「mRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) performs error correcting coding (ECC) of stored information.例文帳に追加

記憶されている情報の誤り訂正符号化(ECC)を実行する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) and a method for reading out from the MRAM with accuracy.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びＭＲＡＭを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁

Further, an embodiment (400) of the method of reducing half-select write errors within a MRAM is also disclosed.例文帳に追加

更に、MRAM内の半選択書込み誤りを低減する方法の実施形態(400)も開示される。 - 特許庁

This magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) performs error correction coding (ECC) of stored information.例文帳に追加

記憶されている情報の誤り訂正コード化(ECC)を実行する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁

The MRAM chip 111 is connected with the device 112 by means of a bonding wire 116 and connected with a semiconductor mounting substrate 110 by means of a bonding wire 117.例文帳に追加

MRAMチップ111とデバイス112の間はボンディングワイヤー116で接続され、MRAMチップ111と半導体実装基板110の間はボンディングワイヤー117で接続されている。 - 特許庁

A magnetic random access memory (MRAM) (100) includes an array of magnetic memory cells (102) arranged on intersection grids (104, 106, 108).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)(100)は、交点グリッド(104,106,108)上に配列された磁気メモリセル(102)のアレイを含む。 - 特許庁

MRAM, ITS MANUFACTURING METHOD AND DRIVING METHOD例文帳に追加

ＭＲＡＭとその製造方法及び駆動方法 - 特許庁

SPIN DEPENDENT TUNNELING JUNCTION FOR MRAM DEVICES例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス用スピン依存型トンネリング接合 - 特許庁

MRAM HAVING INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

集積された半導体デバイスを有するＭＲＡＭ - 特許庁

The spin-torque MRAM cell array 405 has spin-torque MRAM cells 100 (henceforth "MRAM cell 100") arrayed in rows and columns.例文帳に追加

スピントルクＭＲＡＭセルアレイ４０５は、スピントルクＭＲＡＭセル１００（以下「ＭＲＡＭセル１００」という。）を横方向と縦方向に配列したものである。 - 特許庁

The ferromagnetic layer of a TMR element in the MRAM gets into tensile strain status, resulting in permitting increased magnetization.例文帳に追加

MRAMのTMR素子の強磁性層が引張ひずみ状態となり，磁化が増大していることを特徴とする。 - 特許庁

The MRAM cell disclosed in the present invention has power consumption lower than that of a conventional MRAM cell.例文帳に追加

本明細書で開示するＭＲＡＭセルは、従来のＭＲＡＭセルに比べて電力消費が低い。 - 特許庁

MAGNETIC DOMAIN WALL MOVING TYPE MRAM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

磁壁移動型ＭＲＡＭ及びその製造方法 - 特許庁

A magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) employs error correction coding (ECC) to form encoded stored data.例文帳に追加

磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)は、誤り訂正符号化(ECC)を用いてECC符号化された記憶データを作成する。 - 特許庁

MRAM HAVING ASYMMETRICALLY CLAD CONDUCTORS例文帳に追加

非対称に被覆された導体を有するＭＲＡＭ - 特許庁

To provide a logical data block in a MRAM (magnetic random access memory) configured so that half-select errors are reduced or eliminated.例文帳に追加

半選択誤りが低減または解消されるように構成されたMRAMの論理データブロックの提供。 - 特許庁

A magnetic random access memory (MRAM) includes an array (12) of cells (14), and a plurality of first conductors on a first side of the array (12).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスは、セル(14)のアレイ(12)と、アレイ(12)の第1の側に複数の第1の導体とを含む。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEDIUM AND MRAM例文帳に追加

磁気媒体の製造法及びＭＲＡＭの製造法 - 特許庁

To provide a spin-torque MRAM cell array of which the area occupied by wirings taken around in the spin-torque MRAM cell array is made small, a spin-torque MRAM device, and a programming method of the spin-torque MRAM cell array.例文帳に追加

スピントルクＭＲＡＭセルアレイ中に引き回される配線が占める領域を小さくしたスピントルクＭＲＡＭセルアレイ、スピントルクＭＲＡＭ装置およびスピントルクＭＲＡＭセルアレイのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICE例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method and device for detecting the resistance state of the memory cells within an MRAM device with high reliability.例文帳に追加

MRAMデバイス内のメモリセルの抵抗状態を高い信頼性で検知する方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

MRAM MEMORY CELL AND METHOD FOR ACCELERATING INVERSION OF SPONTANEOUS MAGNETIZATION例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリセル及び自発磁化反転促進方法 - 特許庁

To provide a technology capable of improving characteristics of a MRAM in a semiconductor device including the MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭを含む半導体装置において、ＭＲＡＭの特性を向上することができる技術を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEDIUM AND MANUFACTURING METHOD OF MRAM例文帳に追加

