「mRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In one embodiment, the array comprises tunnel junction MRAM cells integrated in the semiconductor chip provided with a current source.例文帳に追加

一実施例では、アレイは、電流源を備えた半導体チップ内に集積されたトンネル接合ＭＲＡＭセルを含む。 - 特許庁

The data storing system includes the magnetic random access memory (MRAM) device (500) having several memory cells (102).例文帳に追加

テ゛ータを格納するためのシステムは、複数のメモリセル（１０２）を有する磁気ランタ゛ムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）テ゛ハ゛イス（５００）を含む。 - 特許庁

To provide a technology capable of writing data in an MRAM memory cell with a smaller writing current.例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリセルへのデータの書き込みを，より小さな書き込み電流で行うことを可能にする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for determining an optimum write bit line current and an optimum write word line current in an MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおいて最適な書込ビット線電流及び書込ワード線電流を決定する方法を提供する。 - 特許庁

To accelerate data read from an MRAM(Magnetic RAM) device formed of a magnetic substance memory cell having a magnetic tunnel junction section.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのデータ読出を高速化する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) in which the set value of writing current in a writing test mode is switched to a value smaller than and a value larger than those in normal use to realize evaluation of an erroneous margin or a writing margin resulting in the high reliability of the MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおいて、書き込みテストモードにおいて書き込み電流の設定値を、通常使用時よりも小さい値と大きい値を切り替えて誤書き込みマージンや書き込みマージンを評価することを可能とし、高信頼性を実現する。 - 特許庁

The MRAM cell can be used as a ternary content addressable memory (TCAM) and store up to three distinct state levels.例文帳に追加

本ＭＲＡＭセルは、三値連想メモリ（ＴＣＡＭ）として使用して、三つまでの異なる状態レベルを記録することができる。 - 特許庁

To provide a method of carrying out retrieval by a write-in to a ternary content addressable memory (TCAM) based on a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に基づいた三値連想メモリ（ＴＣＡＭ）に書き込んで検索する方法を提供する。 - 特許庁

An MRAM cell structure in which there is little short circuit and a distance between a bit line and a free layer is controlled can be obtained.例文帳に追加

ＭＴＪショートが少なく、しかも、ビット線とフリー層との距離が制御されたＭＲＡＭセル構造を得ることができる。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) WITH ON- CHIP AUTOMATIC DETERMINATION OF OPTIMIZED WRITE CURRENT METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

最適化された書込み電流をオンチップで自動的に判定する方法及び装置を備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ） - 特許庁

The semiconductor device can have a magnetic tunnel junction to be used in an MRAM circuit for example.例文帳に追加

前記半導体素子は、例えば磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）回路で使用される磁気トンネル接合を有することができる。 - 特許庁

To realize low power consumption, high speed writing, and stable operation in a magnetic memory device represented by a MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭに代表される磁気メモリ装置おいて、低消費電力化、高速書き込み、および安定動作を実現可能にする。 - 特許庁

To provide a technique of forming a memory cell in a magnetic random access memory (MRAM) while suppressing oxidation of a ferromagnetic film in the memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる強磁性体膜の酸化を抑制しながら、磁性メモリのメモリセルを形成する技術を提供する。 - 特許庁

To provide circuit constitution of an MRAM and a data read-out method, by which reliability of read-out data can be improved.例文帳に追加

読み出しデータの信頼性を向上させることができるＭＲＡＭの回路構成及びデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell which has high selectivity of the memory cell and a large margin of write current and to provide a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

メモリセルの選択性が高く、書き込み電流のマージンの大きいメモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

A method for performing a read operation from a magnetic random access memory (MRAM) cell (70a/70b/70c/70d) in a memory cell string (12) is provided.例文帳に追加

メモリセルストリング（１２）内の磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル（７０ａ／７０ｂ／７０ｃ／７０ｄ）からの読出し処理を実施する方法を提供する。 - 特許庁

To easily realize a magnetic wall introduction processing to a magnetization recording layer in a magnetic wall movement type MRAM with a vertical magnetization film.例文帳に追加

垂直磁化膜を用いた磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁化記録層への磁壁導入処理を容易に実現する。 - 特許庁

