「measuring junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This magnetic sensor for measuring a magnetic field with high precision in a high temperature ranging from 200°C to 600°C is provided with a group III nitride semiconductor layer, and an Al_xGa_1-xN layer configuring the group III nitride semiconductor layer and hetero junction.例文帳に追加

２００℃〜６００℃程度の高温で磁界を高精度に測定するための磁気センサは、ＩＩＩ族窒化物半導体層と、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層とヘテロ接合を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層とを有する。 - 特許庁

A diode temperature sensor element and a temperature measuring device using the same are provided in which one PN junction is short-circuited and two terminals can be taken outside in a semiconductor chip where a bipolar transistor is handled as a diode by short-circuiting one PN junction among two PN junctions and the diode is used as a temperature sensor to form a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの2個のｐｎ接合のうち、一方のｐｎ接合を短絡してダイオードとして取り扱い、このダイオードをダイオード温度センサとして用い、バイポーラトランジスタを形成している半導体チップ内で、一方のｐｎ接合を短絡してあり、外部には、二端子として取り出すようにしたダイオード温度センサ素子と、これを用いた温度計測装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling manufacturing processes, in which junction damage does not happen even if a needle of a measuring terminal contacts an electrode in the case where the thickness of a silicide layer and the depth of a diffused layer are small, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

シリサイド層の膜厚や拡散層の深さが小さくなる場合に、電極上に測定端子となる針が接触しても接合破壊が発生することがない製造プロセスを管理する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The minute measuring samples 106 are arranged on electrodes 107, a medium 105 is arranged over a plurality of measuring samples 106, a liquid junction section of a reference electrode 109 is brought into contact with the medium 105, and the potential between the single reference electrode 109 and each electrode 107 via the medium 105 is measured using an electrometer 108.例文帳に追加

微量の測定試料１０６を電極１０７上に配置し，複数の測定試料１０６にまたがって媒体１０５を配置し，参照電極１０９の液絡部を媒体１０５に接触させ，電位計１０８を用いて，前記媒体１０５を介した単一の参照電極１０９と各電極１０７間の電位を測定する。 - 特許庁

A space isolated from the outside air is provided inside a connector 4 connected to an internal circuit 13 of a temperature regulator 5, and a connection part (cold junction) for a thermocouple element wire or a compensation lead wire 2, and a temperature measuring element 12 are stored in the space.例文帳に追加

温度調節器５の内部回路１３に接続された接続器４の内部に、外気から隔絶された空間を設け、この空間に熱電対素線あるいは補償導線２の接続部（冷接点）と測温素子１２を収容するよう構成してある。 - 特許庁

This light emitting/receiving circuit 10 is provided with a light emitting diode 14 having a P-N junction, a circuit using this light emitting diode 14 as a light emitting element and a circuit using the same light emitting diode 14 as a light receiving element for measuring light intensity.例文帳に追加

この発光兼受光回路１０は、ＰＮ接合を有する発光ダイオード１４と、この発光ダイオード１４を発光素子として使用する回路と、同じ発光ダイオード１４を光の強さを測定する受光素子として使用する回路とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor chip 10 for measuring the junction resistance value comprises a semiconductor chip main body 11 having a rectangular plane; a pattern circuit 12 like a U shape provided on a surface of the semiconductor chip body 11; and the four bumps 13a, 13b, 13c, and 13d provided on the pattern circuit 12.例文帳に追加

接合抵抗値測定用半導体チップ１０は、矩形状平面を有する半導体チップ本体１１と、半導体チップ本体１１の一面にＵ字状に設けられたパターン回路１２と、パターン回路１２上に設けられた４つのバンプ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄとを備えている。 - 特許庁

With this configuration, the pressure resistance strength of the shoulder part 1c of the connector housing 1 that becomes the junction part of caulking has been improved greatly, thus preventing the resin of the connector housing 1 from being deformed or damaged in manufacturing and hence preventing deformation or deflection from occurring also when measuring a high pressure.例文帳に追加

本構成により、カシメの接合部となるコネクタハウジング１の肩部１ｃの耐圧強度が大きく向上したため、製造時にコネクタハウジング１の樹脂が変形したり、破損したりすることがなくなり、高い圧力を測定する際にも、変形や撓みが発生し難くなった。 - 特許庁

To provide a driving system of a light emitting element and a driving method thereof for driving the light emitting element with and by which junction temperature of a light emitting element package can be predicted within a small error range without direct measuring based on the analysis of thermal behavior of the light emitting element package.例文帳に追加

