interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
To provide a flexible hose of excellent interlayer adhesion and durability.例文帳に追加
層間接着性、耐久性に優れた可撓性ホースを提供する。 - 特許庁
MANUFACTURE OF ROLLER FOR MOUNTING INTERLAYER SYNTHETIC RESIN TIRE例文帳に追加
重層合成樹脂製タイヤを装着してなるロ—ラの製造方法。 - 特許庁
Then a second interlayer insulating film 8 exposed there is removed and the wiring channel pattern is formed at the third interlayer insulating film 10.例文帳に追加
次に、そこに露出した第２の層間絶縁膜８を除去し、第３の層間絶縁膜１０に配線溝のパターンを形成する。 - 特許庁
The cell contacts 9 are covered with the second interlayer insulation film 10.例文帳に追加
セルコンタクト９は第２の層間絶縁膜１０で覆われている。 - 特許庁
In this manufacturing method, first an interlayer insulating film 1 is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
まず、半導体基板上に層間絶縁膜１を形成する。 - 特許庁
CURABLE RESIN COMPOSITION AND INTERLAYER INSULATION MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加
硬化性樹脂組成物およびそれを用いた層間絶縁材料 - 特許庁
The surface of the interlayer insulating film to be formed between the gate wiring and the data wiring is flattened by using a thick organic insulating layer as the interlayer insulating film.例文帳に追加
また、ゲート配線とデータ配線間に形成する層間絶縁膜を厚い有機絶縁層で形成して表面を平坦化する。 - 特許庁
An interlayer dielectric 23 is formed on the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加
Ｐ型シリコン基板１上に層間絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁
A metallic film 291, an interlayer insulating film 151, a metallic film 292, and an interlayer insulating film 152 are successively deposited on a silicon nitride film 28.例文帳に追加
シリコン窒化膜２８上に金属膜２９１、層間絶縁膜１５１、金属膜２９２、層間絶縁膜１５２を、この順に堆積する。 - 特許庁
A first interlayer insulation film 2 is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加
Ｓｉ基板１上に第１の層間絶縁膜２を形成する。 - 特許庁
An interlayer insulating film 15 is formed on a semiconductor substrate 11 on which a transistor is formed, and on the top of the interlayer, wiring 18 is formed.例文帳に追加
トランジスタが形成された半導体基板１１に 層間絶縁膜１５が形成され、この上に配線１８が形成される。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD AND INSULATING INTERLAYER JOINING MATERIAL例文帳に追加
多層配線基板の製造方法及び絶縁性層間接合材 - 特許庁
The upper region 17c includes the side surface of the interlayer insulating film 11.例文帳に追加
上部領域１７ｃは、層間絶縁膜１１の側面を含む。 - 特許庁
THERMALLY INSULATING PARTICLE DISPERSION, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS, AND LAMINATED GLASS例文帳に追加
遮熱粒子分散液、合わせガラス用中間膜及び合わせガラス - 特許庁
EMBOSSING ROLL AND METHOD FOR MANUFACTURING IT AND INTERLAYER FOR SAFETY GLASS例文帳に追加
エンボスロール及びその製造方法並びに合わせガラス用中間膜 - 特許庁
INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS AND ITS PRODUCTION, AND LAMINATED GLASS例文帳に追加
合わせガラス用中間膜及びその製造方法、並びに合わせガラス - 特許庁
The outermost interlayer insulating layer 31 is a reinforcement layer 311 having a reinforcing material 5 for reinforcing the interlayer-insulating layer 31.例文帳に追加
最も外側の層間絶縁層３１は，該層間絶縁層３１を補強するための補強材５を有する強化層３１１である。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR FILM-REMOVING IN INTERLAYER FILM FOR LAMINATED GLASS例文帳に追加
合わせガラス用中間膜の膜抜き装置および膜抜き方法 - 特許庁
ADHESIVE SHEET WITH MOLD RELEASE FILM FOR INTERLAYER, AND TRANSPARENT LAMINATE例文帳に追加
離型フィルム付中間膜用粘着シート及び透明積層体 - 特許庁
The obtained interlayer for laminated glass is used to produce laminated glass.例文帳に追加
また、この合わせガラス用中間膜を用いて合わせガラスを得る。 - 特許庁
As such interlayer retention member, sodium ions, for example, are used.例文帳に追加
かかる層間確保部材には、例えばナトリウムイオン等が使用できる。 - 特許庁
INTERLAYER INSULATOR MATERIAL COMPRISING ARYL ESTER OLIGOMER AND CURED PRODUCT OF THE SAME例文帳に追加
アリルエステルオリゴマーからなる層間絶縁材料およびその硬化物 - 特許庁
