「interface defect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereupon, a defect 103 happens in the vicinity of the amorphous and a crystal interface 102.例文帳に追加

この際、アモルファス・結晶界面１０２付近に欠陥１０３が発生する。 - 特許庁

To reduce interface level or crystal defect in interface of a single crystal semiconductor layer formed on insulator.例文帳に追加

絶縁層上に形成された単結晶半導体層の界面における界面準位または結晶欠陥を低減させる。 - 特許庁

To restrain production of an interface defect at the time of forming an insulating film and to reduce the produced defect.例文帳に追加

絶縁膜を形成する際の界面欠陥の生成を抑制するとともに、生成された欠陥を低減させることを可能にする。 - 特許庁

To provide a technique of detecting a reset defect of an HDMI (High-Definition Multimedia Interface) source device by an HDMI sync device.例文帳に追加

ＨＤＭＩソース機器のリセット不良をＨＤＭＩシンク機器が検知する技術を提供する。 - 特許庁

A defect in an MOS interface, the number of crystal grain boundaries and defects in the crystal grain boundaries in the critical path are reduced.例文帳に追加

クリティカルパス中のMOS界面欠陥・結晶粒界数・結晶粒界欠陥が低減されている。 - 特許庁

To enhance a soft recovery characteristic by reducing the possibility of generation of a defect in a Schottky junction interface.例文帳に追加

ショットキー接合界面に欠陥が生じてしまうおそれを低減し、ソフトリカバリー特性を向上させる。 - 特許庁

This information, etc., on the defect are supplied to a computer device 70 via a communication interface 410.例文帳に追加

この欠陥に関する情報等を通信インタフェース４１０を介してコンピュータ装置７０に供給する。 - 特許庁

To eliminate the need of rewriting firmware in order to correct a defect in a user interface or in order to provide an additional function.例文帳に追加

ユーザインタフェースの不具合の修正や機能追加のためにファームウェアの書き換えを必要としないようにする。 - 特許庁

In addition, a defect of the green sheet 14 does not expand beyond a sheet interface, thereby reducing possibility of a defect occurring on the same position on the green sheets 14 and 14.例文帳に追加

また、グリーンシート１４の欠陥がシート界面を超えて増長することはなく、グリーンシート１４，１４において同位置に欠陥が生じる確率も低く抑えられる。 - 特許庁

A CPU 60 generates a user interface on a display unit 56 and sets a parameter for a serial data pattern and parameters for a data ministick jitter defect given to the serial data pattern, a random jitter defect, and a random jitter defect and at least one deviation crest factor emulation defect.例文帳に追加

ＣＰＵ６０は、表示器５６にユーザ・インタフェースを発生して、シリアル・データ・パターン用のパラメータと、シリアル・データ・パターンに与えるデターミニスティック・ジッタ欠陥、ランダム・ジッタ欠陥及び少なくとも１つの偏差クレスト・ファクタ・エミュレーション欠陥用のパラメータとを設定する。 - 特許庁

The high resistance region 40 includes a first crystal defect region D1 having a peak of a defect amount nearby an interface S1 of the anode region 50 and a second crystal defect region D2 having a peak of a defect amount nearby a thickness-directional intermediate position M.例文帳に追加

高抵抗領域４０は、アノード領域５０との界面Ｓ１近傍に欠陥量のピークを持つ第１結晶欠陥領域Ｄ１と、厚み方向の中間位置Ｍ近傍に欠陥量のピークを持つ第２結晶欠陥領域Ｄ２を有している。 - 特許庁

Since the structure of the interface smoothly changes, the defect level, such as the dangling bond, etc., of the interface can be reduced and the characteristics of the transistor can be improved.例文帳に追加

界面の構造がなだらかに変化することにより、ダングリングボンド等の界面欠陥準位が低減され、トランジスタ特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having good silicide/silicon interface in which a crystal defect or roughness of the interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なシリサイド／シリコン界面を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Carbon remaining on the interface 15 of SiC and SiO_2 is removed and the defect is inactivated by nitriding and thereby interface level density decreases greatly.例文帳に追加

窒化処理により、ＳｉＣとＳｉＯ_2との界面１５に残っていた炭素が除去されるとともに欠陥が不活性化され、界面準位密度が大きく低下する。 - 特許庁

To relate to a method for manufacturing a low-defect interface between a dielectric and a group III/V compound.例文帳に追加

本発明は、誘電体材料とＩＩＩ／Ｖ化合物との間に低欠陥界面を製造する方法に関する。 - 特許庁

To provide a means for detecting the bonding defect of a bonding interface of an SOI wafer with high sensitivity.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面の貼り合わせ不良を高感度に検出するための手段を提供すること。 - 特許庁

Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.例文帳に追加

ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

From the minimum values min (V1, V2) of the measured reflection echo height, the presence or absence of a defect and the size Lf the defect at the end of the joint interface 4 are discriminated.例文帳に追加

