「mRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily initialize a magnetizing fixing part and a magnetic wall position, in a current-driven magnetic wall moving type MRAM in which the magnetic anisotropy of a magnetizing recording layer is in the vertical or in-plane direction.例文帳に追加

磁化記録層の磁気異方性が垂直方向、または、面内方向である電流駆動磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁化固定部、及び、磁壁位置の初期化を容易に行う。 - 特許庁

To provide a MRAM which can reduce the resistance of a route in which a write current flows while stabilizing the magnetizing direction of a free ferromagnetic layer in non-writing operation.例文帳に追加

非書き込み動作時の自由強磁性層の磁化の向きを安定化しつつ，書き込み電流が流れる経路の抵抗を小さくすることを可能にするＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a method for writing and reading data bits larger than 2-data bits to and from an MRAM cell, in which the MRAM cell is constituted by a magnetic tunnel junction formed of a reading layer exhibiting a reading magnetization direction, and a storage layer including a first storage ferromagnetic layer exhibiting a first storage magnetization direction and a second storage ferromagnetic layer exhibiting a second storage magnetization direction.例文帳に追加

２データビットより多いデータビットをＭＲＡＭセルに対して書き込み読み出すための方法であって、当該ＭＲＡＭセルは、読み出し磁化方向を呈する読み出し層と、第１記憶磁化方向を呈する第１記憶強磁性層と第２記憶磁化方向を呈する第２記憶強磁性層と から成る記憶層とから形成された磁気トンネル接合から構成される。 - 特許庁

The MRAM includes: a substrate; a lower wiring layer formed on the upper part of the substrate; an upper wiring layer formed on the upper part of the lower wiring layer; a magnetic shield layer arranged at a first height between the lower wiring layer and the upper wiring layer and having a plurality of holes formed on the layer; and an MRAM element part arranged between the lower wiring layer and the upper wiring layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、基板と、その基板の上方に形成された下部配線層と、その下部配線層の上方に形成された上部配線層と、下部配線層と上部配線層との間の第１高さに配置され、複数の孔が形成された磁気シールド層と、前記下部配線層と上部配線層との間に配置された磁気ランダムアクセスメモリ素子部とを備える。 - 特許庁

This variation voltage holds a current flowing MRAM bit cells (177 to 179) at a value being proportional to the reference current other than variation of average bit cell resistance, and tolerance for the variation is given.例文帳に追加

この変動電圧は、ＭＲＡＭビットセル（１７７乃至１７９）を流れる電流を、平均ビットセル抵抗の変動よりも、基準電流に比例する値に保持して、上記変動に対する耐性を与える。 - 特許庁

To provide an MRAM having a sense amplifier in which hardly any sense current flows into an MTJ element and hardly any voltage is applied and a potential difference that appears on a bit line pair is amplified at a high speed.例文帳に追加

ＭＴＪ素子にセンス電流がほとんど流れずかつ電圧がほとんどかからず、しかもビット線対に現れた電位差を高速に増幅可能なセンスアンプを備えたＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

Each cell of the MRAM has a magnetoreluctive element 35 for storing data, a current driving wire 72 for giving a magnetic field to the magnetoresistive element selectively, and a magnetic circuit 84 for holding the magnetic field fed from the current driving wire.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、データを記憶する磁気抵抗素子３５と、磁気抵抗素子に選択的に磁界を与える電流駆動線７２と、電球駆動線からの磁界を保持する磁気回路８４と、を具備する。 - 特許庁

To provide a method for obstructing undesirable programming in a MRAM device so that disablement of programming owing to scattered magnetic field of a memory cell being adjacent to a selection memory cell can be surely and simply obstructed.例文帳に追加

散乱磁場による、選択メモリセルに隣接しているメモリセルのプログラミング不能を、確実に且つ簡単に阻止できるような、ＭＲＡＭ装置における望ましくないプログラミングを阻止する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic storage device in which area of a write current control circuit can be reduced and area of a whole circuit for a MRAM device of large capacity also can be reduced.例文帳に追加

書込電流制御回路の面積を縮小し、また、大容量のＭＲＡＭデバイスに対しても回路全体の面積を縮小することを可能とする薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The image pickup device includes a first nonvolatile memory (NAND flash 5) whose access for writing/reading image data is sequential, and a second nonvolatile memory (MRAM 4) whose access for writing/reading image data is random.例文帳に追加

