「mRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic storage device such as MRAM or the like is formed with a bit line 11 that is embedded in a recessed part (wiring groove 69) formed in an insulating layer 56, and it is manufactured by piling up a barrier metal layer 70 and a soft magnetic layer 71 on the upper side of the bit line 11 by electroless-plating.例文帳に追加

ビット線１１が絶縁層５６に形成された凹部（配線溝６９）内に埋め込まれており、ビット線１１の上部に、バリアメタル層７０及び軟磁性体層７１が無電解めっきによって積層されていることを特徴とする、ＭＲＡＭ等の磁気記憶装置と、その製造方法。 - 特許庁

During a move, with since a body PC 10 set to a suspension mode or a hibernation mode, specified operation is made on the hand-held terminal side, and data is read and written from/to only an MRAM 14, which has higher resistance to vibration than an HDD 13 because it has no mechanically moving part.例文帳に追加

移動中、本体ＰＣ１０をサスペンドモードあるいはハイバネーションモードとした状態で、ハンドヘルド端末側で所定の操作を行なうと、機械的可動部が無く、ＨＤＤ１３よりも耐振動性が高いＭＲＡＭ１４のみにアクセスしてデータの読み書きを行なうようにした。 - 特許庁

In an associative memory cell shown in figure 2, magnetoresistive elements TR101-TR104 are a TMR film used for a MRAM, and have a resistance value on accordance with a magnetizing direction by current magnetic fields of a pair of bit line (BL, /BL), an uncoincidence detecting line ML, and a reference current output line MSL.例文帳に追加

図２に示す連想メモリセルにおいて磁気抵抗素子ＴＲ１０１〜ＴＲ１０４はＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ膜であり、ビット線対（ＢＬ，／ＢＬ）、不一致検出線ＭＬおよび基準電流出力線ＭＳＬの電流磁界による磁化方向に応じた抵抗値を有する。 - 特許庁

To generate a very strong magnetic field by switching of memory elements, without being affected by the shape and size of memory elements, thereby satisfying the requirement of an MRAM structure, which enables to produce a small magnetic element having sufficient magnetic stability, to cope with the temperature fluctuations.例文帳に追加

メモリ素子のスイッチングがメモリ素子の形状およびサイズの影響を受けず、はるかに強い局所磁場を生成することができ、それによって、温度変動に対して十分な磁気安定性を有するより小さな磁気素子が可能になるＭＲＡＭ構成の要求を満たす。 - 特許庁

Each memory cell being a component of the MRAM includes: the magneto-resistive element R22; a fixed resistive element r22 whose resistance is fixed, and a FET: T22, the magneto-resistive element R22 and the fixed resistive element r22 are connected at their on-side terminals, and an output section S is provided to the connection part.例文帳に追加

ＭＲＡＭを構成する各メモリセルは、磁気抵抗効果素子Ｒ２２と抵抗値を固定した固定抵抗素子ｒ２２とＦＥＴ：Ｔ２２とを備え、磁気抵抗効果素子Ｒ２２と固定抵抗素子ｒ２２とをそれぞれの一方の端子で接続し、その接続部に出力部Ｓを設ける。 - 特許庁

In DL drivers 6, 7 of MRAM of the semiconductor storage device, a transistor 20 corresponding to a selected digit line group DLG is conducted, and then parallelly-connected four transistors 24.1-24.4 in a sub DL driver 21 corresponding to a selected digit line DL are sequentially conducted to pass magnetization current IDL.例文帳に追加

このＭＲＡＭのＤＬドライバ６，７では、選択されたディジット線グループＤＬＧに対応するトランジスタ２０を導通させた後、選択されたディジット線ＤＬに対応するサブＤＬドライバ２１の並列接続された４つのトランジスタ２４．１〜２４．４を順次導通させて磁化電流ＩＤＬを流す。 - 特許庁

The solid state storage device 100 is constituted by comprising a memory device 114 including any one of an atomic resolution storage device (ARS) and a magnetic random access memory (MRAM), a controller 400, and an integrated connector 104 to be used for directly connecting the storage device 100 with the other device.例文帳に追加