また、測定された反射エコー高さの最小値ｍｉｎ（Ｖ_１、Ｖ_２）から、接合界面４の端部における欠陥の有無及び欠陥の大きさＬ_ｆを判別するようにした。 - 特許庁

To provide high-quality, high-performance single crystal SiC which has high smoothness and forms few micropipe defect, interface defect, etc., by controlling the film thickness of the single crystal SiC at growth.例文帳に追加

成長時に単結晶SiCの膜厚を制御することにより、マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少なく平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供する。 - 特許庁

To provide a defect detector suitable for detecting a defect, such as a void on the bonded interface of transparent substrates composed of a compound semiconductor, which are bonded directly, and a defect detection system capable of surely removing the defect portion in a chip appearance inspection after chip process completion and a defect detection method.例文帳に追加

直接接合により貼り合わされた化合物半導体からなる透明基板の貼り合わせ界面のボイド等の欠陥を検出するのに好適な欠陥検出装置、更にチッププロセス終了後のチップ外観検査において該不良部を確実に取り除くことができる欠陥検出システムおよび欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

The analyzer is an inspection device interface module 214, constituted to simulate an inspection device interface 212 in at least one display unit, the inspection device interface includes functions usable on corresponding inspection tool, and at least one part of the inspection device interface includes the inspection device interface module, based on a defect result from the inspection tool.例文帳に追加

この装置は、前記少なくとも１つのディスプレイ装置中で検査器インタフェース（２１２）をシミュレーションするよう構成された検査器インタフェースモジュール（２１４）であって、前記検査器インタフェースは、対応する検査ツール上で利用可能な機能を含み、前記検査器インタフェースは、少なくとも一部は前記検査ツールからの欠陥結果に基づく、検査器インタフェースモジュールを含む。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device, wherein a defect and impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer, on a substrate having the insulating surface.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、ゲート絶縁膜/半導体層界面の欠陥や不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

As a result, a semiconductor substrate in which a defect in an interface between the single crystal semiconductor layer and the insulating layer is reduced can be provided.例文帳に追加

これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 - 特許庁

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁

An angled probe 5 for transmission and an angled probe 6 for reception are arranged in one side of a joined interface 4 of a joined material 1, and the presence of a defect in the interface 4 is judged based on the intensity of a reflected wave reflected by the interface 4.例文帳に追加

接合材１の接合界面４の一方の側に送信用の斜角探触子５及び受信用の斜角探触子６を配置し、接合界面４から反射される反射波の強度から接合界面４に欠陥が存在するか否かを判断する。 - 特許庁

The insulating film 53 is of III nitride thin film structure, so that an interface between the insulating film 53 and the III nitride thin films 52 and 54 is never disordered, and no defect is induced.例文帳に追加

絶縁膜５３がIII族窒化物薄膜の構造であるので、絶縁膜５３とIII族窒化物薄膜５２、５４の界面が乱れず、欠陥が生じない。 - 特許庁

To provide a high-quality and high-performance semiconductor element which has a gate insulating film and a channel and has not a defect in the interface between the gate insulating film and the channel, and to provide the manufacturing method of the semiconductor element.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とチャネル及びその界面の欠陥がなく、高品質・高性能な半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An angled probe 7 for transmission is arranged in one side of the interface 4 of the material 1 where the presence of no defect in the interface 4 is judged, and an angled probe 8 for reception is arranged in the other side to measure an attenuation amount of an ultrasonic wave transmitted through the interface 4.例文帳に追加

次に、接合界面４に欠陥が存在していないと判断された接合材１の接合界面４の一方の側に送信用の斜角探触子７を、他方の側に受信用の斜角探触子８を配置し、接合界面４を透過する超音波の減衰量を測定する。 - 特許庁

To provide high-quality, high-performance single crystal SiC which has a wide terrace and high smoothness and forms few micropipe defect, interface defect, etc., by controlling the film thickness of the single crystal SiC at growth.例文帳に追加

成長する単結晶SiCの膜厚を制御することにより、マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCを提供すること。 - 特許庁

To provide a physical layer interface capable of detecting a transmission defect of the physical layer interface itself or informing of occurrence of a fault of a transmission apparatus body on the TCP/IP protocol basis without the need for installing excess hardware and software to the transmission apparatus body.例文帳に追加

伝送機器本体に過剰なハードウェアおよびソフトウェアを実装することなく、物理層インタフェース自体の伝送不具合の検出、またはＴＣＰ／ＩＰプロトコルベースの伝送機器本体の障害発生の通知ができる。 - 特許庁

Thus, the user of an external storage device 150 can continuously perform processing even in the case of operation defect on the interface board and the reliability of the device is improved as a whole.例文帳に追加