画像データの書き込み／読み出しのアクセスがシーケンシャルな第１の不揮発メモリ（ＮＡＮＤフラッシュ５）と、画像データの書き込み／読み出しのアクセスがランダムな第２の不揮発メモリ（ＭＲＡＭ４）とを備える。 - 特許庁

To provide a method and a structure for a non-volatile magnetic random access memory (MRAM) device having a stationary magnetic electrode, an oxide layer adjacent to the stationary magnetic electrode, and a free magnetic electrode.例文帳に追加

固定磁気電極、固定磁気電極に隣接した酸化物層、および自由磁気電極を有する不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスのための方法および構造が提供される。 - 特許庁

To provide an MRAM which is formed in the shape in which the magnetic field is concentrated on a free ferro-magnetic layer and ensures easier formation wih less fluctuation in shape.例文帳に追加

磁界を自由強磁性層に一層に集中させるような形状を有し、且つ、その形状のばらつきが少ないように形成することが容易であるヨークを備えたＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A thin-film magnetic substance memory (MRAM) is provided with an ROM region (20) and an RAM region (30) changeable in size, connected to different ports (8, 9) respectively and accessible in parallel to the ports.例文帳に追加

薄膜磁性体メモリ（ＭＲＡＭ）において、そのサイズが変更可能なＲＯＭ領域（２０）とＲＡＭ領域（３０）を設け、それぞれ異なるポート（８，９）に結合し、ポート並列にアクセス可能とする。 - 特許庁

In an MTJ element 36 used in MRAM, etc., a cap layer 54 formed on a free layer 50 composed of NiFe is formed in a two-layered structure composed of a non-magnetic NiFeX layer 51 and a Ta layer 52.例文帳に追加

ＭＲＡＭ等に用いられるＭＴＪエレメント３６において、ＮｉＦｅからなるフリー層５０の上に形成されたキャップ層５４を、非磁性のＮｉＦｅＸ層５１およびＴａ層５２からなる２層構造とする。 - 特許庁

In this MRAM, a DL driver 10 for a memory block MB1 is configured with transistors 20 and 21, a size of an access transistor 19 in a memory block MB2 is adjusted, and the driver transistor 21 is arranged in an open area.例文帳に追加

このＭＲＡＭでは、メモリブロックＭＢ１用のＤＬドライバ１０をトランジスタ２０，２１で構成し、メモリブロックＭＢ２内のアクセストランジスタ１９のサイズを適正化し、空いた領域にドライバトランジスタ２１を配置する。 - 特許庁

To provide a camera system that normally works again as far as the magnetism of a magnetic memory is cleared even if a program in the magnetic memory is broken by the use of MRAM in which an increase in product cost and the enlargement of the device are suppressed.例文帳に追加

製品コストの増加及び大型化を抑えたＭＲＡＭを用いて、磁気メモリのプログラムが破壊されたとしても、その磁気が解消しさえすれば、再び正常に動作するカメラシステムを提供できるようにする。 - 特許庁

In case of the purpose of use of MRAM, Mg is selected as the element X, and if the Mg content in the NiFeMg layer is set at 50 atom% or more, an oxygen gettering power for removing oxygen from the free layer 50 is increased.例文帳に追加

ＭＲＡＭ用途の場合、元素ＸをＭｇとし、ＮｉＦｅＭｇ層中のＭｇ含有量が５０原子％以上になるようにすると、フリー層５０から酸素を除去する酸素ゲッタリングパワーが増大する。 - 特許庁

To provide a minute magnetic substance or an MRAM using the same in the minute magnetic substance of the nano-scale, which can control the direction of magnetization and is freed from limitation in the number of times of updating and writing processes.例文帳に追加

ナノスケールの微小磁性体において、磁化の向きを制御可能にするとともに、書き換え及び書き込み回数の制限のない微小磁性体又はこの微小磁性体を用いたＭＲＡＭの提供。 - 特許庁

In the MRAM, tunnel insulating layers (5-1 through 5-3), are provided so as to be sandwiched between first to (n+1)-th magnetic material layers (4 and 6-1 through 6-3) and an i-th magnetic material layer, which have spontaneous magnetization respectively.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、トンネル絶縁層（５−１〜５−３）が自発磁化をそれぞれ有する第１〜第（ｎ＋１）磁性体層（４、６−１〜６−３）第ｉ磁性体層の間に介設されている。 - 特許庁

