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metallization processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 28件
SURFACE TREATMENT PROCESS OF METAL FILM AND MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR METALLIZATION例文帳に追加
金属膜の表面処理プロセスおよび半導体メタライゼーションの製造プロセス - 特許庁
ALUMINUM NITRIDE SINTERED COMPACT HAVING METALLIZATION LAYER AND ITS MANUFACTURING PROCESS例文帳に追加
金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 - 特許庁
INTERCONNECTION PORTION METALLIZATION PROCESS HAVING STEP COVERAGE EQUAL TO OR MORE THAN 100%例文帳に追加
100%又はそれより大きい段差被覆性を有する相互接続部金属化プロセス - 特許庁
To restore or enhance a discontinuous metal seed layer before metallization in succession to a process of an electronic device production.例文帳に追加
電子デバイス製造の過程で引き続くメタライゼーション前に不連続金属シード層を修復又はエンハーンスする。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING TaCN BARRIER LAYER IN COPPER METALLIZATION PROCESS AND COPPER METAL LAYER STRUCTURE WITH TaCN BARRIER LAYER例文帳に追加
銅金属化プロセスにおけるTaCNバリア層の製造方法並びにTaCNバリア層を有する銅金属層構造 - 特許庁
To solve the problem in a manufacturing process of a double-sided metallization film capacitor being wound so that it opposes a polypropylene film that is not deposited on a double-sided metallization polypropylene film, and to solve the problem of the capacitor in terms of performance and the problem that the conventional one-sided metallization film capacitor has.例文帳に追加
両面金属化ポリプロピレンフィルムと蒸着していないポリプロピレンフィルムと対向するように巻回する両面金属化フィルムコンデンサでの製造工程上の課題、及びコンデンサの性能上の課題と従来の片面金属化フィルムコンデンサが有している課題を、解決する。 - 特許庁
Other metallization layer generally used in semiconductor process technology is used for providing an aperture if necessary.例文帳に追加
半導体プロセス技術において一般的に用いられる他の金属層が、必要に応じて、アパーチャを提供するために用いられる。 - 特許庁
In a copper metallization process in a semiconductor integrated circuit, TaCN is used as a barrier layer in order to prevent the diffusion of a copper metal layer.例文帳に追加
半導体集積回路における銅金属化プロセスにおいて、銅金属層拡散を防止するためのバリア層としてTaCNを用いる。 - 特許庁
To provide a metallization film capacitor for automating a manufacturing process easily, preventing insulating failure, dimension fault, outer shape failure, and the like, and improving characteristics.例文帳に追加
製造工程の自動化が容易で、絶縁不良や寸法不良、外観不良等を防止でき、特性を向上できる金属化フィルムコンデンサを提供すること。 - 特許庁
This process comprises a step for generating at least one metallic track 7 in an inside of a track insulation material 1 at a predetermined metallization level.例文帳に追加
このプロセスは、予め定めたメタライゼーション・レベルでトラック間絶縁材料1の内部に少なくとも1つの金属トラック7を生成するステップを含む。 - 特許庁
Except for the back-etch and the gas-sensitive layer formation, all other layers including the tungsten resistive heater 6, are made using a CMOS process employing tungsten metallization.例文帳に追加
当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター6を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたCMOSプロセスが利用される。 - 特許庁
To provide a sintered ceramic compact formed with a metallized layer with which the sufficient strength of adhesion of metallization can be obtained by a simple process regardless of the state of ceramics, a joined body of ceramics and metal, a paste for metallization and a method for manufacturing the sintered ceramic compact formed with the metallized layer.例文帳に追加
セラミックスの状態にかかわらず、簡易な工程で、メタライズの十分な接着強度が得られるメタライズ層形成セラミックス焼結体、セラミックスと金属との接合体、メタライズ用ペースト、及びメタライズ層形成セラミックス焼結体の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The solution restrains residual contaminants or particles from adhering, and reduces or eliminates the corrosion of the exposed metallization areas, during the process of dicing a wafer by sawing.例文帳に追加
この溶液は、汚染残留物又は粒子の付着を抑制し、そしてソーイングによるウエハーのダイシング処理の際、露出したメタライゼーション領域の腐食を低減又は排除する。 - 特許庁
To provide methods for repairing seed layers having oxidation and discontinuities, prior to metallization in a process for manufacturing electronic devices having small geometries, such as 0.5 micron and below.例文帳に追加
0.5ミクロン以下のような小さなジオメトリーを有する電子デバイスの製造過程においてメタライゼーションの前に酸化および不連続を有するシード層を修復する方法を提供する。 - 特許庁
Also, the garbage disposal method includes: a process of executing incineration of combustible garbage in the garbage incinerator; a magnetic sorting process of magnetically sorting the magnetic material from the incineration ash discharged from the garbage incinerator; and a process of executing the reduction metallization treatment of the magnetic material sorted by the magnetic sorting process in the reduction furnace.例文帳に追加
また、本発明に係るごみ処理方法は、ごみ焼却炉において可燃ごみを焼却処理する工程と、ごみ焼却炉から排出した焼却灰から磁性物を磁力選別する磁力選別工程と、磁力選別工程により選別された磁性物を還元炉において還元金属化処理する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing an electroceramic component (1), for example a varistor (1), includes a process of having surface regions (5, 6) of an electroceramic body (2) irradiated with laser, before application of metallization sections (3, 4) onto the surface regions (5, 6).例文帳に追加
電気セラミック部品(1)、例えばバリスタ(1)のための製造方法が、表面部分(5;6)にメタライズ部(3;4)を塗布する前の電気セラミック体(2)の表面部分(5;6)のレーザ照射を有することによる。 - 特許庁
