「lanthanide element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An organic electroluminescent element contains a compound, represented by general Formula (2) (excluding the case when the compound is a lanthanide complex.)例文帳に追加

下記一般式（２）で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The blocking insulating film 25 is formed of the material, including Gd or a smaller lanthanide element and Al.例文帳に追加

ブロッキング絶縁膜２５は、ガドリニウム、またはこれより小さなサイズのランタン族元素とアルミニウムとを含む物質からなる。 - 特許庁

The specified active oxygen supply material is a compound oxide containing cerium, zirconium, and a lanthanide element other than cerium.例文帳に追加

特定の活性酸素供給材がセリウムとジルコニウムとセリウムを除くランタノイド元素の複合酸化物を含有して成る。 - 特許庁

The blocking insulating layer further includes aluminum and oxygen, wherein the ratio of the lanthanide element to aluminum is greater than 1.例文帳に追加

ブロッキング絶縁膜は、アルミニウム及び酸素をさらに含み、この時のランタン族元素とアルミニウムとの比率は、１より大きい。 - 特許庁

The heat resistant magnesium alloy further includes 1-15 mass% of at least one element selected from the lanthanide group of lantern to europium in the element periodic table.例文帳に追加

元素周期表でランタンからユウロピウムまでのランタノイド群から選択された少なくとも一種の元素を１〜１５質量％さらに含有することを特徴とする耐熱マグネシウム合金。 - 特許庁

The lithium secondary battery comprises a positive electrode material containing (A) a lithium manganese oxide having a spinel structure, and (B) a lanthanide transition metal complex oxide which is formed by a part of lanthanide element substituted by lithium and has a defective perovskite type structure.例文帳に追加

（Ａ）スピネル構造を有するリチウムマンガン酸化物、および（Ｂ）欠陥ペロブスカイト型構造を有し、ランタノイド元素の一部がリチウムで置換されたランタノイド遷移金属複合酸化物を含むことを特徴とするリチウム二次電池用正極材料。 - 特許庁

The aluminum nitride sintered compact having volume resistivity at normal temperature of 1×10^9 to 1×10^14Ω cm is obtained by incorporating an element of the lanthanide in an amount of 0.5 to 7 mass%, expressed in terms of its oxide, so as to form a compound oxide of the lanthanide element and aluminum on the grain boundary of aluminum nitride crystals.例文帳に追加

ランタノイド元素を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有させて、窒化アルミニウム結晶の粒界にランタノイド元素とアルミニウムとの複合酸化物が形成され、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍである窒化アルミニウム焼結体を得る。 - 特許庁

The metal-including fullerene formed by electrolysis has an electronic structure of a closed shell and is represented by the general formula M @ Cn (M=Sc, Y, La, Lanthanide element, Actinoid element, n = an even number of 60, 70≥).例文帳に追加

電解法により形成される電子構造が閉殻構造である一般式Ｍ＠Ｃｎ（但し、Ｍ＝Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ランタニド元素、アクチノイド元素、ｎ＝６０、７０およびそれ以上の偶数）で表される金属内包フラーレンイオン。 - 特許庁

As a photocatalytic component, a vanadium (V)-containing composite oxide semiconductor represented by the formula: RVO_4 (wherein, R is a Y element or a lanthanide element) is used.例文帳に追加

光触媒成分として、一般式；ＲＶＯ_4で表されるバナジウム（Ｖ）含有複合酸化物半導体（ただし、ＲはＹ元素或いはランタノイド元素を表す。）を使用することによって、解決手段とするものである。 - 特許庁

The carbon dioxide absorbing material contains Bi as a basic substance and at least one element selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba, Cs, Y, and lanthanide elements.例文帳に追加

基本物質としてのＢｉと、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙ及びランタニド元素の群から選ばれた少なくとも１種の元素から形成されている二酸化炭素吸収材。 - 特許庁

N,N,N',N'-TETRAALKYL-3,6-DIOXAOCTANE-1,8-DIAMIDE AND EXTRACTANT FOR SOLVENT-EXTRACTING ACTINIDE ELEMENT AND LANTHANIDE ELEMENT FROM HIGH LEVEL RADIOACTIVE WASTE LIQUID INCLUDING N,N,N',N'-TETRAALKYL-3,6-DIOXAOCTANE-1,8-DIAMIDE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアルキル−３，６−ジオキサオクタン−１，８−ジアミド及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアルキル−３，６−ジオキサオクタン−１，８−ジアミドからなる高レベル放射性廃液からアクチニド元素及びランタニド元素を溶媒抽出する抽出剤 - 特許庁

The compositions further comprise a lanthanide, a Group 4 metal selected from hafnium, zirconium, titanium, or a combination of these, and optionally a Group 14 element selected from silicon and/or germanium.例文帳に追加

この組成物は、さらにランタニド、ハフニウム、ジルコニウム、チタン又はこれらの組合せから選択される第４族金属、及び場合によりケイ素及び／又はゲルマニウムから選択される第１４族元素を含む。 - 特許庁

