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microlithographyを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 72件
MICROLITHOGRAPHY PROJECTION APPARATUS例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影装置 - 特許庁
MICROLITHOGRAPHY PROJECTION OBJECTIVE例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影対物レンズ - 特許庁
PROJECTION ALIGNER FOR MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
マイクロリソグラフィーの投影露光装置 - 特許庁
LIGHTING DEVICE FOR EUV MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
EUVマイクロリソグラフィ用照明装置 - 特許庁
REDUCTION PROJECTION OBJECTIVE LENS FOR MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
マイクロリソグラフィ用縮小投影対物レンズ - 特許庁
MICROLITHOGRAPHY ILLUMINATING SYSTEM AND MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE SYSTEM EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加
マイクロリソグラフィー照明系および上記照明系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置 - 特許庁
PHOTON SIEVE FOR OPTICAL SYSTEM IN MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
マイクロリソグラフィにおける光学システム用フォトンシーブ - 特許庁
PROJECTION LENS AND METHOD FOR PERFORMING MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
投影レンズおよびマイクロリソグラフィを実施する方法 - 特許庁
TANGENTIAL POLARIZATION TYPE PROJECTION EXPOSURE BY MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
マイクロリソグラフィーによる接線偏光型投影露光 - 特許庁
MICROLITHOGRAPHY PROJECTING OBJECT LENS AND PROJECTION ALIGNER例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影対物レンズならびに投影露光装置 - 特許庁
To provide a compact microlithography projection optical system.例文帳に追加
コンパクトなマイクロリソグラフィー投影光学系を提供する。 - 特許庁
OPTICAL SYSTEM, PROJECTION ILLUMINATION UNIT USED ESPECIALLY FOR MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
光学システム、特にマイクロリソグラフィ—に用いられる投影照明ユニット - 特許庁
OBJECTIVE LENS FOR REDUCING MICROLITHOGRAPHY AND PROJECTION AND EXPOSURE DEVICE例文帳に追加
マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置 - 特許庁
POLARISCOPE AND MICROLITHOGRAPHY PROJECTION SYSTEM PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加
偏光器および偏光器を備えたマイクロリソグラフィー投影システム - 特許庁
PROJECTION OBJECTIVE APPLIANCE FOR MICROLITHOGRAPHY, MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS HAVING THE SAME, MICROLITHOGRAPHY MANUFACTURING METHOD FOR CONFIGURATION ELEMENT AND CONFIGURATION ELEMENT MANUFACTURED BY USING THE SAME METHOD例文帳に追加
マイクロリソグラフィのための投影対物器械、その投影対物器械を有するマイクロリソグラフィ投影露光装置、構成要素のためのマイクロリソグラフィ製造方法、並びにその方法を用いて製造される構成要素 - 特許庁
To propose a new tangential polarization type projection exposure by microlithography.例文帳に追加
マイクロリソグラフィーによる新規な接線偏光型投影露光を提案する。 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVING PATTERN FORMATION IN MANUFACTURE OF MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
マイクロリソグラフィ製造におけるパタ—ン形成を改善する方法およびシステム - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVEMENT OF ALIGNMENT AND OVERLAY FOR MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
マイクロリソグラフィにおけるアラインメントとオーバーレイを改善するシステムおよび方法 - 特許庁
OBJECTIVE LENS EQUIPPED WITH CRYSTAL LENS AND PROJECTION TYPE EXPOSURE DEVICE FOR MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
マイクロリソグラフィーの結晶レンズと投影形露光装置とを具備した対物レンズ - 特許庁
MICROLITHOGRAPHY PROJECTION OPTICAL SYSTEM WITH ACCESSIBLE DIAPHRAGM OR APERTURE STOP例文帳に追加
取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 - 特許庁
HIERARCHY FOR SERIF MASK DESIGN IN MICROLITHOGRAPHY, DOMAIN BALANCING METHOD AND ALGORITHM例文帳に追加
マイクロリソグラフィにおけるセリフ・マスク設計のための階層およびドメインバランス方法およびアルゴリズム - 特許庁
MICROLITHOGRAPHY PROJECTION OPTICAL SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD FOR DESIGNING OPTICAL SURFACE例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 - 特許庁
MICROLITHOGRAPHY PROJECTION OPTICAL SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD TO DESIGN OPTICAL SURFACE例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 - 特許庁
