子やメモリセルなどの強誘電体素子におけるインプリント効果を少なくしあるいはなくす。 - 特許庁

例文

A beverage feeder having an absorption column filled with an absorber ( a molecule inprint polymer, active carbon or the like) for removing purine alkaloids and removing the purine alkaloids by passing a purine alkaloid-containing solution through the column is provided.例文帳に追加

脱プリンアルカロイドのための吸着剤(分子インプリントポリマー、活性炭等)がカラムに充填され、プリンアルカロイド含有水溶液をこのカラムに通液することにより、脱プリンアルカロイドすることを特徴とする飲料供給器。 - 特許庁

例文

The rays of light are irradiated to the back face of a transparent substrate 3 on which an inprint resin pattern 8 is formed, and a conductor pattern (optical CVD film pattern 6) is selectively formed only in a concave section of the resin pattern 8 by an optical CVD method.例文帳に追加

本発明は、インプリントされた樹脂パターン8が形成された、透明な3基板の背面から光を照射し、光CVD法により樹脂パターン8の無い凹部にだけ選択的に導体パターン(光CVD膜パターン6)を形成する。 - 特許庁

To provide a rugged pattern forming method in a nano inprint processing method useful for forming an electronic device, an optical component, a recording medium and the like, and capable of manufacturing such finely patterned products at low cost and high speed.例文帳に追加

電子デバイス、光学部品、記録媒体等の作製に有用なナノインプリントプロセス法であって、このような微細なパターンを有する製品を、安価で、且つ高速に製造することが可能な凹凸パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter by a nano-inprint process method with excellent productivity and with high precision by using a die having a reversed pattern of a fine projecting and recessing pattern to generate structural colors of R (red), G (green), and B (blue).例文帳に追加

R(赤)G(緑)B(青)の構造色を生成する微細凹凸パターンの反転パターンを有する金型を用いて、ナノインプリントプロセス法によりカラーフィルタを優れた生産性で精度良く製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device with which such a first problem that a test time for detecting a deteriorated capacitor of a semiconductor memory device using the conventional ferroelectric capacitor becomes long or such a second problem that inprint endurance is inferior is solved.例文帳に追加

従来の強誘電体キャパシタを用いた半導体記憶装置の劣化したキャパシタを検出する為の試験時間が長くなるという第1の課題、或いは、インプリント耐性が劣るという第2の課題を解決した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a substrate, in which a desired fine uneven structure having a comparatively large area can be formed on a surface of the substrate, by paying attention to mask formation by a nano-inprint process allowing a mask having a comparatively large area to be obtained and chemical etching allowing a large area to be processed.例文帳に追加

比較的大面積化が可能なナノインプリントプロセスによるマスクの形成と、大面積の処理が可能な化学エッチングとに着目することで,基板の表面に比較的大面積の所望の微細凹凸構造を形成可能な方法を提供する。 - 特許庁

In the mold 1 for inprint having rugged pattern 11 corresponding to a pattern to be transferred, at least a region 4 between bottoms of recessed parts of the rugged pattern 11 and faces opposite to the recessed parts and on the opposite side of a face formed with the rugged pattern has higher permeability for gas than quart.例文帳に追加

転写するべきパターンに対応した凹凸パターン11を備えたインプリント用モールド1において、少なくとも、凹凸パターン11の凹部の底と、前記凹部の底と対向する、前記凹凸パターンが形成された面と反対側の面との間の領域4は、石英よりもガスに対する透過性が高いことを特徴とする。 - 特許庁

例文

Provided is a photo nano inprint composition characterized by comprising (A) a silane coupling agent, (B) a silicone polymer compound and (C) a photopolymerization initiator, wherein photopolymerizable group-having compounds among (A) the silane coupling agent and (B) the silicone polymer compound occupies50 wt.% based on their total amount, and (C) the photopolymerization initiator is used for the polymerization of the photopolymerizable groups.例文帳に追加

A)シランカップリング剤、B)高分子ケイ素化合物およびC)光重合開始剤を含有し、A)シランカップリング剤およびB)高分子ケイ素化合物の合計含量のうち、光重合性基を有するものが全体の50重量%以上を占め、C)光重合開始剤は、前記光重合性基の重合に用いるものであることを特徴とする光ナノインプリント用組成物。 - 特許庁

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