原子分解能記憶装置（ＡＲＳ）と磁気ランダム・アクセス・メモリ装置（ＭＲＡＭ）とのいずれか１つを含むメモリ装置１１４と、コントローラ４００と、記憶装置１００を別の装置に直接に接続するために使用される一体型コネクタ１０４とを含んでなる固体記憶装置１００を提供する。 - 特許庁

The MRAM has: a magnetic recording layer 10 of ferromagnetism; a ferromagnetic magnetization fixed layer 30 with its magnetization fixed; a non-magnetic spacer layer 20 provided between the magnetic recording layer 10 and the magnetization fixed layer 30; and conductive layers 14a and 14b provided on upper or bottom portions of both ends of the magnetic recording layer 10.例文帳に追加

ＭＲＡＭは、強磁性の磁気記録層１０と、磁化が固定された強磁性の磁化固定層３０と、磁気記録層１０と磁化固定層３０との間に設けられた非磁性のスペーサ層２０と磁気記録層１０の両端部の上部又は下部に設けられた導電層１４ａ、１４ｂとを具備する。 - 特許庁

To provide an MRAM using magnetic tunnel elements capable of manufacturing an insulating film with few defects by supplying to the film a sufficient oxygen by ozone during forming an oxide film obtained by oxidizing metal aluminum in a mixed gas containing oxygen and ozone, without giving damage to the obtained oxide film.例文帳に追加

酸素及びオゾンを含む混合気中で金属アルミニウムを酸化させることにより、得られた酸化膜にダメージを与えることがなく、またオゾンによる十分な酸素を酸化膜成膜時に膜に供給して欠陥が少ない絶縁膜を作製することができる磁気トンネル素子を使用したＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance RAM comprises a plurality of P-N diodes formed in a plurality of N^+-type regions in a semiconductor substrate, a barrier conductive layer, the MTJ and the word line laminated on a P-type impurity region to an MRAM cell array so that one end of the N^+-type region is coupled to a bit line, and the other end is connected to the cell plate via a diode.例文帳に追加

半導体基板内の複数のＮ＋領域に複数のＰ−Ｎダイオードを形成し、Ｐ型不純物領域の上に、バリヤー導電層、ＭＴＪ、及びワードラインを積層してＭＲＡＭセルアレイとし、Ｎ＋領域の一端はビットラインと連結し、他端はダイオードを介してセルプレートと接続する。 - 特許庁

The method includes applying a constant current through the memory cell string, measuring a first voltage across the memory cell string, applying a sense current across the MRAM cell, measuring a second voltage across the memory cell string, and determining whether the first voltage differs from the second voltage.例文帳に追加

この方法は、メモリセルストリングに定電流を加えるステップと、メモリセルストリング両端の第１の電圧を測定するステップと、ＭＲＡＭセルを通る線にセンス電流を加えるステップと、メモリセルストリング両端の第２の電圧を測定するステップと、第１の電圧が第２の電圧と異なるか否かを判定するステップとを含む。 - 特許庁

The magnetic shield layers 60a, 60b can be formed efficiently, by sputtering method by the use of soft magnetic metal partially in common with a target element for forming each layer of the MRAM device 10.例文帳に追加

さらに、磁気シールド層６０ａ，６０ｂに軟磁性金属を用いることによりスパッタ法で形成可能になり、この軟磁性金属をＭＲＡＭ素子１０各層を形成するターゲットの元素と一部共通にすれば、磁気シールド層６０ａ，６０ｂをＭＲＡＭ素子１０各層と同一スパッタ装置で効率的に形成することが可能になる。 - 特許庁

A switch circuit SW1 is provided in a MRAM containing, for example, a TMR element Rij and an N channel MOS transistor Mij to apply either the reference voltage VrefN or the burn-in test reference voltage VrefB larger than the reference voltage VrefN to a memory element.例文帳に追加

