「mRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize micronization of an MRAM memory cell and prevention of wrong writing.例文帳に追加

ＭＲＡＭのメモリセルの微細化と誤書き込みの防止とを実現する。 - 特許庁

EQUI-POTENTIAL SENSING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING SERIES DIODE例文帳に追加

直列ダイオードを有する磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の等電位センシング - 特許庁

To reduce inexpedience such that a multilayer wiring forming process of LSI causes characteristic fluctuation of MRAM and inexpedience such that a forming process of MRAM causes characteristic fluctuation of multilayer wiring, which occur in a merged logic MRAM.例文帳に追加

ロジック混載ＭＲＡＭにおいて、ＬＳＩの多層配線形成プロセスがＭＲＡＭの特性変動を引き起こす不都合、また、ＭＲＡＭの形成プロセスが多層配線の特性変動を引き起こす不都合を軽減すること。 - 特許庁

To provide a method for preventing electromigration in an MRAM, and to prevent such destruction of the MRAM performance.例文帳に追加

従って、本発明の課題は、ＭＲＡＭにおいて電気移動の阻害をするための方法を提供し、ＭＲＡＭの性能のそのような破壊を妨害することである。 - 特許庁

To provide an MRAM having a cell array structure suitable for the higher integration of cells.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

To provide a MRAM having cell array structure being suitable for high integration of a cell.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

To provide a MRAM having a cell array structure being suitable for high integration of a cell.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

To constitute an MRAM having a large capacity by reducing the size of a memory cell of the MRAM and decreasing a magnetic influence to an adjacent memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭのメモリセルの小型化と、隣接するメモリセルに対しての磁気的影響を減らし、ひいては大容量のＭＲＡＭを構成可能にする。 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD OF MRAM DEVICE AND MEMORY HAVING HEAT GENERATING LAYER例文帳に追加

熱発生層を有するＭＲＡＭ装置およびメモリ装置のプログラム方法 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE FOR NONDESTRUCTIVELY READING MEMORY CELL OF MRAM MEMORY例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法および構造 - 特許庁

The data memory device can be a magnetic random access memory(MRAM).例文帳に追加

データ記憶装置は、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置とすることができる。 - 特許庁

To provide a MRAM device enabling mass production of a device which permits restriction for the present manufacturing technology, on the other hand, which is commercially tolerable.例文帳に追加

現行の製造技術の制限を許容する一方で商業的に許容可能な装置の大量生産を可能にするMRAM装置を提供すること。 - 特許庁

The equal potentials are impressed to the bit lines selected at the reading out operation relating to the memory cells (12) in the magnetic random access memory (MRAM) and the non-selected bit lines.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)中のメモリセル(12)についての読み出し動作時に選択されたビットラインと選択されていないビットラインとに等しい電位を印加する。 - 特許庁

The MRAM structure includes a bit-line conductor, directed toward a first direction.例文帳に追加

ＭＲＡＭ構造は、第１の方向に向けられるビット線導体を含む。 - 特許庁

The MRAM cell has a reduced size and can be made at low cost.例文帳に追加

本ＭＲＡＭセルは、サイズが小さく、低コストで製造することができる。 - 特許庁

WRITING METHOD FOR MEMORY DEVICE OF MRAM BASE WITH REDUCED POWER CONSUMPTION例文帳に追加

電力消費量を削減したＭＲＡＭベースのメモリ装置の書き込み方法 - 特許庁

To propose a magnetic random access memory (MRAM) having a cell array structure suitable for high integration of a cell.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

To improve the selectivity of an MRAM cell when writing on the cell is performed.例文帳に追加

ＭＲＡＭセルに書込みを行う際にセルの選択性を向上すること。 - 特許庁

To propose an MRAM of a cell array structure which is suitable for high level integration of cells.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) using magnetic domain drag phenomenon.例文帳に追加

マグネチックドメインドラッグ現象を用いた磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

TRIPLE SAMPLE-SENSING FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) EQUIPPED WITH SERIES DIODE例文帳に追加

直列ダイオードを備える磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のためのトリプルサンプルセンシング - 特許庁

WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MRAM, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

配線構造、半導体装置、ＭＲＡＭおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction element having a large MR ratio suitable for MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭに好適な高ＭＲ比の磁気トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

To provide a processor with an embedded MRAM and its manufacturing method.例文帳に追加

埋め込みＭＲＡＭを有する処理装置，およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A high density current is supplied to the wiring of the MRAM at write operation.例文帳に追加

ＭＲＡＭでは、ライト動作時に、高い電流密度の電流が配線に流れる。 - 特許庁

To provide an electric charges saving type write-in method and a device for reducing an average write-in current in an integrated circuit magnetic resistance random access memory (MRAM) system.例文帳に追加

集積回路（IC）磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（MRAM）システムにおける平均的書込電流を低減するための電荷節約書込方法および装置を提供する。 - 特許庁

A fault tolerant magnetoresistive solid-state storage device (MRAM) in use performs error correction coding and decoding of stored information, to tolerate physical defects.例文帳に追加

