「interface defect」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrolyte membrane 100 has a leakage suppression part generating structure 140, which generates a leakage suppressing part for suppressing the leakage of hydrogen by utilizing a reaction caused by occurrence of a defect, when the defect has occurred inside the electrolyte layer 120 or at the interface of the hydrogen permeating metal layer 110 and the electrolyte layer 120, and the hydrogen leaks through the defect.例文帳に追加

電解質膜１００は、電解質層１２０の内部や、水素透過性金属層１１０と電解質層１２０との界面に欠陥が発生し、欠陥を通って水素が漏洩したときに、欠陥の発生によって生起される反応を利用して水素の漏洩を抑制する漏洩抑制部を生成する漏洩抑制部生成構造１４０を有している。 - 特許庁

To reduce crystal defect (slip) in a bonded interface, which is produced at the time of a bonding heat treatment in manufacturing of a thick BOX-SOI wafer, and to reduce warp occurring in the SOI wafer.例文帳に追加

厚ＢＯＸ−ＳＯＩウェーハの製造において、貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥（スリップ）を低減するとともに、ＳＯＩウェーハに生じる反りを低減する。 - 特許庁

By installing the metal covered layer, invasion of the low melting point metal into a joining interface in joining the electric contact with the electrode rod can be inhibited, and generation of joint defect and peeling-off can be prevented.例文帳に追加

金属被覆層を設けたことで、電気接点を電極棒に接合する際に接合界面に低融点金属が侵入するのを阻止でき、接合不良や剥離が生ずるのを防止できる。 - 特許庁

When these epitaxial layers are applied to the clad layer of a light emitting element, crystal defect on the interface of the emission layer 4 and the clad layers 5, 11 can be reduced significantly resulting in the enhancement of emission efficiency.例文帳に追加

これらのエピタキシャル層を発光素子のクラッド層に適用すれば、発光層４とクラッド層５、１１との界面の結晶欠陥を大幅に低減でき、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a lamination SOI wafer which reduces a crystal defect on a lamination interface which has occurs in the case of lamination heat treatment, and reduces a warp occurring in the wafer, and to provide a manufacturing method of the wafer.例文帳に追加

貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥を低減するとともに、ウェーハに生じる反りを低減し得る、貼合せＳＯＩウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, a dislocation defect density existing in an interface between at least any one of the first and second Fe(001) layers and the single crystal MgO(001) is 25-50 pcs./μm or low.例文帳に追加

この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。 - 特許庁

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the deterioration in characteristic of a MOS transistor or MIM capacitor by terminating a defect on an interface with an insulating film by doping an electrode formed of a conductor film with a large amount of heavy hydrogen.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタあるいはＭＩＭキャパシタにおいて、導体膜からなる電極に、多量の重水素をドープすることにより、絶縁膜との界面の欠陥を終端し特性劣化を抑制する。 - 特許庁

A method for the inspection is provided, in which a semiconductor wafer is inspected, and a defect image detected by the inspection is displayed on a screen, and an input interface is employed, capable of selecting any one from defects whose image is displayed, and the inspection is carried out after adjusting the inspection condition such that the ability for detecting the defect taught by a user rises.例文帳に追加

半導体ウェハを検査し、検査で検出した欠陥の画像を画面に表示し、画像を表示された欠陥から任意の欠陥を選択可能な入力インターフェースを設け、ユーザによって教示された欠陥の検出性能が高くなるように検査条件を調整し、検査を行う。 - 特許庁

To prevent occurrences of air bubbles on an adhesion interface between a double-side adhesive material and a rotating roller, and prevent a defect such as an adhesion failure and a display failure of a rubbing material, in a rubbing apparatus of a substrate for a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置用基板のラビング装置において、両面粘着材と回転ローラーの接着界面に発生する気泡を防止し、ラビング材の接着不良や表示不良といった不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a hardware flow control method for preventing the defect of data by reliably stopping data transmission from the other side when one device connected through a UART interface starts transition control to a reception invalidating state.例文帳に追加

UARTインタフェースで接続された一方の装置が受信不能状態への遷移制御を開始した場合、相手側からのデータ送信を確実に停止させデータ欠損を防止するハードウェアフロー制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrochemical display element in which an electrochemical display medium and a substrate are favorably stuck to each other, and consequently air bubbles do not remain at all on an interface and a display defect is hardly produced in the energized state.例文帳に追加

電気化学型表示媒体と基板とが良好に密着していて界面に気泡がまったく残存せず、通電時の表示欠陥のほとんどない電気化学型表示素子を製造する方法を提供。 - 特許庁

To prevent defect in performance for handling of AV data by detecting performance required for using a magnetic disk to use AV data with arbitrary accuracy by using only information through a general purpose interface.例文帳に追加

ＡＶデータを扱う用途で磁気ディスクを使用するために必要な性能を、任意の精度で、かつ汎用インターフェースを介した情報のみを用いて検出可能とし、ＡＶデータを扱う上での性能欠陥をなくす。 - 特許庁