When the structure including the silicon and/or the germanium is a gate electrode, the lanthanide element (for example, the Yb) is doped to the silicon and/or the germanium in order to model a work function of the gate electrode.例文帳に追加

当該シリコン及び／又はゲルマニウム含有構造がゲート電極である場合、ゲート電極の仕事関数をモデリングするため、上記シリコン及び／又はゲルマニウムにランタニド元素（例えばＹｂ）をドープする。 - 特許庁

A catalyst has a polymetallic sulfide phase containing at least one element selected from the elements of group IIIB including sulfur, lanthanide, and actinoids and group IVB and at least one element selected from the elements of group VIIB and group VIII.例文帳に追加

硫黄と、ランタノイドおよびアクチノイドが含まれる第III Ｂ族および第IVＢ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素と、第VII Ｂ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む多金属硫化物相を含む触媒である。 - 特許庁

Methyl 2-hydroxyisolactate and methanol are together brought into contact with a crystalline aluminosilicate and then the resultant reaction product is brought into contact with a solid catalyst consisting essentially of phosphoric acid and silica and preferably further containing an alkali metal element, an alkali earth metal element and/or a lanthanide element to produce methyl methacrylate.例文帳に追加

２−ヒドロキシイソ酪酸メチルをメタノールと共に結晶性アルミノ珪酸塩に接触させ、次いで得られた反応生成物をリン酸およびシリカを主成分とし好ましくはアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素および／またはランタニド系元素を更に含む固体触媒に接触させてメタクリル酸メチルを生成する。 - 特許庁

In this case, between the metal and the first surface layer, there may be further formed a second surface layer containing at least one cationic element selected from Ca, Sr, Ba, Y and lanthanide elements (_57La-_71Lu), phosphorous and oxygen.例文帳に追加

この場合、金属と第１の表面層との間に、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ及びランタノイド元素（_５７Ｌａ〜_７１Ｌｕ）から選ばれる少なくとも１つの陽イオン元素と、リンと、酸素とを含む第２の表面層をさらに形成してもよい。 - 特許庁

The aluminum nitride sintered compact having a volume resistivity at normal temperature of 1×10^9 to 1×10^14 Ω×cm is obtained by incorporating an element of the lanthanide in an amount of 0.5 to 7 mass %, expressed in terms of its oxide.例文帳に追加

ランタノイド元素を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有させて、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍである窒化アルミニウム焼結体を得る。 - 特許庁

The charge trap memory device includes a tunnel insulating layer provided on a substrate, a charge trap layer provided on the tunnel insulating layer, and a blocking insulating layer provided on the charge trap layer, wherein the blocking insulating layer is composed of a substance containing a lanthanide element.例文帳に追加

基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成された電荷トラップ層と、電荷トラップ層上にランタン族元素を含む物質からなるブロッキング絶縁膜と、を備える電荷トラップ型メモリ素子である。 - 特許庁

This memory device comprises a tunnel insulating layer 21 formed on a substrate 11, a charge trap layer 23 formed on the tunnel insulating layer 21, and a blocking insulating film 25 formed of a material including Gd or a smaller lanthanide element on the charge trap layer 25.例文帳に追加

メモリ素子は、基板１１上に形成されたトンネル絶縁膜２１と、トンネル絶縁膜２１上に形成された電荷トラップ層２３と、電荷トラップ層２３上にガドリニウム、またはこれより小さなサイズのランタン族元素を含む物質からなるブロッキング絶縁膜２５と、を備える。 - 特許庁

The nickel positive electrode is made of a nickel sinter substrate which is filled with a prescribed amount of nickel hydroxide by a chemical impregnation method and in which one or more kinds of compounds of an element which is selected from Ca, Sr, Sc, Y and lanthanide series elements, are added in the nickel hydroxide layer as above filled.例文帳に追加

ニッケル正極１は、ニッケル焼結基板に、化学含浸法によって所定量の水酸化ニッケルが充填され、このように充填された水酸化ニッケル層に、Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｃ，Ｙおよびランタノイド系元素から選択された元素の化合物が１種類以上添加されたものである。 - 特許庁

The quartz glass contains 0.1-20 wt.% of two or more kinds of metal elements, which comprise one kind of 3B group elements as the first metal element and one or more kinds of the second metal elements selected from Zr, Y, lanthanide, and actinoid.例文帳に追加

２種類以上の金属元素を併せて０．１〜２０ｗｔ％含有する石英ガラスであって、該金属元素が周期律表第３Ｂ族の１種類である第１の金属元素と、Ｚｒ、Ｙ、ランタノイド及びアクチノイドからなる群から選ばれた少なくとも１種類である第２の金属元素からなるようにした。 - 特許庁

In the formula (P), M is at least one kind of element selected from among a group of Bi and lanthanide elements, 0.05≤x≤0.4, 0<y≤0.7, where although the standard composition is such that δ=0 and z=3, these values may deviate from the reference values, so long as a perovskite structure can be obtained.例文帳に追加

（Ｐｂ_１−ｘ＋δＭ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） - 特許庁

This method comprises steps of adding a precipitate containing a compound of lanthanide element to the plating bath containing nickel sulfamate, of which the concentration of the azo disultonic acid has reached the predetermined value; obtaining a precipitate by reacting at least a part of the azo disultonic acid with the above precipitant; and removing the above precipitate from the plating bath.例文帳に追加