To suppress the unintended change of storage information in the semi-selected state of a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM).例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）において、メモリ・セルの半選択状態での意図しない記憶情報の変更を抑制する。 - 特許庁

To allow checking of a short circuit between a lower ferroelectric layer and an upper ferroelectric layer of a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

ＭＲＡＭの下層強誘電体層と上層強誘電体層がショートしているか否かを検査することができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device such as an MRAM using a SiN film as a liner film formed on a copper wire and having a silicon nitride film excellent in a moisture resistance at a temperature range not affecting the electromagnetic characteristic of the MRAM.例文帳に追加

銅配線上に形成されるライナ膜としてＳｉＮ膜を用いたＭＲＡＭなどの半導体装置において、ＭＲＡＭの電気磁気特性に影響を及ぼさない範囲の温度で耐湿性に優れたシリコン窒化膜を有する半導体装置を得ること。 - 特許庁

A resistive cross point memory (RXPtM) cell array device 10 (one example of which is a magnetic random access memory(MRAM) device) includes a chip 40 on which an array 12 of RXPtM cells is formed, an array 44 of sense amplifiers used in sensing resistance values of the RXPtM cells 14, and an input/output(I/O) controller 48 are formed.例文帳に追加

抵抗性交点メモリ(RXPtM)セルアレイデバイス10（この１つの例は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスである）は、RXPtＭセルのアレイ１２、RXPtＭセル14の抵抗値を読み取る際に使用されるセンス増幅器のアレイ44、及び、入力／出力(I/O)コントローラ48が形成されたチップ40を備える。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) and its data read-out method in which sensing margin can be secured sufficiently and which has strong noise proof.例文帳に追加

センシングマージンを十分確保可能でノイズに強い磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）およびそのデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁

In the multiport MRAM, each magnetic memory cell is connected to a first word line, a first bit line, a second word line and a second bit line.例文帳に追加

マルチポートＭＲＡＭにおいて、各磁気メモリセルは、第１ワード線、第１ビット線、第２ワード線、及び第２ビット線に接続されている。 - 特許庁

At this time, the MRAM 14 is fed by a power controller 27, so that the HDD 13 having mechanically movable parts is not fed.例文帳に追加

このとき、電源コントローラ２７で、ＭＲＡＭ１４に給電し、機械的可動部を有するＨＤＤ１３には給電しないようにした。 - 特許庁

To ensure an normal operation for an MRAM device restraining it from being affected by an internal leakage magnetic field against a strong external magnetic field.例文帳に追加

大きな外部磁界に対して内部漏洩磁界の影響を受けずに、ＭＲＡＭ素子の動作を保証することを可能にすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a MRAM simplifying a write driver controlling a bit line current during data write.例文帳に追加

データ書込時のビット線電流を制御するライトドライバを簡略化できるＭＲＡＭ構成を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, with respect to a external magnetic field of a large frequency range, the storage holding reliability of the MRAM element 1 can be improved.例文帳に追加

したがって、広い周波数範囲の外部磁界に対し、ＭＲＡＭ素子１１の記録保持信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

In the MRAM cells 100, a first logic level (0) is written in a first step and a second logic level (1) is written in a second step.例文帳に追加

ＭＲＡＭセル１００には、第１ステップで第１論理レベル（０）が書き込まれ、第２ステップで第２論理レベル（１）が書き込まれる。 - 特許庁

To make information to be stored in a memory element while preventing destruction of the memory element in ST-MRAM, and also to improve write-in speed.例文帳に追加

ＳＴ−ＭＲＡＭにおいて記憶素子の破壊を防ぎつつ記憶素子に情報を記憶させ、併せて書込速度の向上を図る。 - 特許庁

The MRAM periodically records newest information while deleting oldest information (S50 to S70).例文帳に追加

ＭＲＡＭにおける記録は、最古の情報を消去して最新の情報を記録するように（Ｓ５０ないしＳ７０）、周期的に行われる。 - 特許庁

To provide a MRAM which can read information of memory cells of different addresses connected to the same bit line in arbitrary timing.例文帳に追加

同じビット線に接続されている、異なるアドレスのメモリセルの情報を任意のタイミングで読み出すことが可能なＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a method for nondestructively reading memory cell of MRAM memory which does not take up a large space or time for each read process.例文帳に追加