This suppresses the oxidation of a base film, raises the adhesion of the oxide dielectric film to the base film and checks the interface defect.例文帳に追加

このようにして酸化物誘電体膜を形成することにより、下地膜の酸化が抑制され、下地膜と酸化物誘電体膜との密着性を高めることができとともに界面欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

Thereby an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect is obtained by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by the chemical oxide film.例文帳に追加

これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a capacitor which can improve electrical characteristics by minimizing interface defect between a lower electrode and a dielectric film caused by invagination of impurities such as polymer during electrochemical deposition.例文帳に追加

電気化学蒸着の時、ポリマーなどの不純物の陷入による下部電極と誘電体膜との間の界面欠陥を最小化して電気的特性を向上させることのできるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal oxide film 13 of a substrate prevents a structural defect in an interface level, or the like, and a CVD oxide film 14 formed on the thermal oxide film can adjust the thickness of the gate oxide film.例文帳に追加

下地の熱酸化膜１３により界面準位等の構造的欠陥が抑制されるとともに、当該熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜１４によってゲート酸化膜の厚み調整が可能となる。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.例文帳に追加

本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photovoltaic device capable of effectively repairing a defect inside a crystalline silicon substrate and at an interface between the crystalline silicon substrate and a silicon semiconductor layer, with no damage on the crystalline silicon substrate.例文帳に追加

結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device capable of repairing any crystal defect caused in the inner wall layer of a trench formed in a substrate and reducing an interface level of the inner wall layer.例文帳に追加

基板に形成されたトレンチの内壁層に生じる結晶欠陥を修復するとともに、内壁層の界面準位を低減することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an antireflection film for an optical element, which suppresses generation of bubbles generated in an interface of a glass and causing poor appearance and prevents an application defect, and to provide paint (antireflection paint) for manufacturing the antireflection film.例文帳に追加

ガラスとの界面に発生し外観不良の原因となる気泡の発生を抑制し、かつ塗布不良を生じない光学素子用の反射防止膜及びこの反射防止膜を作製するための塗料（反射防止塗料）を提供する。 - 特許庁

To solve a problem of defect being generated due to the lack of a tapered part pressed by a polishing cloth and to prevent peeling from the tapered part when performing mirror polishing of SOI wafer having a bonding interface on the tapered part of a bevel surface.例文帳に追加

ベベル面のテーパー部に接着界面を有するＳＯＩウェーハの鏡面研磨を行っていく上で、研磨布に押圧されたテーパー部が欠落して不良が発生する問題を克服し、テーパー部からの剥離を防ぐこと。 - 特許庁

To solve the problem that a termination structure provided with a JTE layer greatly deteriorates in breakdown voltage since a level and a defect present in an interface between a semiconductor layer and an insulating film or a fine amount of an external impurity in the insulating film or entering from outside up to the semiconductor interface through the insulating film becomes a generation source for a leakage current and a high current due to breakdown.例文帳に追加

ＪＴＥ層を設けた終端構造では、半導体層と絶縁膜との界面に存在する準位及び欠陥、又は、絶縁膜中若しくは外部から絶縁膜を通して半導体界面まで浸入してくる微量な外来不純物が漏れ電流の発生源及び降伏点となってしまい耐圧が大幅に劣化する。 - 特許庁

The decoder can avoid the occurrence of an unexpected defect through carelessness at the time of transferring data by setting the clock used at the time of transferring a transport stream from external equipment received by means of a digital interface means 20 to a decoding means 14 at the clock speed corresponding to such a transport stream that can be inputted through the interface means 20 and has the most fast transmission speed.例文帳に追加

ディジタルインターフェース手段２０で受信した外部機器からのトランスポートストリームを復号処理手段１４に転送する際に用いられるクロックを、ディジタルインターフェイス手段２０を介して入力可能な最も伝送速度の速いトランスポートストリームに対応したクロックスピードに設定することにより、データの転送取りこぼしを回避し得る。 - 特許庁

According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to point defect (i.e., without using a conventional pair diffusion model).例文帳に追加

この方法によれば，従来のＦａｉｒモデルでは表せなかったＳｉ／ＳｉＯ_２界面における不純物パイルアップを，点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく（すなわち従来のペア拡散モデルを用いず）表すことが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized.例文帳に追加

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。 - 特許庁

To provide a film forming method for obtaining an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by a chemical oxide film.例文帳に追加

シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diamond semiconductor device with a concentration of an electric field at a channel part and a gate insulating layer reduced, having a uniform insulating layer, preventing a dielectric breakdown, and reducing a defect in the vicinity of an interface between the channel part and the insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

チャネル部及びゲート絶縁層における電界集中が緩和され、絶縁層が均一で、絶縁破壊を防ぎ、チャネル部及び絶縁層の界面近傍の欠陥を低減したダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a channel is formed in the n-type channel layer located beneath the p-type channel layer touching a gate oxide film 7 and a current can be fed thereto when a PN junction is formed in the surface channel layer 5, a channel can be formed regardless of the roughness or residual defect of the interface (MOS interface) between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5.例文帳に追加