使用時に記憶されている情報の誤り訂正符号化及び復号化を実行して物理的な障害を許容する耐障害性を有する磁気抵抗固体記憶装置(MRAM)。 - 特許庁

An MRAM chip 100 is covered with an insulation layer 101 and further covered with a magnetic shield structure 102 except parts of electrode pads 103a and 103b becoming the interface with the outside (fig. (a)).例文帳に追加

MRAMチップ100は絶縁層101で覆われ、外部とのインターフェースとなる電極パッド103a,103bの部分を除き磁気遮蔽構造102で周囲を覆われた構造となっている（図（ａ））。 - 特許庁

To provide a novel magnetic recording head capable of realizing energy irradiation by a heat assisting method and contributing to the reduction of the write current magnetic field of an MRAM, and a magnetic storage device.例文帳に追加

熱アシスト法によるエネルギー照射を実現し、また、MRAMの書込み電流磁場の低減に寄与する新規な磁気記録ヘッド及び磁気記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method relative to a magnetic resistance random access memory (MRAM) and theimprovement thereof, especially, a method relative to the conversion of a low-resistance cell in the MRAM device into a capacitance cell.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びその改良に関し、特にＭＲＡＭ装置における低抵抗セルを容量セルに変換する方法に関する。 - 特許庁

The MRAM element part includes: a plurality of MRAM elements each of which is provided with a magnetization fixed layer in which magnetization is fixed and a magnetization free layer in which magnetization can be inverted; a lower connection part for connecting each of the plurality of MRAM elements to the lower wiring layer; and an upper connection part for connecting each of the plurality of MRAM elements to the upper wiring layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ素子部は、磁化が固定された磁化固定層と磁化が反転可能な磁化自由層とを備える複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子と、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子の各々と下部配線層とを接続する下部接続部と、複数のランダムアクセスメモリ素子の各々と上部配線層とを接続する上部接続部とを備える。 - 特許庁

To provide a technology which does not require the initial setting of a reference cell in an MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおけるリファレンスセルの初期設定が不要となる技術を提供すること。 - 特許庁

This MRAM provided with a bit line pair 4/5, a word line 3 and the memory cell 2 is used.例文帳に追加

ビット線対４・５とワード線３とメモリセル２とを備えるＭＲＡＭを用いる。 - 特許庁

The magnetoresistive random access memory (MRAM) including a plurality of layers on a substrate is disclosed.例文帳に追加

基板上に複数の層を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）が開示される。 - 特許庁

Further, the MRAM cell structure in which thermal resistance is better than before can be also obtained.例文帳に追加

さらに、従来に比べて耐熱性に優れたＭＲＡＭセル構造を得ることもできる。 - 特許庁

To provide a means for detecting data stored in an MRAM cell more accurately.例文帳に追加

ＭＲＡＭセルに記憶されたデータをより正確に検出するための手段を提供する。 - 特許庁

The central processing unit performs wrap-around control for storing the functional information into the MRAM.例文帳に追加

中央処理装置はＭＲＡＭに機能情報を蓄積するラップアラウンド制御を行う。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR REDUCING POWER FOR WRITING INFORMATION IN MRAM例文帳に追加

ＭＲＡＭに情報を書き込むときの電力を低減するための方法およびシステム - 特許庁

An MRAM being a nonvolatile recording means records image data at driving.例文帳に追加

走行時における画像データが、不揮発性の記録手段であるＭＲＡＭに記録される。 - 特許庁

To provide an MRAM array which performs more stable data read-out operation.例文帳に追加

より安定したデータの読出動作を行うことのできるＭＲＡＭアレイを提供する。 - 特許庁

An MRAM device is equipped with a memory element and a circuit which controls the memory element.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置は、メモリ・エレメントおよびそのメモリ・エレメントを管理する回路を有する。 - 特許庁

The magnetic random access memory is equipped with: multiple MRAM arrays 32 wherein magnetoresistive elements are integrated; and multiple magnetic shields 33, each of which is provided for each MRAM array 32 to prevent interlinkage of a disturbing magnetic field with the MRAM array 32.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗素子が集積化された複数のＭＲＡＭアレイ３２と、ＭＲＡＭアレイ３２のそれぞれに対して設けられ、外乱磁界がＭＲＡＭアレイ３２に鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド３３とを具備している。 - 特許庁

To provide an MRAM device in which current for changing sense of magnetization is decreased.例文帳に追加

磁化の向きを切り替えるための電流を低減したＭＲＡＭデバイスを提供すること。 - 特許庁

Each memory block MB(2^n-1) includes (2^n-1) memory cells 1 for MRAM.例文帳に追加

各メモリブロックＭＢ（２^ｎ−１）は、（２^ｎ−１）個のＭＲＡＭ用のメモリセル１を含む。 - 特許庁

A system LSI 100 is provided with a plurality of MRAM circuit blocks 110a-110f.例文帳に追加

システムＬＳＩ１００は、複数のＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆを備える。 - 特許庁