To provide a manufacturing method of optical element for microlithography in which an optical element used for ultraviolet irradiation especially for microlithography is made from cubic granatite, cubic spinel, cubic perovskite, cubic M(II)-oxide and/or M(IV)-oxide.例文帳に追加
特にマイクロリトグラフィーでの紫外線照射に用いる光学素子を立方晶グラナタイト、立方晶スピネル、立方晶ペロブスカイト、立方晶M(II)酸化物及び/またはM(IV)酸化物から作製する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS, CORRESPONDING PROJECTION EXPOSURE APPARATUS AND PROJECTION OBJECTIVE LENS FOR THE SAME例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影露光機の製造方法、対応する投影露光機及びそのための投影対物レンズ - 特許庁
To provide a projection aligner for microlithography having an illumination system, a reflection reticle and reduction lenses.例文帳に追加
照明系、反射レチクル及び縮小レンズを有するマイクロリソグラフィーの投影露光装置を提供する。 - 特許庁
MATERIAL SUITABLE FOR OPTICAL DEVICE USED FOR MICROLITHOGRAPHY, AND METHOD OF FABRICATING BLANK FROM THE MATERIAL例文帳に追加
マイクロリソグラフィーに使用する光学素子に特に適した材料、およびこの材料からブランクを製造する方法 - 特許庁
To provide an objective optical system, particularly a projection objective optical system, preferably a microlithography projection objective optical system.例文帳に追加
対物光学系、特に、投影対物光学系、好ましくは、マイクロリソグラフィー投影対物光学系の提供。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL ELEMENT FOR MICROLITHOGRAPHY, LENS SYSTEM OBTAINED BY THE METHOD AND USING METHOD OF THE LENS SYSTEM例文帳に追加
マイクロリトグラフィー用光学素子の作製方法、同方法により得られるレンズ系、及び同レンズ系の使用方法 - 特許庁
To provide new materials for microlithography including compositions useful in antireflection and liquid immersion lithography uses.例文帳に追加
反射防止および液浸リソグラフィー用途において有用な組成物を含む、マイクロリソグラフィーのための新規物質を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR CORRECTING IMAGE ERROR IN PROJECTION ALIGNER AND ESPECIALLY IN PROJECTION OPTICAL SYSTEM PROJECTION ALIGNER FOR MICROLITHOGRAPHY例文帳に追加
投影露光装置、ならびに、特にミクロリソグラフィのための投影露光装置の投影光学系で発生する結像誤差を補正する方法 - 特許庁
To solve a problem that a conventional projection objective appliance for use in microlithography includes a stray light component varying over an exposure visual field.例文帳に追加
マイクロリソグラフィにおける使用のための現在の設計の投影対物器械は、露光視野にわたって変化する迷光成分を有する。 - 特許庁
This optical device is specially an optical device in a microlithography projection exposure system and has a slit-shaped image field or a rotation asymmetrical illumination.例文帳に追加
特にマイクロリソグラフィの投影露光システムでの光学装置であり、スリット状の影像フィールドまたは回転非対称な照明を持つ。 - 特許庁
The beam splitter is suited to be used as an irradiation quantity measuring mirror for an illumination system of a microlithography projection/ exposure device.例文帳に追加
本発明に従ったビームスプリッタは、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系などの照射量測定鏡として使用するのに適している。 - 特許庁
To improve an optical system which can be used as a projection objective in a microlithography projection exposure apparatus with respect to resolution at an illumination wavelength.例文帳に追加
照明波長での分解能に関してマイクロリソグラフィ投影露光装置における投影対物鏡として使用できる光学系を改善する - 特許庁
To improve an optical system which can be used as a projection objective mirror in a microlithography projection aligner concerning resolution in illumination wavelengths.例文帳に追加
照明波長での分解能に関してマイクロリソグラフィ投影露光装置における投影対物鏡として使用できる光学系を改善する。 - 特許庁
The microlithography projection optical system is provided with an accessible diaphragm plane 2000 with sufficient space, into which for instance an iris diaphragm can be introduced.例文帳に追加
本マイクロリソグラフィー投影光学系は、例えば、虹彩絞りを導入することができる、十分なスペースの取扱い可能な絞り面2000を設ける。 - 特許庁
The illuminating optical system for microlithography projection aligner 1 is used for illuminating an object surface 19 with illuminating light 3, 3' from light sources 2, 2'.例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影露光装置1用の照明光学系は、光源2、2’からの照明光3、3’で物体表面19を照明するのに用いられる。 - 特許庁
