「memory wall」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide magnetic memory element, magnetic memory device and magnetic wall movement method, enabling stable movement of a magnetic wall in a magnetic substance.例文帳に追加

磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC WALL DISPLACEMENT TYPE MEMORY CELL MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁壁移動型メモリセル材料およびその作製方法 - 特許庁

A magnetic collection spacer is formed on a side wall of a magnetoresistance memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗記憶セルの側壁に磁気集束スペーサを形成する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING CONDUCTIVE SIDE WALL SPACER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

導電性側壁スペーサを有する不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

The microprocessor receives a signal related to a wall thickness to compare the same with the memory data related to a desired wall thickness to transmit the same as wall thickness data.例文帳に追加

マイクロプロセッサは、肉厚に関する信号を受信し、該信号を所望肉厚に関する記憶情報と比較し、肉厚情報として発信する。 - 特許庁

The memory cell includes a magnetic domain wall moving layer in which a magnetic domain wall moves, and a magnetization fixed layer which is connected to both respective ends of the magnetic domain wall moving layer and traps the magnetic domain wall in a periphery of either of both ends.例文帳に追加

メモリセルは、磁壁が移動する磁壁移動層と、磁壁移動層の両端部の各々に接続し、両端部のいずれかの近傍で磁壁をトラップする磁化固定層とを具備する。 - 特許庁

The memory cartridges M1 and M2 are arranged along the inner wall surface of the case main body 1 so that the memory cartridges are opposed to the corresponding memory readers R1 and R2.例文帳に追加

これらメモリーカートリッジＭ１・Ｍ２を、対応する前記メモリーリーダＲ１・Ｒ２と正対するように、ケース本体１の内壁面に沿うよう配置する。 - 特許庁

In this shape memory alloy tube, layers in which a shape memory alloy and aluminum are alloyed are respectively formed on the inside and outside wall surfaces of the shape memory alloy tube.例文帳に追加

形状記憶合金のチューブの内外壁表面に、形状記憶合金とＡｌを合金化した層を形成した形状記憶合金チューブとする。 - 特許庁

WALL OXIDE FILM FORMING METHOD AND ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及び素子分離膜形成方法 - 特許庁

To suppress the variation in gate length of a memory transistor which is formed in a side wall structure.例文帳に追加

サイドウォール構造で形成されるメモリトランジスタのゲート長のバラツキを抑制する。 - 特許庁

A caption 2a is a memory insertion port, a caption 2b is an inner wall and has a concaved notch with respect to an outer wall external shape.例文帳に追加

２ａはメモリ挿入口、２ｂは内側の壁部で外側の壁部外形形状に対し凹の切り込みが設けられている。 - 特許庁

NONVOLATILE CARBON NANOTUBE MEMORY ELEMENT USING MULTIPLE WALL CARBON NANOTUBE, AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

多重壁炭素ナノチューブを利用した不揮発性炭素ナノチューブメモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

VARYING METHOD OF MAGNETIZING STATE OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING MAGNETIC WALL MOVEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND SOLID MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ - 特許庁

A reading wire intersecting with the memory wire at an information reading point on the memory wire is formed, and induction electromotive force generated when the magnetic wall formed on the memory wire passes the information reading point is picked up, whereby information by the presence of the magnetic wall of the memory wire is read.例文帳に追加

メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。 - 特許庁

Moreover, the memory gate 9 of the memory transistor (M_1) is formed of an n-type polycrystal silicon film and deposited to one side wall of the control gate 8.例文帳に追加

また、メモリトランジスタ（Ｍ_1）のメモリゲート９はｎ型多結晶シリコン膜からなり、コントロールゲート８の一方の側壁に配置されている。 - 特許庁

A side wall oxide film 17 of a memory transistor 10 and a side wall oxide film 26 of a peripheral transistor 20 are formed by thermal oxidization, respectively, and a film thickness A of the side wall oxide film 17 of the memory transistor 10 is increased more than a film thickness B of the side wall oxide film 26 of the peripheral transistor 20.例文帳に追加

メモリトランジスタ１０の側壁酸化膜１７および周辺トランジスタ２０の側壁酸化膜２６を、それぞれ、熱酸化によって形成されたものとし、メモリトランジスタ１０の側壁酸化膜１７の膜厚Ａを、周辺トランジスタ２０の側壁酸化膜２６の膜厚Ｂよりも大きくした。 - 特許庁

Therefore, the memory card MC is removed and inserted in a state that the panel block 7 is removed from the wall.例文帳に追加

そのため、メモリカードＭＣの着脱は、パネルブロック７を壁から取り外した状態で行われる。 - 特許庁

A memory cell formed in a memory cell region has a memory gate electrode MG formed in a side wall shape on a side wall of a control gate electrode CG with a potential barrier film EV1, a charge storage film EC, and a potential barrier film EV2 interposed.例文帳に追加

