「mRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a spin transfer type MTJ-MRAM (magnetic random access memory) cell that can keep a switching magnetic field without increasing switching current and cell size.例文帳に追加

スイッチング電流およびセルサイズの増大という不都合を伴うことなくスイッチング磁界を確保し得るスピントランスファー型ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁

This structure can be applied not only to a CPP-GMR element and a CPP-TMR element but also to a spin transfer oscillator and a spin transfer MRAM.例文帳に追加

この構造は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子やＣＰＰ−ＴＭＲ素子に適用できるほか、スピントランスファー発振器やスピントランスファーＭＲＡＭにも適用できる。 - 特許庁

To improve operation reliability and reduce magnetic noise by reducing data write current in an MRAM device including MTJ memory cells.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを備えるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流を低減することによって、動作信頼性の向上と磁気ノイズの抑制を図ることである。 - 特許庁

To provide an MRAM memory cell which reduces the influence of variations in characteristics of MTJ elements, and stably writes and reads data.例文帳に追加

ＭＴＪ素子の特性のバラツキによる影響を抑制し、データの書き込み及び読み出しを安定して行うことができるＭＲＡＭメモリセルを提供すること。 - 特許庁

To provide a MRAM memory cell array in which writing having high stability and reliability is realized suppressing a semi-selection error of the memory cell to the minimum.例文帳に追加

メモリセルの半選択エラーを最小限に抑えつつ、安定性および信頼性の高い書き込みを実現したＭＲＡＭメモリセルアレイを提供すること。 - 特許庁

When it is the control data, the data is written in the MRAM 5, and when it is user data, the data is written in the flash memories 1, 2.例文帳に追加

管理データに該当する場合は、当該データをＭＲＡＭ５に書き込み、ユーザデータに該当する場合は、当該データをフラッシュメモリ１，２に書き込む。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction(MTJ) device can be used as a magnetic field sensor in a magnetic disk drive or as a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM) array.例文帳に追加

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス（ＭＲＡＭ）アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。 - 特許庁

To provide a device performing write-in in which loss of MRAM is less and in which memory cells having large resistance, short word lines and/or bit lines are not utilized.例文帳に追加

メモリセルの大きな抵抗も短いワードライン及び／又はビットラインも利用しない、ＭＲＡＭの損失の少ない書き込みを行なう装置を提供する。 - 特許庁

A method for switching magnetic moments in an MRAM memory cell includes providing a magnetic field in a direction forming a blunt angle with a direction of a bias magnetic field.例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリセルの磁気モーメントを切換える方法は、バイアス磁界の方向と鈍角を形成する方向に磁界を提供するステップを含んでいる。 - 特許庁

A memory cell array block 310 of the MRAM 300 is arrayed with a plurality of magnetic memory cells 311 at the intersection points of word lines, digit lines and bit lines.例文帳に追加

ＭＲＡＭ３００の、メモリセルアレイブロック３１０には、ワードライン、デジットライン、及びビットラインの交差点に複数個の磁気メモリセル３１１が配列される。 - 特許庁

In the MRAM of the main and sub structure, the selection transistors are disposed in the order of main word lines W1 to Wm, subword lines BS1 to SBn, and the selection transistors.例文帳に追加

本主副構造をなすＭＲＡＭにおいて、主ワード線Ｗ１〜Ｗｍ、副ワード線ＳＢ１〜ＳＢｎ、選択トランジスタの順で選択トランジスタを設ける。 - 特許庁

To provide a technology by which reliability of discriminating data stored in a memory cell of a MRAM can be improved by eliminating the influence of the sneak pass current.例文帳に追加

スニークパス電流の影響を排除して，ＭＲＡＭのメモリセルに記憶されているデータ判別の信頼性を向上する技術を提供する。 - 特許庁

By forming an MRAM with a reduced distance between the write line and the MTJ cell, writing operation is allowed on less current.例文帳に追加

ライトラインとＭＴＪセルとの距離を縮小させてＭＲＡＭを形成することにより、少量の電流でライト動作を可能にする技術である。 - 特許庁

To provide a MRAM structure in which selective transistors can be cut off surely when programming or when write-in, and which requires no additional metal line.例文帳に追加

プログラミング時または書込み時に選択トランジスタを確実に遮断できるとともに、追加メタル線を必要としないＭＲＡＭ構造を提供する。 - 特許庁

To hold functional information before and after event occurrence in an MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) built in a data processor, and to prevent falsification or erasure of the held functional information.例文帳に追加

データプロセッサに内蔵するＭＲＡＭにイベント発生前後の機能情報を保持し、保持した機能情報の改竄や消去を防止する。 - 特許庁

To increase data reading speed and to reduce manufacturing cost by decreasing the number of wiring layers, in an MRAM device having an MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを有するＭＲＡＭデバイスにおいて、データ読出動作の高速化および、配線層数の減少による製造コスト低減を図る。 - 特許庁

To allow a post pattern to be transcribed while accurately controlling the bidirectional size in a manufacturing process of an MTJ element for an STT-MRAM.例文帳に追加

