「mRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The disclosed storage element has lower power consumption than conventional MRAM cells.例文帳に追加

ここで開示した記憶素子の電気消費量は、従来のＭＲＡＭ記憶素子よりも少ない。 - 特許庁

Thereby, the on-chip MRAM can hold the functional information before and after the event occurrence.例文帳に追加

これによって、オンチップのＭＲＡＭはイベント発生前後の機能情報を保持することができる。 - 特許庁

To provide an MRAM having a minimum area necessary condition.例文帳に追加

本発明の目的は最小のエリア必要条件を有するＭＲＡＭメモリを提供することである。 - 特許庁

To reduce critical current density needed for magnetic domain wall movement in a magnetic domain wall movement type MRAM.例文帳に追加

磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁壁移動に要する臨界電流密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a TMR type MRAM having a structure realizing a minimum cell size.例文帳に追加

最小セルサイズの実現を可能とする構造を有するＴＭＲタイプのＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR HIGH-DENSITY MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING LAMINATABLE STRUCTURE例文帳に追加

積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のための方法および装置 - 特許庁

A digitizing tablet part of the apparatus is composed of an array of magnetic RAM (MRAM) cells 212, and each of the MRAM cells 212 responds to a magnetic field 112 which is applied from the outside.例文帳に追加

本発明によれば、その装置のうちのデジタイジングタブレット部は磁気ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）セル２１２のアレイから構成され、各ＭＲＡＭセル２１２は外部からかけられる磁界１１２に反応する。 - 特許庁

To provide a technique for improving data holding characteristics of a MRAM device by improving resistance to an external magnetic field in a semiconductor device including the MRAM device.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイスを含む半導体装置において、外部磁界に対する耐性を向上させることにより、ＭＲＡＭデバイスのデータ保持特性の向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

This toggle MRAM has memory stacks arranged in the X-Y flat surface on an MRAM substrate, and each memory stack has multiple toggle memory cells laminated along the Z-axis.例文帳に追加

トグル方式の磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は、ＭＲＡＭ基板上のＸ−Ｙ平面内に配置されたメモリスタックを有し、各メモリスタックは、Ｚ軸に沿って積層された複数のトグルメモリセルを有する。 - 特許庁

Since currently available MRAM devices are subject to physical failures, this device minimizes the influence of those failures on stored ECC encoded data.例文帳に追加

現在利用可能なMRAMデバイスは、物理的な障害を受けやすいものであるため、記憶されているECCコード化データに対するかかる障害データによる影響を最小限にする記憶構成について説明する。 - 特許庁

To provide an MRAM characteristic analyzing apparatus and method which can analyze characteristics of respective unit cells of an MRAM array with a relatively simple configuration within a short period of time.例文帳に追加

ＭＲＡＭアレイのそれぞれの単位セルの特性を、比較的簡単な構成により短時間内に分析することができるＭＲＡＭの特性分析装置およびその分析方法を提供する。 - 特許庁

To maintain a write current for an MRAM device in an optimum range by adjusting the magnitude of the current.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイスに対する書込み電流の大きさを調節して最適範囲に維持すること。 - 特許庁

To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁

To simultaneously lower a writing current of an MRAM and expand a margin of the writing current.例文帳に追加

ＭＲＡＭの書き込み電流の低減と書き込み電流のマージンの拡大とを同時に実現する。 - 特許庁

To maintain a write current to an MRAM device within an optimum range by adjusting the magnitude of the write current.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイスに対する書込み電流の大きさを調節して最適範囲に維持すること。 - 特許庁

By the MRAM structure provided, access accuracy is increased significantly, and access speed is accelerated.例文帳に追加

提供されたＭＲＡＭ構造によって、アクセス精度が大幅に増加され且つアクセス速度が加速される。 - 特許庁

The resistance of a selected cell 12 in the MRAM device 8 is sensed by a read circuit 20.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス（８）中の選択されたメモリセル（１２）の抵抗は、読み出し回路（２０）によって感知される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device with a logic circuit and an MRAM by which a high speed operation is made possible.例文帳に追加