このように、表面チャネル層５にＰＮ接合を形成することにより、ゲート酸化膜７と接するｐ型チャネル層の下部に位置するｎ型チャネル層にチャネルを形成して電流を流すことができるため、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面（ＭＯＳ界面）のラフネス又は残留欠陥とは関係なく、チャネルを形成することができる。 - 特許庁

To provide an output signal for an LSI that can automatically and properly adjust a leading time/a trailing time of an output waveform and avoid an operation defect with respect to interface timing with an external component even when an external load capacity of an output buffer circuit is increased more than an expected capacity.例文帳に追加

出力バッファ回路の外部負荷容量が予想以上に大きくなった場合でも、出力波形の立上がり時間／立下がり時間の値を自動的に適正に調整し、外部部品とのインターフェースタイミングに関する動作不具合を回避する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor substrate, which is high in productivity, by optimizing BMD (bulk micro defect) forming process inside of a wafer and interface oxide film removing process, in the manufacturing method of the semiconductor substrate consisting of two sheets of semiconductor wafers joined directly.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、ウェーハ内部のＢＭＤ形成プロセスと、界面酸化膜除去プロセスを最適化することにより、生産性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a method and an equipment for inspecting a polarization film by irradiating it obliquely with light and observing its reflected light in which a bubble defect existing on the layer interface of the polarization film can be detected accurately and easily.例文帳に追加

偏光フィルムに対して斜めに当たるように光を照射し、その反射する光を観察して検査する方法において、偏光フィルムの積層界面に存在する気泡欠陥を正確に検出することが容易な検査方法及び検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fixing a seed crystal and a method for manufacturing a single crystal by which impurities are prevented from being present on the contact interface between a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal and a seed crystal mount and the occurrence of a linear penetrating defect can be suppressed.例文帳に追加

炭化珪素単結晶成長用の種結晶と種結晶台座との接触界面に不純物の介在を防ぎ、線状貫通欠陥の発生を抑制することのできる種結晶固定方法並びに単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrochemical display element having less display defect during energization by making the surface of an electrochemical display medium smooth, being easily exfoliated from a filter material, and adhering the electrochemical display medium to a substrate and hardly leaving bubbles on an interface.例文帳に追加

電気化学型表示媒体の表面が平滑で、濾過材から剥離しやすく、かつ電気化学型表示媒体が基板と密着していて界面に気泡が残存せず、通電時の表示欠陥の少ない電気化学型表示素子を製造する方法を提供。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device in which the image quality of a reproduction screen is prevented from deteriorating by reducing a leak current being generated as the interface level increases due to crystal defect, or the like, in the vicinity of the substrate surface in a region where a photodiode is fabricated.例文帳に追加

フォトダイオードが形成されている領域の基板表面近辺において、結晶欠陥などに起因する界面準位の増加によって発生するリーク電流を低減し、再生画面の画質の劣化を抑止する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lens sheet which holds superior contactness even after a long time has elapsed, is free of an image defect of a liquid crystal display device due to peeling on the interface between a light-transmissive base material and a lens made of active-energy-ray setting resin, and makes it possible to obtain an image of high quality.例文帳に追加

長時間経過後においても優れた密着性を保持し、透光性基材と活性エネルギー線硬化樹脂からなるレンズとの界面で剥離による液晶表示装置などの画像欠陥のない、高品位の画像が得られるレンズシートを提供する。 - 特許庁

Since the metal oxide membrane 11a is arranged between the glass substrate 20a and the metal membrane 12a in the peripheral part of the substrate, when the dielectric 13a is etched by hydrofluoric acid, the etchant does not penetrate into the interface, thereby the metal membrane 12a (electrode) is not separated from the substrate, preventing a defect.例文帳に追加

基板周縁部には、ガラス基板２０ａ，金属膜１２ａ間に金属酸化膜１１ａが配置されていることにより、誘電体１３ａをフッ酸でエッチングした場合に、エッチャントがその界面に浸透することはなく、金属膜１２ａ（電極）が基板から剥離する不具合を防止できる。 - 特許庁

To provide a display device, reduced in the defect density of an interface between a gate insulating film and a polycrystalline semiconductor film of a channel region while having the TFT (thin film transistor) characteristics of high performance by improving the breakdown voltage of a gate insulating film, and the manufacturing method of the display device.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と多結晶半導体膜のチャネル領域との界面の欠陥密度を低減させると供に、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させて高性能なＴＦＴ特性を有する表示装置及び表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a monolithic ceramic electronic part capable of inhibiting the shortening of a lifetime resulting from the irregularities of an interface between an internal electrode layer and a ceramic layer, and the generation of a structural defect (such as a delamination, the curve of an electrode section or the like) in the case of a thin-film multilayer.例文帳に追加

内部電極層とセラミック層の界面の凹凸に起因する寿命の劣化や、薄膜多層化した場合の構造欠陥（デラミネーション、電極部の湾曲など）の発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

By the release of oxygen from the insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.例文帳に追加

半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