ＳＴＴ- ＭＲＡＭ用のＭＴＪ素子の製造プロセスにおいて、２つの方向のサイズを精度よくコントロールしつつ、ポストパターンを転写できるようにする。 - 特許庁

In a memory cell array of MRAM, a regular memory cell stores one bit per one cell by comparing it with a reference memory cell holding a reference value.例文帳に追加

ＭＲＡＭのメモリセルアレイにおいて、正規メモリセルは参照値を保持する参照メモリセルと比較することにより、１セルあたり１ビットを記憶させる。 - 特許庁

The selectors 23-28 receive outputs from the plurality of adjacent Co-CPUs and an output from an MRAM, and output selectively at least one thereof.例文帳に追加

セレクタ２３〜２８は、隣接する複数のＣｏ−ＣＰＵからの出力およびＭＲＡＭからの出力を受け、少なくとも１つを選択的に出力する。 - 特許庁

A magnetic wall movement type MRAM comprises: a magnetization recording layer which is a vertical magnetization film; and an initialization wiring which is electrically insulated from the magnetization recording layer.例文帳に追加

磁壁移動型のＭＲＡＭは、垂直磁化膜である磁化記録層と、磁化記録層から電気的に絶縁された初期化配線と、を備える。 - 特許庁

To increase operation speed of reading out data and to reduce a manufacturing cost by decreasing the number of wirings, in a MRAM device having a MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを有するＭＲＡＭデバイスにおいて、データ読出動作の高速化および、配線層数の減少による製造コスト低減を図る。 - 特許庁

The magnetic memory cell write current threshold detector (510) includes a first MRAM test cell (512) receiving a write current and sensing when the write current exceeds a first threshold, and a second MRAM test cell (514) receiving a write current and sensing when the write current exceeds a second threshold.例文帳に追加

この磁気メモリセル書込み電流閾値検出器（５１０）は、書込み電流を受け取って該書込み電流が第１の閾値を超えたときを判定するための第１のＭＲＡＭテストセル（５１２）と、書込み電流を受け取って該書込み電流が第２の閾値を越えたときを判定するための第２のＭＲＡＭテストセル（５１４）とを含む。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) provided with an eddy current barrier for reducing especially eddy current faults.例文帳に追加

本発明は、渦電流障壁を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に関し、特に渦電流障害を軽減するための渦電流障壁を備えたＭＲＡＭに関する。 - 特許庁

To realize high thermal disturbance resistance and high write-in efficiency by making reduction of a wrote-in current value and thermal disturbance resistance of bit information compatible in a MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおいて書き込み電流値の低減とビット情報の熱擾乱耐性の確保を両立させ、高い熱擾乱耐性と高い書き込み効率を実現する。 - 特許庁

A TMR element 35 of the MRAM has recording layers 37 and a reference layer 38 arranged holding a tunnel barrier film 36 between them and stores data in the recording layer 37.例文帳に追加

ＭＲＡＭのＴＭＲ素子３５は、トンネルバリア膜３６を挟んで配設された記録層３７とリファレンス層３８とを有し、記録層３７にデータを記憶する。 - 特許庁

The data processor has: input circuits 11_1, 11_2 inputted with the functional information; the MRAM 12 temporarily storing the functional information; and a central processing unit 13.例文帳に追加

データプロセッサは、機能情報が入力される入力回路（１１＿１，１１＿２）、機能情報を一時的に蓄積するＭＲＡＭ（１２）及び中央処理装置（１３）を有する。 - 特許庁

To easily introduce a magnetic domain wall in a magnetic layer wherein magnetic domain wall movement is caused with respect to an MRAM employing a current induced magnetic domain wall movement phenomenon for a writing method.例文帳に追加

電流誘起磁壁移動現象を書き込み方法に採用したＭＲＡＭにおいて、磁壁移動の起こる磁性層に容易に磁壁を導入可能とする。 - 特許庁

Thereby, error data can be corrected and rewritten before data correction is disabled, and the reliability of data to be stored in the MRAM can be improved.例文帳に追加

したがって、データの訂正が不可能となる前に誤ったデータを訂正して書き戻すことができ、ＭＲＡＭに格納されるデータの信頼性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

An MRAM uses a tunnel magnetic resistor (TMR) and a MOS-FET as a memory and its wiring is formed by crossing a word line and a bit line with the TMR in between.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子とＭＯＳ−ＦＥＴをメモリ素子とし、ワード線とビット線が、ＴＭＲ素子を挟んで交差して配線される。 - 特許庁

In addition, by sealing the MRAM element 11 in the state of surrounding it, entering of the magnetic fluxes from various directions can effectively be suppressed.例文帳に追加

さらに、ＭＲＡＭ素子１１の周囲を取り囲んだ状態で封止することにより、様々な方向からの磁束の進入を効果的に抑制することができる。 - 特許庁

To provide a reliable MRAM by solving a trade-off problem between securing the functions of TMR element and the conditions for forming an interlayer insulation film and a Cu interconnection.例文帳に追加

