| 例文 |
mean pathの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 62件
Gas permeability and separation capacity of the porous ceramic filter are optimized at the same time by making an average pore diameter of pores in the porous ceramic filter the same degree size as a mean free path of the gas to be separated and further modifying a pore surface so as to have affinity to the gas to be separated.例文帳に追加
多孔質セラミックフィルタの細孔の平均細孔径を分離対象ガスの平均自由行程と同程度のサイズにするとともに、細孔表面を分離対象ガスに対して親和性を有するように改質することによって、ガス透過性と分離能を同時に最適化する。 - 特許庁
A transparent end face of a light introduction for detecting wavelengths of the light reflected from the plane of the workpiece 3 and a change in intensity of light of each wavelength is arranged at a distance five times or more the mean free path of gas molecules inside a vacuum container 1 from the plasma boundary.例文帳に追加
被加工試料３表面からの反射光の波長ならびに各波長の光強度変化を検出する光導入部の透明体端面を、プラズマの境界から真空容器１内でのガス分子の平均自由工程の５倍以上の距離の空間を隔てて配置する。 - 特許庁
The optical deflection element 1 is provided with a liquid crystal layer 5 forming a chiral smectic C layer between substrates 2, 3 and deflects an optical path of linearly polarized light transmission by varying a mean tilt direction of an optic axis of the liquid crystal layer corresponding to intensity and a direction of an electric field generated by a power supply.例文帳に追加
光偏向素子１は、基板２，３間にキラルスメクチックＣ層を形成する液晶層５を有しており、電源による電界の強度及び方向に応じて液晶層の平均的な光学軸の傾斜方向を変化させて直線偏光の透過光路を偏向させる。 - 特許庁
Under these processing conditions, the distance between the catalytic substance 3 and the substrate 10 is larger and a film-forming pressure is lower than the conventional film- forming conditions, increasing a mean free path of a reaction gas while suppressing the gas phase reaction thereof, resulting in the formation of an insulation film having prosper coverage.例文帳に追加
このようなプロセス条件下では、従来の成膜条件に比較して触媒体３と基板１０との距離が大きく、成膜圧力が低圧化されるため、反応ガスの平均自由行路が増加され、反応ガスの気相反応が抑制され、カバレッジのよい絶縁膜を形成できる。 - 特許庁
The anisotropic thermally conductive member 110 is constituted by alternately laminating a plurality of thermally conductive layers, comprising a material having heat conductivity higher than that of the heating element 10 at least within a plane, and thermal resonator layers whose layer thickness is determined, according to the mean free path and the wavelength of the phonons that are to be the object.例文帳に追加
異方性熱伝導部材１１０は、少なくとも面内で発熱体１０よりも熱伝導率の高い材料からなる複数の熱伝導層と、対象とするフォノンの平均自由行程および波長に応じて層厚が決定される熱共振体層とが交互に積層されて構成される。 - 特許庁
Since the mean free path of the sputtered particles becomes long and a large amount of high-energy sputtered particles is incident by lessening a gas pressure, the crystal particles having a crystal plane (11-20) hardly damaging by incidence of the high-energy sputtered particles are preferentially grown, and the film with c-axis in-plane orientation is thus formed.例文帳に追加
こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である（１１−２０）面を持つ結晶粒が優先的に成長してｃ軸面内配向膜が形成される。 - 特許庁
The method for forming the conductive path or the electrode includes steps of forming a metal fine particle containing layer containing metal fine particles each having a mean particle size of 50 nm or less and in a state that metal fine particles are isolated from each other by an organic material on a support, and heating the layer in a target shape to heat and fusion-bond the metal fine particles.例文帳に追加
支持体上に、平均粒径が５０ｎｍ以下の金属微粒子を含有し、金属微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層を形成し、目的形状様に加熱することにより金属微粒子を加熱融着することを特徴とする導電路又は電極の形成方法。 - 特許庁
The method for forming the conductive path or the electrode includes steps of ablating a metal fin particle containing layer containing metal fine particles each having a mean particle size of 50 nm or less and in a state that fine particles are isolated by an organic material on a support, patterning the metal fine particle containing layer in a target shape, and then heating to heat and fusion-bond the metal fine particles.例文帳に追加
支持体上に、平均粒径が５０ｎｍ以下の金属微粒子を含有し、微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層をアブレーションさせることで目的形状様にパターニングした後、加熱することにより金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。 - 特許庁
Besides, the device generates a lattice 205 in three dimensional space including a tool path 201, and outputs the mean value of the first feed rate in a micro zone group sampled based on the micro zone sampling conditions by a direction cosine among the micro zone groups included in the lattice 205 adjacent to the lattice 205 including the specific micro zone 203.例文帳に追加
そして、工具経路２０１を包含する３次元空間に格子２０５を生成し、特定の微小区間２０３を含む格子２０５と隣接する格子２０５に含まれる微小区間群の中から、方向余弦による微小区間抽出条件に従って抽出された微小区間群の第１の送り速度の平均値を最適な送り速度として出力する。 - 特許庁
For transmitting data with coded communication paths, the system decides the quality of a transmitting communication path, transmits the data if the quality is above a specified level, checks the transmission to a radio section to prevent signals not effectively usable in a receiving station from being transmitted if below this level, thereby reducing the mean transmission power and the interference with other communications.例文帳に追加
通信路符号化を行ったデータを送信する際に、送信する伝搬路の品質を判定し、判定した品質が一定以上であれば送信を行い、品質が一定以下であれば無線区間への送信を抑止することで受信局で有効に利用できない信号を送信することを防ぎ、平均送信電力を低下し、他の通信に与える干渉を低減する。 - 特許庁
The wavelength dispersion measuring means 10 generates the first and second light modulation signals and transmits them toward the wavelength conversion means 11, receives the third and fourth light modulation signals transmitted from the wavelength conversion means 11, detects the mean value of wavelength dispersion of the optical fiber transmission path 17 from each wavelength of both light modulation signals and correlation between both light modulation signals, and measures the wavelength dispersion.例文帳に追加
波長分散測定手段１０は、第１、第２の光変調信号を生成して波長変換手段１１に向けて送信し、波長変換手段１１から送信された第３、第４の光変調信号を受信し、両光変調信号の波長及び両光変調信号間の相関関係から光ファイバ伝送路１７の波長分散の平均値を検出して、波長分散を測定する。 - 特許庁
The light source device comprises a cathode structure, an anode structure, a fluorescent layer disposed between the cathode structure and the anode structure, and a low-pressure gas layer filled between the cathode and anode structures and having an electroconductive function, wherein the low-pressure gas layer has a mean free electron path capable of causing at least sufficient quantities of electrons to directly hit the fluorescent layer at the operating voltage.例文帳に追加
カソード構造と、アノード構造と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に配置された蛍光層と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に充填され、導電の機能を有する低圧ガス層とを備え、前記低圧ガス層は、作動電圧の下で少なくとも十分な量の電子を前記蛍光層に直接的に衝突させる電子平均自由行程を備えている。 - 特許庁
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