発光素子パッケージの熱的特性に対する分析を通して、直接的な測定なしに発光素子パッケージの接合部温度を小さい誤差範囲内で予測できるように発光素子を駆動する発光素子の駆動システム及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The wire-binding apparatus 10 comprises the junction machine section 20 that is a mechanism for joining the wire to the target device 4; a measurement section 50 for measuring the connection state between the target wire 4 and the wire; and a control unit 40 for controlling the operation of the entire apparatus.例文帳に追加

ワイヤボンディング装置１０は、対象デバイス４にワイヤを接合するための機構部分である接合マシン部２０と、対象デバイス４とワイヤとの間の接続状態を測定する測定部５０と、装置全体の動作を制御する制御部４０を含んで構成される。 - 特許庁

A plurality of correction values is stored in response to storage conditions of the substrate estimated preliminarily, the storage condition of the substrate is determined in the temperature measuring instrument when used, the correction value corresponding to the determined storage condition is read out, and the temperature detected by the thermosensitive element is corrected therewith to compensate a cold junction.例文帳に追加

予め想定される基板の収納状態に応じた複数の補正値を格納しておき、使用時における温度測定機器の基板の収納状態を判別し、判別した収納状態に応じた補正値を読み出して感温素子で検出される温度を補正して冷接点補償を行うようにしている。 - 特許庁

Moreover, the probe has a probe strut 121 provided on the substrate, a probe beam 122 provided on the probe strut using the junction of the beam with the probe strut as a support while stretching in a direction parallel to the surface of the substrate, and an electrode contact portion 123 which is provided on the probe beam and brought into contact with an electrode of a measuring object.例文帳に追加

また、当該プローブは、基板上に設けられたプローブ支柱部１２１と、プローブ支柱部上に設けられ、プローブ支柱部との接合部を支点として、基板の表面に沿う方向に伸びているプローブビーム部１２２と、プローブビーム部上に設けられ、測定対象物の電極と接触させる電極接触部１２３とを有する。 - 特許庁

The heat characteristic estimation device of the present invention has: means for measuring an ambient temperature around the semiconductor device in a state in which the semiconductor device is operated by using power consumption with which the junction temperature of the semiconductor device is the limit temperature; and means for estimating the heat characteristic of the semiconductor device by using the measured temperature.例文帳に追加

そして、本発明の熱特性推定装置は、半導体装置のジャンクション温度が制限温度となる消費電力で半導体装置を動作させた状態で半導体装置の周囲の雰囲気温度を測定する手段と、測定した温度を利用して、半導体装置の熱特性を推定する手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A plus side thermocouple wire and a minus side thermocouple wire of a thermocouple is arranged linearly, and each abutting portion of the tip of the plus side thermocouple wire and the tip of the thermocouple wire facing each other is bonded by welding to form a temperature measuring junction, and polyimide is coated on the surface of the plus side thermocouple wire and the minus side thermocouple wire, to thereby form this thermocouple for the fuel cell.例文帳に追加

熱電対の＋側熱電対素線と−側熱電対素線を一直線に配置し、向き合った＋側熱電対素線の先端と−側熱電対素線の先端が当接する部分を溶接により接合して測温接点とし、＋側熱電対素線と−側熱電対素線の表面にポリイミドをコーティングした燃料電池用熱電対とした。 - 特許庁

In the planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor which has a primary or more differential magnetic flux detecting coil for measuring a magnetic field differentiation, a SQUID ring is directly coupled with the magnetic flux detecting coil such that bias current flows in the Josephson junction in the SQUID ring along a direction parallel to a direction of an exciting magnetic field.例文帳に追加

平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、ＳＱＵＩＤリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにＳＱＵＩＤリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする。 - 特許庁

A method for writing and reading information to/from the memory cell includes: switching a magnetization direction of the memory layer to write data into the memory layer during write operation; aligning magnetization direction of the sense layer to a first aligned magnetization direction during read operation; and comparing the write data with the first aligned magnetization direction by measuring a first resistance value of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

本開示はまた、メモリセルに書き込み、かつ読み出すための方法であって、書き込み動作中に、データを前記記憶層に書き込むために前記記憶層の磁化方向を切り替えることと、読み出し動作中に、前記センス層の磁化方向を第１の配向される磁化方向に配向することと、前記磁気トンネル接合部の第１の抵抗値を測定することによって、前記書き込みデータを前記第１の配向された磁化方向と比較することと、を含む方法に関する。 - 特許庁