The MRAM includes a memory cell array having magnetic memory cells arranged in lines and columns at intersection of word, bit and digit lines, and a sense amplifier for sensing data stored in a selected magnetic memory cell.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、ワードライン、ビットライン、及びデジットラインの交差点に行及び列に配列されたマグネチックメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたマグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを感知する感知増幅器とを含む。 - 特許庁

An encrypted data file for keeping secrets is decoded to a work region in the MRAM when it is accessed by a regular user for development, so that the regular user can peruse or edit the data.例文帳に追加

秘密保持のために暗号化されたデータファイルは、正規のユーザによってアクセスされるとＭＲＡＭ内のワーク領域に復号化して展開されるので、正規のユーザはデータを閲覧または編集することができる。 - 特許庁

To provide MRAM or the like having high performance and high mass production characteristic by solving problems of stabilization of read-out data from resistive elements, especially magnetioresistive effect elements and of dispersion of resistance values of magnetoresistive effect elements or the like.例文帳に追加

抵抗素子、とくに磁気抵抗効果素子からのデータの読み出しの安定化と、量産時に生じる磁気抵抗効果素子等の抵抗値のばらつきの問題を解消し、高性能で量産性のあるＭＲＡＭ等を作製する。 - 特許庁

The MRAM device according to the present invention comprises a substrate, a plurality of wires containing bit lines and word lines, and an MTJ stack containing a pair of magnetic yoke-shaped structures, wherein the yoke-shaped structures surround the wires.例文帳に追加

本発明のＭＲＡＭデバイスは、基板と、ビット線およびワード線を含む、複数の導線と、一対の磁性体くびき状構造を含むＭＴＪスタックであって、くびき状構造は導線を取り囲む、ＭＴＪスタックとを包含する。 - 特許庁

An MRAM device 1, in which magnetoresistive memory elements 1 are provided to record information, utilizing the changes in the directions of magnetization of the elements 1, is provided with magnetic field applying means 5 and 6, for providing bias magnetic fields to the elements 1.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子１を具備し、その記憶素子１における磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気メモリ装置において、その記憶素子１に対してバイアス磁界を与えるための磁界印加手段５，６を設ける。 - 特許庁

Thus, the load current from the power source to a MRAM device is supplied at the time of charge of a digit line capacitor 60 and a bit line capacitor 65, and is not consumed at the time of making the data write-in current Ip, Iw(0), IW(1) to flow.例文帳に追加

したがって、電源からＭＲＡＭデバイスへの負荷電流は、ディジット線容量６０およびビット線容量６５の充電時に供給され、データ書込電流ＩｐおよびＩｗ（０），Ｉｗ（１）を流す際には消費されない。 - 特許庁

To provide an MRAM having a structure planarizing various layers constituting a tunnel magnetoresistive (TRM) element achieved surely and making the contact hole highly reliabile for electrically connecting the TRM element and a transistor for select.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗（ＴＲＭ）素子を構成する各種の層の平坦化を確実に達成でき、しかも、ＴＲＭ素子と選択用トランジスタとを電気的に接続する接続孔に高い信頼性を付与し得る構造を有するＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide constitution capable of easily executing the adjustment of data write-in current quantity for securing the predetermined write-in margin by compensating the variation of magnetic characteristics caused by the variation of manufacturing in an MRAM device including an MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを備えるＭＲＡＭデバイスにおいて、製造ばらつきに起因する磁気特性の変動を補償して所定のデータ書込マージンを確保するための、データ書込電流量の調整を容易に実行可能な構成を提供する。 - 特許庁

Data stored in an address specified by a stack pointer SP and its consecutive address is retrieved from RAM 2 consisting of MRAM, and an instruction code stored in an address specified by a program counter PC is retrieved from ROM 3 and decoded.例文帳に追加

スタックポインタＳＰで指定されるアドレスとそれに連続したアドレスに格納されたデータがＭＲＡＭより成るＲＡＭ２から読み出されて、プログラムカウンタＰＣで指定されたアドレスに格納された命令コードがＲＯＭ３より読み出されてデコード化される。 - 特許庁

To provide a magnetic multilayered film deposition system which has a structure commonly used for the manufacture of TMR device and MRAM and is fitted to the manufacture of a magnetic multilayered film by semiconductor-device manufactures and by which properties of the film can be increased and productivity can be improved.例文帳に追加

ＴＭＲ素子やＭＲＡＭの製作で通常な構成であり、半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適し、膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を提供する。 - 特許庁

In the MRAM with this constitution, the resistant value between the first magnetic material layer and the (n+1)-th magnetic material layer can be different values of {(n^2+n+2)/2} pieces or more, according to the direction of the first-(n+1)-th spontaneous magnetization.例文帳に追加

このような構成を有する当該磁性メモリでは、第１〜第（ｎ＋１）自発磁化の方向に応じて、第１磁性体層と第（ｎ＋１）磁性体層との間の抵抗値が、少なくとも｛（ｎ^２＋ｎ＋２）／２｝個以上の互いに異なる値をとり得る。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive RAM which adjusts an amount of electric current flowing from a drain region to a source region depending on the amount of the electric current flowing through an MTJ of an MRAM cell in accordance with a wordline voltage size and reads two or more multiple data.例文帳に追加

ワードライン電圧の大きさに従いＭＲＡＭセルのＭＴＪを通じて流れる電流の量によりドレイン領域からソース領域に流れる電流の量を調節し、２つ以上の多重データを読み出す磁気抵抗ラムを提供すること。 - 特許庁

To prevent information from being misstored by exerting no influence of an intense magnetic field on a storage layer even when electronic equipment mounted with an information storage element using magnetism direction control over a ferromagnetic body, e.g. an MRAM receives the intense magnetic field.例文帳に追加

強磁性体の磁化方向制御を利用した情報記憶素子、例えばＭＲＡＭが搭載された電子機器が何らかの強い磁場を受けても、その磁場の影響が記憶層に及ばないようにして、情報の誤記憶を防止する。 - 特許庁

In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加

本発明のＭＲＡＭ構造では、ワード線またはゲート線（ＷＬ）がプログラミング線（ＰＲＬ）と低オーム結合されており、選択トランジスタ（Ｔ）のソース（Ｓ）を、ゲート（Ｇ）またはプログラミング線（ＰＲＬ）と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁

The MRAM includes a plurality of memory cells 2 provided at intersections of a plurality of write word lines 3 and a plurality of bit lines 5 respectively and a plurality of laminated ferri-structures 30 provided in accordance with the plurality of memory cells 2.例文帳に追加

ＭＲＡＭは，複数の書き込みワード線３と複数のビット線５とが交差する位置のそれぞれに設けられた複数のメモリセル２と，複数のメモリセル２のそれぞれに対応して設けられた複数の積層フェリ構造体３０とを備えている。 - 特許庁

To provide a MRAM or the like having high speed, high capacity, and mass productivity by dissolving problems of stabilization of reading of data from resistance elements especially magnetoresistive effect elements and dispersion of resistance values of magnetoresistive effect elements or the like caused in mass production.例文帳に追加

抵抗素子、特に磁気抵抗効果素子からのデータの読み出しの安定化と量産時に生じる磁気抵抗効果素子等の抵抗値のばらつきの問題を解消し、高速高容量で量産性のあるＭＲＡＭ等を提供する。 - 特許庁

To provide write-in architecture used in a magnetic random access memory(MRAM) device in which adjacent cells in an array are not disturbed with a harmful form, preservation of data stored in the array is improved, and individual memory cell in the array can be selected.例文帳に追加

アレイ内の隣接セルを害のある形で擾乱せず、そこに保管されたデータの保全性を高める、アレイ内の個々のメモリ・セルの選択を可能にする、磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイス内で使用される書込アーキテクチャを提供する。 - 特許庁

A method for reading in an MRAM device includes partially switching magnetic moments in a reference memory cell to generate a reference current; measuring a read current through a memory cell to be read; and comparing the read current with the reference current.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置の読取方法は、基準電流を発生するために基準メモリセルの磁気モーメントを部分的に切換え、読取られるメモリセルを通る読取電流を測定し、読取った電流を基準電流と比較するステップを含んでいる。 - 特許庁

Either line 10 of a word line and a bit line sandwiching a TMR element of MRAM between them is so formed as to make its side closer to the TMR element than its other side wider in line width than the other side, and to be trapezoidal in cross section.例文帳に追加

ＭＲＡＭのＴＭＲ素子を挟む書き込みワード線とビット線のうち少なくとも一方の配線１０を、ＴＭＲ素子に近い面側の線幅が遠い面側の線幅よりも長くなるよう、その断面形状が台形となるように形成する。 - 特許庁

An MRAM cell structure 36 comprises a low magnetization NiFeHf inner layer 51 formed on a free layer 50 composed of a NiFe or CoFeB/NiFe layer, an intermediate layer 52 composed of Ta, and the low magnetization cap layer 54 in which an outer layer 53 composed of Ru is laminated.例文帳に追加

ＭＲＡＭセル構造３６は、ＮｉＦｅまたはＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ層からなるフリー層５０の上に形成された低磁化のＮｉＦｅＨｆインナー層５１と、Ｔａからなる中間層５２と、Ｒｕからなるアウター層５３とを積層してなる低磁化のキャップ層５４を備える。 - 特許庁

A storage device 11, which is composed of a nonvolatile memory such as MRAM, stores the value of the number of stages of the delay element, and an abnormality detection part 10 detects a clock abnormality based on the number of stages of the delay element in each integrated circuit 101.例文帳に追加

記憶装置１１は、ＭＲＡＭ等の不揮発性メモリにより構成され、各集積回路毎に、遅延素子の段数の値を記憶し、異常検出部１０は、各集積回路１０１における遅延素子の段数に基づいてクロック異常を検出する。 - 特許庁

The MRAM manufacturing method comprises a step of etching a magnetoresistive film 220 by using a mask pattern 961, a step of fabricating an insulating film and then a metal film on the whole surface after the etching step, and a step of removing the mask pattern 961 and the insulating film and the metal film that are on the mask pattern 961.例文帳に追加

マスクパターン９６１を用いて磁気抵抗効果膜２２０をエッチングする工程と、エッチング後に、全面に絶縁膜、金属膜を順次成膜する工程と、マスクパターン９６１と該パターン上の絶縁膜および金属膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The magnetic semiconductor memory device 1 is an MRAM that uses tunnel magnetoresistance effect (TMR) to read recorded information, and it is provided with adjacent two magnetoresistive elements 4 and 5 which comprise one memory cell.例文帳に追加

本発明に係る磁気半導体メモリ装置１は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を用いて、記録された情報を読み出すＭＲＡＭであって、隣接する２つの磁気抵抗素子４・５を備えており、これら磁気抵抗素子４・５によって１つのメモリセルが形成されている。 - 特許庁

The central processing unit also performs stop control for stopping the storage of the functional information when a new information storage amount to the MRAM by the subsequent wrap-around control reaches a prescribed amount smaller than storage capacity until an end address from a start address in response to occurrence of a specific event.例文帳に追加

また、特定のイベント発生に応答してそれ以降のラップアラウンド制御によるＭＲＡＭへの新たな情報蓄積量が開始アドレスから終了アドレスまでの記憶容量よりも少ない所定量に達したとき、機能情報の蓄積を停止させる停止制御を行う。 - 特許庁

In this MRAM, a word line WL is provided corresponding to each memory cell line, a bit line BL and a source line SL are provided corresponding to each memory cell line, and data stored in a memory cell MC selected via the source line SL corresponding to the selected memory cell MC is read out.例文帳に追加

このＭＲＡＭでは、各メモリセル行に対応してワード線ＷＬを設けるとともに、各メモリセル列に対応してビット線ＢＬとソース線ＳＬを設け、選択されたメモリセルＭＣに対応するソース線ＳＬを介して選択されたメモリセルＭＣの記憶データを読み出す。 - 特許庁

To achieve the above goals, the magnetoresistive RAM in this invention is connected to a bitline and equipped with a multiple data detector circuit to detect the multiple data based on difference of a direction of magnetic polarization after the electric current transmitted from the MRAM cell connected to the above bitline is converted to voltage.例文帳に追加

このような目的を達成するための本発明に係る磁気抵抗ラムは、ビットラインに連結され、前記ビットラインに接続されたＭＲＡＭセルから伝達される電流を電圧に変換した後、磁気分極方向の差による多重データを検出する多重データ検出回路を備える。 - 特許庁