In a reducing atmosphere zone of a reducing furnace 19 in a device for producing reduced iron, a metallization measuring apparatus 39 selectively takes out a green ball GB in the process of reduction, sets the ball to the central part of a coil 41, detects the impedance, calculates the metallization, feeds back the obtained value to a controller 48 and executes temperature control.例文帳に追加
還元鉄の製造装置における還元炉19の還元雰囲気ゾーンでは、金属化率測定装置39が還元炉19の還元雰囲気ゾーンにて還元途中のグリーンボールGBを選択的に取り出し、コイル41の中心部にセットしてそのインピーダンスを検出して金属化率を算出し、制御装置48にフィードバックして温度制御を行う。 - 特許庁
To provide a process for forming a catalyst metallization layer by substitution plating without causing any pit in the copper grain boundary and without enlarging its pit when a barrier film for preventing the spread of copper is formed on the copper surface.例文帳に追加
銅表面に銅の拡散を防止すバリア膜を形成する際に、銅の結晶粒界にピットを発生させることなく、そのピットを拡大することなく、置換メッキにより触媒金属層の形成を図る。 - 特許庁
A cylinder type capacitor can thereby be manufactured in the cell region without generating any level difference between the cell region and the peripheral circuit, and an IMD being formed for the subsequent metallization process can be planarized easily as compared with prior art or the planarization process itself can be eliminated.例文帳に追加
これにより、セル領域と周辺回路間の段差を生ぜずにセル領域にシリンダ型キャパシタを製造でき、後続の金属配線工程のために形成するIMDを従来の技術に比べて易しく平坦化できるか、または平坦化工程自体を省略できる。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a semiconductor device in which low cost is realized, an interconnect line can be formed with good coverage in a contact hole of high aspect ratio, capacity of the interconnect line can be reduced, and multilevel metallization can be formed.例文帳に追加
本発明は、低コストを実現し、アスペクト比が高いコンタクトホールにカバレッジが良好な配線の形成や配線容量の低減、多層配線の形成が可能な半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁
To provide a production method of a ceramic member for joining in a simplified production process by which sufficient joining strength for metallization can be obtained even by low temperature firing, to provide a ceramic member for joining, to provide a joined body, to provide a vacuum switch, and to provide a vacuum vessel.例文帳に追加
低温での焼成でも十分なメタライズの接合強度が得られ、しかもその製造工程を簡易化できる接合用セラミック部材の製造方法、接合用セラミック部材、接合体、真空スイッチ、及び真空容器を提供すること。 - 特許庁
In a method for treating a plastic substrate pattern-formed on a surface by laser in order to form a core pattern suitable for later metallization, after pattern formation by laser, a substrate is made to come into contact with a process liquid suitable for removing undesired deposition that has occurred during the period of pattern formation.例文帳に追加
後続の金属化に適した核パターンを形成するためにレーザで表面にパターン形成されたプラスチック基体を処理する方法において、レーザによるパターン形成後、パターン形成中に発生した所望されない沈殿物を除去するのに適したプロセス溶液に基体を接触させる。 - 特許庁
To reliably connect electronic components to the wiring conductor of an external electric circuit board by improving the electrical insulation reliability between the metallization conductors of a through hole that can be cut straightly in the case of cutting and dividing into each wiring substrate region from a batch-process wiring board.例文帳に追加
多数個取り配線基板から配線基板領域毎に切断分割する際に、真っ直ぐに切断でき貫通孔のメタライズ導体間の電気的な絶縁信頼性を高め、外部電気回路基板の配線導体へ電子部品を高い信頼性でもって接続できるようにすること。 - 特許庁
The electromagnetic wave shielding material 1 of frequency selective transmission type is provided, at least on one side of a transparent base 2, with FSS elements 3 of thin line patterns so as to shield electromagnetic waves of a predetermined frequency, wherein a metallization layer of the FSS elements 3 is composed by forming a developed silver layer on the transparent base 2 by a photography process.例文帳に追加
透明基材2の少なくとも一方の面に、所定周波数の電磁波を遮蔽するための細線パターンからなるFSS素子3が配設された周波数選択遮蔽型の電磁波シールド材1であって、透明基材2の上に写真製法により現像銀層を生成することにより前記FSS素子3の金属層を構成する。 - 特許庁
The electromagnetic wave shielding material 1 of frequency selective transmission type is provided, at least on one side of a transparent base 2, with a metal mesh pattern 3 having a slit 5 for transmitting electromagnetic waves of a predetermined frequency, wherein a metallization layer of the metal mesh pattern 3 is composed by forming a developed silver layer on the transparent base 2 by a photography process.例文帳に追加
透明基材2の少なくとも一方の面に、所定周波数の電磁波が透過するためのスリット5を有する金属メッシュパターン3が配設された周波数選択透過型の電磁波シールド材1であって、透明基材2の上に写真製法により現像銀層を生成することにより前記金属メッシュパターン3の金属層を構成する。 - 特許庁
The crack repairing method for metal parts 13 having cracks 15, whereby the crack is washed and oxide layer is removed, and a repairing alloy 17 is applied by at least either of the cathode arc evaporation process and low-pressure plasma metallization so as to cover the crack 15, and the work 13 is heated at a temperature and with pressure enough to block the crack 15.例文帳に追加
金属部品(13)のクラック修繕方法であって、このクラック修繕方法は、クラック(15)を有する金属部品(13)を提供し、クラック(15)を洗浄して酸化物層を除去し、カソードアーク蒸着および低圧プラズマ溶射の少なくとも一方によって修繕合金(17)を施してクラック(15)を覆い、クラック(15)を塞ぐのに十分な温度および圧力で部品(13)を加熱することを含む。 - 特許庁
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