An interlayer film 31b is formed on the multilayer films 15 and 27.例文帳に追加
多層膜１５，２７上に層間膜３１ｂが形成されている。 - 特許庁
HEAT-RESISTANT RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND MULTILAYERED CIRCUIT BOARD例文帳に追加
耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板 - 特許庁
A second interlayer insulating film having an etching rate being faster than that of the first interlayer insulating film is formed so as to fill the second hole.例文帳に追加
第２のホールを埋め込むように、第１の層間絶縁膜よりもエッチング速度の速い第２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
A hard mask 69 is formed on the lower part interlayer dielectric 67.例文帳に追加
下部層間絶縁膜６７の上にハードマスク６９を形成する。 - 特許庁
The group of interlayer insulating films 30 is formed of an insulating material of a dielectric constant lower than that of the group of interlayer insulating films 20.例文帳に追加
層間絶縁膜群３０は、層間絶縁膜群２０よりも低い誘電率をもつ絶縁材料によって形成されている。 - 特許庁
Thereafter, a contact unit 13 is formed across the interlayer film 11b.例文帳に追加
その後、層間膜１１ｂにわたってコンタクト部１３を形成する。 - 特許庁
The resin interlayer insulating layer 81 in the uncured state is cured so that the resin interlayer insulating layer 81 is in a cured state, in the curing process.例文帳に追加
硬化工程では、未硬化状態の樹脂層間絶縁層８１を硬化させて硬化状態の樹脂層間絶縁層８１とする。 - 特許庁
The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer, a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film, and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加
本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on a insulating film on a semiconductor layer and a gate electrode; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加
本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加
本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁
A first interlayer insulating film is formed on a semiconductor substrate, a first aperture is formed on the first interlayer insulating film, a second interlayer insulating film is formed on the first interlayer insulating film so as not to fill the first aperture, and a second aperture that is to be connected to the first aperture is formed on the second interlayer insulating film.例文帳に追加
半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成し、この第１の層間絶縁膜に第１の開孔を形成し、この第１の層間絶縁膜上に、第１の開孔を充填しないように第２の層間絶縁膜を形成し、この第２の層間絶縁膜に、第１の開孔に接続する第２の開孔を形成する。 - 特許庁
The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode which are provided on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加
本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a first interlayer insulating film including a low dielectric constant film, a second interlayer insulating film not including a low dielectric constant film, two or more first seal rings formed in the first interlayer insulating film, and a second seal ring formed in the second interlayer insulating film.例文帳に追加
低誘電率膜を含む第１の層間絶縁膜と、低誘電率膜を含まない第２の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜中に形成された２本以上の第１のシールリングと、第２の層間絶縁膜中に形成された１本の第２のシールリングとを備える。 - 特許庁
The ferroelectric memory device 1 comprises: a first interlayer insulating film 3; a ferroelectric capacitor 4; an insulating hydrogen barrier film 5; a second interlayer insulating film 6; and a contact hole 7 passing through the second interlayer insulating film 6, the insulating hydrogen barrier film 5, and the first interlayer insulating film 3.例文帳に追加
第１層間絶縁膜３と、強誘電体キャパシタ４と、絶縁性水素バリア膜５と、第２層間絶縁膜６と、第２層間絶縁膜６と絶縁性水素バリア膜５と第１層間絶縁膜３とを貫通するコンタクトホール７と、を備えた強誘電体メモリ装置１である。 - 特許庁
To prepare a film-removed interlayer film which is characterized in that, when preparing the interlayer film having a transparent region in a colored region by replacing a part of the colored shade region of the interlayer film for laminated glass for an automobile, with a transparent interlayer film, no gap and no protrusion exist at a boundary part between the colored region and the transparent region.例文帳に追加
自動車用の合わせガラス用中間膜の着色シェード域の一部を膜抜きして透明な中間膜に置き換え、着色域の中に透光域を有する中間膜の製造時に、該着色域と透孔域の境界部に、隙間やはみ出しのない膜抜き中間膜を得る。 - 特許庁
The thin-film inductor 10 has a structure wherein an interlayer insulation film 16, a lower magnetic thin film 19, an interlayer insulation film 20, a first layer conductor pattern 22, an interlayer insulation film 26, a second layer conductor pattern 28, an interlayer insulation film 32 and an upper magnetic thin film 34 are stuck in sequence on a substrate 12.例文帳に追加
薄膜インダクタ１０は、基板１２上に、層間絶縁膜１６，下部磁性薄膜１８，層間絶縁膜２０，第１層導体パターン２２，層間絶縁膜２６，第２層導体パターン２８，層間絶縁膜３２，上部磁性薄膜３４が積層された構造となっている。 - 特許庁
The semiconductor chip is multilayered so as to cover the organic based interlayer film by an inorganic-based interlayer film in which water permeability/absorption are small due to the organic-based interlayer, and further, endures bare-chip packaging by covering the entire interlayer film by a wiring metal superior in water-resisting property.例文帳に追加
有機系層間膜より透水性・吸水性が小さい無機系層間膜で有機系層間膜を覆うようにして多層化するとともに、更に、耐水性に優れた配線金属で層間膜全体を覆うことによって、ベアチップ実装に耐える半導体チップを提供する。 - 特許庁
The storage electrode 7 of a capacitor 15 buried in a third interlayer insulating film 14 through the intermediary of a first interlayer insulating film 12 and a second interlayer insulating film is formed above the transistor 3, and a protective film 16 is formed on the third interlayer insulating film 16.例文帳に追加
トランジスタ３の上方には第１の層間絶縁膜１２、第２の層間絶縁膜１３を介して第３の層間絶縁膜１４の内部に埋め込まれた形のキャパシタ１５の蓄積電極７が形成され、第３の層間絶縁膜１４上に保護膜１６が形成されている。 - 特許庁
An entire surface of an interlayer insulating film 243a is CMP processed for a predetermined time length and an interlayer insulating film 243b with film thickness d2 is formed.例文帳に追加
層間絶縁膜２４３ａの全面を所定の時間だけＣＭＰ処理し、膜厚ｄ２を有する層間絶縁膜２４３ｂを形成する。 - 特許庁
An interlayer insulation film is formed, while it is divided into two layers, a first interlayer insulation film on a substrate is made thin, a first contact hole is formed on the first interlayer insulation film, and a barrier metal layer is formed on the inner surface.例文帳に追加
層間絶縁膜を２層分けて形成させ、基板上の第１層間絶縁膜を薄くし、その第１層間絶縁膜に第１コンタクトホールを形成させて、その内面にバリア金属層を形成させる。 - 特許庁
An interlayer insulating film 13 covering the lower electrode 12 is formed.例文帳に追加
下部電極１２を覆う層間絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁
RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND MICROLENS例文帳に追加
感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズ - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR MODIFYING SURFACE OF INTERLAYER DIELECTRIC FILM例文帳に追加
層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 - 特許庁
The conductive plug is formed in the interlayer insulating film and connects the memory cells electrically with interconnects 74 formed on the interlayer insulating film.例文帳に追加
導電プラグは、層間絶縁膜内に形成されていて、メモリセルと層間絶縁膜上に形成される配線74とを電気的に接続する。 - 特許庁
The interlayer film 15 reduces a step of the edge E of the memory cell capacitor C.例文帳に追加
層間膜１５は、メモリセルキャパシタＣのエッジ部Ｅの段差を緩和する。 - 特許庁
An interlayer insulating film 5 is provided so as to cover the holding capacitance element.例文帳に追加
保持容量素子を覆うようにして層間絶縁膜５を設ける。 - 特許庁
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