磁気媒体の製造法及びＭＲＡＭの製造法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND MRAM例文帳に追加

磁気トンネル接合素子、その製造方法、及びＭＲＡＭ - 特許庁

DEVICE PERFORMING WRITE-IN IN WHICH LOSS OF MRAM IS LESS例文帳に追加

ＭＲＡＭの損失の少ない書き込みを行なう装置 - 特許庁

To provide toggle memory cells (MRAM) with high selectivity.例文帳に追加

セル選択性の高いトグルメモリセル（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

The MRAM cells 212 starts up the pixel cells 216 by the electrical signal, generated with the MRAM cells 212.例文帳に追加

ＭＲＡＭセル２１２は、ＭＲＡＭセル２１２によって生成される電気信号によって画素セル２１６を起動する。 - 特許庁

In addition, a high-density magnetic head and a large-capacity high-speed magnetic memory (MRAM) can be realized by using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

さらにこのMR素子を用いることにより高密度磁気ヘッドおよび大容量・高速磁気メモリ（MRAM）の実現が可能となる。 - 特許庁

A magnetism memory module (800) comprising MRAM (200, 802, 910) having the logic data blocks (202, 804, 912) and a computer system (900) are also disclosed.例文帳に追加

本発明の実施形態による論理データブロック(202,804,912)を有するMRAM(200,802,910)を含む磁気メモリモジュール(800)とコンピュータシステム(900)も開示される。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION ELEMENT, MRAM, STT-RAM, METHOD FOR MAKING MRAM, METHOD FOR MAKING STT-RAM例文帳に追加

磁気トンネル接合素子、ＭＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭ、ＭＲＡＭの製造方法、ＳＴＴ−ＲＡＭの製造方法 - 特許庁

To provide an MRAM element and its driving method and fabricating method.例文帳に追加

ＭＲＡＭ素子とその駆動及び製造方法を提供する。 - 特許庁

A method related to the MRAM device can be also provided.例文帳に追加

前記ＭＲＡＭ装置と関連する方法も提供できる。 - 特許庁

ELECTRIC CHARGES SAVING TYPE WRITE-IN METHOD AND SYSTEM FOR MRAM例文帳に追加

ＭＲＡＭのための電荷節約型書込方法およびシステム - 特許庁

The spin-torque transfer magnetic read access memory (STT-MRAM) includes a magnetic bit to be coupled between a first conductor line and the selection device.例文帳に追加

回転-トルク転送磁気リード・アクセス・メモリ（STT-MRAM）は、第1の導電性ラインと選択デバイスとの間で連結される磁気ビットを含む。 - 特許庁

STT-MTJ-MRAM CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳＴＴ−ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルおよびその製造方法 - 特許庁

To increase the storage density of an MRAM device for achieving a greater storage capacity and reduced storage costs.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置の記憶密度を増大させること。 - 特許庁

CIRCUIT FOR SENSING MEMORY CELL RESISTIVE STATE IN MRAM DEVICE例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス内のメモリセルの抵抗状態を感知する回路 - 特許庁

To provide a self-reference type readout circuit for an MRAM, that is small, achieves lower power consumption, and that enables high-speed readout.例文帳に追加

小面積で低消費電力であり、高速の読み出しが可能で、且つ、自己リファレンス方式のMRAMの読み出し回路を提供する。 - 特許庁

To provide an MRAM having an improved magnetic-circuit structure.例文帳に追加

改良された磁気回路構造を有するＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To obtain an MRAM control device capable of reducing a current amount of a whole system without increasing the read frequency from the MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭからの読み出し回数を増やさず、システム全体の電流量を低減することができるＭＲＡＭ制御装置を得ること。 - 特許庁

Magnetic random access memory (MRAM) devices (100, 200, 300) include the magnetic memory cells (102, 202, 302) which can be changed between two states due to the influence of magnetic field.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100,200,300)は、磁界の影響を受けて２つの状態間で切り替わることができる磁気メモリセル(102,202,302)を含む。 - 特許庁

CIRCUIT LAYOUT FOR PROMOTING AGING OF MRAM AND METHOD FOR IT例文帳に追加

ＭＲＡＭのエージングを促進するための回路レイアウトおよび方法 - 特許庁

METHOD FOR OBSTRUCTING UNDESIRABLE PROGRAMMING IN MRAM DEVICE例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置における、望ましくないプログラミングを阻止する方法 - 特許庁

To provide a read-out circuit of an MRAM of a self-reference system in which area is small, power consumption is low, high speed read-out can be performed.例文帳に追加

小面積で低消費電力であり、高速の読み出しが可能で、且つ、自己リファレンス方式のMRAMの読み出し回路を提供する。 - 特許庁