To provide a system for improving the time efficiency of laser scanning, and the control of a deflector, for microlithography writing and inspection on photosensitive substrates.例文帳に追加
感光性基板に対するマイクロリソグラフィ描画および検査のためのレーザ走査の時間効率および偏向器の制御を改善するシステムを提供する。 - 特許庁
An optical system in the microlithography projection aligner of an illumination system or a projection objective lens (10) includes optical elements (L2, L3) consisting of birefringence materials.例文帳に追加
照明システム又は投影対物レンズ(10)のマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システムが、複屈折材料からなる光学エレメント(L2,L3)を含む。 - 特許庁
By considering further quality required for the projection objective lens for microlithography formed in such a way, the maximum numerical aperture (0.65 to 0.80) is realized even at the minimum lens diameter.例文帳に追加
このようなマイクロリソグラフィ用投影対物レンズに必要とされる更なる品質に配慮して、最小のレンズ直径でも、最大の開口数(0.65〜0.80)を実現する。 - 特許庁
To provide a new material for microlithography, including compositions useful as a photoresist barrier layer and in immersion lithography and antireflective applications.例文帳に追加
フォトレジストバリヤー層として並びに液浸リソグラフィ及び反射防止用途において有用である組成物をはじめとするミクロリソグラフィのための新規な材料を提供する。 - 特許庁
A front lens used in immersion optics for microlithography at a wavelength of 200 nm or less is an example of a preferred optical element according to the present invention.例文帳に追加
200nm以下の波長で行われるマイクロリトグラフィー用の液浸光学器械において用いられる前面レンズは本発明に従った光学素子の好ましい一例である。 - 特許庁
In a method and a device wherein projection exposure is performed by microlithography with an optical aperture, contrast is increased by polarizing a light in the direction perpendicular to a plane of incidence of resist.例文帳に追加
光アパーチャーでマイクロリソグラフィーにより投影露光する方法および装置において、レジストの入射面に対し垂直に光を偏光させることによりコントラストを増大させる。 - 特許庁
To provide a multi-exposure method which makes a large amount of wafer processing possible and a microlithography projection exposure apparatus which makes improvement of productivity, at least unchanged quality, and low cost possible.例文帳に追加
高いウェーハ処理量を可能にする多重露光方法と、生産性の向上を少なくとも変わらぬ品質および低費用化を可能にするマイクロリソグラフィー投影露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide an improvement method for determining the placement of sub-resolution imaging assisting bars to reduce the proximity effects when imaging isolated and dense masking features for integrated circuit microlithography.例文帳に追加
集積回路マイクロリソグラフィ用の孤立および密集マスキング・フィーチャを結像する場合に、近接効果を低減するために、サブレゾルーション結像補助バーの配置を決めるための改良方法を提案する。 - 特許庁
A microlithography projection illumination system has the focus detecting system for optically determining a displacement of the image plane of a projection lens from the upper surface of a substrate disposed near the image plane.例文帳に追加
投影レンズの像平面の近傍に配置された基板の上面からのその像平面のずれを光学的に求めるための焦点検出系を有するマイクロリソグラフィ投影照明系が開示されている。 - 特許庁
The projection lens is in particular a project lens 6 for microlithography for imaging an object 3 disposed in an object flat surface 4 on a substrate 18 disposed in an image surface 7.例文帳に追加
本発明は、物体平面(4)内に配置される対象物(3)を、像面(7)内に配置される基板(18)上に結像させるための投影レンズ、特にマイクロリゾラフィー用の投影レンズ(6)である。 - 特許庁
To provide a device which achieves active cooling of an optical element embodied as a front surface mirror or as a lens in a catadioptric projection objective system or a reflective projection objective system used for a microlithography projection exposure apparatus.例文帳に追加
マイクロリソグラフィ投影露光装置に用いられる反射屈折投影対物系又は反射投影対物系の光学要素、特に、前面ミラー又はレンズの能動的冷却が可能な装置を提供する。 - 特許庁
The lighting system in a projection aligner for microlithography comprises a first polarized manipulator PM1, a second polarized manipulator PM2 and at least one optical element L1, L2 arranged in between them.例文帳に追加
マイクロリソグラフィ用投影露光装置のための照明システムが、第1の偏光マニピュレータPM1、第2の偏光マニピュレータPM2、およびそれらの間に配置される少なくとも1つの光学エレメントL1、L2を含む。 - 特許庁
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