これにより、外部記憶装置150使用者はインタフェースボードの動作不良の際にも継続して処理を行う事が可能となり、装置全体の信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX wafer capable of reducing or eliminating a defect gathering layer present nearby the interface of a bulk layer with an embedded silicon oxide film.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近に存在する欠陥集合層を低減または消滅可能なＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To simultaneously connect plural external devices without a defect of connection with portable terminal equipment, concerning an interface device for connecting a portable terminal equipment to an external device.例文帳に追加

携帯端末装置を外部装置に接続するインターフェイス装置で、携帯端末装置との接続不良を招かず、しかも、複数の外部装置を同時に接続すること。 - 特許庁

To efficiently manufacture a SIMOX substrate which has little defect such as threading dislocation, has a highly safe SOI layer, and has a surface and an interface of high flatness.例文帳に追加

貫通転位などの欠陥が少なく、完全性の高いＳＯＩ層を有し、かつ、平坦度の高い表面及び界面を有するＳＩＭＯＸ基板を効率良く製造する。 - 特許庁

To reduce a carrier re-coupling loss by reducing a transparent electrode/p-layer interface defect (or relaxing a composition mismatching between p-layer and i-layer).例文帳に追加

透明電極／ｐ層界面欠陥を減少させる（又はｐ層とｉ層の組成不整合を緩和させる）ことにより、キャリア再結合損失を低減することを課題とする。 - 特許庁

To prevent deterioration in reliability due to generation of a defect at the interface between the side surface of capacitor and glass ceramics when the capacitor is formed like a block within the glass ceramic multilayer wiring substrate.例文帳に追加

ガラスセラミック多層配線基板内に形成したコンデンサ部がブロック形状の場合、コンデンサ部の側面とガラスセラミックスとの界面の欠陥が生じ、信頼性を損なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a good hetero structure that a crystal defect or the roughness of an interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なヘテロ構造を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor light emitting diode and a light emitting diode array having a high emission efficiency by reducing crystal defect on the interface of an emission layer and a clad layer.例文帳に追加

発光層とクラッド層との界面の結晶欠陥を低減させ、発光効率の高い化合物半導体発光素子及び発光ダイオードアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a new method for surface defect detection and its device which can quantitatively measure a defect in atom size generated on the surface and interface of a sample in a manufacturing process for semiconductor devices or the like in real time with high precision.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセス等において試料の表面および界面に発生する原子サイズの欠陥を実時間で、且つ高精度で定量測定することのできる、新しい表面欠陥検出方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a releasing laminated sheet not having a defect of gradually raising an interface adhesive strength with time from a manufacturing time and not under going change of interface adhesive strength with the elapse of time by gradually advancing curing of a thermoplastic resin and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

熱可塑性樹脂の硬化が徐々に進行し、製造時の界面接着強度に対し、徐々に高くなるという欠陥のない経時的に界面接着強度が変化しない剥離用積層シート、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a power supply monitoring system of a control board which can interface connections of a power supply monitoring board and each distribution board by using a simple power supply defect signal, and can collects even power a supply defect in each distribution board by using a power supply monitoring panel using hardware.例文帳に追加

電源監視盤と各分電盤との接続を単純な電源故障信号によりインターフェイスできると共に、各分電盤内の電源故障もハードウェアによる電源監視パネルにより故障収集できる制御盤の電源監視方式を得る。 - 特許庁

Minute crystal defect caused by carbon is formed at a lamination interface by carrying out lamination in a state in which an organic substance exists on the surface of a wafer before lamination, and carrying out a bonding-enhancing heat treatment in a state in which the organic substance is confined in the lamination interface.例文帳に追加

貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が存在する状態で貼り合わせ、貼合せ界面に前記有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に炭素に起因する微小な結晶欠陥を形成させる。 - 特許庁

To prevent a defect from being generated easily in a part passing through a bonding interface in a contact hole, and to improve device reliability or manufacture yield at the manufacturing of a substrate device where the contact hole is necessary to be opened through the bonding interface.例文帳に追加

貼り合わせ界面を貫通してコンタクトホールを開孔する必要があるような基板装置を製造する際に、当該コンタクトホールにおける貼り合わせ界面を通過する個所でも欠陥を起こし難く、最終的に装置信頼性或いは製造歩留まりを高める。 - 特許庁

To improve image quality by enhancing characteristics of a transistor which is formed adjacently to a photo-electric transducer, by avoiding the influence of a crystal defect which occurs on the interface of the drain region of the transistor.例文帳に追加

光電変換素子に隣接して形成されたトランジスタのドレイン領域の界面に発生する結晶欠陥の影響を回避してトランジスタの特性を改善し、高画質化を図る。 - 特許庁

A pixel defect inspecting apparatus 3 comprises a light source 6, an optical lens 7, a timing generator 8, a signal processing part 9, a system controller 10, an arithmetic circuit 11, a memory 12, and an interface part 13.例文帳に追加

画素欠陥検査装置３は、光源６、光学レンズ７、タイミングジェネレータ８、信号処理部９、システムコントローラ１０、演算回路１１、メモリ１２、インターフェース部１３を備える。 - 特許庁