メモリセル領域に形成されているメモリセルには、コントロールゲート電極ＣＧの側壁に電位障壁膜ＥＶ１、電荷蓄積膜ＥＣおよび電位障壁膜ＥＶ２を介して、サイドウォール形状のメモリゲート電極ＭＧが形成されている。 - 特許庁

The memory cell includes phase change material contacting with the first electrode, the first side wall, and the second side wall.例文帳に追加

上記メモリセルは、上記第１の電極、上記第１の側壁、および上記第２の側壁に対しそれぞれ接触する相変化材料を含んでいる。 - 特許庁

The cavities 8a and 8c are closed with a side wall spacer 12 formed on the substrate 1 along a side wall of the memory gate 7.例文帳に追加

空洞８ａおよび空洞８ｃは、メモリゲート７の側壁に沿うように基板１上に形成されたサイドウォールスペーサ１２によって閉じられている。 - 特許庁

This resin composition has fluidity excellent enough to permit to finely mold a thin- wall part to give a memory card.例文帳に追加

流動性が良好であって、薄肉部を成形性良く成形してメモリーカードを得ることができる。 - 特許庁

To provide a contact structure of a side wall-shaped control gate in a MONOS type nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

MONOS型の不揮発性半導体記憶装置においてサイドウォール状コントロールゲートのコンタクト構造を提供する。 - 特許庁

An electronic apparatus (1) is provided with a casing (4) having a conductive bottom wall (4a), a memory housing part (10) having an opening (16) which is opened on the bottom wall, a memory module (11) which is housed in the memory housing part, and a conductive lid (25) for removably covering the opening on the bottom wall.例文帳に追加

電子機器（１）は、導電性の底壁（４ａ）を有する筐体（４）と、筐体の内部に形成され、底壁に開口された開口部（１６）を有するメモリ収容部（１０）と、メモリ収容部に収容されたメモリモジュール（１１）と、底壁の開口部を取り外し可能に覆う導電性の蓋（２５）とを備えている。 - 特許庁

A caption 7 is a memory extract lever, a caption 5b is a peeping section of the view finder 5 and its side 5c is projected along an outer wall of the memory insertion port 2a.例文帳に追加

７はメモリ取り出しレバー、５ｂはビューファインダ５の覗き部で、その側部５ｃはメモリ挿入口２ａの外壁部に沿った形状で突出している。 - 特許庁

To provide an efficient writing/reading/erasing operation system in a nonvolatile semiconductor memory having a side wall control type memory cell structure.例文帳に追加

側壁コントロール型メモリセル構造を有する不揮発性半導体記憶装置において、効率の良い、書き込み、読み出し、消去動作方式を提供する。 - 特許庁

A memory selection gate electrode for forming a side wall is formed higher than a logic gate electrode, so that a side wall gate electrode of a self-matching split-gate memory cell becomes higher than a logic gate electrode.例文帳に追加

自己整合スプリットゲート型メモリセルのサイドウォールゲート電極高さがロジック部のゲート電極高さを上回るように、サイドウォールを形成するメモリ部選択ゲート電極をロジック部ゲート電極より高く形成する。 - 特許庁

A loading port 27 for the memory unit M is bored in the bottom wall 26 of the main body case 1 facing the loading part 15.例文帳に追加

装填部１５に臨む本体ケース１の底壁２６に、メモリーユニットＭ用の装填口２７を開口する。 - 特許庁

A memory card containing chamber 90 is provided under the first wall part 1110 and a plate body 94.例文帳に追加

メモリカード収納室９０は、第１の壁部１１１０および板体９４の下方の箇所に設けられている。 - 特許庁

When the height of the barrier wall 110 is decreased, the area of the barrier electrode is decreased and a memory effect can not be maintained.例文帳に追加

隔壁１１０の高さを小さくすると、隔壁電極の面積が小さくなり、メモリ効果を維持出来ない。 - 特許庁

To provide a nonvolatile carbon nanotube memory element using a multiple wall carbon nanotube, and also to provide its operating method.例文帳に追加

多重壁炭素ナノチューブを利用した不揮発性炭素ナノチューブメモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

A loading opening 21 for putting in and out the memory unit M is opened at a bottom wall 19 of the main body case 1.例文帳に追加

本体ケース１の底壁１９にメモリーユニットＭを出し入れするための装填口２１を開口する。 - 特許庁

The memory cell includes isolation material electrically isolating the phase change material from the surface extending between the first side wall and the second side wall.例文帳に追加