ＴＭＲ素子の機能確保と、層間絶縁膜およびＣｕ配線の形成条件との間のトレードオフ関係を解決して、信頼性の高いＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell resistive state sensing circuit capable of reliably and also inexpensively sensing the resistive state of a memory cell in an MRAM device.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイス中のメモリセルの抵抗状態を信頼性よくかつ低コストで感知することができるようなメモリセル抵抗状態感知回路を提供すること。 - 特許庁

To minimize errors in a magnetoresistive solid-state storage device such as a magnetic random access memory (MRAM) element array or the like.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子アレイ等の磁気抵抗固体記憶素子（１００）における誤りを最小限にすることを可能にする例示的な実施形態を開示する。 - 特許庁

The processor includes a data processing element (10) formed on a semiconductor chip, on which an MRAM cell is formed to constitute one or all memories on the chip.例文帳に追加

処理装置は、半導体チップ上に作成されたデータ処理素子（１０）を含み、チップ上にＭＲＡＭセルを作成してチップ上の１つないし全てのメモリを形成する。 - 特許庁

By using a resin compound containing a soft magnetic body obtained by mixing the soft magnetic body to resin as a sealing resin, an MRAM element 11 is sealed to form a magnetic shield package.例文帳に追加

軟磁性材料を樹脂に混合した軟磁性体含有樹脂複合体を封止樹脂１４としてＭＲＡＭ素子１１を封止し、磁気シールドパッケージ１０を形成する。 - 特許庁

To provide an MRAM assembly permitting to reduce an area necessary for line drive circuits by their effective arrangement and permitting space- saving design.例文帳に追加

線ドライバ回路のための所要面積がそれらの回路の効果的な配列により減らされ、その結果、省スペース化設計が可能となるようなＭＲＡＭアセンブリーを提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enables the suppression of short circuit between upper and lower conductive elements included by MRAM, and to provide a method of manufacturing such device.例文帳に追加

ＭＲＡＭを構成する上部の導電要素と下部の導電要素との短絡を抑制することが可能な半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this MRAM device, a memory block MB is divided into four regions A∼D, and four constant current circuits 13∼16 are provided respectively corresponding to four regions A∼D.例文帳に追加

このＭＲＡＭデバイスでは、メモリブロックＭＢを４つの領域Ａ〜Ｄに分割し、４つの領域Ａ〜Ｄに対応してそれぞれ４つの定電流回路１３〜１６を設ける。 - 特許庁

To provide an MRAM to reduce variations of reference current in a normal mode and to accurately determine a defective bit.例文帳に追加

本発明は、ＭＲＡＭにおいて、通常モード時における参照電流のようなバラツキを抑制でき、不良ビット判定試験を精度よく行うことができるようにする。 - 特許庁

The present invention relates to a magnetic random access memory (MRAM) cell suitable for executing a heat-assist writing operation or a writing operation based a spin torque transfer (STT).例文帳に追加

本発明は、熱アシスト書き込み操作又はスピントルクトランスファー（ＳＴＴ）に基づいた書き込み操作を実施するのに適した磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルに関する。 - 特許庁

The MRAM of a main and sub structure is provided with a wiring through which a writing current flows in one direction, selection transistors BT1 to BTn disposed on the downstream side of the writing current of the wiring, and a plurality of MRAM cells C11 to Cmm disposed on the upstream side of the positions of the selection transistors of the wiring.例文帳に追加

主副構造をなすＭＲＡＭは、一方向に書込電流が流れる配線と、配線のうち書込電流の下流側に設けられた選択トランジスタＢＴ１〜ＢＴｎと、配線のうち選択トランジスタが設けられた位置より上流側に設けられた複数のＭＲＡＭセルＣ１１〜Ｃｍｍとを有することを特徴とする。 - 特許庁

To supply a large bit line write current without reducing a size of a bit line driver while guaranteeing the pressure resistance of a memory cell transistor in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁場書込型磁気抵抗性メモリ（ＭＲＡＭ）において、メモリセルトランジスタの耐圧を保証しつつ、ビット線ドライバのサイズを低減させることなく大きなビット線書込電流を供給する。 - 特許庁

To reduce the occupied area of an MRAM using ferromagnetic/ semiconductor/ferromagnetic materials for a memory for increasing the number of bits per unit area and reduce power consumption.例文帳に追加

強磁性体／半導体／強磁性体をメモリとするＭＲＡＭにおいて、占有面積を少なくして単位面積当たりのビット数の増加を図るとともに、消費電力の低を図る。 - 特許庁

To provide a magnetic storage element capable of recording with a low storing current without lowering the coercive force of the magnetic storage element being employed in an MRAM, and to provide a recording method of the magnetic storage element.例文帳に追加

ＭＲＡＭで用いられる磁気記憶素子の保磁力を下げることなく、少ない記憶電流で記録できる磁気記憶素子及び磁気記憶素子の記録方法を提供する。 - 特許庁

In this method, by using only one current line for generating a writing region, at least four different state levels can be stored in an MRAM cell.例文帳に追加

書き込み領域を発生させるためのただ１つの電流線を使用することで、当該方法は、異なる少なくとも４つの状態レベルをＭＲＡＭセル内に記憶することを可能にする。 - 特許庁