高速動作が可能なロジック回路とＭＲＡＭを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor chip CH includes an MRAM device, and is arranged on the magnetic shield material PM1.例文帳に追加

半導体チップＣＨは、ＭＲＡＭデバイスを有し、かつ磁気シールド材ＰＭ１上に配置されている。 - 特許庁

To decrease influences of strong magnetism even in a camera system employing a magnetoresistive random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭを用いたカメラシステムであっても、強い磁気の影響を減少させることを目的とする。 - 特許庁

To provide an MRAM (Magnetic Random Access Memory) which permits readout operation stable to bit line clamping voltage levels.例文帳に追加

ビットラインクランピング電圧レベルに対して安定な読み出し動作が可能なＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic RAM (hereinafter MRAM) which has a plurality of resistance variation elements.例文帳に追加

本発明は複数の抵抗変化素子を有するマグネチックＲＡＭ(maguneticRAM、以下ＭＲＡＭ)と称する）に関する。 - 特許庁

To widen limit of scale of an MRAM memory cell array by reducing substantially capacity of word lines and bit lines.例文帳に追加

ワード線、ビット線の容量を実質的に低減してＭＲＡＭメモリセルアレイの規模の限界を広げる。 - 特許庁

MRAM has a magnetic tunnel bonding surface 106, a writing line 202, and a writing line 204.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、磁気トンネル接合面１０６、書き込み線２０２および書き込み線２０４を備えている。 - 特許庁

To provide an MRAM device into which write data having a plurality of bits are written in parallel with low power consumption.例文帳に追加

低消費電力で複数ビットの書込データを並列に書込めるＭＲＡＭデバイスを提供する。 - 特許庁

MRAM WHOSE UNIT CELL IS MADE UP OF ONE TRANSISTOR AND TWO MTJS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

単位セルが一つのトランジスタと二つのＭＴＪとで構成されたＭＲＡＭ及びその製造方法 - 特許庁

An MRAM cell array includes a memory cell group 200 and a reference cell, connected to the same bit line BL2.例文帳に追加

ＭＲＡＭセルアレイは、同じビット線ＢＬ２に接続されたメモリセルグループ２００と参照セルとを含む。 - 特許庁

At manufacture, the MRAM device is tested to confirm that each set of storage cells is suitable for storing ECC encoded data, using either a parametric evaluation (step 602), or a logical evaluation (step 603) or preferably a combination of both.例文帳に追加

製造時にパラメータ評価(ステップ602)又は論理評価(ステップ603)又は好適にはその両者の組み合わせを使用してMRAMが検査されて、各組の記憶セルがECC符号化データを記憶するのに適していることが確認される。 - 特許庁

By setting the widths of the writing lines 202 and 204 to be smaller than that of the MTJ cell 106, the area used by the MRAM can be reduced effectively, and a densely packaged MRAM is realized.例文帳に追加

このように書き込み線２０２、２０４の幅をＭＴＪセル１０６の幅よりも小さく設定することにより、ＭＲＡＭが使用する面積を効果的に縮小することができ、高密度化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a MRAM which can be reproduced without applying positive and negative current pulses and to provide a method for reproducing information of this MRAM and a reproducing device using only a positive pulse or a negative pulse.例文帳に追加

正負の電流パルスを印加することなく再生可能なＭＲＡＭの提供、ならびに、正または負の電流パルスのみを用いて、このＭＲＡＭの情報を再生する方法とそれに用いる再生装置の提供。 - 特許庁

To provide a STT-MTJ-MRAM cell having a magnetic tunnel junction element excellent in spin polarization rate.例文帳に追加

スピン偏極率に優れた磁気トンネル接合素子を備えたＳＴＴ−ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁

A MTJ-MRAM cell consisting of MTJ and a selection switch transistor QS is used for a memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣには、ＭＴＪと選択スイッチトランジスタＱＳからなるＭＴＪ−ＭＲＡＭセルが用いられる。 - 特許庁