上記メモリセルは、上記相変化材料を、第１の側壁と第２の側壁との間に伸びる上記表面部から電気的に絶縁する分離材料を含んでいる。 - 特許庁

To provide a technique for allowing writing with a lower writing current, in a magnetic memory including memory cells for performing writing by using current-induced domain wall displacement.例文帳に追加

電流誘起磁壁移動を利用して書き込みを行うメモリセルを有する磁気メモリにおいて、より低い書き込み電流で書き込み可能にするための技術を提供する。 - 特許庁

A magnetic memory device based on easy domain wall propagation and the extraordinary Hall effect includes a perpendicular-to-plane magnetic and electrically conductive element (2) that includes a memory node (3).例文帳に追加

容易な磁区壁の拡張と異常ホール効果とに基づく磁気メモリデバイスが面に垂直な磁性かつ導電性の要素（２）を含み、その要素がメモリノード（３）を含んでいる。 - 特許庁

The upper part of a memory board (1) is fixed by cramping it between a door opening/closing part (3) of a wall cupboard (4) and the bottom board part (2) to hold a recipe by a magnet on the front face of the memory board or to write a recipe etc. on the memory board with marking pen.例文帳に追加

メモボード（１）の上部を吊戸棚（４）の扉開閉部（３）で、底板部（２）に挟み込む形で固定し、メモボード前面にレシピをマグネット等で留めたり、メモボードにマーカーでレシピ等が書けることを特徴とする。 - 特許庁

The cryptographic key inside of the memory means 36 is introduced to another fire wall module via the controller 30.例文帳に追加

そのメモリ手段３６内部の暗号鍵をリモートコントローラ３０を介して他のファイアーウォールモジュール１０に導入させる。 - 特許庁

To obtain a shape memory alloy tube in which the oxide on the inside and outside wall surfaces of the tube having possibility of falling-off is excluded at low cost.例文帳に追加

低コストにて、内外壁面の脱落の可能性のある酸化物を排除した形状記憶合金チューブを得る。 - 特許庁

To employ a low-cost reading method, in relation to a magnetic wall movement type storage device equipped with a memory wire formed of a ferromagnetic material, storing information by presence of a magnetic wall, and moving the magnetic wall by being supplied with a movement current.例文帳に追加

本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。 - 特許庁

To provide an information recording and reproducing method for accurately and surely transferring a fine magnetic domain from a memory layer 3 to a magnetic domain wall moving layer 1 in a magnetic domain wall moving magneto-optical recording medium.例文帳に追加

磁壁移動型光磁気記録媒体において、メモリ層３から磁壁移動層１への微小磁区の転写を正確且つ確実に行うための情報記録再生方法の提供。 - 特許庁

A shape memory part 20 that restores its original shape at a temperature not lower than a predetermined temperature and protrudes a portion corresponding to the outer peripheral surface of the side wall section 14 is buried in the side wall section 14.例文帳に追加

サイドウォール部１４には、所定温度以上で元の形状に復元してサイドウォール部１４の外周面の対応する部分を突出させる形状記憶部２０が埋設される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can prevent an increase of a threshold voltage of a memory cell arranged next to a selection gate transistor, and in which a thickness of a side wall insulating film between selection gate transistors can be reduced.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタの隣りに配置されたメモリセルの閾値電圧の上昇を防ぎ、選択ゲートトランジスタ間の側壁絶縁膜を薄膜化できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

"Huangshan Mountains in Morning Mist," a wall painting drawn by the Japanese-style painter Kaii HIGASHIYAMA, was painted in memory of Jianzhen. 例文帳に追加

障壁画「黄山暁雲」は鑑真の御霊を慰める為、日本画家東山魁夷によって新たに描かれたものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A transparent window 14 is provided in the outer peripheral side wall 13 and the memory unit M is made visible from the outside through the transparent window 14.例文帳に追加

外周側壁１３に透明窓１４を設け、この透明窓１４越しに外部からメモリユニットＭが見えるようにする。 - 特許庁

An isolation trench 20, comprising a side wall, upper part, and lower part, encloses the region of a semiconductor body 10 comprising a memory cell.例文帳に追加

アイソレーショントレンチ２０は側壁および上部と下部を有しており、メモリセルを含む半導体ボディ１０の領域を取り囲んでいる。 - 特許庁

His most well known work is the Kinpeki Shohekiga (blue and gold wall painting) at the Shoun-ji Temple (now closed and the wall painting partially relocated to the Chishaku-in Temple in Kyoto), which Hideyoshi TOYOTOMI built in the memory of his beloved son, Tsurumatsu TOYOTOMI, who died as a young child. 例文帳に追加

豊臣秀吉が幼くして亡くなった愛児・豊臣鶴松の追善のために建立した祥雲寺（廃寺）の金碧障壁画（その一部が現在、京都・智積院に伝存）が代表作。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス