「memory-device」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

The data storage 10 also includes a memory control device 3 and a nonvolatile semiconductor memory device 4.例文帳に追加

ポータブルデータ記憶装置１０はまたメモリ制御装置３と不揮発性半導体メモリ装置４を含んでいる。 - 特許庁

DATA MANAGEMENT DEVICE, DATA MANAGEMENT METHOD, NONVOLATILE MEMORY, AND STORAGE DEVICE AND DATA PROCESSING SYSTEM HAVING NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

データ管理装置、データ管理方法、不揮発性メモリ、不揮発性メモリを有する記憶装置及びデータ処理システム - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE AND DATA WRITING METHOD FOR TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT IN NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ装置、及び、不揮発性磁気メモリ装置におけるトンネル磁気抵抗素子へのデータ書込方法 - 特許庁

To provide a resistance change memory device equipped with oxide film and solid electrolyte film and to provide an operation method of the memory device.例文帳に追加

酸化物膜と固体電解質膜を備える抵抗変化メモリ素子およびこれの動作方法を提供する。 - 特許庁

The impedance determined according to the additional capacity of a memory device is arranged in the vicinity of the memory device on a data bus.例文帳に追加

データバス上のメモリデバイス近傍に、そのメモリデバイスの付加容量に応じて定められたインピダンスを配置する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device having an ion-conductive layer, and to provide the manufacturing and operation methods of the non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system, a semiconductor memory device, and an output data strobe signal generating method of the system and the device.例文帳に追加

メモリシステム、半導体メモリ装置、及びこのシステムと装置の出力データストローブ信号発生方法を公開する。 - 特許庁

PIN ASSIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE OF WHICH THE INPUT IS SIGNAL OF PACKET UNIT例文帳に追加

半導体メモリ装置のピンアサインメント方法及びパケット単位の信号を入力とする半導体メモリ装置 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, METHOD FOR DRIVING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

強誘電体記憶装置、強誘電体記憶装置の駆動方法、電子機器および電子機器の駆動方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EQUIPPED WITH DUTY CYCLE CORRECTION CIRCUIT, AND CIRCUIT FOR INTERPOLATING CLOCK SIGNAL IN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

デューティサイクル補正回路を備える半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置でクロック信号を補間する回路 - 特許庁

BANK CONTROL CIRCUIT AND CACHE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING CACHE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING MICROPROCESSOR例文帳に追加

バンク制御回路及びキャッシュメモリ装置、並びにキャッシュメモリ装置の設計方法及びマイクロプロセッサの設計方法 - 特許庁

DATA-DRIVEN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND PACKET READ AND WRITE METHOD IN DATA-DRIVEN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

データ駆動型半導体記憶装置並びにデータ駆動型半導体記憶装置でのパケットのリード及びライト方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ、半導体装置、強誘電体メモリの製造方法、及び半導体装置の製造方法。 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR CONTROLLING MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MEMORY DEVICE HAVING THE SAME CIRCUIT例文帳に追加

メモリ制御方法及びメモリ制御回路及び同回路を有する半導体装置及び同回路を有する記憶装置 - 特許庁

To provide a method of generating an internal clock for a semiconductor memory device and the semiconductor memory device using the same.例文帳に追加

半導体メモリ装置の内部クロック生成方法及びこれを利用した半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

Each photographing device is electrically communicated with the corresponding first memory device such that image data generated by each photographing device can be stored in the corresponding first memory device, each first memory device is electrically conductive to the corresponding second memory device such that data stored in each first memory device can be transferred to the corresponding second memory device.例文帳に追加

各撮像素子は、各撮像素子によって生成された画像データを対応する第１のメモリ素子に記憶することができるように、その対応する第１のメモリ素子と電気的に通じており、各第１のメモリ素子は、各第１のメモリ素子に記憶されているデータを対応する第２のメモリ素子に転送できるように、その対応する第２のメモリと電気的に通じている。 - 特許庁

To reduce capacity of a RAM for a write cache memory, in a semiconductor storage device mounted with a main flash memory, an alternative flash memory, and the write cache memory.例文帳に追加

メインフラッシュメモリと交替フラッシュメモリとライトキャッシュメモリとを搭載する半導体記憶装置において、ライトキャッシュメモリ用のＲＡＭを削減する。 - 特許庁

This device comprises a memory module (20) having a plurality of memory layers (22) and an addressing circuitry, where is the memory layer (22) is formed as layers of arrays of memory elements.例文帳に追加

該方法と装置は、複数のメモリ層(22)を有するメモリモジュール(20)とアドレス指定回路とからなり、メモリ層(22)はメモリエレメントのアレイからなる層として形成される。 - 特許庁

To provide a memory control device which can shorten the read time of data from a memory by storing data in the memory so as to accelerate an access to the memory.例文帳に追加

メモリに対するアクセスを高速化するようにデータをメモリに記憶して、メモリからのデータの読出し時間を短縮させるメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

This memory system includes a plurality of memory devices 320 arranged in sets on at least one memory module as shown in Fig.3, each set including at least one memory device.例文帳に追加

メモリシステムは、少なくとも一つのメモリモジュール上にセットとして配列される複数のメモリデバイスを備え、各セットは、少なくとも一つのメモリデバイスを含む。 - 特許庁

To execute redundancy relief judgment considering the entire defects of a main body memory and an auxiliary memory of a memory to be examined, while controlling a memory circuit of a testing device.例文帳に追加

被試験メモリの本体メモリと予備メモリとの全体の不良を考慮した冗長救済判定を、試験装置のメモリ回路を抑制して実施する。 - 特許庁

To provide a memory device which can save not only its own main memory means but also the main memory means of other memory devices, and can operate at a high speed.例文帳に追加

自己のメインメモリ手段だけでなく他のメモリ装置のメインメモリ手段をも救済し、高速に動作することができるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

A memory device identifies a memory block including the sub-standard memory cell, determines a row address code, and applies the row address code to the memory block during refreshing.例文帳に追加

メモリ装置はサブスタンダードメモリセルを含むメモリブロックを識別し、ロウアドレスコードを決定してリフレッシュ動作の間にロウアドレスコードをメモリブロックに印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device smaller in size of a memory cell and larger in memory capacity than a conventional ferroelectric memory.例文帳に追加

従来の強誘電体メモリと比べてメモリセルのサイズを縮小し、かつ、メモリ容量を増大させることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory device has: a substrate; and a memory cell array composed of memory cells each having a magnetoresistance effect element, the memory cells being two-dimensionally arranged on the substrate.例文帳に追加

不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。 - 特許庁

To prevent removal of a memory card from a memory card slot in a car navigation device during copying update data from the memory card loaded in the memory card slot to a storage medium.例文帳に追加

メモリカードスロットに装填されたメモリカードから記憶媒体への更新データのコピー中における当該メモリカードのメモリカードスロットからの抜き取りを防止する。 - 特許庁

Improvement is added on the memory testing device which stores test results of the memory to be tested in a fail memory and counts the number of fails of the fail memory.例文帳に追加

本発明は、被試験メモリの試験結果をフェイルメモリに格納し、このフェイルメモリのフェイル数をカウントするメモリ試験装置に改良を加えたものである。 - 特許庁

To provide a memory controller that dispenses with previous storage of device information, a flash memory system having the memory controller, and a control method for a flash memory.例文帳に追加

デバイス情報を予め記憶する必要のないメモリコントローラ、当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reading method of memory cell data which applies low voltages to memory cells adjacent to a memory cell from which data may be read, and a nonvolatile memory device.例文帳に追加

読み出し対象メモリセルに隣接するメモリセルに低い電圧を印加するメモリセルデータの読み出し方法及び不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Such a semiconductor memory element is employed whereby a highly reliable small-size nonvolatile memory and the semiconductor memory device having such an nonvolatile memory are provided.例文帳に追加

このような半導体記憶素子を用いることで、信頼性の高い、小型の不揮発性メモリ、およびこれを有する半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a nonvolatile memory for storing data and a memory controller for controlling an operation of the nonvolatile memory.例文帳に追加

本発明による半導体メモリ装置は、データを格納するための不揮発性メモリと、不揮発性メモリの動作を制御するためのメモリコントローラとを含む。 - 特許庁

STRINGING METHOD OF SHAPE MEMORY ALLOY, MANUFACTURING METHOD OF SHAPE MEMORY ALLOY ACTUATOR, SHAPE MEMORY ALLOY ACTUATOR, AND MANUFACTURING DEVICE OF SHAPE MEMORY ALLOY ACTUATOR例文帳に追加

形状記憶合金の架線方法、形状記憶合金アクチュエータの製造方法、形状記憶合金アクチュエータおよび形状記憶合金アクチュエータの製造装置 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a memory cell array which includes a plurality of unit memory cells, where each of the unit memory cells comprises complementary first and second floating body transistor capacitor-less memory cells.例文帳に追加

半導体メモリ装置は複数の単位メモリセルを具備し、各単位メモリセルは相補的な第１及び第２フローティングボディートランジスタ型キャパシタレスメモリセルを具備するメモリセルアレイを具備する。 - 特許庁

In a semiconductor memory device having plural memory cell blocks (BLK0-BLK3), each of the memory cell blocks is provided with a regular memory cell array 1, a redundant memory cell array 2 and a column decoder 8.例文帳に追加

複数のメモリセルブロック（ＢＬＫ０〜ＢＬＫ３）を有する半導体メモリ装置であって、各メモリセルブロックはレギュラーメモリセルアレイ１と、冗長メモリセルアレイ２と、カラムデコーダ８とを有する。 - 特許庁

Preferably, the semiconductor device further includes a volatile memory, transfers data on the nonvolatile memory to the volatile memory by system reset, and accesses the volatile memory instead of read access to the nonvolatile memory.例文帳に追加

好ましくはさらに揮発性メモリを備え、システムリセットにより、不揮発性メモリのデータを揮発性メモリへ転送し、不揮発性メモリへのリードアクセスに代えて、揮発性メモリへアクセスする。 - 特許庁

The mobile device includes a volatile memory and a non-volatile random access memory as the memory of a control unit, and the volatile memory and the non-volatile random access memory are connected to a common bus.例文帳に追加

制御部のメモリとして、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとは共通バスに接続されたことを特徴とする携帯機器。 - 特許庁

To provide a memory device provided with mechanism for strengthening a memory state without boosting voltage to a level at which damage is given to memory cell structure and a method for writing in memory cells in the memory device.例文帳に追加

本発明は、記憶セル構造に損傷を与えるレベルまで電圧をブーストすることなく、記憶状態を強化するための機構を備えた、メモリ装置およびメモリ装置における記憶セルへの書き込み方法を提供する。 - 特許庁

The memory access control device 400 makes memory access control between a data processing device 100 and a large capacity memory 300, and includes a data memory unit 402 and a processing unit 403 inside.例文帳に追加

データ処理装置１００と大容量メモリ３００との間のメモリアクセス制御を行うメモリアクセス制御装置４００内にデータ記憶部４０２と、処理部４０３とを設ける。 - 特許庁

To enable data to be written in or erased out from a monoelectronic memory device with a low voltage, by a method wherein the monoelectroic memory device can be kept in a bistable state where it can be kept stable both in a memory state and in a non-memory state.例文帳に追加

単電子メモリ素子において、メモリ状態と非メモリ状態とを双安定に存在できるようにして小さな電圧でメモリの書込及び消去を可能にする。 - 特許庁

In a high speed memory subsystem, differences in each memory device's minimum device read latency and differences in signal propagation time between the memory device and a memory controller results in widely varying system read latencies.例文帳に追加

高速メモリサブシステムにおいて、各メモリデバイスの最小デバイスリードレイテンシーの差と、メモリデバイスとメモリコントローラとの間の信号伝搬時間の差があるため、システムリードレイテンシーが大幅に変化する。 - 特許庁

The control device 3 is connected between the interface device 2 and the memory device 4 in order to control a data flow from the memory device 4 to the connection device 1.例文帳に追加

メモリ制御装置３は、メモリ装置４からＵＳＢ結合装置１へのデータ流を制御するためにインターフェース装置２とメモリ装置４との間に結合されている。 - 特許庁

OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND OPTICAL PICKUP DEVICE AND OPTICAL MEMORY DEVICE例文帳に追加

光情報記録媒体および光ピックアップ装置ならびに光メモリ装置 - 特許庁

PRINTER, PRINTER HOST DEVICE AND MEMORY MEDIUM CONTAINING OPERATING PROGRAM FOR PRINTER HOST DEVICE例文帳に追加

プリンタ、プリンタホスト、プリンタホストの動作プログラムが記憶されている記憶媒体 - 特許庁

The host device 2 holds device IDs assigned uniquely to each host device, and the storage device 1 comprises a memory 4 and a controller 3 for controlling the memory 4.例文帳に追加

ホスト装置２は、ホスト装置ごとに固有に割り当てられるデバイスＩＤを有し、前記記憶装置は、メモリ４と前記メモリを制御するコントローラ３とを備える。 - 特許庁

GAME SYSTEM, GAME DEVICE, GAME DATA DISTRIBUTING DEVICE AND INFORMATION MEMORY MEDIUM例文帳に追加

ゲームシステム、ゲーム装置およびゲームデータ配信装置並びに情報記録媒体 - 特許庁