MAGNETIC YOKE-SHAPED STRUCTURE OF MRAM DEVICE REDUCING POWER CONSUMPTION IN PROGRAMMING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

プログラミング電力消費を減少するＭＲＡＭデバイスの磁性体くびき状構造およびその作製方法 - 特許庁

MRAM OF VOLTAGE CONTROLLED MAGNETIZATION REVERSAL WRITING TYPE AND METHOD OF WRITING AND READING INFORMATION例文帳に追加

電圧制御磁化反転記録方式のＭＲＡＭ素子及びそれを利用した情報の記録及び判読方法 - 特許庁

To provide a low-cost MRAM in which a noise electric current caused by grounding noise does not flow through the input part of a sense amplifier.例文帳に追加

接地ノイズによるノイズ電流がセンスアンプの入力部に流れず、低コストなＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide an inductance which can be integrated monolithically and can be utilized profitably especially in an MRAM mechanism.例文帳に追加

特にＭＲＡＭ機構で有利に利用することのできる、モノリシックに集積化可能なインダクタンスを提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory has flash memories 1, 2, and a MRAM 5 being different in kinds from the flash memories 1, 2.例文帳に追加

半導体記憶装置は、フラッシュメモリ１，２と、これらフラッシュメモリ１，２とは種類の異なるＭＲＡＭ５とを有する。 - 特許庁

The write circuit (24) for a large array (10) of memory cells (12) of Magnetic Random Access Memory (MRAM) device (8).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置（８）のメモリセル（１２）の大規模なアレイ（１０）のための書き込み回路（２４）。 - 特許庁

A memory for normal processing is arranged on an MRAM for backup, and the MRAM and the storage elements of the memory are wired one to one, and data between the storage elements are compared, and only the storage element whose change is occurred is defined as the object of backup.例文帳に追加

バックアップ用ＭＲＡＭの上に通常処理用メモリを配置し、ＭＲＡＭとメモリの記憶素子間を１対１に配線するとともに、記憶素子間のデータを比較して変化があった記憶素子のみバックアップの対象とする。 - 特許庁

Source select lines 330 are oriented orthogonally to the bit lines 305 and arranged by corresponding to a pair of rows of the MRAM cells 100 arrayed in rows to connect with the MRAM cells 100 composing this pair.例文帳に追加

ソース選択線３３０は、ビット線３０５に対して直交し、且つ、横方向に配列されたＭＲＡＭセル１００を２行１組にした対に対応して配置され、この対を構成しているＭＲＡＭセル１００と接続される。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile solid state memory capable of high speed recording/reproduction by protecting an MRAM appropriate to a WLP age from an external magnetic field thereby preventing an erroneous operation due to the external magnetic field and enhancing stability in the recording/ reproducing operation of the memory element.例文帳に追加

WLP時代に相応しいMRAMを外部磁界から守り、外部磁界による誤動作を防止すること、並びにメモリ素子の記録再生動作の安定性を高め、高速に記録再生可能な不揮発固体メモリを実現する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device provided with both of a high access speed which is a merit of an MRAM constituted of one selection element and one TMR element and the reduction of a cell area which is a merit of a cross point type MRAM.例文帳に追加

１選択素子と１ＴＭＲ素子で構成されるＭＲＡＭの利点であるアクセス速度の速さとクロスポイント型のＭＲＡＭの利点であるセル面積の縮小化とを兼ね備えた磁気メモリ装置の提供を図る。 - 特許庁

To provide an improved method for etching magnetic materials for manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) device.例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造のために磁性材料をエッチングする改善された方法を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit for generating an adjustable timing signal for detecting self reference-type MRAM cells.例文帳に追加

自己参照型ＭＲＡＭセルを検知するための調節可能なタイミング信号を発生するための回路を提供する。 - 特許庁

To reduce power consumption of a MRAM device formed of magnetic memory cells having magnetic tunnel junctions.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスの低消費電力化を図る。 - 特許庁