「isolation structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a seismic isolation structure which can exhibit seismic isolation effect stably even if interposed in place on which tensile force applies between upper and lower structures when earthquake takes place.例文帳に追加

地震時に上下部構造間に引張力が作用する箇所に介装しても、安定的に免震効果を発揮することができる免震構造を提供する。 - 特許庁

Quantum well structures, having different widths for controlling the distribution of two-dimensional carriers by electronic holes or electrons, are formed by utilizing the lengths of different photo-isolation confinement structures, and the structures are stuck to form into a multiple structure.例文帳に追加

異なる光分離閉じ込め構造の長さを利用して、電子ホール、もしくは電子によって二次元キャリアの分布を制御する幅の異なる量子井戸構造を形成し、これを積み重ねて多重構造とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory includes a substrate, isolation structures disposed in and protrudent over the substrate, floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the isolation structures protrudent over the substrate, and a tunneling layer between each floating gate and the substrate.例文帳に追加

不揮発性メモリは、基板と、基板に設けられ、その上に突き出た分離構造と、基板上に突き出た分離構造の側壁上にある導電性スペーサーとしての浮遊ゲートと、各浮遊ゲートと基板の間のトンネル層とを含む。 - 特許庁

To provide a base isolation device to a allow relative movement between lower and upper structures and be decreased in a cost and easy in manufacture.例文帳に追加

下方構造体と上方構造体との相対移動を許容し、安価で製造容易な免震装置を提供する。 - 特許庁

By the method of producing a silicon dioxide film, isolation structures, such as various insulation films, can be formed.例文帳に追加

この二酸化ケイ素膜の製造方法によって各種絶縁膜などのアイソレーション構造を形成させることができる。 - 特許庁

The plate-like structure of the lowest layer is floatingly arranged on the ground surface by securing base isolation clearance by arranging an opening part for penetrating the towery structures in the plate-like structures of the respective layers.例文帳に追加

各層の板状構造体には塔状構造体が貫通する開口部を設けて免震クリアランスを確保し、最下層の板状構造体を地表面上に浮かせて配置する。 - 特許庁

This base isolation structure is provided with an energizing means 24 interposed in the vertical direction between both structures 12 and 14, tilting according to horizontal directional relative displacement of these structures, and increasing the relative displacement.例文帳に追加

両構造体１２，１４の間に鉛直方向に介装されて、それらの水平方向の相対変位に伴って傾倒し、その相対変位を増大させる付勢手段２４を設ける。 - 特許庁

To provide a base isolation building excellent in terms of usability of a site and increasing no cost when constructing the base isolation building for mutually closely adjacently arranging plural upper structures.例文帳に追加

複数の上部構造が互いに近接配置されている免震建物を構築する場合に、敷地利用性の面で優れ、コストが嵩むことの無いような免震建物を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolated building capable of preventing a cover from being damaged when base isolation is working and surely covering between both up and down structures equipped with base isolation devices.例文帳に追加

免震時にカバーが損傷してしまうのを防ぐことができ、しかも、免震装置の設けられる上下の構造部間をしっかりとカバーすることができる構造の免震建物を提供する。 - 特許庁

To provide a countermeasure technique for safely and reliably transmitting supporting reaction to upper structures during work for the base isolation of a structure when installing a temporarily supporting jack or a base isolation device on a position of bias from a column to support the vertical load of the upper structures.例文帳に追加

構造物の免震化工事において、柱から偏倚した位置に仮受けジャッキ又は免震装置を設置して上部構造の鉛直荷重を支持させる場合に、その支持反力を上部構造へ安全、確実に伝達させる対策工法を提供する。 - 特許庁

The process for fabricating the nonvolatile memory includes forming the isolation structures protrudent over the substrate in the substrate, forming the tunneling layer over the substrate, and then forming the floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the first isolation structures protrudent over the substrate.例文帳に追加

また、不揮発性メモリの製造プロセスは、基板上に突き出た分離構造が基板に形成され、トンネル層が基板上に形成され、その後、浮遊ゲートが基板上に突き出た第１分離構造の側壁上に導電性スペーサーとして形成されることを含む。 - 特許庁

The vibration control damper is installed as a vertical quake-absorbing mechanism which base-isolation supports structures in the vertical direction between a structure and a foundation.例文帳に追加

構造物と基礎との間に構造物を上下方向に免震支持するための上下免震機構として制振ダンパーを設置する。 - 特許庁

A plurality of units of towery structures 1 are erected on the ground, and a suspending support structure 4 is respectively arranged in these top parts via a base isolation mechanism 3, and a plurality of layers of plate-like structures 2 are suspended and supported from the suspending support structure, and are arranged around the towery structures.例文帳に追加

地盤上に複数基の塔状構造体１を立設し、それらの頂部にそれぞれ免震機構３を介して吊り支持構造体４を設け、吊り支持構造体から複数層の板状構造体２を吊り支持して塔状構造体の周囲に配置する。 - 特許庁

To provide a multichannel coaxial type rotary joint having a plurality of choke structures whose isolation characteristics have been improved without causing passage characteristics to degrade.例文帳に追加

通過特性を劣化させずにアイソレーション特性を向上させた複数のチョーク構造を有する多チャンネル同軸形ロータリージョイントを提供する。 - 特許庁

To provide an elastomer composition used for preparing a plug of base-isolation structures having sufficient dumping performance, displacement following capability and the like and excellent in dumping performance in high strain areas.例文帳に追加

十分な減衰性能、変位追従性等を有し、高歪領域での減衰性能に優れた免震構造体用プラグの作製に用いられるエラストマー組成物を提供する。 - 特許庁

One of two substrates whose alignment layer step is already completed is selected and a plurality of closed isolation barrier structures provided with mutual exclusion properties with a liquid crystal are formed on the substrate.例文帳に追加

２枚の既に配光膜工程を完成した基板中の１枚の基板を選択し、その上に液晶との相互排斥特性を具えた複数のクローズ隔離壁構造を形成する。 - 特許庁

The integrated circuit (300) includes the substrate (302), at least two shallow trench isolation (STI) structures (305, 306) formed in the substrate (302), an oxygen filler in at least the two STI structures (305, 306), and a semiconductor element at least disposed on the oxygen filler in the two STI structures (305, 306).例文帳に追加

集積回路（３００）は、基板（３０２）と、基板（３０２）中に形成される少なくとも二つのシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造（３０５，３０６）と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中に設置される酸化物充填物と、少なくとも二つのＳＴＩ構造中の酸化物充填物上に設置される半導体素子と、からなる。 - 特許庁

This base isolation device includes an isolator, which is interposed in a clearance δ in the vertical direction between an upper structure 3 and a lower structure 1, for base isolation and support of the upper structure 3, and the friction damper 20 which is interposed in parallel with the isolator, and damps horizontal vibration between the structures.例文帳に追加

上部構造体３と下部構造体１との間の上下方向隙間δに介装され、上部構造体３を免震支持するアイソレータと、前記アイソレータと並列に介装され前記構造体間の水平振動を減衰する摩擦ダンパー２０とを備えた免震装置である。 - 特許庁

Furthermore, the width of wavelength is adjusted, by adjusting the composition of materials of the bottom and barrier layers of the different multiple quantum wells or the width of the quantum well or the length of the photo-isolation confinement structures.例文帳に追加

また、該異なる多重量子井戸の底面とバリア層の材料の組成、もしくは量子井戸の幅、もしくは光分離閉じ込め構造の長さを調整して波長の長さを調整する。 - 特許庁

This seismic isolation equipment 10 for decreasing seismic forces is interposed between upper and lower structures 1 and 2 of a building and comprises an energizing member 13 and a damper 14 arranged in parallel to each other in the configuration.例文帳に追加

構造物の上下部構造１、２間に介装されて地震力を低減させる免震装置１０であって、並列的に配設された付勢部材１３とダンパ１４とによって構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an base isolation structure building which makes vertical and horizontal shakes from an earthquake difficult to be transmitted to a building space by loosely joining building structures, such as a floor, a ceiling, a wall and a window, which constitute building space, to pillars which are rigidly connected to the foundation.例文帳に追加

建築空間を構成する床、天井、壁、窓等の建築構造物を基礎に剛結合された柱に緩く接合させることで、地震時の上下方向、水平方向振動が建築空間に伝わりにくくする。 - 特許庁

Thus, when the surface of the intermediate layer (IL) is made into a roughened surface, in the case of growing the recording layer (RL), grain isolation in the recording layer is promoted, but since the intermediate layer (IL) has little columnar structures, paths of water or corrosive decrease more than before.例文帳に追加

そのように中間層(IL)の表面を粗面化すると記録層(RL)が成長する際に記録層中の粒子の分離が促進されるが、本発明の中間層(IL)は柱状構造が少ないので水や腐食剤の通り道が従来よりも少なくなる。 - 特許庁

Semiconductor structures 6 to 12 are formed in an element forming region on an SOI substrate 4, on the surface of which a silicon oxide film 14 is formed, the film 14 having an opening 16 corresponding to an element isolation region circling the element forming region on the surface of the SOI substrate 4.例文帳に追加

ＳＯＩ基板４の素子形成領域に半導体構造６〜１２を形成し、ＳＯＩ基板４の表面において素子形成領域を一巡する素子分離領域に対応する開口１６を有する酸化シリコン膜１４をＳＯＩ基板４の表面に形成する。 - 特許庁

An intermediate base isolation layer 1 which has a relatively low rigidity than other layers and in which deformation in an earthquake is concentrated to absorb most of the earthquake energy is provided in an arbitrary layer of an extension section S or an existing section B, when a plurality of extension structures are erected on a plurality of existing buildings.例文帳に追加

複層の既存建物の上部に複層の増築を行うに際し、増築部分Ｓもしくは既存部分Ｂの任意の層に、他の層よりも相対的に低剛性とされて地震時の変形が集中し地震エネルギーの大半を吸収する中間免震層１を設ける。 - 特許庁

To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

The multi-domain liquid crystal display device with a concave structure comprises a substrate with a pixel electrode layer, another substrate with a common electrode layer, an isolation layer formed on the electrode layer of the one of those substrates, a liquid crystal layer formed between two pieces of the substrates and multiple concave structures formed in the electrode layer, at least, one of the substrates.例文帳に追加

画素電極層を具えた基板、共電極層を具えたもう一つの基板、そのうち一方の基板の電極層の上方に形成された隔離層、２片の基板の間に形成された液晶層、及び少なくとも一方の基板の電極層に形成された複数の凹構造を具えている。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

The trench isolation structure 20 has structures that an insulation film 4 is disposed on the inner surface of a trench provided inside a silicon substrate 1, and that doped polysilicon for which phosphorus is doped to the density of about 1×1020/cm3 for instance as the conductor 3 is buried on a lower part side inside a trench space stipulated by the insulation film 4.例文帳に追加

トレンチ分離構造２０はシリコン基板１内に設けられたトレンチの内面に絶縁膜４を配設し、絶縁膜４で規定されるトレンチ空間内の下部側に、導電体３として、例えばリンを１×１０^20／ｃｍ^3程度の濃度にドープしたドープトポリシリコンが埋め込まれた構成を有している。 - 特許庁