例えばＴＭＲ素子ＲｉｊおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｉｊをメモリ素子として含むＭＲＡＭの場合において、参照電圧ＶｒｅｆＮをメモリ素子に印加するか、あるいは、参照電圧ＶｒｅｆＮよりも大きな値のバーンインテスト用参照電圧ＶｒｅｆＢをメモリ素子に印加するかを切り換えることが可能な切り換え回路ＳＷ１を設ける。 - 特許庁

The MRAM device is provided with electrodes (first electrodes) TA1, TA2 of memory cell access transistors on a substrate 51, magnetic tunnel junction elements 86a, 86b electrically connected to the first electrodes TA1, TA2, and a bit line (a second electrode) 91 electrically connected to the first electrodes TA1, TA2 through the magnetic tunnel junction elements 86a, 86b.例文帳に追加

前記ＭＲＡＭ装置は、基板５１上のメモリセルアクセストランジスタの電極（第１電極）ＴＡ１，ＴＡ２、該第１電極ＴＡ１，ＴＡ２に電気的に連結された磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂおよび該磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂを通じて第１電極ＴＡ１，ＴＡ２に電気的に連結されたビットライン（第２電極）９１を備える。 - 特許庁

An MRAM 100 includes: a magnetoresistive bit 102; a read architecture 104 coupled to the magnetoresistive bit that forms a read path with the magnetoresistive bit for performing a read operation on the magnetoresistive bit; and a resistive element 106 in the read path that adjusts resistive properties of the magnetoresistive bit during the read operation.例文帳に追加

ＭＲＡＭ１００は、磁気抵抗ビット１０２と、磁気抵抗ビットに結合され、磁気抵抗ビットと共に磁気抵抗ビット上で読み出しオペレーションを実施するための読出し経路を形成する読出しアーキテクチャ１０４と、読出し経路内にあり、読出しオペレーション中に磁気抵抗ビットの抵抗特性を調整する抵抗要素１０６とを含む。 - 特許庁

To provide a storage element of a magnetic random access memory (MRAM) with a thermally assisted switching writing procedure comprising: a magnetic tunnel junction formed from a magnetic storage layer, a reference layer, and an insulating layer inserted between the reference layer and the storage layer; and a first strap portion laterally connecting one end of the magnetic tunnel junction to a first selection transistor.例文帳に追加

磁気記憶層、基準層及び基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層から成る磁気トンネル接合部と、磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分とを有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の記憶素子である。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) cell based on a thermally assisted switching writing procedure, comprising a magnetic tunnel junction having at least a first magnetic layer, a second magnetic layer, an insulating layer disposed between the first and second magnetic layers, further comprising a select transistor and a current line electrically connected to the junction.例文帳に追加

少なくとも第一の磁気レイヤ、第二の磁気レイヤ及び第一の磁気レイヤと第二の磁気レイヤの間に配置された絶縁レイヤを有する磁気トンネル接合部を備え、更に、選択トランジスタと、接合部と電気的に接続された電流ラインとを備えた熱アシストスイッチング式書き込み手順にもとづく磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。 - 特許庁

To reduce an interference by an electromotive force generated among the approximated wires of a core/peripheral circuit in the case that a bit line and a write word line of the memory cell are arranged approximately for reduction of the write current in the MRAM using the TMR effect.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＲ効果を利用したＭＲＡＭにおいて、書き込み電流の低減のためにメモリセル部のビット線と書き込みワード線とを近接させて配置するようにした場合に、コア・周辺回路部の近接した配線間で発生する起電力による干渉を低減できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

In an assembly in which a plurality of memory cells constituting a MRAM are arranged in a matrix state, a first power source supplying a power source to each memory cell and a plurality of amplifying elements amplifying output signals of each memory cell are arranged respectively at the outer side of two columns of the most outer column (or two rows of the most outer row) of opposing memory cells in the assembly.例文帳に追加

ＭＲＡＭを構成する複数のメモリセルが行・列の状態で配列した集合体において、前記各メモリセルに電源を供給する第１の電源と、各メモリセルの出力信号を増幅する複数の増幅素子は、前記集合体で対向するメモリセルの最外列の２つの列（又は最外行の２つの行）の外側にそれぞれ配置した。 - 特許庁

The magnetic resistance multilayer film to be used for a reproducing magnetic head or an MRAM which utilizes a giant magnetic resistance effect has structure that an antiferromagnetic layer 3, a magnetized fixed layer 4 of which the magnetization direction is fixed due to coupling with the antiferromagnetic layer 3, a non-magnetic spacer layer 5, and a magnetized free layer 6 of which the magnetization direction is free are successively laminated.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果を利用する再生用磁気ヘッドやＭＲＡＭに使用される磁気抵抗多層膜であり、反強磁性層３と、反強磁性層３との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層４と、非磁性スペーサ層５と、磁化の向きが自由である磁化自由層６とが順に積層された構造を有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a minute magnetic substance and an MRAM using the same substance, the substance is formed of a flat plate type ferro-magnetic substance, the shape of the flat surface has the line symmetrical axis and is asymmetrical in the direction perpendicular to the line symmetrical axis, and the annular single magnetic domain is formed when the parallel external magnetic field disappears.例文帳に追加

平板状の強磁性体からなり、その平面部形状は、線対称軸を有するとともに該線対称軸と垂直な方向に対しては非対称であって、平行外部磁界の消滅時に環状単磁区構造を示すことを特徴とする、微小磁性体及びその微小磁性体を用いたＭＲＡＭ又はそれらの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance device using the manufacturing apparatus of a magnetic multilayered film having a normal configuration suitable in particular for manufacturing a magnetic multilayered film by a semiconductor device maker, capable of enhancing a film capability and improving productivity in the production of a magnetic head or an MRAM comprising an TMR device.例文帳に追加

ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an embodiment of this invention, the MRAM (100) is equipped with a magnetic memory element (106) with an easy axis (108) and a hard axis (110), a writing conductor (102) arranged along either the easy axis or the hard axis, and a writing conductor (104) arranged to be neither parallel nor perpendicular to either the easy axis or the hard axis.例文帳に追加

本発明の一実施形態による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル(100)は、磁化容易軸(108)と磁化困難軸(110)とを有する磁気記憶素子(106)と、磁化容易軸および磁化困難軸のうちの一方に沿って配置された書込み導体(102)と、磁化容易軸および磁化困難軸の両方に対して平行でもなく垂直でもない角度で配置された書込み導体(104)とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic resistance device which can be implemented by using a magnetic multi-layer film manufacturing apparatus having normal configurations, especially, configurations suitable for the manufacturing of a magnetic multi-layer film by a semiconductor device maker in the case of producing a magnetic head or MRAM or the like comprising TMR elements for enhancing film performance, and for improving productivity.例文帳に追加

ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An MRAM device comprises: MTJ memory cells placed in a matrix; multiple bit lines corresponding to memory cell columns; multiple digit lines corresponding to memory cell rows; and a write current regulation part which regulates amperage of write current to be passed through the bit lines and/or the digit lines, for proper data write into each of the MTJ memory cells.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイスは、行列状に配置されたＭＴＪメモリセルと、メモリセル列に対応して配置される複数のビット線と、メモリセル行に対応して配置される複数のディジット線と、各ＭＴＪメモリセルに正常にデータ書込を行なうために、ビット線および／またはディジット線に流すべき書込電流の電流量を調整する書込電流調整部と備える。 - 特許庁

This magnetic random access memory (MRAM) comprises data storage unit including a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer, a data input means connected electrically to both ends of the free layer to input data to the data storage unit, and a data output means connected electrically to the free layer and the fixed layer to output data stored in the data storage unit.例文帳に追加

固定層、非磁性体層及び自由層を含むデータ貯蔵ユニットと、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するために前記自由層の両端に電気的に接続されたデータ入力手段と、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するために前記自由層及び固定層に電気的に接続されたデータ出力手段とを含む磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）とした。 - 特許庁