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interface defectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 115件
This new method for forming a MOS structure having a GaAs base 140 includes the steps of ion implanting after formation of an oxide and thereafter performing slow heating and cooling operations, in such a manner that an interface defect detectable by a high-resolution transmission electron microscope essentially will not be generated.例文帳に追加
ＧａＡｓを基本とするＭＯＳ構造を形成する新しい方法は、酸化物形成後のイオン注入及び高分解透過電子顕微鏡によって検出できる界面欠陥が本質的に形成されないように行われるその後のゆっくりした加熱及び冷却を含む。 - 特許庁
To improve a problem resulting from a defect at the interface between an insulation layer and a SiGe crystal layer not to give adverse effect on the leak current characteristic in a MIS type field effect transistor in which a strain Si layer joined with the SiGe crystal layer formed on an insulation layer is used for channel layer.例文帳に追加
本発明では絶縁層上に形成されたＳｉＧｅ結晶層に接合するひずみＳｉ層をチャネル層に用いるＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、絶縁層とＳｉＧｅ結晶層との界面の欠陥等に起因する問題が、リーク電流特性等に悪影響を与えないよう改良する。 - 特許庁
To form a silicon nitride oxidized film as a gate insulating film for preventing boron from punching through, to prevent nitrogen in the silicon nitride oxidized film from being concentrated on the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, and to prevent the characteristic defect of a transistor by NBTI in a MIS semiconductor device.例文帳に追加
ＭＩＳ型半導体装置において、ボロンの突抜を防止するために、ゲート絶縁膜としてシリコン窒化酸化膜を形成し、かつシリコン窒化酸化膜中の窒素がゲート絶縁膜とシリコン基板との界面に窒素が集中することを防止し、ＮＢＴＩによるトランジスタの特性不良を防止する。 - 特許庁
By the release of oxygen from the base insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the base insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加
前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁
To provide a fiber-reinforced composite body which has a decorative layer with a required excellent decorative properties and a fiber-reinforced resin layer with a sufficiently high strength, and has the interface between the decorative layer and the fiber-reinforced resin layer with no defect such as void and inferiority of adhesion, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
所望の優れた装飾性を持つ装飾層と、強度が十分高い繊維強化樹脂層とを有し、装飾層と繊維強化樹脂層との界面が、ボイドや接着不良という欠陥の無い界面である繊維強化複合体を提供し、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a single crystal, by which a high quality single crystal wherein a desired defect area is formed in the crystal growth direction can be easily manufactured with a high productivity and yield by suppressing the fluctuation of the temperature gradient in the vicinity of the solid-liquid interface to be minimum when the single crystal is grown.例文帳に追加
単結晶を育成する際に、固液界面近傍の温度勾配の変動を最小限に抑制し、結晶成長方向に所望欠陥領域が形成された高品質の単結晶を容易に、かつ高い生産性及び歩留りで製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加
シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which even when a crystal defect included in a polysilicon film is electrically and substantially inactivated, processing temperature is not limited in subsequent processes, and an excellent interface can be formed between an active layer and a gate insulating layer, and to provide a semiconductor device and an electrooptical device.例文帳に追加
、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁
Man-machine interface means includes display means, controls radiation dose control means, radiation irradiation position control means, partial discharge detection means and voltage application means, and causes the outer shape of a defect detection object, a radiation irradiation position, a partial discharge detection signal waveform and an applied voltage waveform to be displayed on the same screen of the display means.例文帳に追加
マンマシンインターフェース手段は、表示手段を有し、放射線量制御手段、放射線照射位置制御手段、部分放電検出手段および電圧印加手段を制御するとともに、欠陥検出対象物の外形、放射線照射位置、部分放電検出信号波形および印加電圧波形を表示手段の同一画面に表示する。 - 特許庁
To provide a graphite tray used for sintering a product of cemented carbides or cermets, each having a thermally sprayed coating of an oxide on its surface, which is almost free from oxidation phenomenon at the interface between the coating and its surface even when the coating is prevented from becoming oxygen defect type and which thereby improves the durability of the coating.例文帳に追加
酸化物の溶射皮膜を表面に有する、超硬合金またはサーメット類製品の焼結に用いるグラファイトトレーであって、被膜が酸素欠損型になるのを防止した場合においても、被膜とグラファイトとの境界面において酸化現象が起こりにくく、その結果、被膜の耐久性を向上させることができる、焼結用グラファイトトレーを提供する。 - 特許庁
To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加
Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁
A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided.例文帳に追加
基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。 - 特許庁
To provide a setting item editing program and setting item editing method for reconfiguring and displaying a setting screen without causing image defect or flicker of the setting screen, when updating an existing setting screen where predetermined setting items are arranged to the setting screen in which the setting items are arranged according to a user's operation, and to provide a user interface device.例文帳に追加
所定の設定項目が配置される既存の設定画面から、ユーザの操作に応じた設定項目が配置される設定画面に更新させる際に、設定画面の乱れやちらつきを生じさせることなく、設定画面を再構成して表示させることができる設定項目編集プログラム、設定項目編集方法およびユーザインタフェース装置を提供する。 - 特許庁
To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加
裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁
The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused.例文帳に追加
支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 - 特許庁
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