アゾジスルホン酸の濃度が所定値に達したスルファミン酸ニッケルを含むめっき浴に、ランタニド元素の化合物を含む沈殿剤を添加する工程と、前記アゾジスルホン酸の少なくとも一部を、前記沈殿剤と反応させて沈殿物を得る工程と、前記沈殿物を前記めっき浴から取り除く工程とを有する。 - 特許庁

The organic light emission element has a first electrode containing a metal oxide formed on the substrate, a second electrode containing a silver alloyed by adding at least a metal selected from a group consisting of elements of lanthanide and actinide series formed on the first electrode, and the pixel electrode provided with a third electrode containing a metal oxide formed on the second electrode.例文帳に追加

有機発光素子は基板上に金属酸化物を含む第１電極と、第１電極上にランタン系列とアクチニウム系列の元素からなるグループから選ばれた一つ以上の金属を添加して合金化した銀を含む第２電極と、第２電極上に金属酸化物を含む第３電極を備える画素電極を含む。 - 特許庁

The image display system including the electroluminescent element includes a substrate, an anode formed on the substrate, the electroluminescent layer formed on the anode, an electron implantation layer containing a lanthanide contained layer, or an actinide contained layer and is directly formed on the electron implantation layer, and a cathode that is formed on the electroluminescent layer.例文帳に追加

エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムであって、基板、前記基板の上に形成された陽極、前記陽極の上に形成されたエレクトロルミネセンス層、前記エレクトロルミネセンス層の上に形成され、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含む電子注入層、および前記電子注入層の上に直接形成された陰極を含むシステム。 - 特許庁

In this hydrogen-gas detecting element, a sensitive layer 2 which covers a noble metal wire 1 and which is formed of a semiconductor composed mainly of indium oxide is formed, 0.4 to 10 mol% of the oxide of at least one kind of a metal selected from among lanthanide metals is added to the sensitive layer 2, and a dense silica this film 3 is formed on the surface of the sensitive layer.例文帳に追加

貴金属線を覆って、酸化インジウムを主成分とする半導体から形成される感応層を設けてあるガス検知素子であって、前記感応層にランタニド金属から選ばれる少なくとも一種以上の金属の酸化物を０．４〜１０ｍｏｌ％添加してあるとともに、感応層表面に緻密なシリカ薄膜を形成してある。 - 特許庁

The polycrystalline transparent Y_2O_3 ceramics for electron beam fluorescence consists of a polycrystalline sintered body whose main ingredient is Y_2O_3, which has a porosity of 0.1% or less, which has a mean crystalline particle diameter of 5-300 μm and which contains a lanthanide element (Tb, Eu and the like).例文帳に追加

本発明の電子線蛍光用多結晶透明Ｙ_２Ｏ_３セラミックスは、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする多結晶焼結体からなる電子線蛍光用多結晶透明Ｙ_２Ｏ_３セラミックスであって、この多結晶焼結体は、気孔率が０．１％以下であり、平均結晶粒子径が５〜３００μｍであり、且つ、ランタニド元素（Ｔｂ及びＥｕ等）を含有する。 - 特許庁

A crosslinked polysesquioxane composition comprises a crosslinked polysesquioxane host matrix comprising a sesquioxane moiety and an organic moiety, the sesquioxane moiety containing a metallic element and the organic moiety being interposed between the sesquioxane moieties, and a guest molecule containing a lanthanide atom, and at least some of the organic moiety containing a substituent group selected from the group consisting of an electron withdrawing functional group and an electron donating functional group.例文帳に追加

セスキオキサン部が金属元素を含み、有機部がセスキオキサン部の間に挿入された、セスキオキサン部および有機部を含む架橋ポリセスキオキサン・ホスト・マトリックスと、ランタニド原子を含むゲスト分子を含み、少なくともいくつかの前記有機部が、電子吸引官能基および電子授与官能基からなる群から選択される置換基を含む架橋ポリセスキオキサン組成物。 - 特許庁

This method for producing an asymmetrical dialkyl polycarbonate by an ester-interchange reaction between different kinds of symmetrical dialkyl carbonates in the presence of a solid catalyst containing an oxide of an element selected from group III elements (the short period periodic table) comprising lanthanide, scandium and yttrium, comprises bringing the solid catalyst separated from a liquid produced by the reaction into contact with an alcohol, and reusing resultant solid catalyst in the ester-interchange reaction.例文帳に追加

本発明によれば、ランタニド及びアクチニド並びにスカンジウム及びイットリウムからなるIII 族元素（短周期型周期律表）から選ばれる元素の酸化物を活性成分として含む固体触媒の存在下に、異種の対称ジアルキルカーボネート間のエステル交換反応により非対称ジアルキルカーボネートを製造するに際し、反応生成液から分離した固体触媒をアルコールと接触した後、エステル交換反応に再使用することを非対称ジアルキルカーボネートの製造方法。 - 特許庁