所要スペースが小さく、読み取りプロセスごとに時間を費やさない、ＭＲＡＭメモリーのメモリーセルの非破壊読み取り方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an MRAM circuit of which a characteristic does not depend on dispersion of the characteristic of a memory cell depending on a place on a wafer.例文帳に追加

ウエハー上での場所に依存する磁気抵抗素子の特性のばらつきに特性が依存しないＭＲＡＭ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a new magnetic storage element capable of providing a practical MRAM together with a magnetic memory using it.例文帳に追加

実用に足るＭＲＡＭを提供することのできる新規な磁気記憶素子を提供するとともに、これを用いた磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To achieve complementary writing and voltage sense type reading by adopting 1T-2MTJ configuration in a spin injection MRAM.例文帳に追加

スピン注入ＭＲＡＭにおいて、１Ｔ−２ＭＴＪ構成を採用して相補的な書き込みと、電圧センス方式の読み出しを実現する。 - 特許庁

Each MRAM cell MC3 is disposed so that easy axes indicated by arrows are inclined at 45-degree to the bit and word wires.例文帳に追加

そして、矢印で示すイージーアクシスが、ビット線およびワード線に対して４５度傾くように各ＭＲＡＭセルＭＣ３が配設されている。 - 特許庁

The display 104 is composed of an array of pixel cells 216, with each of the pixel cells 216 being connected to one of the MRAM cells 212.例文帳に追加

ディスプレイ１０４は画素セル２１６のアレイから構成され、各画素セル２１６はＭＲＡＭセル２１２のうちの１つに接続される。 - 特許庁

Parts or the whole of an SRAM, a flash ROM, an EEPROM inside an on-vehicle device are replaced with an MRAM and structured.例文帳に追加

車載機器装置内のＳＲＡＭ、フラッシュＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ等の一部又は、全てをＭＲＡＭに置き換えて構成する。 - 特許庁

To eliminate limitations of a potential to be applied to a word line which decides direction of magnetization, to shorten the word line or a bit-line used to read a resistance of an MRAM memory cell and to suppress the number of steps necessary for a manufacture in the MRAM memory cell.例文帳に追加

本発明の目的は、ＭＲＡＭメモリセルにおいて、磁化の向きを決めるワード線に加えられる電位が制限されないようにすること、セルの抵抗を読み取るために用いられるワード線あるいはビット線を短くすること、製造に必要な工程数を最小限に抑えることなどである。 - 特許庁

Information from writing of several times is stored in an SRAM buffer and then a large block of information from the SRAM buffer is written in the MRAM by one writing cycle to reduce power to be used for one writing cycle in the MRAM.例文帳に追加

数回の書込みからの情報をＳＲＡＭバッファに格納し、後に、情報の大きなブロックをＳＲＡＭバッファからＭＲＡＭに１回の書込みサイクルにおいて書き込むことにより、１回の書込みサイクルにおいてＭＲＡＭによって使用される電力を低減する。 - 特許庁

A block area determination part 31 determines an area accessed in a plurality of areas of an MRAM.例文帳に追加

ブロック領域判定部３１は、ＭＲＡＭに対するアクセスが、ＭＲＡＭの複数の領域のどの領域に対するアクセスであるかを判定する。 - 特許庁

To simplify control of a data write-in current in a MRAM device formed by a magnetic memory cell having magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流の制御を簡略化する。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device which allows stable operation at the time of recording action of information of MRAM, and stable holding of recorded information.例文帳に追加

ＭＲＡＭの情報の記録動作時における安定動作と、記録情報の安定保持とを可能にした磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording device (MRAM) according to the present invention includes the strap wiring LS, the local via LV, and a magnetic recording element (TMR element) 101.例文帳に追加

本発明に係る磁気記録装置（ＭＲＡＭ）は、ストラップ配線ＬＳ、ローカルビアＬＶ、磁気記録素子（ＴＭＲ素子）１０１とを備えている。 - 特許庁

To improve reliability of reading/writing operation in an MRAM (magnetic RAM) device having a memory cell array in which a defective memory cell exists.例文帳に追加

欠陥のあるメモリセルが存在するメモリセルアレイを有するＭＲＡＭデバイスにおいて、読出しおよび書込み動作の信頼性を高めること。 - 特許庁